JPH05323141A - 光部品の製造方法 - Google Patents
光部品の製造方法Info
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- JPH05323141A JPH05323141A JP4127537A JP12753792A JPH05323141A JP H05323141 A JPH05323141 A JP H05323141A JP 4127537 A JP4127537 A JP 4127537A JP 12753792 A JP12753792 A JP 12753792A JP H05323141 A JPH05323141 A JP H05323141A
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 位置合わせパタ−ンの視認性を損なうことの
ない光部品の製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 基板表面に第１の位置合わせパタ−ンを形成
する工程、この第１の位置合わせパタ−ンに適合する第
２の位置合わせ凹凸パタ−ンと、この第２の位置合わせ
凹凸パタ−ンと所定の位置関係にある第３の位置合わせ
凹凸パタ−ンとを形成する工程、及びこの第３の位置合
わせ凹凸パタ−ンを基準として前記第１の位置合わせ凹
凸パタ−ンと所定の位置関係で所定の加工を行なう工程
を具備する。
ない光部品の製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 基板表面に第１の位置合わせパタ−ンを形成
する工程、この第１の位置合わせパタ−ンに適合する第
２の位置合わせ凹凸パタ−ンと、この第２の位置合わせ
凹凸パタ−ンと所定の位置関係にある第３の位置合わせ
凹凸パタ−ンとを形成する工程、及びこの第３の位置合
わせ凹凸パタ−ンを基準として前記第１の位置合わせ凹
凸パタ−ンと所定の位置関係で所定の加工を行なう工程
を具備する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光部品の製造方法に係
り、特に、光通信の分野で使用される導波路型光部品の
製造方法に関する。
り、特に、光通信の分野で使用される導波路型光部品の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に光通信の分野において、今後、導
波路型光部品が重要な役割を果たすものと考えられてい
る。特に石英材料を用いた導波路型光部品は、光ファイ
バとの整合性が優れていることから、大きな需要が期待
されている。
波路型光部品が重要な役割を果たすものと考えられてい
る。特に石英材料を用いた導波路型光部品は、光ファイ
バとの整合性が優れていることから、大きな需要が期待
されている。
【０００３】石英材料を用いた導波路型光部品として、
図３及び図４に示すようなミラ−を内蔵した折り返し型
光導波路が知られている。図３はこの折り返し型光導波
路の平面図、図４は図３の１−１´で切断した断面図で
ある。折り返し型光導波路は、次のようにして製造され
る。
図３及び図４に示すようなミラ−を内蔵した折り返し型
光導波路が知られている。図３はこの折り返し型光導波
路の平面図、図４は図３の１−１´で切断した断面図で
ある。折り返し型光導波路は、次のようにして製造され
る。
【０００４】まず、シリコン基板２１上に、火炎堆積
法、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ法、ゾル−ゲル法等に
より、石英からなる厚さ約２０μｍの下部クラッド層２
２と、ゲルマニウムを混合した石英からなる厚さ約８μ
ｍのコア層とを形成する。ここで、下部クラッド層２２
とコア層との比屈折率差は、例えば０．２５％程度とす
ることが出来る。
法、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ法、ゾル−ゲル法等に
より、石英からなる厚さ約２０μｍの下部クラッド層２
２と、ゲルマニウムを混合した石英からなる厚さ約８μ
ｍのコア層とを形成する。ここで、下部クラッド層２２
とコア層との比屈折率差は、例えば０．２５％程度とす
ることが出来る。
【０００５】次に、フォトリソグラフィ−法や反応性イ
オンエッチング法等によりコア層をパタ−ニングし、パ
タ−ン幅が約８μｍの所定のパタ−ンの導波路コア２３
を形成する。次いで、下部クラッド層２２と同様、厚さ
約２０μｍの上部クラッド層２４を形成し、導波路コア
２３を被覆する。
オンエッチング法等によりコア層をパタ−ニングし、パ
