JPS61138432A - 高周波プラズマ発生装置 - Google Patents

高周波プラズマ発生装置

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JPS61138432A
JPS61138432A JP59259884A JP25988484A JPS61138432A JP S61138432 A JPS61138432 A JP S61138432A JP 59259884 A JP59259884 A JP 59259884A JP 25988484 A JP25988484 A JP 25988484A JP S61138432 A JPS61138432 A JP S61138432A
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黒沢　巴
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忠 佐藤
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    • H05H1/11—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma using externally-applied magnetic fields only, e.g. Q-machines, Yin-Yang, base-ball using cusp configuration

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は高周波プラズマ発生装置の改良に関する。
〔発明の背景〕
近年、微細化を要求される機能性薄膜や半導体の生成お
よび加工を行なう反応性イオンエツチング装量、イオン
ジャワ装置、スパッタ装置等に、高周波プラズマ発生装
量を用いることが考えられている。
現在知られているプラズマ発生装置は、イオンビーム加
工装置用イオン源であり、フィラメントからの熱電子放
出によってアーク放電を維持し、ソレノイドコイルの作
る磁界によって効率良くプラズマを生成し、その中のイ
オンを引き出して利用している。この種のイオン源を用
いた加工装置については、例えば「Ａ　Ｎｅｗ　Ｐｒｏ
ｄｕｃ　ｔ　１ｏｎＴｅｃｈｎｉｑｕｅ　　：　Ｉｏｎ
　Ｍｉｌｌｉｎｇ　Ｊ　（Ｄ。
Ｂｏｌｌｉｎｇｅｒ、Ｒ，Ｐｉｎｋ、　　５ｏｌｉｄ　
ＳｔａｔｅＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、　　Ｎｏｖ、、　１
９８０　　）に説明されている。
この種プラズマ生成室を反応性ガスの下で動作させろと
、フィラメントの消耗が著しく、また使用するガスによ
っては電極の汚れが生ずる等の理由で、長時間の稼動が
難しい。
この問題を除くにはフィラメントのないプラズマ発生装
置を得れば良く、その１つとしてマイクロ波プラズマ発
生装着がある。この種装置は、例えば「Ｍｉｃｒｏｗａ
ｖｅ　Ｉｏｎ　５ｏｕｒｃｅ　Ｊ　（Ｎ。
８ａｋｕｄｏ、　　ｅｔ、ａｌ、。Ｒｅｖ、Ｓｃｉ、Ｉ
ｎｓｔｒｕｍ、。
Ｖｏｗ、　　４８．　　Ｎｏ、７．　　Ｊｕｌｙ、　１
９７７）で詳しく説明されている。このマイクロ波プラ
ズマ発生装置は、マイクロ波電力によってプラズマを生
成して甘り、特に半導体の加工に適した良質のイオンビ
ームを取り出せるが、装置が複雑で、ビームの大口径化
が難しい等の問題があった。
またフィラメントを持たないものとして高周波プラズマ
発生装置があり、核融合用の中性粒子入射装置のイオン
源として「Ｒａｄｉｏ　ＦｒｅｑｕｅｎｃｙＩｏｎ　８
ｏｕｒｃｅ　Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　　ｆｏｒ　Ｎｅ
ｕｔｒａｌＢｅａｍ　ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎＪ　（Ｋ
、）Ｔ、　Ｌｅｕｎｇ　ｅｔ。
ａｔ、、　　Ｊ、　ｖａｃ、　８ｃｌ、　Ｔｅｃｈｎｏ
ｌ　Ａ２（２）。
Ａｐｒ、　−Ｊｕｎｅ、　１９８４　）で報告されてい
る。第６図は、その高周波プラズマ発生装置を示してい
る。
筒状側壁２０の上端をバックプレート１９で封じてプラ
ズマ生成室ｌを形成しており、この生成室１内に高周波
コイル８が中央部に配置され、バックプレート１９から
起電用フィラメント１０とガス導入管６が挿入されてい
る。筒状側壁２０の外周部にはカスプ磁界を発生する永
久磁石３が配置されている。プラズマ生成室ｌ内に高周
波コイル８を配置し、高周波放電によってプラズマを生
成し、カスプ磁界で容器内に閉じ込めている。
この構成は、電気的には半導体程度の導電率をもつプラ
ズマ中に、高周波コイル８を挿入しているため、高周波
コイル８Ｋかかる高周波電界によって、その表面で絶縁
破壊を起こし易い。高周波コイル８の表面を絶縁被覆す
ることによって、ある程度絶縁破壊を防ぐことはできる
が、反応性ガスのプラズマにさらされた被覆の寿命は短
