JPS61155746A - 排ガスセンサ - Google Patents
排ガスセンサInfo
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- JPS61155746A JPS61155746A JP28093584A JP28093584A JPS61155746A JP S61155746 A JPS61155746 A JP S61155746A JP 28093584 A JP28093584 A JP 28093584A JP 28093584 A JP28093584 A JP 28093584A JP S61155746 A JPS61155746 A JP S61155746A
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- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
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- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
この発明はｎ形金属酸化物半導体とｐ形金属酸化物半導
体とを組み合せた排ガスセンサの改良に関し、エンジン
やボイラーの空燃比の制御や、ストーブの不完全燃焼の
防止等に適したもので有る。
体とを組み合せた排ガスセンサの改良に関し、エンジン
やボイラーの空燃比の制御や、ストーブの不完全燃焼の
防止等に適したもので有る。
特公昭５７−３７８２４号は、ｎ形金属酸化物半導体と
ｐ形金属酸化物半導体とを組み合せた排ガスセンサを開
示する。この技術の特長は、２つの半導体の組み合せに
より、センサの温度依存性の補償と空燃比１λ）への検
出信号の倍増とを図った点に有る。
ｐ形金属酸化物半導体とを組み合せた排ガスセンサを開
示する。この技術の特長は、２つの半導体の組み合せに
より、センサの温度依存性の補償と空燃比１λ）への検
出信号の倍増とを図った点に有る。
ｐ形金属酸化物半導体として着目されているのは、Ｌａ
ｃｏｏ＝ 、ＬａＮｉＯ３，ＳｒＦｅ０３等のペロブス
カイト化合物で有る（特開昭５５−１６６０３０、同５
７−２０４４４５〜７．同５７−８４３９、同５７−１
７８１４７ 、同５７−１７９６５４等）。しかしこれ
らの化合物は、 （１）酸素感度が低い、 （２）可燃性ガス感度が酸素感度にくらべて高く、未反
応の可燃性ガスにより検出誤差が生ずる、（３）抵抗値
と抵抗温度係数とが極端に小さく、ｎ形半導体とマツチ
しない。
ｃｏｏ＝ 、ＬａＮｉＯ３，ＳｒＦｅ０３等のペロブス
カイト化合物で有る（特開昭５５−１６６０３０、同５
７−２０４４４５〜７．同５７−８４３９、同５７−１
７８１４７ 、同５７−１７９６５４等）。しかしこれ
らの化合物は、 （１）酸素感度が低い、 （２）可燃性ガス感度が酸素感度にくらべて高く、未反
応の可燃性ガスにより検出誤差が生ずる、（３）抵抗値
と抵抗温度係数とが極端に小さく、ｎ形半導体とマツチ
しない。
という点が問題になる。
この発明の課題は排ガスセンサのｐ形ガス検出片を改良
し、 （１）酸素感度の改善と、 （２）未反応の可燃性ガスによる検出誤差の抑制と、（
３）ｐ形ガス検出片とｎ形ガス検出片の抵抗温度係数の
マツチング、 とを得ることに有る。
し、 （１）酸素感度の改善と、 （２）未反応の可燃性ガスによる検出誤差の抑制と、（
３）ｐ形ガス検出片とｎ形ガス検出片の抵抗温度係数の
マツチング、 とを得ることに有る。
この発明の排ガスセンサは、
ｎ形金属酸化物半導体を用いたｎ形ガス検出片と、ｐ形