タ−ン幅が約８μｍの所定のパタ−ンの導波路コア２３
を形成する。次いで、下部クラッド層２２と同様、厚さ
約２０μｍの上部クラッド層２４を形成し、導波路コア
２３を被覆する。
【０００６】その後、フォトリソグラフィ−法や反応性
イオンエッチング法等により、基板面に垂直な壁面を有
する、深さ約３５μｍの溝を形成し、この溝の垂直壁面
に金等の金属材料を真空蒸着法やスパッタリング法等に
より堆積し、厚さ約０．１μｍの反射膜からなるミラ−
２６を形成することにより、ミラ−を内蔵した折り返し
型光導波路が得られる。
イオンエッチング法等により、基板面に垂直な壁面を有
する、深さ約３５μｍの溝を形成し、この溝の垂直壁面
に金等の金属材料を真空蒸着法やスパッタリング法等に
より堆積し、厚さ約０．１μｍの反射膜からなるミラ−
２６を形成することにより、ミラ−を内蔵した折り返し
型光導波路が得られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のような光集積回
路では、光導波路とミラ−との位置関係を、極めて精密
に制御する必要がある。これは、ミラ−の位置がずれる
ことにより、光の伝搬方向が変化し、ミラ−で反射され
た伝搬光が正しく光導波路に導かれず、著しい特性劣化
を生ずるためである。
路では、光導波路とミラ−との位置関係を、極めて精密
に制御する必要がある。これは、ミラ−の位置がずれる
ことにより、光の伝搬方向が変化し、ミラ−で反射され
た伝搬光が正しく光導波路に導かれず、著しい特性劣化
を生ずるためである。
【０００８】ここで、上部クラッド層２４の表面は比較
的平坦であるため、表面の凹凸により光導波路の位置を
割り出すことは非常に困難である。しかし、上部クラッ
ド層２４が石英ガラス等の透明材料で形成されている場
合には、コア部の形状や、あらかじめ上部クラッド層２
４より下の部分に埋め込んだ位置合わせパタ−ン等を光
学的に認識することにより、光導波路の位置を割り出す
ことができる。
的平坦であるため、表面の凹凸により光導波路の位置を
割り出すことは非常に困難である。しかし、上部クラッ
ド層２４が石英ガラス等の透明材料で形成されている場
合には、コア部の形状や、あらかじめ上部クラッド層２
４より下の部分に埋め込んだ位置合わせパタ−ン等を光
学的に認識することにより、光導波路の位置を割り出す
ことができる。
【０００９】しかし、この場合には、位置合わせ前に形
成される、ミラ−等の加工を行なう際に使用されるエッ
チングマスクが透明材料である必要が生じ、製造方法や
材質の選定に重大な制約が課されるという問題がある。
成される、ミラ−等の加工を行なう際に使用されるエッ
チングマスクが透明材料である必要が生じ、製造方法や
材質の選定に重大な制約が課されるという問題がある。
【００１０】一般に、位置合わせパタ−ンをそのまま後
の加工の位置合せの基準として用いる場合には、その加
工に要求される工程によって、位置合わせパタ−ンの視
認が困難になったり、場合によっては不可能になる場合
がある。これを回避するため、位置合わせパタ−ンの視
認性を損なわないような工程を選択する必要が生じ、部
品の製造方法に重大な制約を課すこととなる問題があ
る。
の加工の位置合せの基準として用いる場合には、その加
工に要求される工程によって、位置合わせパタ−ンの視
認が困難になったり、場合によっては不可能になる場合
がある。これを回避するため、位置合わせパタ−ンの視
認性を損なわないような工程を選択する必要が生じ、部
品の製造方法に重大な制約を課すこととなる問題があ
る。
【００１１】本発明は、このような事情の下になされ、
位置合わせパタ−ンの視認性を損なうことのない光部品
の製造方法を提供することを目的とする。
位置合わせパタ−ンの視認性を損なうことのない光部品
の製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するため、基板表面に第１の位置合わせパタ−
ンを形成する工程、この第１の位置合わせパタ−ンに適
合する第２の位置合わせ凹凸パタ−ンと、この第２の位
置合わせ凹凸パタ−ンと所定の位置関係にある第３の位
置合わせ凹凸パタ−ンとを形成する工程、及びこの第３
の位置合わせ凹凸パタ−ンを基準として前記第１の位置
合わせパタ−ンと所定の位置関係で所定の加工を行なう
工程を具備する光部品の製造方法を提供する。
題を解決するため、基板表面に第１の位置合わせパタ−
ンを形成する工程、この第１の位置合わせパタ−ンに適
合する第２の位置合わせ凹凸パタ−ンと、この第２の位
置合わせ凹凸パタ−ンと所定の位置関係にある第３の位
置合わせ凹凸パタ−ンとを形成する工程、及びこの第３
