JPS6134832A - 大口径イオン源 - Google Patents
大口径イオン源Info
- Publication number
- JPS6134832A JPS6134832A JP15635484A JP15635484A JPS6134832A JP S6134832 A JPS6134832 A JP S6134832A JP 15635484 A JP15635484 A JP 15635484A JP 15635484 A JP15635484 A JP 15635484A JP S6134832 A JPS6134832 A JP S6134832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- arc chamber
- flange
- insulating
- ion beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/022—Details
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、核融合装置の中性粒子入射装置やイオンミリ
ング装置に好適な大口径イオン源に関する。
ング装置に好適な大口径イオン源に関する。
従来の大出力の大口径イオン源は、例えば、ｐｒｏｃｅ
ｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｉｎｔｅｒｎａｔ
ｉｏｎａｌ 工ｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ （：ｏ
ｎｇｒｅｓｓ 、 ５ｅｐｔ 、 １９８３におけ；６
Ｓ、■５ｈｉｄａ等による＠ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ
ｏｆ ＤＣＡｍｐｅｒｅ ■ｏｎ Ｂｅａｍ’、ｙ、□
ｈａｒａ による”ＤＥＶＥＬＯＰＭＥＮＴ ＯＦ
ＴＨＥ ＮＥＵＴＲＡＬＢＥＡＭ ＩＮＪＥＣＴＯ
ＦＬ ＦＯＲＪＴ−６０″やに、Ｍａｔ！！ｕｄａ及び
Ｙ、５ｕｚｕｋｉによる′″ＵＳＥＯＦ ＨＩＧＨＣ
ＵＲＲＥＮ丁 ＩＯＮ ＢＥＡＭ ”等に示されてい
るように、第３図の工すな構造をしている。
ｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｉｎｔｅｒｎａｔ
ｉｏｎａｌ 工ｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ （：ｏ
ｎｇｒｅｓｓ 、 ５ｅｐｔ 、 １９８３におけ；６
Ｓ、■５ｈｉｄａ等による＠ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ
ｏｆ ＤＣＡｍｐｅｒｅ ■ｏｎ Ｂｅａｍ’、ｙ、□
ｈａｒａ による”ＤＥＶＥＬＯＰＭＥＮＴ ＯＦ
ＴＨＥ ＮＥＵＴＲＡＬＢＥＡＭ ＩＮＪＥＣＴＯ
ＦＬ ＦＯＲＪＴ−６０″やに、Ｍａｔ！！ｕｄａ及び
Ｙ、５ｕｚｕｋｉによる′″ＵＳＥＯＦ ＨＩＧＨＣ
ＵＲＲＥＮ丁 ＩＯＮ ＢＥＡＭ ”等に示されてい
るように、第３図の工すな構造をしている。
第３図においてアーク室１０を形成している容器１２は
、内部にフィラメント用電流導入端子１４ｔｌ−介して
設けたフィラメント１６を有しており、容器１２の周囲
に永久磁石１６が複数配設しである。容器１２の一端部
は開口部１８となっており、この開口部１８の前方にプ
ラズマ電極２０が配設しである。プラズマ電極２０は、
イオンビーム引出し電極系の一部をなし、容器１２のフ
ランジ部２２に絶縁スペーサ２４を介して設けた電極用
真空フランジ２６に支持されている。又、プラズマ電極
２０の前方には、サプレッサ電極２８、引出し電極３０
が設けてめシ、これらサプレッサ電極２８ヒ引出し電極
３０とは、電極用真空フランジ２６に絶縁フランジ３２
を介して設けである電極固定フランジ３４に取付けであ
る。
、内部にフィラメント用電流導入端子１４ｔｌ−介して
設けたフィラメント１６を有しており、容器１２の周囲
に永久磁石１６が複数配設しである。容器１２の一端部
は開口部１８となっており、この開口部１８の前方にプ
ラズマ電極２０が配設しである。プラズマ電極２０は、
イオンビーム引出し電極系の一部をなし、容器１２のフ
