JPH02502594A - 高周波イオン源 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 高周波イオン源 本発明は、例えばガス等のイオン化丁べき物質の九めの容器を備え、誘導性の高 周波エネルギーをプラズマの中に入力結合することができ、う弱な直流磁界が加 えられている、大面積のイオンビームを発生する曳めの高周波イオン源に関する 。

大面積のイオン源は種々の用途に用いられる。大面積のイオン源は２例えば、現 在の夛面及び薄膜技術の九めの不可欠な手段である。典型的な利用分野は例えば 、単−固体表面又は！造化するためマスクにより被覆されている固体表面の大面 積の腐食（イオン腐食）、又は表面薄膜又は薄膜系を形成する几めの１つ又は複 数の固体ターゲットの大面積のイオンビームスパッタリングである。

この几めに使用されている大面積のイオン源は通常は、プラズマ九対して負の極 性を有する１つ又は順次に位置するふるい状の複数の電極により低圧プラズマか ら抽出される多くの個々のイオンビームから成る１本の束を形成する。必要な低 圧プラダ！は公刊の方法でそれぞれの動作ガスの中で電子衝突によるイオン化に より発生される。必要な電子はほとんどの場合、電子加速区間が後置接続されて いる凛々の揖底の電子源が供給する。

しかしこのようなイオン源は連続動作において又は特定の動作ガスの場合に著し い欠点を有する。即ち例えば熱電子放射体（°グロー陰極″）は制限されている 寿命しか有しない。反応ガスヶ使用する場合にはこのようなイオン源は非常に迅 速χ損傷を受けるか又は完全に破壊される。電子放射体又はその他の電子源の横 方向の拡張は制限されているので、大きな横断面を有するプラズマは、互いに隣 接して位置する電子源によってのみ実現可能であり、その際にプラズマ密度の分 布が不均一になり、ひいては抽出されたイオンビーム束の中のイオン流密度の分 布が不均一になる。これに加え１．プラズマの発生に必要な電子源のために必要 な電流及び電圧の供給が原因で、このような供給源を高い電゛位で作動する即ち イオンビームを高い電位から、アースされている工作物に加速することは技術的 にコストがかかる。

本発明の課題は、任意の種類のイオンから、大面積であり流れが強く幾何学的形 状が任意でちるイオンビームを発生する１、冒頭に詳細に記載の形式の高周波イ オン源を提供することにちる。

この課題は本発明により、管状であり・所望のイオンビームの形状に−ｆｉ合さ れ担体板と終端板と、の間に挟持されているプラズマ容器の中で低ガス圧状態で プラズマ励起を電子サイクロトロン波共鳴により行うことができ、高周波発生器 と負荷回路コイルとの間に同調可能な中間回路を設け、直流磁界をヘルムホルツ コイル対により発生し、このヘルムホルツコイル対の幾何学的形状をプラズマ容 器の形状に整合し、担体板の中に、複数の電極から戊り所望のイオンビームの幾 何学的形状にイオン光学的に整合されているイオン抽出装置を配置することによ り解−決される。

本発明の別の１つの実施例においては、イオン抽出装置として第１及び第２の抽 出電極を設け、第１及び第２の抽出電極に、電圧を、後でイオン化され注入され 九プラズマイオンの外部粒子を分離する九めの電位段として印加することができ 、イオン加速電圧が印加されている別の電極と、抑圧電圧を有する抑圧！極とを 設ける。

本発明の別の１つの実施例においては、第１の抽出電極を非導電性゛材料から製 作し、別の電極の電圧を第２の抽出電極に対して印加する。

本発明の別の１つの実施例においては、プラズマ容器を長方体に１稜が丸味を帯 びた偽面と開いている端面で形成し、イオン抽出装置がスリット状の電極をπす る。

本発明の別の１つの実施例においては、終端板の上にスパッタターデッドを配置 する。

本発明の別１つの実施例においては、終端板を開口部！介して真空容器と連結し 、真空容器の中に抵抗蒸発器又は電子ビーム蒸発器な配置する。

本発明により得られる利点は特に、プラズマ発生を完全に電極なしに外部素子に よってのみプラズマ容器の中で簡単で任意の幾何学的形状で行われる点にある。

例えば付加的な電子源を有するイオン源におけるような経年変化又はがスによる 損傷は従って排除されている。従って、電子サイクｐトロ°ン波共鳴を用いての 新しい高周波イオン源は他のイオン源に比して非常に長い寿命を有丁−る。幾何 学的に簡単な放電室の形状は真空技術的に著しい利点を可する。更に、強調丁べ きことは高周波イオン源の高い純度でおる、何故ならば幾何学的に簡単な形状の 放電容器は、容器壁における高周波誘電損失による熱により常時°加熱”され、 その際に発生する温度は１００℃を通常は越えない。