の位置合わせ凹凸パタ−ンを基準として前記第１の位置
合わせパタ−ンと所定の位置関係で所定の加工を行なう
工程を具備する光部品の製造方法を提供する。
【００１３】本発明の方法において、第１の位置合わせ
パタ−ン、第２の位置合わせ凹凸パタ−ン、及び第３の
位置合わせ凹凸パタ−ンは、異なるマスクパタ−ンを有
する２つのフォトマスクを用いることにより形成するこ
とが出来る。例えば、ミラ−を内蔵した折り返し型光導
波路を製造する場合、導波路パタ−ンと第１の位置合わ
せパタ−ンとを有するフォトマスクを用いて基板上に導
波路パタ−ンと第１の位置合わせパタ−ンを形成し、次
いで全面に石英層を形成した後、第１の位置合わせパタ
−ンに適合する第２の位置合わせパタ−ンと、この第２
の位置合わせパタ−ンと所定の位置関係にある第３の位
置合わせパタ−ンとを有するフォトマスクとを用い、石
英層に第２の位置合わせ凹凸パタ−ンと第３の位置合わ
せ凹凸パタ−ンとを形成することが出来る。そして、こ
のようにして形成された第３の位置合わせ凹凸パタ−ン
を基準として、ミラ−部のエッチングを行なうことが出
来る。この場合、第３の位置合わせ凹凸パタ−ンは、第
２の位置合わせ凹凸パタ−ンを介して第１の位置合わせ
パタ−ンと所定の位置関係にあるので、導波路パタ−ン
に対して、正確な位置関係でミラ−部を形成することが
可能である。
パタ−ン、第２の位置合わせ凹凸パタ−ン、及び第３の
位置合わせ凹凸パタ−ンは、異なるマスクパタ−ンを有
する２つのフォトマスクを用いることにより形成するこ
とが出来る。例えば、ミラ−を内蔵した折り返し型光導
波路を製造する場合、導波路パタ−ンと第１の位置合わ
せパタ−ンとを有するフォトマスクを用いて基板上に導
波路パタ−ンと第１の位置合わせパタ−ンを形成し、次
いで全面に石英層を形成した後、第１の位置合わせパタ
−ンに適合する第２の位置合わせパタ−ンと、この第２
の位置合わせパタ−ンと所定の位置関係にある第３の位
置合わせパタ−ンとを有するフォトマスクとを用い、石
英層に第２の位置合わせ凹凸パタ−ンと第３の位置合わ
せ凹凸パタ−ンとを形成することが出来る。そして、こ
のようにして形成された第３の位置合わせ凹凸パタ−ン
を基準として、ミラ−部のエッチングを行なうことが出
来る。この場合、第３の位置合わせ凹凸パタ−ンは、第
２の位置合わせ凹凸パタ−ンを介して第１の位置合わせ
パタ−ンと所定の位置関係にあるので、導波路パタ−ン
に対して、正確な位置関係でミラ−部を形成することが
可能である。
【００１４】
【作用】本発明の方法では、第１の位置合わせパタ−ン
と、この第１の位置合わせパタ−ンに適合する第２の位
置合わせ凹凸パタ−ンと、この第２の位置合わせ凹凸パ
タ−ンと所定の位置関係にある第３の位置合わせ凹凸パ
タ−ンとを順次形成している。そのため、第３の位置合
わせ凹凸パタ−ンを基準として所定の加工を行なうこと
により、結果として第１の位置合わせパタ−ンと所定の
位置関係で所定の加工を行なうこととなる。従って、第
１の位置合わせパタ−ンが膜で覆われることにより視認
性が劣る場合でも、明確に識別可能な第３の位置合わせ
凹凸パタ−ンを基準とすることにより、正確な位置関係
での加工が可能である。
と、この第１の位置合わせパタ−ンに適合する第２の位
置合わせ凹凸パタ−ンと、この第２の位置合わせ凹凸パ
タ−ンと所定の位置関係にある第３の位置合わせ凹凸パ
タ−ンとを順次形成している。そのため、第３の位置合
わせ凹凸パタ−ンを基準として所定の加工を行なうこと
により、結果として第１の位置合わせパタ−ンと所定の
位置関係で所定の加工を行なうこととなる。従って、第
１の位置合わせパタ−ンが膜で覆われることにより視認
性が劣る場合でも、明確に識別可能な第３の位置合わせ
凹凸パタ−ンを基準とすることにより、正確な位置関係
での加工が可能である。
【００１５】その結果、１つの位置合わせパタ−ンしか
使用しない従来技術と比べ、加工の自由度を大幅に広げ
ることが可能となる。
使用しない従来技術と比べ、加工の自由度を大幅に広げ
ることが可能となる。
【００１６】
【実施例】図１は、本発明の一実施例に係るミラ−内蔵
折返し光導波路を形成するために使用される３種のフォ
トマスク１，２，３を重ねて配置した状態を示す図であ
る。即ち、フォトマスク１は、光導波路パタ−ン４と第
１の位置合わせパタ−ン５ａとを有しており、フォトマ
スク２は、第２の位置合わせパタ−ン５ｂと第３の位置
合わせパタ−ン６ａとを有しており、フォトマスク３
は、ミラ−パタ−ン７と第４の位置合わせパタ−ン６ｂ
とを有している。
折返し光導波路を形成するために使用される３種のフォ
トマスク１，２，３を重ねて配置した状態を示す図であ
る。即ち、フォトマスク１は、光導波路パタ−ン４と第
