DE102006062710A1 - Plasmaquelle - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Plasmaquelle mit einem auf Erdpotential liegenden Gehäuse (1), einem darin angeordneten Plasmagerät, welches einen Plasmaraum (2) umgibt und mit einer Anode (6) sowie einer Einrichtung (3) zur Zuführung einer Hochfrequenzspannung an die Anode (6), welche einen elektrisch mit der Anode (6) in Verbindung stehenden und durch eine Isolierung (5) gegenüber dem Gehäuse (1) elektrisch isolierten Metallblock (4) umfasst, der über eine Ankopplungseinrichtung (7) zur elektrischen Verbindung mit einem Hochfrequenzgenerator verfügt, wobei bei angelegter Hochfrequenzspannung in dem Plasmaraum (2) durch elektrische Gasentladung ein darin befindliches Prozessgas ionisiert wird. Um eine möglichst effiziente und verlustfreie Einkopplung der Hochfrequenzspannung über die Einrichtung (3) an die Anode (6) zu erzielen, ist auf der Außenseite des Metallblocks (4) eine Beschichtung aus einem elektrisch hochleitfähigen Material, insbesondere Silber oder Gold, vorgesehen.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Plasmaquelle nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
- Eine derartige Plasmaquelle ist aus der
EP 0 349 556 B1 bekannt. Darin ist eine Plasmaquelle beschrieben, aus der ein Plasmastrahl beispielsweise zur Abtragung und Strukturierung von Festkörperoberflächen, zur Herstellung von Oberflächendotierungen durch Teilchenbeschuss und zum Erzeugen von Oberflächenschichten extrahiert werden kann. Die Plasmaquelle umfasst ein Plasmagefäß, welches einen Plasmaraum umgibt, sowie zwei großflächige Elektroden, die über ein Anpassungsnetzwerk mit einem Hochfrequenzgenerator verbunden sind, wobei die Flächen der Elektroden so gewählt sind, dass nahezu die gesamte Hochfrequenzspannung an der einen, als feines Gitter ausgebildeten Extraktionselektrode abfällt. Die andere Elektrode dient als Ankoppelelektrode, an der die Hochfrequenzspannung zugeführt wird. Die Extraktionselektrode liegt auf Erdpotential. Das Plasmagefäß ist topfförmig ausgebildet und weist eine Öffnung auf, in der die als feines Gitter oder Netz ausgebildete Extraktionselektrode angeordnet ist. Bei Anlegen einer Hochfrequenzspannung an die Ankoppelelektrode und Zuführen eines Prozessgases in den Plasmaraum wird dort durch elektrische Gasentladung ein Plasma gezündet. Da sich das Plasma gegenüber der Extraktionselektrode von selbst auf ein höheres, positives Plasmaionenpotential legt, (sog. self biasing effekt) werden Ionen dieses Plasmas auf die im Kontakt mit dem Plasma stehende Extrationselektrode hin beschleunigt. - Die auf die gitter- bzw. netzförmige Extraktionselektrode hin beschleunigten Ionen treten durch die Extraktionselektrode hindurch. Der so durch die Extraktionselektrode extrahierte Ionenstrom wird durch einen im Takt der Hochfrequenz fließenden Elektronenstrom gleicher Höhe zur Kompensation des Ionenstroms überlagert, so dass insgesamt ein elektrisch neutraler Plasmastrahl aus der Plasmaquelle extrahiert wird.
- Aus der
DE 37 08 716 A1 ist weiterhin eine Hochfrequenz-Ioenquelle zur Erzeugung von großflächigen Ionenstrahlen bekannt, welche ein Plasmagefäß für das zu ionisierende Gas aufweist, welches rohrförmig ausgebildet und zwischen einer Trägerplatte und einer Abschlussplatte geklemmt ist, wobei bei niedrigem Gasdruck durch induktive Hochfrequenzeinkopplung das in dem Plasmagefäß befindliche Prozessgas durch Elektronenzyklotronwellen-Resonanz ionisiert wird. Eine weitere Plasmaquelle ist aus der WO 01/63981 A1 bekannt. - Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine gattungsgemäße Plasmaquelle bereitzustellen, bei der eine effiziente Einkopplung von Energie in den Plasmaraum gewährleistet und gleichzeitig das Gehäuse der Plasmaquelle auf Erdpotential gelegt werden kann, um ein gefahrloses Arbeiten mit der Plasmaquelle zu ermöglichen.