金属酸化物半導体を用いたｐ形ガス検出片とを組み合せ
た排ガスセンサにおいて、ｐ形金属酸化物半導体として
ＡＴｔ０３−δ、（ここにＡは３ｒおよびＣａからなる
群の少くとも一員の元素を、δは非化学量論的パラメー
タを現す）、を用いたことを特徴とする。
金属酸化物半導体を用いたｐ形ガス検出片とを組み合せ
た排ガスセンサにおいて、ｐ形金属酸化物半導体として
ＡＴｔ０３−δ、（ここにＡは３ｒおよびＣａからなる
群の少くとも一員の元素を、δは非化学量論的パラメー
タを現す）、を用いたことを特徴とする。
以下では非化学量論的パラメータδを除いて化合物を表
示する。また酸素感度を示す概念として、酸素勾配置ｎ
ｌを導入し、 Ｒ８＝に−ＰＯｇ ＃ （Ｒｓ ；半導体の抵抗値
）として定義する。
示する。また酸素感度を示す概念として、酸素勾配置ｎ
ｌを導入し、 Ｒ８＝に−ＰＯｇ ＃ （Ｒｓ ；半導体の抵抗値
）として定義する。
（Ａ）排ガスセンサの構造
第１図と第２図とにより、排ガスセンサの構造を説明す
る。図において（２）はアルミナ製の６穴管基体で、そ
の先端にはヒータ内蔵のセラミックス管（４）が取り付
けである。このセラミックス管（４）は、内部にタング
ステンや白金等の換ヒータ（６）を設けたもので、ｎ形
ガス検出片（８）やｐ形ガス検出片０Ｑを一定温度に加
熱するためのもので有る。なおヒータについては、図示
の膜ヒータ（６）以外にも種々のものを用い得る。
る。図において（２）はアルミナ製の６穴管基体で、そ
の先端にはヒータ内蔵のセラミックス管（４）が取り付
けである。このセラミックス管（４）は、内部にタング
ステンや白金等の換ヒータ（６）を設けたもので、ｎ形
ガス検出片（８）やｐ形ガス検出片０Ｑを一定温度に加
熱するためのもので有る。なおヒータについては、図示
の膜ヒータ（６）以外にも種々のものを用い得る。
基体（２）とセラミックス管（４）との間のくぼみ部に
は、しきい部■を介してｎ形ガス検出片（８）とｐ形ガ
ス検出片００とを設ける。
は、しきい部■を介してｎ形ガス検出片（８）とｐ形ガ
ス検出片００とを設ける。
ここでｎ形ガス検出片（８）は、Ｔｉｏ２．ＢａＴｉＯ
３゜８ｎ０２ 、ｚｎｏ、Ｉｎ２Ｏ３等の適宜のｎ形金
属酸化物半導体の多孔質焼結体に、図示しない一体の電
撞を接続したもので有る。
３゜８ｎ０２ 、ｚｎｏ、Ｉｎ２Ｏ３等の適宜のｎ形金
属酸化物半導体の多孔質焼結体に、図示しない一体の電
撞を接続したもので有る。
ｐ形ガス検出片ＱＯは、ＳｒＴｉ０３ 、ＣａＴｉＯ３
。
。
ＳｒＯ，７ＣａｏＪＴｉ０３等のｐ形ペロブスカイト化
合物の多孔質焼結体に、図示しない一対の貴金属電属ヲ
ｆｆｌ続り、りもノテ有るｏ Ｓｒ ’］［’ １０３
、Ｃａ ’ｌ’ １０ ｇ ＊ｓｒｏ、７ｃａＯＪ’
Ｉ’ｉｏ！の特性は、抵抗値、抵抗温度係数、酸素感度
、可燃性ガス感度とも、良く類似し、特性的には相互に
均等物で有る。
合物の多孔質焼結体に、図示しない一対の貴金属電属ヲ
ｆｆｌ続り、りもノテ有るｏ Ｓｒ ’］［’ １０３
、Ｃａ ’ｌ’ １０ ｇ ＊ｓｒｏ、７ｃａＯＪ’
Ｉ’ｉｏ！の特性は、抵抗値、抵抗温度係数、酸素感度
、可燃性ガス感度とも、良く類似し、特性的には相互に
均等物で有る。
抵抗値等について見ると、ｇｒ’ｌ’ｉ０３の抵抗値は
７００℃のリーン側（空燃比スが１以上）で１０ＯＫΩ
弱、同じ雰囲気で温度を５００℃から９００℃に増すと
抵抗値は１／１０００程度に減少する。これはＴｉｏ、
やＢａ’ｌ’ ｉＱ、の抵抗値とその温度係数とに、類
似する。ところでＬａＣｊＯＯｇ のリーン側の抵抗値
は２００℃で約１０．８００℃で２Ω弱で有る（例えば
特開昭５５−１６６０８０）。