かく、また被覆材から放出ｆるガスによってプラズマ生
成室１内が汚染されろという欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、高周波コイルでの絶縁破壊を防止し長
時間安定して動作させることができる高周波プラズマ発
生装置を提供するＫある。
〔発明の概要〕
本発明は、磁界によってプラズマの運動を制御できる点
に着目し、磁界によって、高周波コイルと、高周波放電
により生成されたプラズマの領域とを分離したことを特
徴とする。
〔発明の実施例〕
以下本発明の実施例を図面によって説明する。
＠１図は高周波プラズマ発生装置の縦断面図であり、円
筒状の側壁２０の上端をバックプレート１９で封すると
共に、下端も図示しない容器で封じてプラズマ生成室ｌ
を形成している。側壁２０には絶縁支持体９の一端が固
定され、絶縁支持体９の他端には高周波コイル８が固定
されている。
高周波コイル８は側壁２０の近傍に位置しており、バッ
クプレー）１９を気密に、かつ電気的に絶縁した状態で
導入された導入端子７を介して高周波電力か与えられる
。更に側壁２０の内面には、軟磁性のフェライト１８等
の磁性体が取り付けられると共に高周波コイル８の内（
ＩＩＩに配置した絶縁物の支持体４０両脚が固定されて
いる。この支持体４の内面側およびバックプレート１９
の内面側には、カプス磁界を作るように永久磁石あるい
は電磁石等の磁界発生手段３が取り付けられている。
前述した軟磁性フエライ）１８ｔ’！高周波コイル８の
高周波磁界の磁気的帰路を形成している。また高周波コ
イル８は円管から戒っており、その内部に水あるいは油
を流して冷却している。
磁界発生手段３は、この実施例Ｉ／ｒおいては第１図の
■−■線に沿った断面図である第２図に示すように、プ
ラズマ生成重工に８列に配置されて、多極カスブ磁界を
作り、図中点線で示でプラズマ閉じ込め領域１２を形成
している。この領域１２は、高周波コイル８より内＠ｔ
ｔｒあり、高周波コイル８はプラズマから保護さｆする
。磁界発生手段３はそれぞわ水冷もしくは油冷されたケ
ース１６内に入わられており、これによってプラズマ損
失による過熱を避けている。この冷却液の供給は、第１
図のパックプレート１９を気密を保持して貫通した冷却
液導入管１４によって行なわれる。バックプレー）１９
には、更にガス導入管６および起動用フィラメン）１０
が気密を保持して貫通しており、ガス導入管６からは反
応性ガス、例えば０、ガスを導入し、起動用フィラメン
ト１０の加熱によって熱電子を放出でる。
プラズマ生成室ｌを５Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ　　程度の真
空に排気した後、ガス導入管６から反応性ガスを供給し
、Ｉ　Ｘ　１（１”〜５ＸＩ　Ｏ−’　Ｔｏｒｒ程度）
真空にｆる。次いで、起動用フィラメン）１０を加熱す
ることによって熱電子を放出させろと共に、高周波コイ
ルＢＹ　１３．５６ＭＨｚ　　の高周波電力を加え、プ
ラズマ生成室ｌに反応性ガスのプラズマを生成させる。
プラズマが安定した後、起動用フィラメント１０への通
電を止めろ。この起動用フィラメントは、通電停止後プ
ラズマ領域から後退するようにしたり、あるいは放電ギ
ャップに代えることによって長寿命化を図ることができ
ろ。生成されたプラズマは一プラズマ生成室ｌの壁面に
向って拡散しようとするが、磁界発生手段３ｖｃよるカ
スプ磁界によって第２図の領域１２内に制限されろ。プ
ラズマ生成ｖｌの下部の電極２に所定ノミ王を印加する
ことＫよって、プラズマの中からイオンビーム１３を引
き出すことができる。
上述の動作説明かられかるように、磁界発生手段３によ
るプラズマ閉じ込め領域１２の外に高周波コイル８を配
置したので、プラズマによる高周波コイル８の絶縁破壊
を防止することができる。
本実施例に示す装置を用いて、０□ガスのプラズマを生
成したところ、プラズマ中のイオン密度は０．８〜１．
０Ｘ１０”（ｃｍ−３）　　となツタ。またプラズマか
ら５００ｅＶの０２イオンビームを引き出したところ、
０．６５　ｍ　Ａ　／　ｃ　ｍ　２　　のイオンビーム
電流密度が得られた。また従来のフィラメントを用いた
装置の５倍以上の保守間隔、つまり保守することなく使
用できる期間が得られた。このように本実施例に示す装
置は、高周波コイル８の絶縁破壊を防止しながら、多量
のイオンビームを引き出し反応性ガスを用いても長時間
安定に動作させろことができる。しかも、カスプ磁界に
よってプラズマを所定の領域１２内に閉じ込めているた
め、領域１２の大きさに拘らずほぼ一様なプラズマが得
られ、ビームの大口径化が容易である。つまり、磁界発
生手段３の数を増したり強力にすることにより、プラズ
マを閉じ込めるのに十分な磁界強度としてビームの大口
径化が可能である。
第３図は本発明の他の実施例による高周波プラズマ発生
装置を示している。
この実施例では、カスプ磁界を発生ｆる磁界発生手段３
を、プラズマ生成室ｌを形成″ｆる容器の外部に配置し
たものであるが、内側に配ｆｔｆ心こともできる。側壁