１の位置合わせパタ−ン５ａとを有しており、フォトマ
スク２は、第２の位置合わせパタ−ン５ｂと第３の位置
合わせパタ−ン６ａとを有しており、フォトマスク３
は、ミラ−パタ−ン７と第４の位置合わせパタ−ン６ｂ
とを有している。
【００１７】以下、このような種のフォトマスク１，
２，３を用いてミラ−内蔵折返し光導波路を形成する工
程について説明する。
２，３を用いてミラ−内蔵折返し光導波路を形成する工
程について説明する。
【００１８】まず、従来の方法と同様にして、シリコン
基板上に石英からなる厚さ２０μｍの下部クラッド層
と、この下部クラッド層との屈折率差が０．２５％の、
ゲルマニウムを混合した厚さ８μｍの石英からなるコア
層とを形成した。次いで、光導波路パタ−ン４と第１の
位置合わせパタ−ン５ａとを有するフォトマスク１を用
いて、フォトリソグラフィ−法と反応性イオンエッチン
グ法とにより、コア層の不要な部分を従来の方法と同様
にして除去し、コアと第１の位置合わせ凹凸パタ−ンと
を形成した。次に、石英からなる厚さ２０μｍの上部ク
ラッド層を、下部クラッド層と同様に形成した。この
時、第１の位置合わせ凹凸パタ−ンは、上部クラッド層
に埋め込まれてしまい、上部クラッド層の表面には第１
の位置合わせ凹凸パタ−ンに対応する凹凸は存在しなく
なる。
基板上に石英からなる厚さ２０μｍの下部クラッド層
と、この下部クラッド層との屈折率差が０．２５％の、
ゲルマニウムを混合した厚さ８μｍの石英からなるコア
層とを形成した。次いで、光導波路パタ−ン４と第１の
位置合わせパタ−ン５ａとを有するフォトマスク１を用
いて、フォトリソグラフィ−法と反応性イオンエッチン
グ法とにより、コア層の不要な部分を従来の方法と同様
にして除去し、コアと第１の位置合わせ凹凸パタ−ンと
を形成した。次に、石英からなる厚さ２０μｍの上部ク
ラッド層を、下部クラッド層と同様に形成した。この
時、第１の位置合わせ凹凸パタ−ンは、上部クラッド層
に埋め込まれてしまい、上部クラッド層の表面には第１
の位置合わせ凹凸パタ−ンに対応する凹凸は存在しなく
なる。
【００１９】次に、第１の位置合わせ凹凸パタ−ンに適
合する第２の位置合わせパタ−ン５ｂと、この第２の位
置合わせパタ−ン５ｂと所定の位置関係にある第３の位
置合わせパタ−ン６ａとを有するフォトマスク２を用い
たフォトリソグラフィ−法、及び反応性イオンエッチン
グ法により、基板表面に約０．１μｍ程度の微小な凹凸
パタ−ンからなる第２の位置合わせ凹凸パタ−ン及び第
３の位置合わせ凹凸パタ−ンを形成した。ここで、第１
の位置合わせ凹凸パタ−ンは、基板表面の凹凸パタ−ン
としては認識出来ないものの、フォトリソグラフィ−法
による微小な凹凸パタ−ン形成の際には、基板内部の屈
折率の違いにより、透明なフォトレジストを通して明確
に視認することが出来た。
合する第２の位置合わせパタ−ン５ｂと、この第２の位
置合わせパタ−ン５ｂと所定の位置関係にある第３の位
置合わせパタ−ン６ａとを有するフォトマスク２を用い
たフォトリソグラフィ−法、及び反応性イオンエッチン
グ法により、基板表面に約０．１μｍ程度の微小な凹凸
パタ−ンからなる第２の位置合わせ凹凸パタ−ン及び第
３の位置合わせ凹凸パタ−ンを形成した。ここで、第１
の位置合わせ凹凸パタ−ンは、基板表面の凹凸パタ−ン
としては認識出来ないものの、フォトリソグラフィ−法
による微小な凹凸パタ−ン形成の際には、基板内部の屈
折率の違いにより、透明なフォトレジストを通して明確
に視認することが出来た。
【００２０】この上に、第３の位置合わせ凹凸パタ−ン
と適合する第４の位置合わせパタ−ン６ｂと、この第４
の位置合わせパタ−ン６ｂと所定の位置関係にあるミラ
−パタ−ン７とを有するフォトマスク３を用いて、例え
ばシリコンからなる約１μｍの厚さのエッチングマスク
を形成し、次いで、このエッチングマスクを用いて反応
性イオンエッチングにより、約３５μｍの深さのミラ−
部を形成した。この時、第１の位置合わせ凹凸パタ−ン
は、不透明なシリコンからなるエッチングマスクの下に
隠されて、全く視認することが出来なかったが、第１の
位置合わせ凹凸パタ−ンと所定の位置関係にある第３の
位置合わせ凹凸パタ−ンの存在のため、容易に位置合わ
せ作業を行なうことが可能であった。
と適合する第４の位置合わせパタ−ン６ｂと、この第４
の位置合わせパタ−ン６ｂと所定の位置関係にあるミラ
−パタ−ン７とを有するフォトマスク３を用いて、例え
ばシリコンからなる約１μｍの厚さのエッチングマスク
を形成し、次いで、このエッチングマスクを用いて反応
性イオンエッチングにより、約３５μｍの深さのミラ−
部を形成した。この時、第１の位置合わせ凹凸パタ−ン