７００℃のリーン側（空燃比スが１以上）で１０ＯＫΩ
弱、同じ雰囲気で温度を５００℃から９００℃に増すと
抵抗値は１／１０００程度に減少する。これはＴｉｏ、
やＢａ’ｌ’ ｉＱ、の抵抗値とその温度係数とに、類
似する。ところでＬａＣｊＯＯｇ のリーン側の抵抗値
は２００℃で約１０．８００℃で２Ω弱で有る（例えば
特開昭５５−１６６０８０）。
酸素勾配について見ると、ＳｒＴｉ０３の酸素勾配は６
００℃で−０，２０，７００〜８００℃で−０，２１で
有る。またＴ ｉ ０２の酸素勾配は６００〜８００℃
で約０．１５となる。これに対して、ＬａＣＯＯ３、Ｌ
ａＮ１０ｇ 、ＳｒＦｅＯＢ等の酸素勾配は７００℃で
−０，１１で、Ｓｒ’ｌ’ｉ０３ の約１／２となる。
００℃で−０，２０，７００〜８００℃で−０，２１で
有る。またＴ ｉ ０２の酸素勾配は６００〜８００℃
で約０．１５となる。これに対して、ＬａＣＯＯ３、Ｌ
ａＮ１０ｇ 、ＳｒＦｅＯＢ等の酸素勾配は７００℃で
−０，１１で、Ｓｒ’ｌ’ｉ０３ の約１／２となる。
ＳｒＴｉＯｓのＣＯや■雪への感度は低く、酸素感度と
良（バランスしている。Ｔｊ０２ではＣＯやＨ，への感
度は酸素感度より高く、ＬａＣ００３等では酸素感度よ
りかなり高い。
良（バランスしている。Ｔｊ０２ではＣＯやＨ，への感
度は酸素感度より高く、ＬａＣ００３等では酸素感度よ
りかなり高い。
周知のようにペロブスカイト化合物は、置換に鈍感な物
質で有り、例えばＡ元素やＴｉ元素を１０モル％程度他
の元素で置換しても良い。またＡＴｉＯ３は、その抵抗
値が支配的となる範囲で、他の化合物と混合して用いて
も良い。このような例としては、ｐｔやＢｈ等の貴金属
触媒の添加が有る。（支）はセンサを自動車エンジンの
排気管やストーブやボイラー等の燃焼室等に取り付ける
ための金具である。また鱒、（至）は膜ヒータ（６）に
接続したリードビン、（至）、（至）はｎ形ガス検出片
（８）に接続したり−ドピン、（至）、０４はｐ形ガス
検出片ａＯに接続し九リードピンで有る。
質で有り、例えばＡ元素やＴｉ元素を１０モル％程度他
の元素で置換しても良い。またＡＴｉＯ３は、その抵抗
値が支配的となる範囲で、他の化合物と混合して用いて
も良い。このような例としては、ｐｔやＢｈ等の貴金属
触媒の添加が有る。（支）はセンサを自動車エンジンの
排気管やストーブやボイラー等の燃焼室等に取り付ける
ための金具である。また鱒、（至）は膜ヒータ（６）に
接続したリードビン、（至）、（至）はｎ形ガス検出片
（８）に接続したり−ドピン、（至）、０４はｐ形ガス
検出片ａＯに接続し九リードピンで有る。
（Ｅ）付帯回路
＠８図に付帯回路例を示すと、ガス検出片（８）。
ａＱに負荷抵抗（Ｒ１） 、 （Ｒ２）を接続してブリ
ッジ回路とし、電＃（Ｅａ）を接続する。また各負荷抵
抗（Ｒ１） 、 （Ｒ２）への印加電圧を増幅器（ＡＩ
）、（Ａ２）を介して取り出す。
ッジ回路とし、電＃（Ｅａ）を接続する。また各負荷抵
抗（Ｒ１） 、 （Ｒ２）への印加電圧を増幅器（ＡＩ
）、（Ａ２）を介して取り出す。
増幅器（ＡＩ ） 、 （Ａ２）の出力を、除算回路（
ＤＩ）に入力し、温度補償済みの出力を制御回路■に加
えて、空燃比を制御する。
ＤＩ）に入力し、温度補償済みの出力を制御回路■に加
えて、空燃比を制御する。
一方、排ガスセンサの温度を一定とするため、膜ヒータ
（６）への印加電圧のデユーティ比を制御する。増幅器
（ＡＩ ） 、 （Ａ２）の出力を、乗算回路（Ｍｌ）
に加えて、温度にのみ依存する信号を得る。発振回路（
６）の出力パルスの幅を、電圧−パルス幅変調回路−で
乗算回路（Ｍｌ）の出力により変化させ、スイッチング
トランジスターのオン時間を変化させる。このようにし
