JPH11344630A - 平面型光導波路及びその製造方法 - Google Patents
平面型光導波路及びその製造方法Info
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- JPH11344630A JPH11344630A JP15469498A JP15469498A JPH11344630A JP H11344630 A JPH11344630 A JP H11344630A JP 15469498 A JP15469498 A JP 15469498A JP 15469498 A JP15469498 A JP 15469498A JP H11344630 A JPH11344630 A JP H11344630A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ファイバとの結合損や界面荒れによる導波
損，偏波依存性等を大きくすることなく、曲げ損失を効
果的に低減した平面型光導波路とその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 シリコン基板１に、下部クラッド層２を
形成し、この上にコア層３をパターン形成する。コア層
３は直線部３ａ，３ｂと曲がり部３ｃを有する。上部ク
ラッド層は、コア層３の直線部３ａ，３ｂを覆う第１の
上部クラッド層４ａ，４ｂと、曲がり部３ｃを覆う第２
の上部クラッド層５とから構成する。第２の上部クラッ
ド層５を、第１の上部クラッド層４ａ，４ｂの比べて低
屈折率として、コア層３との間の屈折率差を大きくし、
曲がり損失を低減する。
損，偏波依存性等を大きくすることなく、曲げ損失を効
果的に低減した平面型光導波路とその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 シリコン基板１に、下部クラッド層２を
形成し、この上にコア層３をパターン形成する。コア層
３は直線部３ａ，３ｂと曲がり部３ｃを有する。上部ク
ラッド層は、コア層３の直線部３ａ，３ｂを覆う第１の
上部クラッド層４ａ，４ｂと、曲がり部３ｃを覆う第２
の上部クラッド層５とから構成する。第２の上部クラッ
ド層５を、第１の上部クラッド層４ａ，４ｂの比べて低
屈折率として、コア層３との間の屈折率差を大きくし、
曲がり損失を低減する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、平面型光導波路
とその製造方法に関する。
とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】平面型光導波路は、シリコン等の基板上
に下部クラッド層、コア層及び上部クラッド層を形成し
て得られる。平面型光導波路の低損失化のためには、コ
ア層とクラッド層の屈折率差を大きくしてコア層での光
閉じ込めを強くすることが必要である。特に、コア層の
パターンに曲がり部がある場合には、この曲がり部で横
方向に光が放射して漏れることによる損失、いわゆる曲
げ損失（bending loss）が大きくなるため、コア層とク
ラッド層の屈折率差を大きくすることが要求される。
に下部クラッド層、コア層及び上部クラッド層を形成し
て得られる。平面型光導波路の低損失化のためには、コ
ア層とクラッド層の屈折率差を大きくしてコア層での光
閉じ込めを強くすることが必要である。特に、コア層の
パターンに曲がり部がある場合には、この曲がり部で横
方向に光が放射して漏れることによる損失、いわゆる曲
げ損失（bending loss）が大きくなるため、コア層とク
ラッド層の屈折率差を大きくすることが要求される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】導波路の曲げ損失を低
減するため、従来は導波路全体にわたってコア層とクラ
ッド層の屈折率差を大きくすることが行われていた。し
かしこの方法では、次のような問題がある。第１に、コ
ア層とクラッド層の屈折率差を大きくすると、導波路端
面に光ファイバ等を結合する際に、クラッド層からコア
層に結合する成分が少なくなるため、結合損失が大きく
なる。この結合損失の問題に対処するためには、例えば
導波路に接続される先端部に球を取り付けた先球ファイ
バ等を用いることが必要となり、これは製造上のトレラ
ンスを小さくする。第２に、コア層とクラッド層の屈折
率差を大きくすると、コア層とクラッド層の界面の荒れ