ランジ部２２に絶縁スペーサ２４を介して設けた電極用
真空フランジ２６に支持されている。又、プラズマ電極
２０の前方には、サプレッサ電極２８、引出し電極３０
が設けてめシ、これらサプレッサ電極２８ヒ引出し電極
３０とは、電極用真空フランジ２６に絶縁フランジ３２
を介して設けである電極固定フランジ３４に取付けであ
る。
上記のごとく構成しである従来の大口径イオン源におい
ては、プラズマ電極２０が電極用真空フランジ２６に固
着された構造をしているため、アーク室１０と真空フラ
ンジ２６との間を絶縁するために、大口径の絶縁スペー
サ２４、及び容器１２、真空フランジ２６、絶縁スペー
サ２４を一体化するための図示しない絶縁ボルトが必要
であり、構造が複雑となる問題点があった。又、絶縁ス
ペーサ２４は、イオンを引出すアークの電力効率？悪化
させないため、プラズマ電極２０をアーク室１０に近く
配置する必要があり、厚さ１５５ｍ程度以下のセラミツ
・クス等の絶縁物による薄板を使用する必要があった。
ては、プラズマ電極２０が電極用真空フランジ２６に固
着された構造をしているため、アーク室１０と真空フラ
ンジ２６との間を絶縁するために、大口径の絶縁スペー
サ２４、及び容器１２、真空フランジ２６、絶縁スペー
サ２４を一体化するための図示しない絶縁ボルトが必要
であり、構造が複雑となる問題点があった。又、絶縁ス
ペーサ２４は、イオンを引出すアークの電力効率？悪化
させないため、プラズマ電極２０をアーク室１０に近く
配置する必要があり、厚さ１５５ｍ程度以下のセラミツ
・クス等の絶縁物による薄板を使用する必要があった。
このため、絶縁スペーサ２４は、機械的強度に制約され
、イオン源が大口径になるほど真空フランジ２６をしめ
つける時の応力の不均等にエリこわれやすく、イオン源
の大口径化が困難となる問題点があった。
、イオン源が大口径になるほど真空フランジ２６をしめ
つける時の応力の不均等にエリこわれやすく、イオン源
の大口径化が困難となる問題点があった。
本発明は、大口径の絶縁スカー？ヲ必要とすることがな
い大口径イオン源を提供することを目的とする。
い大口径イオン源を提供することを目的とする。
本発明は、アーク室に対抗しているプラズマ電極を含む
イオンビーム引出し電極系を、アーク室を真空容器に固
定する固定フランジと絶縁フランジとの間に設けた電極
固定フランジに取付け、イオンビーム引出し電極系の各
電極間を柱状のような絶縁スペーサにより所定の値に保
ち、しかも絶縁フランジの内径をアーク室の内径より大
きくすると共に、アーク室に対抗しているプラズマ電極
をアーク室の内径より大きくし、大口径の絶縁スペーサ
を用いなくてもすむようにすると共に、アーク室からの
プラズマのリークを少なく出来るように構成したもので
ある。
イオンビーム引出し電極系を、アーク室を真空容器に固
定する固定フランジと絶縁フランジとの間に設けた電極
固定フランジに取付け、イオンビーム引出し電極系の各
電極間を柱状のような絶縁スペーサにより所定の値に保
ち、しかも絶縁フランジの内径をアーク室の内径より大
きくすると共に、アーク室に対抗しているプラズマ電極
をアーク室の内径より大きくし、大口径の絶縁スペーサ
を用いなくてもすむようにすると共に、アーク室からの
プラズマのリークを少なく出来るように構成したもので
ある。
本発明に係る大口径イオン源の好ましい実施例を、添付
図面に従って詳説する。なお、前記従来技術において説
明した部分に対厄する部分については、同一の符号を付
し、その説明を省略する。
図面に従って詳説する。なお、前記従来技術において説
明した部分に対厄する部分については、同一の符号を付
し、その説明を省略する。
第１図は本発明に係る大口径イオン源の実施例の一部を
断面にした構造図である。第１図において、フィラメン
ト１６に電流を導くフィラメント用電流導入端子１４は
、アーク室１０’ｔ−形成している容器１２の上部に設
けである。このアーク室１０ｔ−形成している容器１２
の内面は、アノード電極となっており、この容器１２の
周囲に永久磁石１６’におおつて冷却水ジャケット４０
が設けである。
断面にした構造図である。第１図において、フィラメン
ト１６に電流を導くフィラメント用電流導入端子１４は
、アーク室１０’ｔ−形成している容器１２の上部に設