て電源（Ｅｌりから膜ヒータ（６）への印加電力を排ガ
スセンサの温度により変化させて、加熱温度を一定とす
る。
（６）への印加電圧のデユーティ比を制御する。増幅器
（ＡＩ ） 、 （Ａ２）の出力を、乗算回路（Ｍｌ）
に加えて、温度にのみ依存する信号を得る。発振回路（
６）の出力パルスの幅を、電圧−パルス幅変調回路−で
乗算回路（Ｍｌ）の出力により変化させ、スイッチング
トランジスターのオン時間を変化させる。このようにし
て電源（Ｅｌりから膜ヒータ（６）への印加電力を排ガ
スセンサの温度により変化させて、加熱温度を一定とす
る。
（Ｃ）ガス検出片（８） 、 ＱＯの製造ＳｒＣＯ３や
Ｃａ０ｏ３とＴｉＯ２を混合し、１２００℃で仮焼して
ペロブスカイト化合物ＡＴｉＯ３とする。生成物の粉砕
後、１３００℃で焼成しｐ形ガス検出片ＱＯとする。好
ましい変形範囲は、仮焼温度が１１００〜１３００℃で
、焼成温度がこれと同一または１００℃高いもので有る
。
Ｃａ０ｏ３とＴｉＯ２を混合し、１２００℃で仮焼して
ペロブスカイト化合物ＡＴｉＯ３とする。生成物の粉砕
後、１３００℃で焼成しｐ形ガス検出片ＱＯとする。好
ましい変形範囲は、仮焼温度が１１００〜１３００℃で
、焼成温度がこれと同一または１００℃高いもので有る
。
Ｔｉｏ２を１２００℃で仮焼し、粉砕後に１３００℃で
焼成してｎ形ガス検出片（８）とする。
焼成してｎ形ガス検出片（８）とする。
比較例のｐ形ガス検出片αＯとして、ＬａＣＯＯ３。
ｔａＮｉｏ、、５ｒｐｅｏ、を用いる。Ｉ、ａ２（ＣＯ
ｓ）ａや５ｒｃｏ、を、ｃｏｏ 、 Ｎｉｏ 、Ｆｅ２
０ｍと混合し、１２００℃で仮焼し、粉砕後に１３００
℃で焼成して、比較例のｐ形ガス検出片ＱＯを完成する
。
ｓ）ａや５ｒｃｏ、を、ｃｏｏ 、 Ｎｉｏ 、Ｆｅ２
０ｍと混合し、１２００℃で仮焼し、粉砕後に１３００
℃で焼成して、比較例のｐ形ガス検出片ＱＯを完成する
。
以下ＳｒＴｉ０３とＴｉＯ２との組み合せ等を実施例に
、ＬａＣＯＯ３とＴｌＯ２との組み合せ等を比較例に、
特性を測定した。
、ＬａＣＯＯ３とＴｌＯ２との組み合せ等を比較例に、
特性を測定した。
（Ｄ）測定例
第４図に７００℃のＮ２バランス中で酸素濃度を０．３
％から１０％へ変化させた際の結果を示す。
％から１０％へ変化させた際の結果を示す。
図の縦軸はｎ形ガス検出片（８）とｐ形ガス検出片ａＱ
の抵抗値の比を示し、酸素濃度０．８％での値を基準と
する。８ ｒＴ Ａ０３とＴｉＯ２との組み合せの酸素
勾配は０．３６で、ＬａＣＯＯ３とＴｉＯ２との組み合
せの値、０．２６より４０％大きい。
の抵抗値の比を示し、酸素濃度０．８％での値を基準と
する。８ ｒＴ Ａ０３とＴｉＯ２との組み合せの酸素
勾配は０．３６で、ＬａＣＯＯ３とＴｉＯ２との組み合
せの値、０．２６より４０％大きい。
第５図に、７００℃で０２４．６％を含むＮ２バランス
系でＣＯ濃度を０．１から１％へ変化させた際の結果を
示す。図の縦軸はｎ形ガス検出片（８）とｐ形ガス検出
片００の抵抗値の比、あるいはガス検出片（８） 、
Ｑ□単独の抵抗値を示す。なおｃｏ濃度０．１％での値
を１とする。またこの測定では、ＬａＣＯＯ，やＴｉＯ
２等には、可燃性ガス感度を抑制するため、金属換算で
Ｉｒ当り１００μＩのＰｔを添加した。Ｐｔ無添加の場
合の００８度はさらニ高イ。Ｔｉｏ、等にＰｔ等を加え
る場合、ＰｔはＲｈやＩｒ等の他の貴金属に代えても良
く、その添加Ｊｉｌｋ ｉｔ Ｔ ｉ Ｏ２等の１ｇ当
り８０〜１０００μ、ｐが好ましい。
系でＣＯ濃度を０．１から１％へ変化させた際の結果を
示す。図の縦軸はｎ形ガス検出片（８）とｐ形ガス検出
片００の抵抗値の比、あるいはガス検出片（８） 、
