JPS61168943A - 農用作業機 - Google Patents

農用作業機

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JPS61168943A
JPS61168943A JP60009012A JP901285A JPS61168943A JP S61168943 A JPS61168943 A JP S61168943A JP 60009012 A JP60009012 A JP 60009012A JP 901285 A JP901285 A JP 901285A JP S61168943 A JPS61168943 A JP S61168943A
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organic film
semiconductor element
pellet
semiconductor device
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Akira Suzuki
明 鈴木
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特にレジンとの
接着性が良いばかりでなく、半導体素子の特性不良をも
解消した樹脂封止型半導体装置に関する。 〔背景技術〕 樹脂封止型半導体装置において使用される、いわゆるリ
ードフレームと称される支持体は、一般に、４２アロイ
と称される合金（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）より成り、その線
膨張係数が約４　Ｘ　１０−５７℃である。これに対し
、封正に使用されるエポキシ樹脂などの樹脂封止材は、
一般に、その線膨張係数は２０　Ｘ　１０−５／’Ｃで
ある。かかる、線膨張係数差に基づき、リードフレーム
の、半導体素子（ペレット）を搭載する部分である、ア
イランド部（タブ）に、当該ペレットを搭載し、ワイヤ
ボンディング後に、上記封止材（レジン）により、封止
を行なった樹脂封止型半導体装置は、温度サイクルテス
ト時に、いわゆるパッケージクラックを生じたりする。 そのため、特開昭５８−２７３３７号公報には、かかる
クラック防止対策として、上記アイランド部裏側に、レ
ジンとの接着性を向上させるためのいわゆるディンプル
加工を施すことが提案されている。 しかし、本発明者はかかる樹脂封止型半導体装置につい
て鋭意検討したところ、アイランド部裏面にディンプル
加工などのレジンとの接着性を向上するための処理を施
したかかる装置にあっては、接着性が向上する一方で、
ペレヴト上面のストレスの増加となり、当該ベレットの
特性不良（リーク不良）を引き起こすことを知った。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、レジンとの接着性がよいばかりでなく
、上記の如き、本発明者が新しく見い出した問題点であ
るベレットの特性不良を回避できる樹脂封止型半導体装
置を提供することにある。 本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。 〔発明の概要〕 本願において開示される発明の５ち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。 すなわち、本発明においては、アイランド裏面にレジン
との接着性を向上させるための処理を施すことに加えて
、ベレット表面にボッティング技術などにより有機膜を
コートして成る。 これによりレジンとの接着性が良いばかりでなく、ペレ
ヴト上面のストレスを当該有機膜により緩和できるので
ベレットの特性不良をも回避できた。 〔実施例〕 次に、本発明を図面に示す実施例に基づき説明するＯ 実施例１ ｔＸ１図は本発明を適用した樹脂封止型半導体装置の断
面図を示す。 第１図にて、１はアイランド部で、当該アイランド部１
の裏面には、同図に示すように、ディンプル（凹み）２
加工が施されている。また、同図にて、３は半導体素子
（ベレット）、４は本発明でいう有機膜、５はコネクタ
ワイヤ、６はリード、７は樹脂封止体である。 この半導体装置は、例えば次のようにして製造される。 すなわち、図示していないが、周知の形状のリードフレ
ームのディンプル加工が施されたアイランド部１上に半
導体素子３を固着し、当該素子３とリード６とを；ネク
タワイヤ５によりワイヤボンディング後、ポツティング
技術により有機膜４を形成する材料溶液を半導体素子３
上にコートし、当該組立品をモールド金製に入れて、エ
ポキシ。 シリコンなどの樹脂でトランスファーモールトスる主要
工程を経て樹脂封止体７が形成された樹脂封止を半導体
装置を得ることができる。 半導体素子は、例えばシリコン単結晶基板から取り、周
知の技術によりてこのチップ内には多数の回路素子が形
成され、１つの回路機能が与えられている。回路素子の
具体例は、例えばＭＯＳトランジスタから成り、これら
の回路素子によって、例えばメモリや論理回路の回路機
能が形成されている。 コネクタワイヤ５は例えばＡｕ線より成る。 有機膜４は、樹脂封止体を構成する樹脂よりも弾性率の
低いものであることが必要である。樹脂と弾性率が同じ
ときにはレジンのストレスをバッファーする効果を奏し
得ない。 有機膜４形成材料としては、例えばシリコン系のゲル、
ラバー、ポリイミド系合成樹脂などが挙げられる。 一般に、封止樹脂は、機械的強度を向上させるためにフ
ィラーを添加している。従って、弾性率も高くなってい
る。本発明では、かかるフィラーを含まないエポキシ、
シリコンなどの樹脂であってもよい。 この有機膜はα線によるソフトエラーな防止できる程の
厚味は必要とせず、前記バッファー効果を奏し得る程度
の例えば２μ程度の厚味で足りる。 第２図は本発明の他の実施例を示す。この例では、アイ
ランド部１に、第２図に示すように、貫通孔８を形成し
【、レジンとの接着性向上のための処理を施して成る。 また、この例では、半導体素子３のウェハ工程で有機膜
４を形成して成る。 この装置は、ウニへ段階で有機膜４を施す以外は前記実
施例１と同様にして製造されるので、特にその説明を省
略する。 〔発明の効果〕 本発明によれば、アイランド部にレジンとの接着性を向
上させる処理を施して、パッケージクラックを防止でき
るほか、素子表面を有機膜で被覆することにより、レジ
ンストレスの緩衝作用を果たし、したがって、素子の特
性不良をも回避できた。 以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。 例えば前記実施例】では、レジンとの接着性を向上させ
る処理としてディンプル加工を施した例を示したが、そ
の表面を粗面にするなどであってもよい。 〔産業上の利用分野〕 本発明は、樹脂封止型半導体装置全般に適用できるが、
特に、パフケージクラック、素子特性不良が問題となる
薄型、小型のレジンパッケージや大ベレット搭載のレジ
ンパッケージなどに著効がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例を示す断面図、第２図は本発明
の他の実施例を示す断面図である。 １・・・アイランド部、２・・・レジンとの接着性を向
上するための処理（ディンプル加工）、３・・・半導体
素子、４・・・有機膜、５・・・コネクタワイヤ、６・
・・リード、７・・・樹脂封止体、８・・・貫通孔。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、半導体素子を搭載する支持体のアイランド部にレジ
    ンとの接着性を向上するための処理を施して成る樹脂封
    止型半導体装置において、当該半導体素子の表面を、当
    該封止材よりも弾性率の低い有機膜により被覆して成る
    ことを特徴とするレジン及び半導体素子との接着性が良
    くかつ半導体素子の特性不良を防止した樹脂封止型半導
    体装置。 ２、レジンとの接着性を向上するための処理が、アイラ
    ンド部裏面に施され、当該処理が、アイランド裏面に凹
    凸又は粗雑化加工を施すことから成る、特許請求の範囲
    第１項記載の半導体装置。 ３、有機膜が、ポリイミド系合成樹脂より成る、特許請
    求の範囲第１項記載の半導体装置。
JP60009012A 1985-01-23 1985-01-23 農用作業機 Pending JPS61168943A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4974057A (en) * 1986-10-31 1990-11-27 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device package with circuit board and resin
US5448106A (en) * 1991-08-20 1995-09-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin semiconductor integrated circuit device assembly

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4974057A (en) * 1986-10-31 1990-11-27 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device package with circuit board and resin
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