２０の軸方向「沿った部分はＮ極、Ｓ極が交互に配置さ
れると共に、第４図に示すように側壁２００周方向には
同極がほぼ連続的に配置されている。図示の場合、リン
グ状に配置された磁界発生手段３は仙壁２０の軸方向に
所定間隔で７層に配置されており、高周波コイル８は、
この層間でプラズマ生成室ｌの側壁２ｏ近傍に配置され
、絶縁支持物２１によって側壁２０に固定されている。
その他の構成は先の実施例と同様であり、同等物には同
一符号をつげて説明を省略する。
この高周波プラズマ発生装置のプラズマ閉じ込め状況を
第５図に模式的して示している。側壁２０の外周に設け
た磁界発生手段３は矢印１１で示す方向に磁界を作る。
従って、高周波数′１！によって発生したプラズマは側
壁２０に拡散しようとするが、上述の磁界１よって拡散
は妨げられて図中に黒丸をつけた領域１２ｖｔ閉じ込め
られ、高周波コイルＢのプラズマによる絶縁破壊を防止
″することができる。このようにして、本実施例におい
ても先の実施例と同様の効果を得ることができる。
磁界発生手段３は、前述したように電磁石でも永久磁石
でも良く、またこれらの組合せであっても良い。永久磁
石を用いる場合は、磁性粉を樹脂で成型した磁石とする
と、高周波による発熱が少なく望ましい。
上述した実施例において、イオンビーム引き出し用電極
２を除去し、加工試料を直接プラズマあるいは反応性の
ラジカルに接触させるようにｆると、エツチング装置あ
るいはスパッタ装置となり、高周波プラズマ発生装置と
して広範に適用することができる。
上記の各実施例では反応性ガスを用いた例について述べ
たが、不活性ガスを用いることもできる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、プラズマ生成室を形成す
る側壁の近傍に高周波コイルを配置し、この高周波コイ
ルの内側にプラズマ閉じ込め領域を制限するよう磁界発
生手段を配置したため、プラズマによる高周波コイルの
絶縁破壊を防止して長時間安定に動作ｆることのできる
高周波プラズマ発生装置を得ることかで：！にる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例による高周波プラズマ発生装
置の縦断面図、第２図は第１図の■−■線に沿った断面
図、第３図ｔ１本発明の他の実施例による高周波プラズ
マ発生装置の縦断面図、第４図は第３図のｍＶ−ＴＶ線
虻沿った断面図、第５図は第３図の要部を模式化した説
明図、第６図は従来の高周波プラズマ発生装管を示す縦
断面図である。 １・・・・・・プラズマ生成室、３・・・・・・磁界発
生手段、４・・・・・・支持体、６・・・・・・ガス導
入管、８・・・・・・高周波コイル、９・・・・・・絶
縁支持体、１２・・・・・・プラズマ閉じ込め領域、２
０・・・・・・側壁、２１・・・・・・絶縁支持体。 第５図 １！６ｇＡ −［゛ 手続補正書勧式） 昭和６０年　４月３日

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、筒状の側壁の両端部を気密に封じて形成したプラズ
    マ生成室内に、放電によつてイオンを発生するガスを導
    入すると共に高周波電力の供給によつて高周波放電を生
    起させる高周波コイルを配置し、プラズマを上記プラズ
    マ生成室内に閉じ込めるカスプ磁界発生用の磁界発生手
    段を有して成る高周波プラズマ発生装置において、上記
    高周波コイルを上記側壁の近傍に配置し、上記磁界発生
    手段によつて、上記高周波コイルよりも内側の上記プラ
    ズマ生成室内にプラズマ閉じ込め領域を形成したことを
    特徴とする高周波プラズマ発生装置。 ２、上記特許請求の範囲第１項記載のものにおいて、上
    記磁界発生手段は、上記プラズマ生成室内の上記高周波
    コイルの内側に配置すると共に上記側壁の周方向に順次
    異なる極となるように構成したことを特徴とする高周波
    プラズマ発生装置。 ３、上記特許請求の範囲第２項記載のものにおいて、上
    記磁界発生手段は、上記側壁の内側に設けた帰路用磁性
    体を有することを特徴とする高周波プラズマ発生装置。 ４、上記特許請求の範囲第１項記載のものにおいて、上
    記磁界発生手段は、上記側壁の軸方向における上記高周
    波コイルの外側に、互いに異なる極を有して上記側壁の
    周方向にほぼ連続して構成したことを特徴とする高周波
    プラズマ発生装置。 ５、上記特許請求の範囲第４項記載のものにおいて、上
    記磁界発生手段は、上記側壁の外周に配置したことを特
    許とする高周波プラズマ発生装置。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4767931A (en) * 1986-12-17 1988-08-30 Hitachi, Ltd. Ion beam apparatus