が大きくなって導波損が大きくなり、また偏波依存性が
導波路断面形状に対して敏感になる。特に、平面型の光
導波路回路（ＰＬＣ）をより高集積化するために導波路
の曲がり部の半径を小さくした場合には、これらの問題
がより大きくなる。
減するため、従来は導波路全体にわたってコア層とクラ
ッド層の屈折率差を大きくすることが行われていた。し
かしこの方法では、次のような問題がある。第１に、コ
ア層とクラッド層の屈折率差を大きくすると、導波路端
面に光ファイバ等を結合する際に、クラッド層からコア
層に結合する成分が少なくなるため、結合損失が大きく
なる。この結合損失の問題に対処するためには、例えば
導波路に接続される先端部に球を取り付けた先球ファイ
バ等を用いることが必要となり、これは製造上のトレラ
ンスを小さくする。第２に、コア層とクラッド層の屈折
率差を大きくすると、コア層とクラッド層の界面の荒れ
が大きくなって導波損が大きくなり、また偏波依存性が
導波路断面形状に対して敏感になる。特に、平面型の光
導波路回路（ＰＬＣ）をより高集積化するために導波路
の曲がり部の半径を小さくした場合には、これらの問題
がより大きくなる。
【０００４】この発明は、上記事情を考慮してなされた
もので、ファイバとの結合損や界面荒れによる導波損，
偏波依存性等を大きくすることなく、曲げ損失を効果的
に低減した平面型光導波路とその製造方法を提供するこ
とを目的としている。
もので、ファイバとの結合損や界面荒れによる導波損，
偏波依存性等を大きくすることなく、曲げ損失を効果的
に低減した平面型光導波路とその製造方法を提供するこ
とを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係る平面型光
導波路は、基板と、この基板上に形成された下部クラッ
ド層と、この下部クラッド層上に直線部と曲がり部をも
ってパターン形成されたコア層と、このコア層を覆って
形成された上部クラッド層とを有し、前記下部クラッド
層及び上部クラッド層の少なくとも一方と前記コア層と
の間の屈折率差が、前記コア層の曲がり部において直線
部よりも大きく設定されていることを特徴とする。
導波路は、基板と、この基板上に形成された下部クラッ
ド層と、この下部クラッド層上に直線部と曲がり部をも
ってパターン形成されたコア層と、このコア層を覆って
形成された上部クラッド層とを有し、前記下部クラッド
層及び上部クラッド層の少なくとも一方と前記コア層と
の間の屈折率差が、前記コア層の曲がり部において直線
部よりも大きく設定されていることを特徴とする。
【０００６】この発明に係る平面型光導波路はまた、基
板と、この基板上に形成された下部クラッド層と、この
下部クラッド層上に直線部と曲がり部をもってパターン
形成されたコア層と、このコア層を覆って形成され、コ
ア層の曲がり部に接する部分の屈折率がコア層の直線部
に接する部分に比べて小さく設定された上部クラッド層
とを有することを特徴とする。
板と、この基板上に形成された下部クラッド層と、この
下部クラッド層上に直線部と曲がり部をもってパターン
形成されたコア層と、このコア層を覆って形成され、コ
ア層の曲がり部に接する部分の屈折率がコア層の直線部
に接する部分に比べて小さく設定された上部クラッド層
とを有することを特徴とする。
【０００７】またこの発明による平面型光導波路の製造
方法は、基板上に下部クラッド層を形成する工程と、前
記下部クラッド層上に直線部と曲がり部を有するコア層
をパターン形成する工程と、前記コア層の直線部を覆う
ように第１の上部クラッド層を形成する工程と、前記コ
ア層の曲がり部を覆うように前記第１の上部クラッド層
より屈折率が小さい第２の上部クラッド層を形成する工
程とを有することを特徴とする。
方法は、基板上に下部クラッド層を形成する工程と、前
記下部クラッド層上に直線部と曲がり部を有するコア層
をパターン形成する工程と、前記コア層の直線部を覆う
ように第１の上部クラッド層を形成する工程と、前記コ
ア層の曲がり部を覆うように前記第１の上部クラッド層
より屈折率が小さい第２の上部クラッド層を形成する工
程とを有することを特徴とする。
【０００８】この発明によると、コア層に曲がり部を有
する平面型光導波路において、クラッド層とコア層の間
の屈折率差を、曲がり部で選択的に大きくすることによ
り、曲げ損失を低減している。従って、導波路全体にわ
たってクラッド層とコア層の屈折率差を大きくする従来
法と異なり、光ファイバ等を導波路に接続する際の結合