更に別の利点は、プラズマ容器に低い高周波電圧のみが発生することである。こ れＫより、壁部及び＊ｇ部材のスパッタを招くことのある障害高周波帯電が大幅 に回避される。

このような供給源の実際的な用途にとりて著しくｌ要なことは、その他の供給源 の型に比して動作圧が低いことである。これによフ、イオン抽出の几めに、大き い開口部なπする扁平に形成されたイオン光学系を用い、同時に衝撃室の中文′ は後続のイオン加速区間の中で所要低ガス圧を維持することが可能となる◎別の 著しい１つの利点は、プラズマ発生が純粋に誘導結合において行われることであ る。これにより、負荷回路をプラズマ容器と一緒に高周波発生器と結合回路とか ら゛直流電圧的に電気的に絶縁するこ、とが可能となる。このようにして高周波 プラズマを・、イオンを発生する素子として、アースの近傍で作動される高周波 発生器に対して実際の上で任意に高い電位にすることができる。この場合、電気 絶縁は、最後の結合コイルと負荷回路コイルとの間で行うことができるか、又は 段階的に高周波発生器の出力コイルと中間回路の第１の結合コイルとの間及び続 いて中間回路の第２のコイルと負荷回路コイルとの間で行うことができる。発生 された低圧プラズマは負荷回路コイルから“さえも、プラズマ容器における絶縁 材から成る壁により電気的に絶縁されている。所要直流磁界の発主に必要なコイ ル（有利にはへルムホルツ形状）は、本装置における電気的に高い部分（負荷回 路コイル又はプラズマ）に対して十分に大きい間隔で配置することができ、ひい ては同様にアース電位の近傍で作動することができる。

次に本発明な冥万例に基づき図を用いて説明する。

第１図及び第２図は高周波イオン源のブロック回路図、第３図及び第４図はプラ ズマ容器の側面図、第５図はイオン抽出装置を略示する断面図、第６図はスパッ タターデッドを肩する終端板の断面図、第７図は電子ビーム蒸発装置を有する真 空容器が７ランジ姥合されている、開口部＝Ｘする終溝板の断面図である。

高周波イオン源はプラズマ発生の九めに電子サイクロトロン波共鳴の方法を用い る。この之めに、第１図に示すように、プラズマ容器１０回りに配置され有利に は単−巻で壽り胛警可能なコンデンサ３と共働して電気振動回路を形成するコイ ル２により高周波エネルギーがプラズマの中に入力結合される。このいわゆる負 荷回路コイル２は誘導的に又は直接の電気接続（第２図）により高周波発生器４ と結合され、その際に高周波発生器４と負荷回路コイル２との間に別の１つの同 調可能な中間回路５を挿入接続することができる。

プラズマ容器１の中のガス圧が十分に高い（典型的には１０−２−１０−１ｍｂ ａｒ　）場合には、高側ａう−ｔ”を界の作用によりガス放電プラズマが発生す る。電子サイクロトロン波共鳴によるプラズマ励起の九めＫ］［要なこ〜とは、 本装置に出来るだけ均一な微弱直流磁界Ｂ０を負荷回路コイル２の軸に対して垂 直に１畳することである◎このような直流磁界は有利にはへルムホルツコイル対 ６（第３図、第４図）により発生され、このコイルの幾何学的形状はプラズマ容 器１の形状に整合することができる。Ｂｏの作用により、励起された低圧プラズ マはその電気的特性に関して非等方性になり、その際にＢｏの方向により非等方 軸が前もって与えられている。負荷回路コイル２から出発して電磁波が（現時点 で電気的に非等方性の導電性媒体′プラズマ”の中に進入し次場合、この場合に 対して計算された分散関係式は、電磁波伝播は公匂のように、直流磁界Ｂ。の存 在により変化されたプラズマ周波数ωｐｌより上で行われることを示す。しかし 分散関係式を、進入平面波の゛右同成分と左円取分とに対して別個に見ると、当 該平面波の波ベクトルｋが導電媒体の非等方しては電子サイクロトロン周波数ω Ｃ，ｅより下の周波数領域でも電磁波伝播は可能であることが分かる。周波数ω （くω。、ｅ　）を有するいわゆる電子サイクロトロン波による共鳴プラズマ励 起は、周囲の負荷回路コイル２により前もって与えられている境界条件を考慮す ると、方円電子サイクロトロン波の走行方向におけるプラズマ長ｄがその都度に 、この波の波長の１７２の奇数倍である即ち λｒｅｓ　””　２　ｄ／　（２ｚ＋１　）が厄立つと行われる。