JPS63299338A (ja) * 1987-05-29 1988-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
JPS6453200A (en) * 1987-08-24 1989-03-01 Japan Atomic Energy Res Inst Ion generator
JPH02502594A (ja) * 1987-03-18 1990-08-16 エクスナー，ハンス 高周波イオン源
JPH02235332A (ja) * 1989-01-25 1990-09-18 Internatl Business Mach Corp <Ibm> プラズマ処理装置
JPH04504025A (ja) * 1989-03-06 1992-07-16 ノルディコ・リミテッド イオン銃
JP2003524285A (ja) * 2000-02-24 2003-08-12 シーシーアール ゲゼルシャフト ミト ベシュレンクテル ハフツング ベーシッヒツングステクノロジー 高周波プラズマ源

Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4727293A (en) * 1984-08-16 1988-02-23 Board Of Trustees Operating Michigan State University Plasma generating apparatus using magnets and method
JPS6276137A (ja) * 1985-09-30 1987-04-08 Hitachi Ltd イオン源
JPH0711072B2 (ja) * 1986-04-04 1995-02-08 株式会社日立製作所 イオン源装置
US4910436A (en) * 1988-02-12 1990-03-20 Applied Electron Corporation Wide area VUV lamp with grids and purging jets
JP2618001B2 (ja) * 1988-07-13 1997-06-11 三菱電機株式会社 プラズマ反応装置
GB8905075D0 (en) * 1989-03-06 1989-04-19 Nordiko Ltd Electrode assembly and apparatus
US5304279A (en) * 1990-08-10 1994-04-19 International Business Machines Corporation Radio frequency induction/multipole plasma processing tool
JP2568006B2 (ja) * 1990-08-23 1996-12-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション イオン化空気により対象物から電荷を放電させる方法及びそのための装置
US5208512A (en) * 1990-10-16 1993-05-04 International Business Machines Corporation Scanned electron cyclotron resonance plasma source
FR2671931A1 (fr) * 1991-01-22 1992-07-24 Metal Process Dispositif de repartition d'une energie micro-onde pour l'excitation d'un plasma.
US5189446A (en) * 1991-05-17 1993-02-23 International Business Machines Corporation Plasma wafer processing tool having closed electron cyclotron resonance
US5308461A (en) * 1992-01-14 1994-05-03 Honeywell Inc. Method to deposit multilayer films
US5216330A (en) * 1992-01-14 1993-06-01 Honeywell Inc. Ion beam gun
US5280154A (en) * 1992-01-30 1994-01-18 International Business Machines Corporation Radio frequency induction plasma processing system utilizing a uniform field coil
FR2689143B1 (fr) * 1992-03-31 1994-05-13 Commissariat A Energie Atomique Dispositif de pulverisation cathodique utilisant un plasma engendre par des micro-ondes.