けである。このアーク室１０ｔ−形成している容器１２
の内面は、アノード電極となっており、この容器１２の
周囲に永久磁石１６’におおつて冷却水ジャケット４０
が設けである。
アーク室ｌＯの開口部に近く配設しであるイオンビーム
引出し電極系４２は、プラズマ電極２０、サプレッサ電
極２８と引出し電極３０とから構成されている。プラズ
マ電極２０は、冷却管４２を流れる冷却水にニジ冷却さ
れており、この冷却管４２がリード線の役目をなし、容
器１２のフランジ部２２に設けた電流導入端子４４ｔ−
介して、図示しない外部電源に接続しである。又、プラ
ズマ電極２０は、電極固定フランジ３４に固定してろる
電極支持台４６に、例えば柱状をなす絶縁スペーサ４８
を介して固定されている。電極支持台４６には、さらに
サプレッサ電極２８と引出し電極３０とが固定しである
。これらイオンビーム引出し電極系を構成しているプラ
ズマ電極２０．サプレッサ電極２８、引出し電極３０の
それぞれの間隔は、絶縁スペーサ４８．５０に、Ｃりあ
らかじめ定めた値に正確に保持される。
引出し電極系４２は、プラズマ電極２０、サプレッサ電
極２８と引出し電極３０とから構成されている。プラズ
マ電極２０は、冷却管４２を流れる冷却水にニジ冷却さ
れており、この冷却管４２がリード線の役目をなし、容
器１２のフランジ部２２に設けた電流導入端子４４ｔ−
介して、図示しない外部電源に接続しである。又、プラ
ズマ電極２０は、電極固定フランジ３４に固定してろる
電極支持台４６に、例えば柱状をなす絶縁スペーサ４８
を介して固定されている。電極支持台４６には、さらに
サプレッサ電極２８と引出し電極３０とが固定しである
。これらイオンビーム引出し電極系を構成しているプラ
ズマ電極２０．サプレッサ電極２８、引出し電極３０の
それぞれの間隔は、絶縁スペーサ４８．５０に、Ｃりあ
らかじめ定めた値に正確に保持される。
電極支持台４６が固定しである電極固定フランジ３４は
、絶縁フランジ３２により容器１２のフランジ部２２に
対し所定の間隔をもって配置され、絶縁ボルト５２に工
りフランジ部２２に固定される。絶縁フランジ３２の内
径は、アーク室Ｎｏの内径より大きくなっており、又、
プラズマ電極２．０もアーク室１０の内径より大きくな
っている。
、絶縁フランジ３２により容器１２のフランジ部２２に
対し所定の間隔をもって配置され、絶縁ボルト５２に工
りフランジ部２２に固定される。絶縁フランジ３２の内
径は、アーク室Ｎｏの内径より大きくなっており、又、
プラズマ電極２．０もアーク室１０の内径より大きくな
っている。
引出し電極３０は、電極支持台４６、電極固定フランジ
３４を介して設置されており水冷管５４により冷却され
る。サプレッサ電極２８は、リード線の役をなす水冷管
５６により冷却されており、電流導入端子５８を介して
図示しない電源に接続されている。アーク室１０ｔ−構
成している容器１２は、第１図の下部に示した固定フラ
ンジ６０により、真空容器６２のフランジ部６４に固定
される。
３４を介して設置されており水冷管５４により冷却され
る。サプレッサ電極２８は、リード線の役をなす水冷管
５６により冷却されており、電流導入端子５８を介して
図示しない電源に接続されている。アーク室１０ｔ−構
成している容器１２は、第１図の下部に示した固定フラ
ンジ６０により、真空容器６２のフランジ部６４に固定
される。
上記のごとく構成したイオン源は、カソードであるフィ
ラメント１６とアノードである容器１２との間にアーク
放電を発生させ、フィラメント１６からの熱電子を利用
してガス導入口３８からアーク室ｌＯ内に導いたガスを
プラズマ化する。
ラメント１６とアノードである容器１２との間にアーク
放電を発生させ、フィラメント１６からの熱電子を利用
してガス導入口３８からアーク室ｌＯ内に導いたガスを
プラズマ化する。
アーク室ｌＯ内において発生したプラズマは、容器１２
の周囲に配設した多数の永久磁石１６゜３６にエリとじ
込められる。多数の永久磁石１６゜３６は磁極が容器１
２に面しており、Ｎ極と８極とが交互に配置され、容器
１２内に多数のカスプ磁界を作り、プラズマを効率よく
とじ込めるようになっている。そして、冷却水ジャケラ
）４０内に冷却水を供給することにより、容器工２の過
度な温度上昇全防止している。
の周囲に配設した多数の永久磁石１６゜３６にエリとじ