Ｑ□単独の抵抗値を示す。なおｃｏ濃度０．１％での値
を１とする。またこの測定では、ＬａＣＯＯ，やＴｉＯ
２等には、可燃性ガス感度を抑制するため、金属換算で
Ｉｒ当り１００μＩのＰｔを添加した。Ｐｔ無添加の場
合の００８度はさらニ高イ。Ｔｉｏ、等にＰｔ等を加え
る場合、ＰｔはＲｈやＩｒ等の他の貴金属に代えても良
く、その添加Ｊｉｌｋ ｉｔ Ｔ ｉ Ｏ２等の１ｇ当
り８０〜１０００μ、ｐが好ましい。
ＣＯ濃度の０．９％の変化は、酸素との平衡を仮定する
と、酸素濃度を４．５％から４％へ変化させることに相
当し、小さな変化で有る。にもかかわらずＬａ０００３
の抵抗値は大きく増大する。
と、酸素濃度を４．５％から４％へ変化させることに相
当し、小さな変化で有る。にもかかわらずＬａ０００３
の抵抗値は大きく増大する。
ＬａＣＯＯ３とＴｉＯ２とを組み合せたものの抵抗値の
比は、約３倍変化する。これに対しＢｒＴｉ０ａとＴｉ
Ｏ２との組み合せたものでは、１．４倍しか変化しない
。な１ＳｒＴｊＯ１とＴｉｏ！の組み合せでの変化は、
大部分子ｔＯ＝に起因する。
比は、約３倍変化する。これに対しＢｒＴｉ０ａとＴｉ
Ｏ２との組み合せたものでは、１．４倍しか変化しない
。な１ＳｒＴｊＯ１とＴｉｏ！の組み合せでの変化は、
大部分子ｔＯ＝に起因する。
これらの結果を表に一般的に示す。
１ ＳｒＴｉＯｓ −０，２１ＬＯ２２０
ａ Ｔ ｉＯｌ ＃ ｚ８
Ｓｒｏ、ｙＯａｇｊ’ｌ’ｉ０１ ＃嵐 ４ Ｌａｂｏｒｓ −０，１１２，２
５ＬａＮｉ０１ ＃ 〜２嶌 ６ ５ｒＦｅＯｓ ｌ ・・・・・
・７ Ｔｉｏ鵞 ０．１５ ０．
７１８ Ｔｉ０１＋ ０．８６
０．７１Ｓｒ’ｌ’１０１ ９ Ｔｉ０ｇ＋ ０．２６ ０
．８２ａＯ００ｍ 巖１）Ｉｒ印は比較例、なお試料８．９についてはｎ形
半導体とｐ形半導体の比について結果を示す。
ａ Ｔ ｉＯｌ ＃ ｚ８
Ｓｒｏ、ｙＯａｇｊ’ｌ’ｉ０１ ＃嵐 ４ Ｌａｂｏｒｓ −０，１１２，２
５ＬａＮｉ０１ ＃ 〜２嶌 ６ ５ｒＦｅＯｓ ｌ ・・・・・
・７ Ｔｉｏ鵞 ０．１５ ０．
７１８ Ｔｉ０１＋ ０．８６
０．７１Ｓｒ’ｌ’１０１ ９ Ｔｉ０ｇ＋ ０．２６ ０
．８２ａＯ００ｍ 巖１）Ｉｒ印は比較例、なお試料８．９についてはｎ形
半導体とｐ形半導体の比について結果を示す。
＊２ ７００℃のＮＺバランス系で、Ｏ２濃度を１〜１
０％に変化させて測定。
０％に変化させて測定。
＊３ ７００℃で０ｇ４．６％を含むＮ２バランス系で
、ＣＯＯ度１万ｐｐｍ中とＣｏ ｌ千ｐｐｍ中の抵抗値
の比。
、ＣＯＯ度１万ｐｐｍ中とＣｏ ｌ千ｐｐｍ中の抵抗値
の比。
＊４ 試料４．５．６．７．９及び８中のＴｉＯ２には
１００μｍ１／１１のＰｔを添加。
１００μｍ１／１１のＰｔを添加。
なお当量点（Ａ＝１）付近での特性は、ＳｒＴｉ０１と
ＴｉＯ２の組み合せも、ＬａＣ０ＯｓとＴｉｏ、の組み
合せも、はぼ同等で有った。
ＴｉＯ２の組み合せも、ＬａＣ０ＯｓとＴｉｏ、の組み
合せも、はぼ同等で有った。
〔発明の効果〕
この発明では、酸素に高感度で、未反応の可燃性ガスの
残存による検出誤差が小さく、かつｎ形ガス検出片とｐ
形ガス検出片の抵抗温度係数の整合が容易な、排ガスセ
ンサが得られる。
残存による検出誤差が小さく、かつｎ形ガス検出片とｐ
形ガス検出片の抵抗温度係数の整合が容易な、排ガスセ
ンサが得られる。
第１図は実施例の排ガスセンサの部分切り欠き部付き斜
視図、第２図はその長手方向断面図、第３図は付帯回路
のブロック図、Ｗｉ４図〜第５図は、排ガスセンサの特
性図で有る。 （２）・・・基Ｌ （４）・・・セラミッ
クス管、（６）・・・膜ヒータ、 （８）・・・
ｎ形ガス検出片、Ｃ１・・・ｐ形ガス検出片。 第４図 ０・３１・０３°０ ” ＰＯｚ（＠／ｅ）