但し２は共鳴の次数でおる。ω２くω。、ｅを有するその都度の共鳴周波数ωｚ 　（ｚ−０＊　　１，２・・−・・）に対して電子サイクロトロン局波数ω。、 ｅは集積点である。

これは、高周波発生器により前もって与えられている励起周波数ωにおいて所定 の次数２は、ω。、８を決める重畳され九直流磁界Ｂ。の強さの適当な選択によ り調整することができることを意味する。実際の上ではωＯＫおける基本共鳴又 はωｌにおける第１の高調波共鳴による励起が１要である。

プラズマの相対誘を率ＤＫは電子サイクロトロン波の伝播の領域において非常に 大きくなることを更に付は加えておく。これにより、ＤＫからの根による除算に より真空時の波長から得られる電子サイクロトロン波の波長は、この波長がプラ ズマ容器１の寸法に匹敵する程に小さい。対応するＤＫ値は電子密度即ち発生さ れ几低圧プラズマの密度と容器の幾何学的形状との関数である。

電子サイクロトロン波共鳴によるプラズマ励起は、ガス圧が低げれば低い程より 効果的になる、何故ならばこのようにしてプラズマ粒子の相互の衝突により共鳴 減衰の影響は常に僅かであるからである。この場合、電子サイクロトロン波によ る共鳴励起の九めの最小の動作圧力には、プラズマ体積中におけるガス密度が常 時小さくなっている状態において、イオン化することにより容器壁における粒子 損失を補償子゛る中性のガス原子がもはや十分に存在しなくなると違する。容器 の大きさに依存して動作ガスとしてのアルビンに対してこの下方限界圧は’１０ −’　ｍｂａｒ　ｒｃあり、これに対して例えばキセノンに対しては１０−’　 ｍｂａｒ　Ｋある。高周波！発生器４に対して、プラズマにより与えられる負荷 が十分に良好に整合し、本装置を高周波技術的に最適化した場合には、動作圧が Ｉ　Ｑ−’　ｍｂａｒの領域にある場合にプラズマイオン化率は約１０−２にす ることができる。

プラズマ励起の九めの電子サイクロトロン波共鳴による高周波イオン源の１つの 実用的な実施例を第３図及び第４゛スは示している。このイオン源によりリボン 状のイオンビームを発生することができ、この電子ビーム位置いて例えば、２つ のコンデンサ板から成る電気偏向装置によりその長手軸側面に対して垂直に周期 的に偏向することができるが、又はイオン衝撃装置の中で後続のスリット状電極 により更に加速し次いでリボン状の高エネルギーイオンビームとして、（図示さ れていない）打込むべき工作物に照射することができるｂ プラズマ容器１の形状は有利には、所望のリボン状のイオンビームの形状に整合 されている。プラズマ容器１は、丸みのつけられた稜をもつ次側面と開いている 端面とを有する、直方体形で管状のガラス容器から成る（第６図及び第４図）。

プラズマ容器１は担体板７と終端板８との間に挟持されている。

一方の端面の中には、イオンビームな発生するための抽出装置９が配置されてい る。抽出装置９もその幾何学的形状に関して、必要な方法でイオンビーム又はイ オンビーム束全体のその都度に必要な横断面形状に整合される。第３図及び第４ 図に示されている実施例にお、いてイオン抽出装置９は、順次に位置し相互に位 置調整されスリット状の開口部を有する平らな２りのｔ極１０からなり、その際 により広いスリット幅な有する電極１０はプラズマ側に配置され、より挟いスリ ット幅を有する電極１０は衝撃室側に配置されている。

第６図、第４図において１４によりガス供給口が示されており、１５は、プラズ マ圧力を求める九めの測定機器を接続するための短管である。１６は、抽出電極 １０を接続するためのリード線である。１７により遮蔽部材が示されている。