込められる。多数の永久磁石１６゜３６は磁極が容器１
２に面しており、Ｎ極と８極とが交互に配置され、容器
１２内に多数のカスプ磁界を作り、プラズマを効率よく
とじ込めるようになっている。そして、冷却水ジャケラ
）４０内に冷却水を供給することにより、容器工２の過
度な温度上昇全防止している。
プラズマ電極２０．サプレッサ電極２８、引出し電極３
０は、それぞれイオンビームを引出すための小孔が多数
設けられており、発散の小さい良１７ｆｆｉイオンビー
ムを得ることができるようにナラている。プラズマ電極
２０と容器１２との間の電位差は、アーク電位でおる１
００Ｖ程度であるため、電流機、入端子４４に小型で簡
単なものを使用することができる。
０は、それぞれイオンビームを引出すための小孔が多数
設けられており、発散の小さい良１７ｆｆｉイオンビー
ムを得ることができるようにナラている。プラズマ電極
２０と容器１２との間の電位差は、アーク電位でおる１
００Ｖ程度であるため、電流機、入端子４４に小型で簡
単なものを使用することができる。
この工うに本実施例においては、イオンビーム引出し電
極系４２ケ、真空容器６２と同じ電位の電極固定フラン
ジ３４に固定したため、大口径の絶縁用フランジとして
は、絶縁フランジ３２のみを使用すればよく、絶縁構成
が簡単となる。又、アーク室ｌＯの容器１２がアノード
電極を兼用しているため、アーク室ｌＯの構造が簡単と
なり、プラズマを永久磁石１．６．３６によりとじ込め
ているため、アークを作る電源がフィラメント用とアー
ク用の二種類のみと少なくなる。一方、プラズマ電極２
０の最外径がアーク室１０の容器１２の内径↓シ大きく
しであるため、不要なイオンの引出しｔ防止でき、加速
電源の増大、及びプラズマ電極２０の外側よりプラズマ
がリークし、サプルツ？電極２８等にイオンが衝突する
事により生ずる加熱を防止する事が出来る。そして、電
極支持台４６が設置されているため、真空容器６２側か
らのゴミ及び逆流電子を防止する事ができる。
極系４２ケ、真空容器６２と同じ電位の電極固定フラン
ジ３４に固定したため、大口径の絶縁用フランジとして
は、絶縁フランジ３２のみを使用すればよく、絶縁構成
が簡単となる。又、アーク室ｌＯの容器１２がアノード
電極を兼用しているため、アーク室ｌＯの構造が簡単と
なり、プラズマを永久磁石１．６．３６によりとじ込め
ているため、アークを作る電源がフィラメント用とアー
ク用の二種類のみと少なくなる。一方、プラズマ電極２
０の最外径がアーク室１０の容器１２の内径↓シ大きく
しであるため、不要なイオンの引出しｔ防止でき、加速
電源の増大、及びプラズマ電極２０の外側よりプラズマ
がリークし、サプルツ？電極２８等にイオンが衝突する
事により生ずる加熱を防止する事が出来る。そして、電
極支持台４６が設置されているため、真空容器６２側か
らのゴミ及び逆流電子を防止する事ができる。
第２図は、加速電圧が５００〜１００ＯＶ程度において
使用する、イオンミリング装置用の大口径イオン源のイ
オンビーム引出し電極系の実施例の構造？示したもので
ある。
使用する、イオンミリング装置用の大口径イオン源のイ
オンビーム引出し電極系の実施例の構造？示したもので
ある。
第２図においてプラズマ電極２０とサプレッサ蹴極２８
との間隙、サプレッサ電極２８と引出し電極３０との間
隙は、それぞれ絶縁スペーサ６６゜６８により一定に保
たれている。そして、プラズマ電極２０、サプレッサ電
極２８、引出し電極３０と絶縁スペーサ６６．６８とは
、これらを貫通する絶縁ネジ７０により絶縁支持台７２
に固定しである。このような構造にすることにエリ、絶
線構造を簡単に出来るとともに、イオンビーム引出し電
極系４２の組立を簡単に行う事ができる。
との間隙、サプレッサ電極２８と引出し電極３０との間
隙は、それぞれ絶縁スペーサ６６゜６８により一定に保
たれている。そして、プラズマ電極２０、サプレッサ電
極２８、引出し電極３０と絶縁スペーサ６６．６８とは
、これらを貫通する絶縁ネジ７０により絶縁支持台７２
に固定しである。このような構造にすることにエリ、絶
線構造を簡単に出来るとともに、イオンビーム引出し電
極系４２の組立を簡単に行う事ができる。
以上説明しｆｃように、本発明によれば、イオンと一ム
引出し電極系のアーク室に対抗しているプラズマ電極を