損失を小さくすることができ、先球ファイバ等を用いな
くても、大きな結合効率を得ることができる。またコア
層の直線部ではクラッド層とコア層の間の屈折率差を相
対的に小さくできるから、製造上避けることができない
クラッド層とコア層との微小な界面の荒れが少なくな
り、導波損を小さくすることができる。更に、偏波依存
性に対して、製造上避けることのできない導波路の変形
のトレランスを大きくすることができる。
する平面型光導波路において、クラッド層とコア層の間
の屈折率差を、曲がり部で選択的に大きくすることによ
り、曲げ損失を低減している。従って、導波路全体にわ
たってクラッド層とコア層の屈折率差を大きくする従来
法と異なり、光ファイバ等を導波路に接続する際の結合
損失を小さくすることができ、先球ファイバ等を用いな
くても、大きな結合効率を得ることができる。またコア
層の直線部ではクラッド層とコア層の間の屈折率差を相
対的に小さくできるから、製造上避けることができない
クラッド層とコア層との微小な界面の荒れが少なくな
り、導波損を小さくすることができる。更に、偏波依存
性に対して、製造上避けることのできない導波路の変形
のトレランスを大きくすることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施例を説明する。図１はこの発明の一実施例による
石英系平面型光導波路の斜視図であり、図２はその導波
方向の断面図である。この平面型導波路は、シリコン基
板１にＳｉＯ2からなる下部クラッド層２、コア層３及
び上部クラッド層４ａ，４ｂ，５を積層して作られてい
る。
の実施例を説明する。図１はこの発明の一実施例による
石英系平面型光導波路の斜視図であり、図２はその導波
方向の断面図である。この平面型導波路は、シリコン基
板１にＳｉＯ2からなる下部クラッド層２、コア層３及
び上部クラッド層４ａ，４ｂ，５を積層して作られてい
る。
【００１０】コア層３は、端面形状を矩形として、直線
部３ａ，３ｂと曲がり部３ｃを有するパターンに加工さ
れている。このコア層３を覆う上部クラッド層４ａ，４
ｂ，５は、コア層３の直線部３ａ，３ｂにそれぞれ接触
する第１の上部クラッド層４ａ，４ｂと、コア層３の曲
がり部３ｃに接触する第２の上部クラッド層５とからな
る。下部クラッド層２及び上部クラッド層４ａ，４ｂ，
５ｄに対して、コア層３の屈折率は相対的に大きく、こ
れによりコア層３への光閉じ込めが行われる。
部３ａ，３ｂと曲がり部３ｃを有するパターンに加工さ
れている。このコア層３を覆う上部クラッド層４ａ，４
ｂ，５は、コア層３の直線部３ａ，３ｂにそれぞれ接触
する第１の上部クラッド層４ａ，４ｂと、コア層３の曲
がり部３ｃに接触する第２の上部クラッド層５とからな
る。下部クラッド層２及び上部クラッド層４ａ，４ｂ，
５ｄに対して、コア層３の屈折率は相対的に大きく、こ
れによりコア層３への光閉じ込めが行われる。
【００１１】この実施例においては、コア層３の直線部
３ａ，３ｂを覆う第１の上部クラッド層４ａ，４ｂに対
して、曲がり部３ｃを覆う第２の上部クラッド層５の屈
折率が小さく設定されている。コア層３は、直線部３
ａ，３ｂ及び曲がり部３ｃの全体にわたって一定の屈折
率である。従って、第１の上部クラッド層４ａ，４ｂと
コア層３の間の屈折率差に対して、第２の上部クラッド
層５とコア層３の間の屈折率差の方が大きい。
３ａ，３ｂを覆う第１の上部クラッド層４ａ，４ｂに対
して、曲がり部３ｃを覆う第２の上部クラッド層５の屈
折率が小さく設定されている。コア層３は、直線部３
ａ，３ｂ及び曲がり部３ｃの全体にわたって一定の屈折
率である。従って、第１の上部クラッド層４ａ，４ｂと
コア層３の間の屈折率差に対して、第２の上部クラッド
層５とコア層３の間の屈折率差の方が大きい。
【００１２】コア層３及びクラッド層２，４ａ，４ｂ，
５の屈折率は、例えばＳｉＯ2膜堆積時の不純物ドーピ
ングにより制御される。例えば、屈折率を下げるには、
堆積するＳｉＯ2にボロン（Ｂ）等をドープすればよ
く、屈折率を上げるには、堆積するＳｉＯ2にゲルマニ
ウム（Ｇｅ）等をドープすればよい。この実施例では、
第１の上部クラッド層４ａ，４ｂに比べて、第２の上部
クラッド層５のボロン（Ｂ）ドープ量を多くすることに
より、第２の上部クラッド層５を低屈折率としている。
５の屈折率は、例えばＳｉＯ2膜堆積時の不純物ドーピ
ングにより制御される。例えば、屈折率を下げるには、
堆積するＳｉＯ2にボロン（Ｂ）等をドープすればよ