- Gelöst wird diese Aufgabe mit einer Plasmaquelle mit den Merkmalen des Anspruchs 1. Vorteilhafte Ausgestaltungen dieser Plasmaquelle sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
- Nachfolgend wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert, wobei Bezug genommen wird auf die begleitenden Zeichnungen. Diese zeigen:
-
1 : Schnittdarstellung einer erfindungsgemäßen Plasmaquelle; -
2 : Detaildarstellung der Einrichtung zur Zuführung der Hochfrequenzspannung an die Anode der Plasmaquelle von1 in einer perspektivischen Schnittansicht. - Die in
1 im Schnitt dargestellte Plasmaquelle umfasst ein Gehäuse1 , bestehend aus einem metallischen Rohr1a , welches an seiner oberen Stirnseite von einem Deckel1b abgedeckt ist. Der Deckel1b weist eine zentrale, kreisförmige Öffnung auf. In dem Gehäuse1 ist ein Plasmagefäß angeordnet, welches einen Plasmaraum (2 ) umgibt. Das Plasmagefäß wird bei dem zeichnerisch dargestellten Ausführungsbeispiel von einer becherförmigen Anode6 gebildet, über welche Energie zur Ionisierung des in dem Plasmaraum2 befindlichen Prozessgases einkoppelbar ist. Anders als bei der hier zeichnerisch dargestellten Ausführungsform können das Plasmagefäß, welches den Plasmaraum2 umgibt, und die Anode6 auch durch getrennte Bauteile ausgebildet sein, insbesondere kann die Anode auf der Außenseite des Plasmagefäßes angeordnet sein. - Die becherförmige Anode
6 weist eine Becherwand6a und einem scheibenförmigen Boden6b auf. Die Anode6 ist konzentrisch in dem metallischen Rohr1a des Gehäuses1 so angeordnet, dass die Öffnung der becherförmigen Anode6 nach unten weist, wie in1 dargstellt. Die Anode6 ist aus einem Metall hergestellt, beispielsweise. Edelstahl oder Aluminium und die Innenflächen der Anode sind mit einem elektrisch nicht leitenden Material beschichtet, beispielsweise einer Keramik. Bei Anlegen einer Hochfrequenzspannung an die Anode6 wird im Innern der Anode6 ein darin befindliches Prozessgas ionisiert. Das Innere der becherförmigen Anode6 stellt damit den eigentlichen Plasmabrennraum dar. Die Beschichtung der Innenseite der Anode6 soll verhindern, dass sich während des Prozesses Anodenmaterial von der Anode6 löst und das sich in dem Plasmaraum2 ausbildende Plasma verunreinigt. - Auf der Außenseite des Bodens
6b der Anode6 ist eine Einrichtung3 zur Zuführung einer Hochfrequenzspannung an die Anode6 angeordnet. Bei dieser Einrichtung3 handelt es sich um einen Metallblock4 , der mit der Anode6 elektrisch in Verbindung steht. Die Einrichtung3 dient zum einen zur Zuführung einer Hochfrequenzspannung an die Anode6 und gleichzeitig zur Zuführung des Prozessgases in den Plasmaraum2 . Zur Zuführung der Hochfrequenz an die Anode6 ist an der Einrichtung3 eine Ankopplungseinrichtung7 vorgesehen, über welche der Metallblock4 über ein Anpassnetzwerk mit einem Hochfrequenzgenerator verbunden werden kann. Bei der Ankopplungseinrichtung7 handelt es sich um eine Sackbohrung im Zentrum des zylinderförmigen Metallblocks4 , welche mit einem Innengewinde versehen ist. In das Innengewinde kann eine Buchse eingeschraubt werden, die den Metallblock4 über ein zwischengeschaltetes Anpassnetzwerk mit einem Hochfrequenzgenerator verbindet. - Zur Zuführung des Prozessgases in den Plasmaraum
2 sind in dem Metallblock Gaskanäle11 ausgebildet, welche der Schnittdarstellung der2 zu entnehmen sind. Die Gaskanäle11 stehen über einen Gaseinlassstutzen12 mit einem Reservoir eines Prozessgases, beispielsweise ein Gemisch aus Sauerstoff und Argon, in Verbindung. Die Gaskanäle11 münden in einen Gasauslass13 , der bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel im Zentrum des Metallblocks4 angeordnet ist. Der Gasauslass13 kommuniziert mit einer Gaseinlassöffnung im Boden6b der Anode6 , so dass das von dem Gasreservoir kommende Prozessgas über den Gaseinlassstutzen12 , die Gaskanäle11 und den Gasauslass13 sowie die Gaseinlassöffnung in das Innere der becherförmigen Anode6 , also in den Plasmaraum2 , strömen kann. Zur Vergleichmäßigung des Gasstroms in den Plasmaraum ist unterhalb der Gaseinlassöffnung eine Gasdusche14 , beispielsweise in Form einer Prallplatte, vorgesehen. - Zur Kühlung der Einrichtung