、電極固定フランジに支持する事により、従来必要とし
ていた大口径の絶縁スペーサをなくす事ができる。
引出し電極系のアーク室に対抗しているプラズマ電極を
、電極固定フランジに支持する事により、従来必要とし
ていた大口径の絶縁スペーサをなくす事ができる。
第１Ｎは本発明に係る大口径イオン源の実施例の一部を
断面とした構造図、第２図はイオンミリング装置用イオ
ンビーム引出し電極系の取付は構造の実施例を示す断面
図、第３図は従来の大口径イオン源の構造を示す断面図
である。 ｌＯ・・・アーク室、１２・・・容器、１６・・・フィ
ラメント、１７，３６・・・永久磁石、２０−◆・プラ
ズマ電極、２８・・・サプレッサ電極、３０・・・引出
し電極、３２・・・絶縁フランジ、３４・・・電極固定
フランジ、３８・・・ガス導入口、４２・・・イオンビ
ーム引出し電極系、４６・・・電極岐、肴台、４８，５
０，６６．６８・・・絶縁スペンサー、６０・・・固定
フランジ、６２・・・真空容器。
断面とした構造図、第２図はイオンミリング装置用イオ
ンビーム引出し電極系の取付は構造の実施例を示す断面
図、第３図は従来の大口径イオン源の構造を示す断面図
である。 ｌＯ・・・アーク室、１２・・・容器、１６・・・フィ
ラメント、１７，３６・・・永久磁石、２０−◆・プラ
ズマ電極、２８・・・サプレッサ電極、３０・・・引出
し電極、３２・・・絶縁フランジ、３４・・・電極固定
フランジ、３８・・・ガス導入口、４２・・・イオンビ
ーム引出し電極系、４６・・・電極岐、肴台、４８，５
０，６６．６８・・・絶縁スペンサー、６０・・・固定
フランジ、６２・・・真空容器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、内部に放電用電極が配設され、一端側が開口してい
るアーク室と、このアーク室に設けたガス導入口と、前
記アーク室の開口部に設けた複数の電極からなるイオン
ビーム引出し電極系と、このイオンビーム引出し電極系
の各電極に形成したイオンビームを引出す多数の小孔と
、前記アーク室の開口部前方に設けた前記アーク室を真
空容器に取り付ける固定フランジと、この固定フランジ
と前記アーク室との間に介在させた絶縁フランジとを有
する大口径イオン源において、前記イオンビーム引出し
電極系を前記絶縁フランジと前記固定フランジとの間に
設けた電極固定フランジに取り付け、絶縁スペーサによ
り各電極間隔を所定の値に保持するとともに、前記絶縁
フランジの内径を前記アーク室の開口部より大きくし、
前記イオンビーム引出し電極系の前記アーク室に対向し
た電極を、前記アーク室の開口部より大きくしたことを
特徴とする大口径イオン源。 ２、前記放電用電極はカソード電極であり、前記アーク
室の内壁はアノード電極であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の大口径イオン源。 ３、前記アーク室は、周囲にプラズマ閉じ込め用の複数
の永久磁石を有していることを特徴とする特許請求の範
囲第１項又は第２項に記載の大口径イオン源。 ４、前記電極固定フランジは、前記真空容器と同電位で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第３項の
いずれか１項に記載の大口径イオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15635484A JPS6134832A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 大口径イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15635484A JPS6134832A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 大口径イオン源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6134832A true JPS6134832A (ja) | 1986-02-19 |
| JPH0336268B2 JPH0336268B2 (ja) | 1991-05-30 |
Family