く、屈折率を上げるには、堆積するＳｉＯ2にゲルマニ
ウム（Ｇｅ）等をドープすればよい。この実施例では、
第１の上部クラッド層４ａ，４ｂに比べて、第２の上部
クラッド層５のボロン（Ｂ）ドープ量を多くすることに
より、第２の上部クラッド層５を低屈折率としている。
【００１３】この実施例による平面型光導波路の製造工
程を、図３〜図７を参照して説明する。図３に示すよう
に、シリコン基板１に、火炎堆積法（ＦＨＤ法）により
下部クラッド層２、及びコア層３０を順次堆積形成す
る。この膜堆積工程での不純物ドーピング制御により、
下部クラッド層２に比べてコア層３０の屈折率を高く設
定する。具体的にこの実施例では、下部クラッド層２と
コア層３０の屈折率差Δ１を、Δ１＝０．３％とした。
程を、図３〜図７を参照して説明する。図３に示すよう
に、シリコン基板１に、火炎堆積法（ＦＨＤ法）により
下部クラッド層２、及びコア層３０を順次堆積形成す
る。この膜堆積工程での不純物ドーピング制御により、
下部クラッド層２に比べてコア層３０の屈折率を高く設
定する。具体的にこの実施例では、下部クラッド層２と
コア層３０の屈折率差Δ１を、Δ１＝０．３％とした。
【００１４】次に、全面堆積されたコア層３０をリソグ
ラフィ工程と反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）工程に
より、図４に示すように、直線部３ａ，３ｂと曲がり部
３ｃを持つコア層３としてパターニングする。コア層３
は、断面が矩形で幅が６μｍ、曲がり部３ｃの曲率半径
を１０ｍｍとした。
ラフィ工程と反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）工程に
より、図４に示すように、直線部３ａ，３ｂと曲がり部
３ｃを持つコア層３としてパターニングする。コア層３
は、断面が矩形で幅が６μｍ、曲がり部３ｃの曲率半径
を１０ｍｍとした。
【００１５】次に、図５に示すように、コア層３の曲が
り部３ｃ上にマスク材として石英ガラス１１を載置し、
この状態で図６に示すように第１の上部クラッド層４
ａ，４ｂ，４ｃをＦＨＤ法により堆積する。そして、石
英ガラス１１を除去することによりこの上のクラッド層
４ｃを除いて、図７に示すように、コア層３の直線部３
ａ，３ｂのみを覆う第１の上部クラッド層４ａ，４ｂを
パターン形成する。第１の上部クラッド層４ａ，４ｂと
コア層３の屈折率差Δ２は、Δ２＝０．３％とした。
り部３ｃ上にマスク材として石英ガラス１１を載置し、
この状態で図６に示すように第１の上部クラッド層４
ａ，４ｂ，４ｃをＦＨＤ法により堆積する。そして、石
英ガラス１１を除去することによりこの上のクラッド層
４ｃを除いて、図７に示すように、コア層３の直線部３
ａ，３ｂのみを覆う第１の上部クラッド層４ａ，４ｂを
パターン形成する。第１の上部クラッド層４ａ，４ｂと
コア層３の屈折率差Δ２は、Δ２＝０．３％とした。
【００１６】この後、図１に示すように、ＦＨＤ法によ
り第２の上部クラッド層５を堆積する。第２の上部クラ
ッド層５は、第１の上部クラッド層４ａ，４ｂに挟まれ
た領域でコア層３の曲がり部３ｂに接触し、両側の第１
の上部クラッド層４ａ，４ｂに延在する形で堆積され
る。第２の上部クラッド層５は第１の上部クラッド層４
ａ，４ｂより低屈折率層であり、コア層３との間の屈折
率差Δ３は、Δ３＝０．６％とした。
り第２の上部クラッド層５を堆積する。第２の上部クラ
ッド層５は、第１の上部クラッド層４ａ，４ｂに挟まれ
た領域でコア層３の曲がり部３ｂに接触し、両側の第１
の上部クラッド層４ａ，４ｂに延在する形で堆積され
る。第２の上部クラッド層５は第１の上部クラッド層４
ａ，４ｂより低屈折率層であり、コア層３との間の屈折
率差Δ３は、Δ３＝０．６％とした。
【００１７】この実施例によると、上部クラッド層のう
ち、コア層３の曲がり部３ｃを覆う第２の上部クラッド
層５を選択的に低屈折率層とすることにより、曲げ損失
が低減される。また、導波路全体にわたってコア層とク
ラッド層の屈折率差を大きくする従来法に比べて、光フ
ァイバ等の結合損失が小さくなり、また界面の荒れに起
因する導波損や偏波依存性が低減される。
ち、コア層３の曲がり部３ｃを覆う第２の上部クラッド
層５を選択的に低屈折率層とすることにより、曲げ損失
が低減される。また、導波路全体にわたってコア層とク
ラッド層の屈折率差を大きくする従来法に比べて、光フ
ァイバ等の結合損失が小さくなり、また界面の荒れに起