プラズマ側の電極１０は、プラズマに対して比較的低い電位にある（プラズマに 対して約５０ｖだけ負）；イオンの加速は主に、互いに数ミリの間隔な胃する第 １と第２の抽出を極１０との間の電界の中で行われる。順次に取付られている２ つの抽出電極又はイオンレンズを極１０の間の電気的な絶縁に依存して、抽出さ れたプラズマイオンを数キロ電子ボルトのエネルギー１で加速することができる 。

抽出装置９の開口部の上に位置する、イオンを放出するプラズマ境界面１８と抽 出装置９の電極は一緒にイオン光学的゛浸漬系”を形成し、この゛浸漬系”によ り例えばビーム集束が可能である（第５図）。イオンを放出プラズマ境界面１８ の有する、プラズマ１９に向かつて湾曲している形状によフ、プラズマ側の抽出 を極Ｅ１の幾河学的開口部形状、に対応するより大きい領域からプラズマイオン は抽出される。抽出されたイオンビームの丸めの集束条件ひいてはイオンビーム の幾何学的横断面形状は、抽出電極２１．Ｅ２における電位と、幾何学的配置（ 電極開口部の幅、抽出電極の間の間隔等）により制御することができる。衝撃室 側の抽出１倭Ｅ２に、イオンビームを更に加速する九めに１つ又は複数の例えば 絞りのように形成されている電極Ｅ６・・・Ｅｎ　ｆ後続さセることができる。

電圧Ｕ２は、事後イオン化され注入された外部粒子をプラズマイオンから分離す る几めの電位段を発生する。

プラズマ１．９の中に戻るのを抑圧する次めの抑圧電極Ｅｓにおける電圧である 。

第５図に示されているように抽出電極Ｅ１・・・Ｅｎと抑圧を極Ｅｓ　　とにお ける電位を、プラズマ１９と接触している別の１つの基準電極２０に印加するこ とかできる。この基準電極２０は、プラズマ１Ｓの端面におげろ、抽出装置９に 対向して位置する金属終端面でちることもある。しかし、抽出電圧を印加する九 めの基準電極２０として、棒状でありプラズマの中に突出している別の、１つの 電極であることもあり、この電極は、プラズマ１９に曝されている′、この電極 の幾何学的面な適当に選択することにより、この電極を取囲んでいるプラズマ１ ９の電位にすることができる。

このような高周波イオン源の典形的実施例により、スリット状の２つの電極から 取るイオン抽出装置９を用いて、アルビンの中と窒素の中との低圧プラズマから 、２０３の幅を有するリボン状のイオンビームが抽出、され、衝撃室側の抽出電 極から出、る時のこのイオンビームの厚さは２Ｉ０１であり九。イオン抽出エネ ルギー出され九イオン流全体は２５ｍＡと３０　ｍＡの間にあり几。動作圧が数 １０“’　ｍｂａｒである場合にプラズマの中の出力損失は約１５０Ｗである。

プラズマ励起は２７−１２　ＭＨｚの周波数で行われ穴。

イオン抽出のための別の１つの方法は、抽出装置９に具備されているプラズマ側 の第、１の電極Ｅ１をいわゆる絶縁され次電極として作動し、この電極に対して プラズマ１９がその進中性を維持するために正の電位にそれ自身をｔｉ１整する ことから取る。

この場合、第２又はこれに後続の電極抽出電極ＣＢ２・・・・・・Ｅｎ　）の間 の後続の電圧は１．プラズマ側の第２の抽出電極に対して印加されている。

このような絶縁されたｔ極Ｅ　１１ｄ、例えばスリットのある石英板の形の非導 電性材料から形成することもできる。”プラズマ１９と絶縁された電極Ｅ１との 間にそして容器壁に対しても同様に電圧降下ｔ”ｗが加わる（但しＴｅはプラズ マ電子の温度、ｍ８は電子質量、Ｍ工はイオン質量、ｋはポルノｉン定数、αは 約０．８の経験値係数、π−３，１４・・・、ｅｏは累電荷、１ｎは自然対数の 略号であ・る）。絶縁材から製作され例えばス゛リット形の前述の電極Ｅ１をプ ラズマ１９に対して負の電位にする電圧降下ＵＷにより、負のプラズマイオンは この電極に向かつて加速され、加工され几スリット又はスば別の形状に形成され た開口部を貫通して出る。続いて、出てきたプラズマイオンはイオン光学系（Ｅ ２・・・Ｅｎ）により更に加速され幾何学的に１本のイオン束に集束され、この イオン束の幾何学的形状は前述の構取部材の中の開口部及びイオン加速光学系の 中の開口部の形状により決まる。プラズマにおいて所要の準中性は、イオンと同 数の電子が、絶縁されているｔｉＥｉＯ中の開口部を貫通することにより保証さ れる。このようにしてｔｉＥ２・・・ＥｎとＥｓとに障害荷電が発生するのを回 避することができる。