は、不透明なシリコンからなるエッチングマスクの下に
隠されて、全く視認することが出来なかったが、第１の
位置合わせ凹凸パタ−ンと所定の位置関係にある第３の
位置合わせ凹凸パタ−ンの存在のため、容易に位置合わ
せ作業を行なうことが可能であった。
【００２１】本実施例においては、導波路パタ−ンとミ
ラ−部との位置合わせを、約０．５μｍという高精度で
行なうことが出来た。
ラ−部との位置合わせを、約０．５μｍという高精度で
行なうことが出来た。
【００２２】図２は、本発明の他の実施例に係る、ニオ
ブ酸リチウム基板を用いたチタン拡散導波路からなる光
位相変調器を形成するために使用される３種のフォトマ
スク１１，１２，１３を重ねて配置した状態を示す図で
ある。即ち、フォトマスク１１は、光導波路パタ−ン１
４と第１の位置合わせパタ−ン１５ａとを有しており、
フォトマスク１２は、第２の位置合わせパタ−ン１５ｂ
と第３の位置合わせパタ−ン１６ａとを有しており、フ
ォトマスク１３は、電極パタ−ン１７と第４の位置合わ
せパタ−ン１６ｂとを有している。
ブ酸リチウム基板を用いたチタン拡散導波路からなる光
位相変調器を形成するために使用される３種のフォトマ
スク１１，１２，１３を重ねて配置した状態を示す図で
ある。即ち、フォトマスク１１は、光導波路パタ−ン１
４と第１の位置合わせパタ−ン１５ａとを有しており、
フォトマスク１２は、第２の位置合わせパタ−ン１５ｂ
と第３の位置合わせパタ−ン１６ａとを有しており、フ
ォトマスク１３は、電極パタ−ン１７と第４の位置合わ
せパタ−ン１６ｂとを有している。
【００２３】このような光位相変調器では、導波路と電
極との位置合わせ精度が重要である。しかし、チタン拡
散導波路は、ニオブ酸リチウム基板上の他の部分に対し
わずかに盛り上がっているが、導波路とそれ以外の部分
の双方ともほぼ透明であるため、これらの上に不透明な
膜を形成してしまうと、チタン拡散導波路のパタ−ンの
認識が出来なくなり、その後の工程における位置合わせ
に支障を生じていたものである。
極との位置合わせ精度が重要である。しかし、チタン拡
散導波路は、ニオブ酸リチウム基板上の他の部分に対し
わずかに盛り上がっているが、導波路とそれ以外の部分
の双方ともほぼ透明であるため、これらの上に不透明な
膜を形成してしまうと、チタン拡散導波路のパタ−ンの
認識が出来なくなり、その後の工程における位置合わせ
に支障を生じていたものである。
【００２４】以下、このような３種のフォトマスク１
１，１２，１３を用いて光位相変調路を形成する工程に
ついて説明する。
１，１２，１３を用いて光位相変調路を形成する工程に
ついて説明する。
【００２５】まず、Ｚカットニオブ酸リチウム基板上
に、導波路パタ−ン１４と第１の位置合わせパタ−ン１
５ａとを有するフォトマスク１１を用いて、リフトオフ
法により、厚さ約６５ｎｍのチタンパタ−ンと第１の位
置合わせパタ−ンとを形成した。次いで、温度１０３５
℃のウエット酸素雰囲気中で約１０時間熱処理して、チ
タンの拡散を行なった。その結果、基板表面のチタンは
全て基板内に拡散し、チタンパタ−ンの下に周辺部より
も屈折率がやや大きいチタン拡散導波路コア及び位置合
わせパタ−ンとが形成された。この導波路コア等は、周
辺部よりもやや盛り上がっているが、ほぼ平坦である。
また、基板表面に、残留チタンは見られなかった。
に、導波路パタ−ン１４と第１の位置合わせパタ−ン１
５ａとを有するフォトマスク１１を用いて、リフトオフ
法により、厚さ約６５ｎｍのチタンパタ−ンと第１の位
置合わせパタ−ンとを形成した。次いで、温度１０３５
℃のウエット酸素雰囲気中で約１０時間熱処理して、チ
タンの拡散を行なった。その結果、基板表面のチタンは
全て基板内に拡散し、チタンパタ−ンの下に周辺部より
も屈折率がやや大きいチタン拡散導波路コア及び位置合
わせパタ−ンとが形成された。この導波路コア等は、周
辺部よりもやや盛り上がっているが、ほぼ平坦である。
また、基板表面に、残留チタンは見られなかった。
【００２６】次に、第１の位置合わせパタ−ンと適合す
る第２の位置合わせパタ−ン１５ｂと、この第２の位置
合わせパタ−ン１５ｂと所定の位置関係にある第３の位
置合わせパタ−ン１６ａとを有するフォトマスク１２を
用いたフォトリソグラフィ−法、及び反応性イオンエッ
チング法により、約０．１μｍ程度の段差の微小な凹凸
パタ−ンからなる第２の位置合わせ凹凸パタ−ン及び第
３の位置合わせ凹凸パタ−ンを形成した。
る第２の位置合わせパタ−ン１５ｂと、この第２の位置
合わせパタ−ン１５ｂと所定の位置関係にある第３の位
置合わせパタ−ン１６ａとを有するフォトマスク１２を