ID=15625919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15635484A Granted JPS6134832A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 大口径イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6134832A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63190299A (ja) * | 1987-01-31 | 1988-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ装置 |
| JPS63296699A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-12-02 | オーガノジェネシス インコーポレーテッド | 組織等価物を用いるテスト方法、装置、および器具 |
| JPH0271750A (ja) * | 1988-06-02 | 1990-03-12 | Organogenesis Inc | フィブリン―コラーゲン組織相当物、その製造方法及び使用方法 |
| US5017835A (en) * | 1987-03-18 | 1991-05-21 | Hans Oechsner | High-frequency ion source |
| JP2002075232A (ja) * | 2000-09-05 | 2002-03-15 | Showa Shinku:Kk | 大口径イオン源 |
| US7495241B2 (en) | 2004-02-26 | 2009-02-24 | Tdk Corporation | Ion beam irradiation apparatus and insulating spacer for the same |
| JP2010520585A (ja) * | 2007-03-02 | 2010-06-10 | ノルディコ テクニカル サーヴィシズ リミテッド | 装置 |
-
1984
- 1984-07-26 JP JP15635484A patent/JPS6134832A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63190299A (ja) * | 1987-01-31 | 1988-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ装置 |
| US5017835A (en) * | 1987-03-18 | 1991-05-21 | Hans Oechsner | High-frequency ion source |
| JPS63296699A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-12-02 | オーガノジェネシス インコーポレーテッド | 組織等価物を用いるテスト方法、装置、および器具 |
| JPH0271750A (ja) * | 1988-06-02 | 1990-03-12 | Organogenesis Inc | フィブリン―コラーゲン組織相当物、その製造方法及び使用方法 |
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| US7495241B2 (en) | 2004-02-26 | 2009-02-24 | Tdk Corporation | Ion beam irradiation apparatus and insulating spacer for the same |
| JP2010520585A (ja) * | 2007-03-02 | 2010-06-10 | ノルディコ テクニカル サーヴィシズ リミテッド | 装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0336268B2 (ja) | 1991-05-30 |
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