を子サイクロトロン波共鳴によるプラズマ励起の無！極方法によりプラズマ空間 の中に電極は必要でないので、イオン出口面２１に対向して位置する終端板８を 含む、プラズマ容器１の残り全体χ同様に例えば石英等の絶縁材から形成するこ とができる。これＫより、プラズマを発生するプラズマ容器１の壁全体を、化学 的に腐食性のガスに対して抵抗性！有する材料から製作することができる。従っ て高周波イオン源（１、任意の形状に形成され九人面積のイオンビーム又は腐食 性又は反応ガスのイオンから厄るイオンビーム束を発生するために用いることが できる。イオン出口面２１の背後に配置されているイオン加速装置は、幾何学的 形状が１切であり電位が適切に与えられている場合には、抽出され次イオンビー ムが接触ゼず、従って同様に、抽出された反応性の又は化学的に腐食性のイオン に曝されない。

電子サイクロトロン波共鳴により励起された低圧プラズマの中の電子の温度Ｔｅ の大きさに関する多数の調査により、Ｔ８は１．０００００°にのオーダにあり 、プラズマ電子は非常に良好な近似でマクスウェルの速度分布に従うことが分か った。Ｔ８の値が高いので、このような低圧プラズマの電子成分は、プラズマの 中に持込１れた外部粒子をイオン化するためにも用いることができる。

例えばイオン源のプラズマ容器１の中に金属粒子（原子又は分子）ン、イオン出 口面２１に対向して位置する、プラズマ容器１の終端板８の上に任意の金属から 成るスパッタターデッド１０が配置される（第６図）ような形式で導入すること ができる。絶縁支持部材２２の上に位置するこのスパッタターデッド１０にプラ ズマ１９に対して負の電位を与えると、スパッタターゲット１０はプラズマイオ ンにより衝撃され、これによりターデッド面から金属原子が分離されプラズマ体 積の中に進入する。そこでこれらの金属原子は、１チのオーダの確率でプラズマ 電子との衝突によりイオン化される。これらの金属原子は次いで、プラズマイオ ン自身と類似にイオン光学装置によりイオンビームの形状で抽出することができ る。これに関連して特に重要なことは、イオン衝撃により分離さ−れ九（スパッ タされ九）金属原子又は金属分子が、プラズマイオン自身の運動エネルギーに比 して著しく高い運動エネルギーな有することである。スパッタされ念金属粒子の 平均エネルギーは通常は１５−２［１ｅＶでおり、これに対してプラズマイオン はプラズマを４−５ｅＶの僅かなエネルギーで離れるに丁ぎない。

このようにして、イオン抽出の際に適当な電位段（Ｕ２）を形成することにより 、事後イオン化され次金属粒子を動作ガスのイオンから分離し、このようにして 純粋の金属イオンビームを発生することかできる。

金属原子をプラズマ１９の中に導入する別の１つの方法は、抽出装置９に対向し て位置する、プラズマ容器１・の終端板８の背後Ｋｇ窒容器１２を配置し、真全 容器１２の中に抵抗蒸発装置、により又は電子ビーム蒸発器１３により金属蒸気 流を発生し、この金属蒸気流は終端板８の中の適切な開口部１１を貫流してプラ ズマ１９の中に進入する。対応する装置が第７図に示されている。進入する金属 原子及び金属分子は同様にプラズマ電子によりイオン化され、このようにして動 作ガスのイオンと一緒に前述の方法で１本のイオンビームに抽出することができ る。この場合、種々の種類の粒子の運動エネルギーが互いに異ならないので、金 属イオンをプラズマイオンから分離することを可能にする付加的な手段を採らな ければならない。このような装置は例えば適切な形態に形成された直流磁界から 又は直流磁界と直流電界との組合せから成る。