用いたフォトリソグラフィ−法、及び反応性イオンエッ
チング法により、約０．１μｍ程度の段差の微小な凹凸
パタ−ンからなる第２の位置合わせ凹凸パタ−ン及び第
３の位置合わせ凹凸パタ−ンを形成した。
【００２７】この上に、真空蒸着法等を用いて厚さ約
０．１μｍの主として金からなる電極膜を形成した。こ
の段階では、第１の位置合わせパタ−ンは、不透明な金
からなる電極膜の下に隠されて、全く視認することが出
来なかったが、第１の位置合わせパタ−ンと所定の位置
関係にある第３の位置合わせ凹凸パタ−ンは、識別可能
であった。ここで、第３の位置合わせ凹凸パタ−ンと適
合する第４の位置合わせパタ−ン１６ｂと、この第４の
位置合わせパタ−ン１６ｂと所定の位置関係にある電極
パタ−ン１７とを有するフォトマスク１３を用いて、電
極膜の不要部分を反応性イオンエッチングにより除去し
た。このとき、第３の位置合わせ凹凸パタ−ンに第４の
位置合わせパタ−ン１６ｂを一致させることにより、フ
ォトマスク１３の位置合わせ作業を行なった。
０．１μｍの主として金からなる電極膜を形成した。こ
の段階では、第１の位置合わせパタ−ンは、不透明な金
からなる電極膜の下に隠されて、全く視認することが出
来なかったが、第１の位置合わせパタ−ンと所定の位置
関係にある第３の位置合わせ凹凸パタ−ンは、識別可能
であった。ここで、第３の位置合わせ凹凸パタ−ンと適
合する第４の位置合わせパタ−ン１６ｂと、この第４の
位置合わせパタ−ン１６ｂと所定の位置関係にある電極
パタ−ン１７とを有するフォトマスク１３を用いて、電
極膜の不要部分を反応性イオンエッチングにより除去し
た。このとき、第３の位置合わせ凹凸パタ−ンに第４の
位置合わせパタ−ン１６ｂを一致させることにより、フ
ォトマスク１３の位置合わせ作業を行なった。
【００２８】以上の第２の実施例においても、第３の位
置合わせ凹凸パタ−ンの存在により、導波路パタ−ンに
対する電極パタ−ンの位置合わせを、０．５μｍ以下の
高精度で行なうことが可能であった。
置合わせ凹凸パタ−ンの存在により、導波路パタ−ンに
対する電極パタ−ンの位置合わせを、０．５μｍ以下の
高精度で行なうことが可能であった。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
第１の位置合わせパタ−ンと、この第１の位置合わせパ
タ−ンに適合する第２の位置合わせ凹凸パタ−ンと、こ
の第２の位置合わせ凹凸パタ−ンと所定の位置関係にあ
る第３の位置合わせ凹凸パタ−ンとを順次形成し、第３
の位置合わせ凹凸パタ−ンを基準として所定の加工を行
なうことにより、第１の位置合わせパタ−ンが膜で覆わ
れること等により視認性が劣る場合でも、正確な位置関
係での加工が可能である。その結果、１つの位置合わせ
パタ−ンしか使用しない従来技術と比べ、加工の自由度
を大幅に広げることが可能となる。
第１の位置合わせパタ−ンと、この第１の位置合わせパ
タ−ンに適合する第２の位置合わせ凹凸パタ−ンと、こ
の第２の位置合わせ凹凸パタ−ンと所定の位置関係にあ
る第３の位置合わせ凹凸パタ−ンとを順次形成し、第３
の位置合わせ凹凸パタ−ンを基準として所定の加工を行
なうことにより、第１の位置合わせパタ−ンが膜で覆わ
れること等により視認性が劣る場合でも、正確な位置関
係での加工が可能である。その結果、１つの位置合わせ
パタ−ンしか使用しない従来技術と比べ、加工の自由度
を大幅に広げることが可能となる。
【図１】 本発明の一実施例に係る折返し光導波路を形
成するために使用される３種のフォトマスクを重ねて配
置した状態を示す図。
成するために使用される３種のフォトマスクを重ねて配
置した状態を示す図。
【図２】 本発明の他の実施例に係る、ニオブ酸リチウ
ム基板を用いたチタン拡散導波路からなる光位相変調器
を形成するために使用される３種のフォトマスク重ねて
配置した状態を示す図。
ム基板を用いたチタン拡散導波路からなる光位相変調器
を形成するために使用される３種のフォトマスク重ねて
配置した状態を示す図。
【図３】 折り返し型光導波路の平面図。
【図４】 図３の１−１´で切断した折り返し型光導波
路の断面図。
路の断面図。
１，２，３…フォトマスク、４…光導波路パタ−ン、５
ａ…第１の位置合わせパタ−ン、５ｂ…第２の位置合わ
せパタ−ン、６ａ…第３の位置合わせパタ−ン、６ｂ…
第４の位置合わせパタ−ン、７…ミラ−パタ−ン。
ａ…第１の位置合わせパタ−ン、５ｂ…第２の位置合わ
せパタ−ン、６ａ…第３の位置合わせパタ−ン、６ｂ…
第４の位置合わせパタ−ン、７…ミラ−パタ−ン。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年８月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】以下、このような３種のフォトマスク１