第５図 Ｃｏ Ｃｏｎｃ（”ム）
視図、第２図はその長手方向断面図、第３図は付帯回路
のブロック図、Ｗｉ４図〜第５図は、排ガスセンサの特
性図で有る。 （２）・・・基Ｌ （４）・・・セラミッ
クス管、（６）・・・膜ヒータ、 （８）・・・
ｎ形ガス検出片、Ｃ１・・・ｐ形ガス検出片。 第４図 ０・３１・０３°０ ” ＰＯｚ（＠／ｅ）
第５図 Ｃｏ Ｃｏｎｃ（”ム）
Claims (1)
- （１）ｎ形金属酸化物半導体を用いたｎ形ガス検出片と
、ｐ形金属酸化物半導体を用いたｐ形ガス検出片とを組
み合せた排ガスセンサにおいて、前記ｐ形金属酸化物半
導体はＡＴｉＯ＿３＿−＿δ、（ここにＡはＳｒおよび
Ｃａからなる群の少くとも一員の元素を、δは非化学量
論的パラメータを現す）、で有ることを特徴とする排ガ
スセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28093584A JPS61155746A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 排ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28093584A JPS61155746A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 排ガスセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61155746A true JPS61155746A (ja) | 1986-07-15 |
| JPH053900B2 JPH053900B2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=17631970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28093584A Granted JPS61155746A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 排ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61155746A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6347240U (ja) * | 1986-09-11 | 1988-03-30 | ||
| US5362651A (en) * | 1992-07-27 | 1994-11-08 | Ford Motor Company | Carbon monoxide selective sensor and method of its use |
| WO2014074801A1 (en) * | 2012-11-12 | 2014-05-15 | Kerdea Technologies, Inc. | Wideband oxygen sensing method and apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1984
- 1984-12-27 JP JP28093584A patent/JPS61155746A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH053900B2 (ja) | 1993-01-18 |
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