因する導波損や偏波依存性が低減される。
【００１８】図８及び図９はそれぞれ、この実施例の導
波路と比較例の導波路についての、ビーム伝搬法（ＢＰ
Ｍ）による導波特性のシミュレーション結果を示してい
る。比較例は、実施例の第１の上部クラッド層４ａ，４
ｂをコア層３の全体に形成したもの、従って上下のクラ
ッド層とコア層の間の屈折率差を均一に０．３％とした
ものである。図８及び図９において、ｘは導波方向の距
離、ｙは幅であり、Ｅは導波電界を示しいる。図８と図
９を比較して明らかなように、比較例では曲がり部で放
射損失が生じているのに対し、実施例ではこの様な放射
損失がなく、曲がり部でも導波光がコア層に閉じこめら
れていることが分かる。このシミュレーション結果の解
析から、比較例での放射損失は約７．４ｄＢであり、実
施例での放射損失は約０．７６ｄＢであった。また実施
例の光導波路を実測した結果によると、曲げ損失は約
１．２ｄＢであった。
波路と比較例の導波路についての、ビーム伝搬法（ＢＰ
Ｍ）による導波特性のシミュレーション結果を示してい
る。比較例は、実施例の第１の上部クラッド層４ａ，４
ｂをコア層３の全体に形成したもの、従って上下のクラ
ッド層とコア層の間の屈折率差を均一に０．３％とした
ものである。図８及び図９において、ｘは導波方向の距
離、ｙは幅であり、Ｅは導波電界を示しいる。図８と図
９を比較して明らかなように、比較例では曲がり部で放
射損失が生じているのに対し、実施例ではこの様な放射
損失がなく、曲がり部でも導波光がコア層に閉じこめら
れていることが分かる。このシミュレーション結果の解
析から、比較例での放射損失は約７．４ｄＢであり、実
施例での放射損失は約０．７６ｄＢであった。また実施
例の光導波路を実測した結果によると、曲げ損失は約
１．２ｄＢであった。
【００１９】図１０は、この発明の別の実施例の平面型
光導波路について、図２の断面に相当する断面構造を示
している。この実施例では、上部クラッド層４は一定屈
折率とし、下部クラッド層を、コア層３の直線部３ａ，
３ｂに接する第１の下部クラッド層２ａ，２ｂと、コア
層３の曲がり部３ｃに接する第２の下部クラッド層６と
から構成している。第２の下部クラッド層６は第１の下
部クラッド層２ａ，２ｂに比べて低屈折率とする。この
実施例の下部クラッド層構造は、基本的に先の実施例の
上部クラッド層と同様に、２段階の膜堆積により形成す
ることができる。但し、その後コア層の堆積を行うため
に、平坦化工程が必要になる。この実施例によっても、
先の実施例と同様の効果が得られる。
光導波路について、図２の断面に相当する断面構造を示
している。この実施例では、上部クラッド層４は一定屈
折率とし、下部クラッド層を、コア層３の直線部３ａ，
３ｂに接する第１の下部クラッド層２ａ，２ｂと、コア
層３の曲がり部３ｃに接する第２の下部クラッド層６と
から構成している。第２の下部クラッド層６は第１の下
部クラッド層２ａ，２ｂに比べて低屈折率とする。この
実施例の下部クラッド層構造は、基本的に先の実施例の
上部クラッド層と同様に、２段階の膜堆積により形成す
ることができる。但し、その後コア層の堆積を行うため
に、平坦化工程が必要になる。この実施例によっても、
先の実施例と同様の効果が得られる。
【００２０】図１１は更に別の実施例の平面型光導波路
について、図２の断面に相当する断面構造を示してい
る。この実施例では、下部クラッド層２及び上部クラッ
ド層４共に一定屈折率とし、コア層３の曲がり部３ｃの
屈折率を直線部３ａ，３ｂより高く設定している。曲が
り部３ｃの屈折率を選択的に高くするためには、前述の
ようにこの部分のＧｅドープ量を多くすればよい。或い
は、この曲がり部３ｃを、高圧Ｈ2雰囲気に曝した後、
紫外線照射を行うことにより、その屈折率を高くするこ
ともできる。この実施例のコア層構造も、２段階の膜堆
積により形成することができるが、その場合には平坦化
工程が必要になる。或いはコア層３全体を一つの堆積膜
とし、直線部３ａ，３ｂをマスクで覆って上述した高圧
Ｈ2雰囲気処理と紫外線照射処理を行うことによって、
曲がり部３ｃを選択的に高屈折率とする方法も用いるこ
とができる。この実施例によっても、先の実施例と同様
の効果が得られる。
について、図２の断面に相当する断面構造を示してい
る。この実施例では、下部クラッド層２及び上部クラッ
ド層４共に一定屈折率とし、コア層３の曲がり部３ｃの
屈折率を直線部３ａ，３ｂより高く設定している。曲が