US5430355A (en) * 1993-07-30 1995-07-04 Texas Instruments Incorporated RF induction plasma source for plasma processing
US6238533B1 (en) 1995-08-07 2001-05-29 Applied Materials, Inc. Integrated PVD system for aluminum hole filling using ionized metal adhesion layer
US5962923A (en) * 1995-08-07 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Semiconductor device having a low thermal budget metal filling and planarization of contacts, vias and trenches
US6264812B1 (en) * 1995-11-15 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating a plasma
US5767628A (en) * 1995-12-20 1998-06-16 International Business Machines Corporation Helicon plasma processing tool utilizing a ferromagnetic induction coil with an internal cooling channel
US6471822B1 (en) 1996-01-24 2002-10-29 Applied Materials, Inc. Magnetically enhanced inductively coupled plasma reactor with magnetically confined plasma
US6254746B1 (en) 1996-05-09 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Recessed coil for generating a plasma
KR100489918B1 (ko) * 1996-05-09 2005-08-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마발생및스퍼터링용코일
US6368469B1 (en) * 1996-05-09 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Coils for generating a plasma and for sputtering
US6254737B1 (en) 1996-10-08 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Active shield for generating a plasma for sputtering
US6190513B1 (en) 1997-05-14 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Darkspace shield for improved RF transmission in inductively coupled plasma sources for sputter deposition
US6514390B1 (en) * 1996-10-17 2003-02-04 Applied Materials, Inc. Method to eliminate coil sputtering in an ICP source
US5961793A (en) * 1996-10-31 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Method of reducing generation of particulate matter in a sputtering chamber
TW358964B (en) * 1996-11-21 1999-05-21 Applied Materials Inc Method and apparatus for improving sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma
US6599399B2 (en) 1997-03-07 2003-07-29 Applied Materials, Inc. Sputtering method to generate ionized metal plasma using electron beams and magnetic field
US6103070A (en) * 1997-05-14 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Powered shield source for high density plasma
US6210539B1 (en) 1997-05-14 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for producing a uniform density plasma above a substrate
US6077402A (en) * 1997-05-16 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Central coil design for ionized metal plasma deposition
US6361661B2 (en) 1997-05-16 2002-03-26 Applies Materials, Inc. Hybrid coil design for ionized deposition
US6579426B1 (en) 1997-05-16 2003-06-17 Applied Materials, Inc. Use of variable impedance to control coil sputter distribution
US6652717B1 (en) 1997-05-16 2003-11-25 Applied Materials, Inc. Use of variable impedance to control coil sputter distribution
US6345588B1 (en) 1997-08-07 2002-02-12 Applied Materials, Inc. Use of variable RF generator to control coil voltage distribution
US6235169B1 (en) 1997-08-07 2001-05-22 Applied Materials, Inc. Modulated power for ionized metal plasma deposition
US6375810B2 (en) 1997-08-07 2002-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma vapor deposition with coil sputtering
US6565717B1 (en) 1997-09-15 2003-05-20 Applied Materials, Inc. Apparatus for sputtering ionized material in a medium to high density plasma
US6042700A (en) * 1997-09-15 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Adjustment of deposition uniformity in an inductively coupled plasma source
US6023038A (en) * 1997-09-16 2000-02-08 Applied Materials, Inc. Resistive heating of powered coil to reduce transient heating/start up effects multiple loadlock system
WO1999027579A1 (en) * 1997-11-26 1999-06-03 Applied Materials, Inc. Damage-free sculptured coating deposition
US7253109B2 (en) 1997-11-26 2007-08-07 Applied Materials, Inc. Method of depositing a tantalum nitride/tantalum diffusion barrier layer system
US6280579B1 (en) 1997-12-19 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Target misalignment detector
US6189484B1 (en) 1999-03-05 2001-02-20 Applied Materials Inc. Plasma reactor having a helicon wave high density plasma source
US6254738B1 (en) 1998-03-31 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Use of variable impedance having rotating core to control coil sputter distribution
TW434636B (en) 1998-07-13 2001-05-16 Applied Komatsu Technology Inc RF matching network with distributed outputs
US6132566A (en) * 1998-07-30 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for sputtering ionized material in a plasma
US6579421B1 (en) 1999-01-07 2003-06-17 Applied Materials, Inc. Transverse magnetic field for ionized sputter deposition
