JPH0228598Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0228598Y2 JPH0228598Y2 JP1983047972U JP4797283U JPH0228598Y2 JP H0228598 Y2 JPH0228598 Y2 JP H0228598Y2 JP 1983047972 U JP1983047972 U JP 1983047972U JP 4797283 U JP4797283 U JP 4797283U JP H0228598 Y2 JPH0228598 Y2 JP H0228598Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- extraction
- plasma chamber
- ion source
- insulating material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 23
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 25
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
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- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案はサイクロトロン等のイオン加速装置に
おけるイオン源装置の改良に関する。
おけるイオン源装置の改良に関する。
(ロ) 従来技術
イオン加速装置等に用いられるイオン源は作り
出したイオンに引出電場をかけることにより、そ
れをプラズマ中から加速部分に引出しはじめて有
効となる。しかして、従来のイオン源にあつて
は、加速器への引出口まわりも金属であるため、
引出電極によつて生ずる電場が遮断されて、プラ
ズマに与える影響が少なく、引出効率が悪い結果
となる。このため、引出電極の印加電圧を上げる
か、アーク電流を増大させることによつて生成イ
オンの総量を増やして引出電流を上げる方法をと
つていた。前者の方法では、放電を押える工夫が
必要となり、後者の場合は陰極の消耗が激しくイ
オン源寿命が短かくなる欠点があつた。
出したイオンに引出電場をかけることにより、そ
れをプラズマ中から加速部分に引出しはじめて有
効となる。しかして、従来のイオン源にあつて
は、加速器への引出口まわりも金属であるため、
引出電極によつて生ずる電場が遮断されて、プラ
ズマに与える影響が少なく、引出効率が悪い結果
となる。このため、引出電極の印加電圧を上げる
か、アーク電流を増大させることによつて生成イ
オンの総量を増やして引出電流を上げる方法をと
つていた。前者の方法では、放電を押える工夫が
必要となり、後者の場合は陰極の消耗が激しくイ
オン源寿命が短かくなる欠点があつた。
(ハ) 目的
本考案は前記問題を解決し、イオン源からのイ
オンの引出効率を高めるとともに、イオン源の長
寿命化に図ることを目的とする。
オンの引出効率を高めるとともに、イオン源の長
寿命化に図ることを目的とする。
(ニ) 構成
この目的を達成するため本考案の構成は次の通
りとする。即ち、円筒状陽極の内側で軸方向中央
付近にプラズマ室を挟んで２個の陰極が軸方向に
対向して設置され、前記プラズマ室の壁体のイオ
ン引出口のまわりが電気絶縁物質よりなり、前記
イオン引出口と電気絶縁物質に対向し、かつ、間
隔を存して前記陽極の外側にイオン引出電極が設
けられたことである。
りとする。即ち、円筒状陽極の内側で軸方向中央
付近にプラズマ室を挟んで２個の陰極が軸方向に
対向して設置され、前記プラズマ室の壁体のイオ
ン引出口のまわりが電気絶縁物質よりなり、前記
イオン引出口と電気絶縁物質に対向し、かつ、間
隔を存して前記陽極の外側にイオン引出電極が設
けられたことである。
(ホ) 実施例
以下、本考案の一実施例の図面にもとづいて説
明する。
明する。
第１，２図において、全体を示す１はイオン
源、２は引出電極、３は陰極、４は円筒状陽極で
円側にプラズマ室Ｒが形成される。５は陽極冷却
水路である。図中、上下方向に磁場が存在してい
る。
源、２は引出電極、３は陰極、４は円筒状陽極で
円側にプラズマ室Ｒが形成される。５は陽極冷却
水路である。図中、上下方向に磁場が存在してい
る。
さてここで、前記イオン引出電極２が対向する
プラズマ室Ｒの壁体のイオン引出口６ａのまわり
がセラミツク等の電気絶縁物質板体６よりなつて
いる。
プラズマ室Ｒの壁体のイオン引出口６ａのまわり
がセラミツク等の電気絶縁物質板体６よりなつて
いる。
従つて、プラズマ持続のためのガス圧が維持さ
れた状態で、引出し電場がプラズマ柱の近傍にま
で浸透し、引出効率が、例えば、従来より約５倍
というように、飛躍的に向上した。
れた状態で、引出し電場がプラズマ柱の近傍にま
で浸透し、引出効率が、例えば、従来より約５倍
というように、飛躍的に向上した。
本装置は、線型加速器等の他の放射線装置にも
用いられる。
用いられる。
なお、絶縁物６が止ねじ等によつてプラズマ室
壁に着脱自在な構造（カセツトタイプ）にすれ
ば、イオン引出口の大きさ、形状の変更が容易と
なり、また損傷したときなどの取替作業が簡単と
なる。
壁に着脱自在な構造（カセツトタイプ）にすれ
ば、イオン引出口の大きさ、形状の変更が容易と
なり、また損傷したときなどの取替作業が簡単と
なる。
(ヘ) 効果
本考案は以上の如く、イオン引出口のまわりを
電気絶縁物としたので、引出電極の電場が有効に
作用して引出効率が格段に向上するとともに、引
出効率の増大に伴い、必要量のイオン引出しに要
するアーク電流を減少させることとなつた。この
結果、イオンによる陰極のスパツタ量が減少し、
イオン源の寿命がのびることとなつた。しかも、
加速器の修理の大きな時間を占めるイオン源交換
作業を少なくし、従つてメンテナンス用員の放射
線被曝の軽減が図れることとなつた。
電気絶縁物としたので、引出電極の電場が有効に
作用して引出効率が格段に向上するとともに、引
出効率の増大に伴い、必要量のイオン引出しに要
するアーク電流を減少させることとなつた。この
結果、イオンによる陰極のスパツタ量が減少し、
イオン源の寿命がのびることとなつた。しかも、
加速器の修理の大きな時間を占めるイオン源交換
作業を少なくし、従つてメンテナンス用員の放射
線被曝の軽減が図れることとなつた。
第１図は本考案の一実施例を示すPIG型イオン
源装置の縦断面図、第２図はその−断面図で
ある。 １……イオン源、２……引出電極、３……陰
極、４……陽極、Ｒ……プラズマ室、６……電気
絶縁物質、６ａ……引出口。
源装置の縦断面図、第２図はその−断面図で
ある。 １……イオン源、２……引出電極、３……陰
極、４……陽極、Ｒ……プラズマ室、６……電気
絶縁物質、６ａ……引出口。
Claims (1)
- 円筒状陽極の内側で軸方向中央付近にプラズマ
室を挟んで２個の陰極が軸方向に対向して設置さ
れ、前記プラズマ室の壁体のイオン引出口のまわ
りが電気絶縁物質よりなり、前記イオン引出口と
電気絶縁物質に対向し、かつ、間隔を存して前記
陽極の外側にイオン引出電極が設けられたことを
特徴とするイオン源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4797283U JPS59152555U (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | イオン源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4797283U JPS59152555U (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | イオン源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59152555U JPS59152555U (ja) | 1984-10-12 |
| JPH0228598Y2 true JPH0228598Y2 (ja) | 1990-07-31 |
Family
ID=30178512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4797283U Granted JPS59152555U (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | イオン源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59152555U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58216339A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-16 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム発生装置 |
-
1983
- 1983-03-30 JP JP4797283U patent/JPS59152555U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58216339A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-16 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム発生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59152555U (ja) | 1984-10-12 |
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