１，１２，１３を用いて光位相変調器を形成する工程に
ついて説明する。
１，１２，１３を用いて光位相変調器を形成する工程に
ついて説明する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 史朗 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 (72)発明者 柳川 久治 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 基板表面に第１の位置合わせパタ−ンを
形成する工程、この第１の位置合わせパタ−ンに適合す
る第２の位置合わせ凹凸パタ−ンと、この第２の位置合
わせ凹凸パタ−ンと所定の位置関係にある第３の位置合
わせ凹凸パタ−ンとを形成する工程、及びこの第３の位
置合わせ凹凸パタ−ンを基準として前記第１の位置合わ
せパタ−ンと所定の位置関係で所定の加工を行なう工程
を具備する光部品の製造方法。 - 【請求項２】 前記所定の加工を行なう前に基板上に不
透明膜を形成し、前記第２の位置合わせ凹凸パタ−ン及
び第３の位置合わせ凹凸パタ−ンを不透明膜で被覆する
工程を更に具備する請求項１に記載の光部品の製造方
法。 - 【請求項３】 前記基板はシリコン基板であり、前記第
１の位置合わせパタ−ン上に石英ガラスが堆積され、こ
の石英ガラスに前記第２の位置合わせ凹凸パタ−ン及び
第３の位置合わせ凹凸パタ−ンが形成される請求項１に
記載の光部品の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4127537A JPH05323141A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 光部品の製造方法 |
| EP93108181A EP0570940A1 (en) | 1992-05-20 | 1993-05-19 | Method of manufacturing an optical component |
| US08/441,602 US5529595A (en) | 1992-05-20 | 1995-05-15 | Method of positioning elements of an optical integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4127537A JPH05323141A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 光部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05323141A true JPH05323141A (ja) | 1993-12-07 |
Family
ID=14962470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4127537A Pending JPH05323141A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 光部品の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5529595A (ja) |
| EP (1) | EP0570940A1 (ja) |
| JP (1) | JPH05323141A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19611907A1 (de) * | 1996-03-26 | 1997-10-02 | Sel Alcatel Ag | Optisches Bauelement mit Justiermarke und Verfahren zur Herstellung |
| KR100256815B1 (ko) * | 1996-06-24 | 2000-06-01 | 김영환 | 확대/축소 크기 측정용 마크 |
| EP1122561A1 (en) | 2000-02-03 | 2001-08-08 | Corning Incorporated | High precision alignment of optical devices over a high thickness transparent layer |