US6284110B1 (en) * 1999-04-14 2001-09-04 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for radio frequency isolation of liquid heat transfer medium supply and discharge lines
US7513971B2 (en) * 2002-03-18 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Flat style coil for improved precision etch uniformity
JP2004031603A (ja) * 2002-06-25 2004-01-29 Nec Corp レーザｃｖｄ装置、レーザｃｖｄ法、パターン欠陥修正装置及びパターン欠陥修正方法
US7291360B2 (en) 2004-03-26 2007-11-06 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition plasma process using plural ion shower grids
US7244474B2 (en) 2004-03-26 2007-07-17 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition plasma process using an ion shower grid
US7695590B2 (en) 2004-03-26 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition plasma reactor having plural ion shower grids
US7767561B2 (en) 2004-07-20 2010-08-03 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation reactor having an ion shower grid
US8058156B2 (en) 2004-07-20 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation reactor having multiple ion shower grids
GB0604655D0 (en) * 2006-03-08 2006-04-19 Smith Alan A Plasma confinement
US7700925B2 (en) * 2007-12-28 2010-04-20 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for providing a multimode ion source
PL2251454T3 (pl) 2009-05-13 2014-12-31 Sio2 Medical Products Inc Powlekanie i kontrola pojemnika
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
US10189603B2 (en) 2011-11-11 2019-01-29 Sio2 Medical Products, Inc. Passivation, pH protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
EP2846755A1 (en) 2012-05-09 2015-03-18 SiO2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
CA2890066C (en) 2012-11-01 2021-11-09 Sio2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
US9903782B2 (en) 2012-11-16 2018-02-27 Sio2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
WO2014085348A2 (en) 2012-11-30 2014-06-05 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of pecvd deposition on medical syringes, cartridges, and the like
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
US9662450B2 (en) 2013-03-01 2017-05-30 Sio2 Medical Products, Inc. Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus
CN105392916B (zh) 2013-03-11 2019-03-08 Sio2医药产品公司 涂布包装材料
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
US9863042B2 (en) 2013-03-15 2018-01-09 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases
WO2015148471A1 (en) 2014-03-28 2015-10-01 Sio2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
BR112018003051B1 (pt) 2015-08-18 2022-12-06 Sio2 Medical Products, Inc Tubo de coleta de sangue submetido a vácuo

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58154554U (ja) * 1982-04-09 1983-10-15 日本電子株式会社 高周波イオン源

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3230418A (en) * 1961-06-23 1966-01-18 Raphael A Dandl Device having high-gradient magnetic cusp geometry
US3467885A (en) * 1965-05-20 1969-09-16 Xerox Corp Method and apparatus for electromagnetically containing a plasma
US3527977A (en) * 1968-06-03 1970-09-08 Atomic Energy Commission Moving electrons as an aid to initiating reactions in thermonuclear devices
FR2160711B1 (ja) * 1971-11-22 1975-02-07 Commissariat Energie Atomique
US4233109A (en) * 1976-01-16 1980-11-11 Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai Dry etching method
US4152625A (en) * 1978-05-08 1979-05-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Plasma generation and confinement with continuous wave lasers
US4351712A (en) * 1980-12-10 1982-09-28 International Business Machines Corporation Low energy ion beam oxidation process
JPH0693447B2 (ja) * 1983-12-23 1994-11-16 株式会社日立製作所 マイクロ波プラズマ処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58154554U (ja) * 1982-04-09 1983-10-15 日本電子株式会社 高周波イオン源

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4767931A (en) * 1986-12-17 1988-08-30 Hitachi, Ltd. Ion beam apparatus
JPH02502594A (ja) * 1987-03-18 1990-08-16 エクスナー，ハンス 高周波イオン源
JPS63299338A (ja) * 1987-05-29 1988-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
JPS6453200A (en) * 1987-08-24 1989-03-01 Japan Atomic Energy Res Inst Ion generator
JPH02235332A (ja) * 1989-01-25 1990-09-18 Internatl Business Mach Corp <Ibm> プラズマ処理装置
JPH04504025A (ja) * 1989-03-06 1992-07-16 ノルディコ・リミテッド イオン銃
JP2003524285A (ja) * 2000-02-24 2003-08-12 シーシーアール ゲゼルシャフト ミト ベシュレンクテル ハフツング ベーシッヒツングステクノロジー 高周波プラズマ源
JP5000061B2 (ja) * 2000-02-24 2012-08-15 シーシーアール ゲゼルシャフト ミト ベシュレンクテル ハフツング ベーシッヒツングステクノロジー 高周波プラズマ源

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0740468B2 (ja) 1995-05-01
EP0184812A2 (en) 1986-06-18
EP0184812A3 (en) 1988-10-05
US4716491A (en) 1987-12-29
EP0184812B1 (en) 1992-06-17

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