り部３ｃの屈折率を選択的に高くするためには、前述の
ようにこの部分のＧｅドープ量を多くすればよい。或い
は、この曲がり部３ｃを、高圧Ｈ2雰囲気に曝した後、
紫外線照射を行うことにより、その屈折率を高くするこ
ともできる。この実施例のコア層構造も、２段階の膜堆
積により形成することができるが、その場合には平坦化
工程が必要になる。或いはコア層３全体を一つの堆積膜
とし、直線部３ａ，３ｂをマスクで覆って上述した高圧
Ｈ2雰囲気処理と紫外線照射処理を行うことによって、
曲がり部３ｃを選択的に高屈折率とする方法も用いるこ
とができる。この実施例によっても、先の実施例と同様
の効果が得られる。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、コ
ア層に曲がり部を有する平面型光導波路において、クラ
ッド層とコア層の間の屈折率差を、曲がり部で選択的に
大きくすることにより、光ファイバ等との結合損失を大
きくすることなく、また界面荒れによる導波損や偏波依
存性を大きくするこなく、曲がり損失を低減することが
できる。
ア層に曲がり部を有する平面型光導波路において、クラ
ッド層とコア層の間の屈折率差を、曲がり部で選択的に
大きくすることにより、光ファイバ等との結合損失を大
きくすることなく、また界面荒れによる導波損や偏波依
存性を大きくするこなく、曲がり損失を低減することが
できる。
【図１】 この発明の一実施例による平面型光導波路の
斜視図である。
斜視図である。
【図２】 同平面型光導波路の導波方向の断面図であ
る。
る。
【図３】 同平面型光導波路のコア層までの膜堆積工程
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図４】 同平面型光導波路のコア層のパターニング工
程を示す斜視図である。
程を示す斜視図である。
【図５】 同平面型光導波路の第１の上部クラッド層形
成のためのマスク工程を示す斜視図である。
成のためのマスク工程を示す斜視図である。
【図６】 同平面型光導波路の第１の上部クラッド層堆
積の工程を示す斜視図である。
積の工程を示す斜視図である。
【図７】 同平面型光導波路の第１の上部クラッド層の
パターニング工程を示す斜視図である。
パターニング工程を示す斜視図である。
【図８】 同平面型光導波路のシミュレーションによる
導波特性を示す。
導波特性を示す。
【図９】 比較例の平面型光導波路のシミュレーション
による導波特性を示す。
による導波特性を示す。
【図１０】 この発明の他の実施例による平面型光導波
路を示す断面図である。
路を示す断面図である。
【図１１】 この発明の更に他の実施例による平面型光
導波路を示す断面図である。
導波路を示す断面図である。
１…シリコン基板、２…下部クラッド層、３…コア層、
３ａ，３ｂ…直線部、３ｃ…曲がり部、４ａ，４ｂ…第
１の上部クラッド層、５…第２の上部クラッド層。
３ａ，３ｂ…直線部、３ｃ…曲がり部、４ａ，４ｂ…第
１の上部クラッド層、５…第２の上部クラッド層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 和田 朗 千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ クラ佐倉工場内 (72)発明者 中居 道弘 千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ クラ佐倉工場内 (72)発明者 田中 信幸 千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ クラ佐倉工場内
Claims (3)
- 【請求項１】 基板と、 この基板上に形成された下部クラッド層と、 この下部クラッド層上に直線部と曲がり部をもってパタ
ーン形成されたコア層と、 このコア層を覆って形成された上部クラッド層とを有
し、 前記下部クラッド層及び上部クラッド層の少なくとも一
方と前記コア層との間の屈折率差が、前記コア層の曲が
り部において直線部よりも大きく設定されていることを
特徴とする平面型光導波路。 - 【請求項２】 基板と、 この基板上に形成された下部クラッド層と、 この下部クラッド層上に直線部と曲がり部をもってパタ
ーン形成されたコア層と、 このコア層を覆って形成され、コア層の曲がり部に接す
る部分の屈折率がコア層の直線部に接する部分に比べて
小さく設定された上部クラッド層とを有することを特徴