| US7058245B2 (en) * | 2000-04-04 | 2006-06-06 | Waveguide Solutions, Inc. | Integrated optical circuits |
| US7000434B2 (en) * | 2000-12-19 | 2006-02-21 | Intel Corporation | Method of creating an angled waveguide using lithographic techniques |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3713911A (en) * | 1970-05-26 | 1973-01-30 | Westinghouse Electric Corp | Method of delineating small areas as in microelectronic component fabrication |
| US3783044A (en) * | 1971-04-09 | 1974-01-01 | Motorola Inc | Photoresist keys and depth indicator |
| US3796497A (en) * | 1971-12-01 | 1974-03-12 | Ibm | Optical alignment method and apparatus |
| US3808527A (en) * | 1973-06-28 | 1974-04-30 | Ibm | Alignment determining system |
| JPS5534442A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-11 | Fujitsu Ltd | Preparation of semiconductor device |
| JPS6042828A (ja) * | 1983-08-18 | 1985-03-07 | Nec Corp | マスク目合せ方法 |
| US4740986A (en) * | 1985-12-20 | 1988-04-26 | Hughes Aircraft Company | Laser resonator |
| JP2710935B2 (ja) * | 1987-08-08 | 1998-02-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| EP0313681A1 (en) * | 1987-10-30 | 1989-05-03 | Ibm Deutschland Gmbh | Phase-sensitive interferometric mask-wafer alignment |
| US5133603A (en) * | 1988-10-18 | 1992-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for observing alignment marks on a mask and wafer |
| US4966446A (en) * | 1989-04-28 | 1990-10-30 | At&T Bell Laboratories | Mask controlled coupling of inter-substrate optical components |
| JP3060261B2 (ja) * | 1991-03-19 | 2000-07-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の製造方法 |
| US5407763A (en) * | 1992-05-28 | 1995-04-18 | Ceridian Corporation | Mask alignment mark system |
-
1992
- 1992-05-20 JP JP4127537A patent/JPH05323141A/ja active Pending
-
1993
- 1993-05-19 EP EP93108181A patent/EP0570940A1/en not_active Ceased
-
1995
- 1995-05-15 US US08/441,602 patent/US5529595A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0570940A1 (en) | 1993-11-24 |
| US5529595A (en) | 1996-06-25 |
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