3 ist in dem Metallblock4 ein Kühlkanal9 vorgesehen, der mit zwei Anschlussstutzen15 (von denen in den Zeichnungen jeweils nur einer dargestellt ist) in Verbindung steht. An die Anschlussstutzen15 wird ein Zu- und ein Ablauf eines Kühlfluidkreislaufs angeschlossen, um den Kühlkanal9 mit einem Kühlfluid, insbesondere Kühlwasser, zu versorgen. Bei dem Kühlkanal9 handelt es sich bevorzugt um einen Ringkanal, der in der Peripherie des zylindrischen Metallblocks4 verläuft und dort als Einfräsung ausgebildet ist, welche durch eine metallische, mit dem Metallblock4 verschweißte Kanalwandung9a verschlossen ist. - An der (in
1 nach unten weisenden) offenen Seite des topfförmigen Gehäuses1 ist eine Auskoppelelektrode16 angeordnet. Bei der Auskoppelelektrode16 handelt es sich um ein Gitter oder um eine Anordnung von parallel zueinander verlaufenden, dünnen, metallischen Drähten, beispielsweise aus Wolfram. Diese Gitter- bzw. Drahtanordnung ist in einen Spannrahmen17 eingespannt. Der Spannrahmen17 dient dazu, das Gitter bzw. die Drähte der Auskoppelelektrode16 möglichst plan in einer Ebene zu halten. Der Spannrahmen17 ist an der stirnseitigen Öffnung eines ringförmigen Liners18 angeordnet und an einem hier nicht zeichnerisch dargestellten Außengehäuse befestigt, in welches die gesamte in1 dargestellte Plasmaquelle eingefügt ist. Der untere Teil der becherförmigen Anode6 ist in den ringförmigen Liner19 eingeschoben. Da die Innenfläche des Liners19 einen Teil des Plasmaraums2 umgibt und daher mit dem brennenden Plasma in Berührung kommt, ist auch die Innenfläche des Liners19 (wie die Innenfläche der Anode6 ) mit einem isolierenden Material beschichtet, um eine Kontamination des Plasmas zu vermeiden. Zur Formung des Plasmastrahls, der über die Auskoppelelektrode16 aus der Plasmaquelle extrahiert werden kann, sind auf der Außenseite des Gehäuses1 hier zeichnerisch nicht dargestellte Magnete angeordnet. - An der Oberseite des Gehäuses
1 ragt der Metallblock4 aus der Öffnung im Deckel1b des Gehäuses heraus. Zur elektrischen Isolation des auf Hochfrequenzpotential liegenden Metallblocks4 gegenüber dem auf Erdpotential liegendem Gehäuse1 ist eine Isolierung5 zwischen dem Metallblock4 und dem Deckel1b des Gehäuses1 vorgesehen. Die Isolierung5 ist von einem Isolierring5a aus elektrisch nicht leitfähigem Material, insbesondere einer Keramik, gebildet, der zwischen einem oberen Metallring5b und einem unteren Metallring5c eingebettet ist (2 ). Der Isolierring5a weist eine Dicke von einigen mm auf und ist damit wesentlich dicker als die Metallringe5b und5c . Der obere Metallring5b ist an einem nach außen überstehenden Kragen8 des Metallblocks4 angeschweißt und der untere Metallring5c ist an dem Deckel1b des Gehäuses1 angeschweißt und zwar an dem die zentrale Öffnung in dem Deckel1b umgebenden Kreisring. Wie aus2 zu erkennen ist, besteht zwischen der Außenfläche des Zylindermantels des Metallblocks4 und der Innenseite des Isolierrings5a ein Abstand. Dieser Abstand beträgt einige mm und trägt zur elektrischen Isolierung des Metallblocks4 gegenüber dem Gehäuse1 bei. - Um eine möglichst effiziente Zuführung der Hochfrequenzspannung von der Einrichtung
3 auf die Anode6 zu gewährleisten, ist der Metallblock4 , der beispielsweise aus Stahl gefertigt ist, auf seiner Außenseite mit einer elektrisch hochleitfähigen Beschichtung, beispielsweise aus Silber oder Gold, beschichtet. - Bei der vorbeschriebenen Plasmaquelle bildet sich bei Anlegen einer Hochfrequenzspannung an die Einrichtung
3 im Plasmaraum2 ein Plasma aus, wobei durch die Hochfrequenzeinkopplung direkt auf die becherförmige Anode6 eine kapazitive Ankopplung des Plasmas erfolgt und das Plasma im wesentlichen nur innerhalb der becherförmigen Anode6 , also im Plasmaraum2 brennt. Aufgrund der Zuführung der Hochfrequenzspannung durch die Einrichtung3 zur Anode6 und die elektrische Isolierung der Einrichtung3 gegenüber dem auf Erdpotential liegendem Gehäuse1 wird eine sichere und effiziente Einkopplung der Hochfrequenzspannung und damit ein effizienter und sicherer Betrieb der Plasmaquelle ermöglicht.