とする平面型光導波路。 - 【請求項３】 基板上に下部クラッド層を形成する工程
と、 前記下部クラッド層上に直線部と曲がり部を有するコア
層をパターン形成する工程と、 前記コア層の直線部を覆うように第１の上部クラッド層
を形成する工程と、 前記コア層の曲がり部を覆うように前記第１の上部クラ
ッド層より屈折率が小さい第２の上部クラッド層を形成
する工程とを有することを特徴とする平面型光導波路の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15469498A JP3477497B2 (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | 平面型光導波路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15469498A JP3477497B2 (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | 平面型光導波路及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11344630A true JPH11344630A (ja) | 1999-12-14 |
| JP3477497B2 JP3477497B2 (ja) | 2003-12-10 |
Family
ID=15589911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15469498A Expired - Lifetime JP3477497B2 (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | 平面型光導波路及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3477497B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008096484A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Sony Corp | 光半導体装置 |
| US7542642B2 (en) | 2006-08-10 | 2009-06-02 | Ricoh Printing Systems, Ltd. | Multi-beam generating device and optical recording device using the same |
| CN109425933A (zh) * | 2017-09-05 | 2019-03-05 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件 |
-
1998
- 1998-06-03 JP JP15469498A patent/JP3477497B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7542642B2 (en) | 2006-08-10 | 2009-06-02 | Ricoh Printing Systems, Ltd. | Multi-beam generating device and optical recording device using the same |
| JP2008096484A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Sony Corp | 光半導体装置 |
| US7526170B2 (en) | 2006-10-06 | 2009-04-28 | Sony Corporation | Optical semiconductor device |
| CN109425933A (zh) * | 2017-09-05 | 2019-03-05 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件 |
| CN109425933B (zh) * | 2017-09-05 | 2022-07-01 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3477497B2 (ja) | 2003-12-10 |
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