JPS58216339A - イオンビ−ム発生装置 - Google Patents
イオンビ−ム発生装置Info
- Publication number
- JPS58216339A JPS58216339A JP9782382A JP9782382A JPS58216339A JP S58216339 A JPS58216339 A JP S58216339A JP 9782382 A JP9782382 A JP 9782382A JP 9782382 A JP9782382 A JP 9782382A JP S58216339 A JPS58216339 A JP S58216339A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- outgoing
- electrode
- ion
- heat
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/022—Details
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイオンビーム発生装置、特にマイクロ波イオン
源に関する。
源に関する。
従来のイオンビーム発生装置におけるマイクロ波イオン
源(・1、第1図で示すように、放電室1内に導入した
ガスをプラズマ化し、数KVから数十KVを印加した引
出し電極4.5によりイオンビーム3を引出していた。
源(・1、第1図で示すように、放電室1内に導入した
ガスをプラズマ化し、数KVから数十KVを印加した引
出し電極4.5によりイオンビーム3を引出していた。
ところがこのイオン源を数十時間使用していると、放電
室IK臨む側の引出し電極5において、プラズマ2と接
する開孔縁部分にマイクロ波放電により解離した物質が
保々に析出付着し析出物質6のために引出し電極Jの開
孔面積が小さくなる現象が生じる。その姑果。
室IK臨む側の引出し電極5において、プラズマ2と接
する開孔縁部分にマイクロ波放電により解離した物質が
保々に析出付着し析出物質6のために引出し電極Jの開
孔面積が小さくなる現象が生じる。その姑果。
引出し得るイオンビーム電流が減少しイオン源の寿命と
なる。一方、析出物質6が付着する箇所はプラズマと接
する面であり、温度の低い所に付着する傾向がある。そ
こで、従来のイオン源でも第1図に示すようK、引出し
電極を4と5に分割し、放電室1に直接臨む引出し電極
5の温度降下を阻止し℃いるが1分割による断熱効果は
な?不充分であり、未だ析出物質の発生を来たしている
。
なる。一方、析出物質6が付着する箇所はプラズマと接
する面であり、温度の低い所に付着する傾向がある。そ
こで、従来のイオン源でも第1図に示すようK、引出し
電極を4と5に分割し、放電室1に直接臨む引出し電極
5の温度降下を阻止し℃いるが1分割による断熱効果は
な?不充分であり、未だ析出物質の発生を来たしている
。
したがって1本発明の目的は、引出し電極の析出物質の
堆積を防ぐことにより長寿命なマイクロ波イオン源を提
供することにある。
堆積を防ぐことにより長寿命なマイクロ波イオン源を提
供することにある。
上記の様な目的を達成する為、本発明においては、引出
し電極を多分割し、この間に気体を含む熱絶縁性物質を
介在させるものであって、以下実施例により発明を説明
する。
し電極を多分割し、この間に気体を含む熱絶縁性物質を
介在させるものであって、以下実施例により発明を説明
する。
第2図は本発明の一実施例によるマイクロ彼イオン源引
出し電極部を示す断面図であり、第1図と共通する構成
部分は同一番号をもって指示する。
出し電極部を示す断面図であり、第1図と共通する構成
部分は同一番号をもって指示する。
この実施例では、プラズマ2を発生させる放電室lの開
口部に相互に重なり合って配設さnる2枚の引出し電極
4.5の重なり部分に、一般に使用されている熱絶縁性
物質7を介在させている。
口部に相互に重なり合って配設さnる2枚の引出し電極
4.5の重なり部分に、一般に使用されている熱絶縁性
物質7を介在させている。
この結果、プラズマ2と接する内側の引出し電極5の熱
は熱絶縁性物質7があることから、外側の引出し電極4
に伝導し難くなり、常に内側の引出し電極5は高温に維
持されることになる。このため、引出し電極開孔部に付
着する析出物質の堆積速度を遅らさせイオン源の長寿命
化を図る事が出来る。
は熱絶縁性物質7があることから、外側の引出し電極4
に伝導し難くなり、常に内側の引出し電極5は高温に維
持されることになる。このため、引出し電極開孔部に付
着する析出物質の堆積速度を遅らさせイオン源の長寿命
化を図る事が出来る。
なお本発明は前記実施例に限定されない。すなわち、熱
絶縁性物質り形状は他の構造でもよい。
絶縁性物質り形状は他の構造でもよい。
以上のようK、本発明によれば、プラズマに接する引出
し電極部分が高温に保持出来る為、引出し電極開孔部に
解離した物質が析出付着しずらくなり、イオン源の寿命
が従来に比較して約2倍以上になる。
し電極部分が高温に保持出来る為、引出し電極開孔部に
解離した物質が析出付着しずらくなり、イオン源の寿命
が従来に比較して約2倍以上になる。
また、イオンビームの出射孔部分が引出し電極5の高温
維持によって高温になる事により、ガス第 分子の熱解離効果が上がり、引出し得るイすンビーム電
流が増加する。
維持によって高温になる事により、ガス第 分子の熱解離効果が上がり、引出し得るイすンビーム電
流が増加する。
第1図は従来のマイクロ波イオン源のプラズマよりイオ
ンビームを引出す部分の断面図であり、第2図は本発明
((よるマイクロ波イオン源の部分断面図である。 1・−・放電室、2・・・プラズマ、3・・イオンビー
ム、4.5・・・引出し電極、6・・・析出物質、7・
・・熱絶縁性物質。 −−,り 1図
ンビームを引出す部分の断面図であり、第2図は本発明
((よるマイクロ波イオン源の部分断面図である。 1・−・放電室、2・・・プラズマ、3・・イオンビー
ム、4.5・・・引出し電極、6・・・析出物質、7・
・・熱絶縁性物質。 −−,り 1図
Claims (1)
- 1、プラズマを発生させる放電室の開口部に相互に重な
り合って配設され、かつ中央部が開口した2枚の引出し
電極を有するイオンビーム発生装置において、前記両引
出し電極の重なり合う部分には熱絶縁性物質が介在され
ていることを特徴とするイオンビーム発生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9782382A JPS58216339A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | イオンビ−ム発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9782382A JPS58216339A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | イオンビ−ム発生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58216339A true JPS58216339A (ja) | 1983-12-16 |
Family
ID=14202445
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9782382A Pending JPS58216339A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | イオンビ−ム発生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58216339A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59152555U (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-12 | 株式会社島津製作所 | イオン源装置 |
JP2015222642A (ja) * | 2014-05-22 | 2015-12-10 | 住友重機械工業株式会社 | マイクロ波イオン源およびマイクロ波イオン源の制御方法 |
-
1982
- 1982-06-09 JP JP9782382A patent/JPS58216339A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59152555U (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-12 | 株式会社島津製作所 | イオン源装置 |
JPH0228598Y2 (ja) * | 1983-03-30 | 1990-07-31 | ||
JP2015222642A (ja) * | 2014-05-22 | 2015-12-10 | 住友重機械工業株式会社 | マイクロ波イオン源およびマイクロ波イオン源の制御方法 |
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