Claims (14)
- Plasmaquelle mit einem auf Erdpotential liegenden Gehäuse (
1 ), einem darin angeordneten Plasmagefäß, welches einen Plasmaraum (2 ) umgibt und mit einer Anode (6 ) sowie einer Einrichtung (3 ) zur Zuführung einer Hochfrequenzspannung an die Anode (6 ), welche einen elektrisch mit der Anode (6 ) in Verbindung stehenden und durch eine Isolierung (5 ) gegenüber dem Gehäuse (1 ) elektrisch isolierten Metallblock (4 ) umfasst, der über eine Ankopplungseinrichtung (7 ) zur elektrischen Verbindung mit einem Hochfrequenzgenerator verfügt, wobei bei angelegter Hochfrequenzspannung in dem Plasmaraum (2 ) durch elektrische Gasentladung ein darin befindliches Prozessgas ionisiert wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Metallblock (4 ) auf seiner Außenseite eine Beschichtung aus einem elektrisch hochleitfähigen Material, insbesondere Silber oder Gold, aufweist. - Plasmaquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolierung (
5 ) von einem Isolierring (5a ) aus elektrisch nicht leitfähigem Material gebildet ist, der zwischen einem oberen Metallring (5b ) und einem unteren Metallring (5c ) angeordnet ist, wobei der obere Metallring (5b ) mit dem Metallblock (4 ) und der untere Metallring (5c ) mit dem Gehäuse (1 ) verbunden ist. - Plasmaquelle nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Isolierring (
5a ) aus Keramik ist. - Plasmaquelle nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Metallblock (
4 ) zylindrisch ausgebildet ist und an seiner Oberseite (4a ) einen nach außen überstehenden Kragen (8 ) aufweist. - Plasmaquelle nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Metallblock (
4 ) mindestens ein Kühlkanal (9 ) angeordnet ist, welcher mit einem Kühlfluidkreislauf in Verbindung steht. - Plasmaquelle nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Metallblock (
4 ) zylindrisch ist und dass es sich bei dem oder jedem Kühlkanal (9 ) um einen Ringkanal handelt, welche in der Peripherie des zylindrischen Blocks (4 ) verläuft. - Plasmaquelle nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der obere Metallring (
5b ) an dem Kragen (8 ) befestigt, insbesondere angeschweißt ist. - Plasmaquelle nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Isolierring (
5a ) radial im Abstand zum zylindrischen Metallblock (4 ) angeordnet ist und nur über den oberen Metallring (5b ) mit diesem in Verbindung steht. - Plasmaquelle nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Metallblock (
4 ) Gaskanäle (11 ) verlaufen, die mit einem Gasreservoir in Verbindung stehen und zur Zuführung von Prozessgas in den Plasmaraum (2 ) dienen. - Plasmaquelle nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Anode (
6 ) becherförmig ausgebildet ist mit einer rohrförmigen Wand (6a ) und einem scheibenförmigen Boden (6b ), der an der Unterseite (4b ) des Metallblocks (4 ) abnehmbar an diesem befestigt ist. - Plasmaquelle nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (
1 ) von einem metallischen Rohr (1a ) gebildet ist, welches an seiner oberen Stirnseite von einem eine zentrale Öffnung aufweisenden Deckel (1b ) abgedeckt ist. - Plasmaquelle nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der untere Metallring (
5c ) des Isolierrings (5 ) an dem Deckel (1b ) befestigt, insbesondere angeschweißt ist und dass der Metallblock (4 ) in die Öffnung des Deckels (1b ) hineinragt. - Plasmaquelle nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Anode (
6 ) in dem Gehäuse (1 ) angeordnet ist und das Plasmagefäß bildet. - Plasmaquelle nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Anode (
6 ) konzentrisch in dem metallischen Rohr (1a ) des Gehäuses (1 ) angeordnet ist.
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