このような分離方法は通常は、混合されている粒子ビームの中の異なる粒子取分 の質量の相違を利用するので、この場合には有利にはヘリウムをプラズマ発生の 九めの動作ガスとして用いる。ヘリウムプラズマは一方では特別に高い電子温度 Ｔ８を有し、これにより特別に高いイオン化ｖｉ率が、進入する金属原子に対し て保証される。他方ではヘリウムイオンは丁べての金属原子に比して小さい質量 を有し、これは動作ガスイオンと金属イオンとの分離に特に好都合でちる。

電子サイクロトロン波共鳴により励起されるプラズマの中に進入する粒子の種類 は、金属原子又は金属分子に制限されない、何故ならば適当な装置により非導電 性の材料も蒸気形態に移行させることができるからである。この九めに特に適当 なのはいわゆる高周波スパッタリング法であり、この方法にお６ては、プラズマ に対して絶縁する材料から取るターデッドに高周波電位が与えられる・。この高 周波スパッタリング法゛は簡単な方法で、開発され次高周波イオン源と組合せる ことができる。この九めに、終端板８（第６図）の上に載置しているスパッタタ ーゲット１０は、対応する絶縁ターデッドにより置換することができ、この場合 にこの絶縁ターデッドに公知の方法でプラズマ１９の電位に対ビて高周波電位が 与えられる。有利には、この九めに必要な高周波電圧は付加的に、電子サイクロ トロン波共鳴を用いてｌｚのプラズマ発生の九めに用いられる高周波発生器４か ら取出子ことができる。

前述のように高周波イオン源を用いて、任意の横断面形状例えばリボン状を有す る大面積のイオンビームな任意の種類のイオンから発生することができる。

ＦＩＧ、Ｉ ＦＩＧ、２ ＦＩＧ、７ 国＠調査報告 ５Ａ　　　　２１２５４

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. １．イオン化すべき物質例えばガスのための容器を備え、高周波エネルギーを誘 導的にプラズマの中に入力結合することができ、微弱な直流磁界が加えられてい る、大面積のイオンビームを発生するための高周波イオン源において、 管状であり所望のイオンビームの形状に整合され担体板（７）と終端板（８）と の間に扶持されているプラズマ容器（１）の中で低ガス圧状態でプラズマ励起を 電子サイクロトロン波共嗚により行うことができ、高周波発生器（４）と負荷回 路コイル（２）との間に同調可能な中間回路（５）を設け、 直流磁界をヘルムホルツコイル対（６）により発生し、このヘルムホルツコイル 対（６）の幾何学的形状をプラズマ容器（１）の形状に整合し、 担体板（７）の中に、複数の電極から成り所望のイオンビームの幾何学的形状に イオン光学的に整合されているイオン抽出装置（９）を配置することを特徴とす る高周波イオン源。
2. ２．イオン抽出装置（９）として第１及び第２の抽出電極（Ｅ１，Ｅ２）を設け 、第１及び第２の抽出電極（Ｅ１，Ｅ２）に電圧（Ｕ２）を、後でイオン化され 注入されたプラズマイオンの外部粒子を分離するための電位段として印加するこ とができ、イオン加速電圧（Ｕ３，Ｕ４，・・・Ｕｎ）が印加されている号の電 極（Ｅ３，Ｅ４，・・・Ｅｎ）と、抑圧電圧（Ｕｓ）を有する抑圧電極（Ｅｓ） とを設けることを特徴とする請求項１記載の高周波イオン源。
3. ３．第１の抽出電極（Ｅ１）を非導電性材料から製作し、別の電極の電圧（Ｕ３ ・・・Ｕｎ）を第２の抽出電極（Ｅ２）に対抗して印加することを特徴とする請 求項２記載の高周波イオン源。
4. ４．プラズマ容器（１）を長方体形に、稜の丸味を帯びた側面と開いている端面 で形成し、イォン抽出装置（９）がスリット状の電極（Ｅ１・・・Ｅｎ，Ｅｓ） を有することを特徴とする請求項１記載の高周波イオン源。
5. ５．終端板（８）の上にスパッタターゲット（１０）を配置したことを特徴とす る請求項１記載の高周波イオン源。
6. ６．終端板（８）を開口部（１１）を介して真空容器（１２）と連結し、真空容 器（１２）の中に抵抗蒸発器又は電子ビーム蒸発器（１３）を配置したことを特 徴とする請求項１記載の高周波イオン源。