JPS61136672A - スパツタリング用タ−ゲツトの作成方法 - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツトの作成方法Info
- Publication number
- JPS61136672A JPS61136672A JP25678684A JP25678684A JPS61136672A JP S61136672 A JPS61136672 A JP S61136672A JP 25678684 A JP25678684 A JP 25678684A JP 25678684 A JP25678684 A JP 25678684A JP S61136672 A JPS61136672 A JP S61136672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- sputtering
- target
- evaporated
- metallic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は簡単、安価に純度の高いスパッタリング用ター
ゲットを作成する方法に関する。
ゲットを作成する方法に関する。
［従来の技術］
スパッタリング用ターゲットは、一般的に所定の大きさ
に整形した鋳型に金属粉末とバインダーを入れ、熱を加
えてプレスする事により作成している。
に整形した鋳型に金属粉末とバインダーを入れ、熱を加
えてプレスする事により作成している。
［発明が解決しようとする問題点］
しかし、この様なスパッタリング用ターゲット作成方法
では、鋳型が必要で、しかも作成すべきターゲットの大
きさに合せて種々の大きさの鋳型を作成しなければなら
ず、極めて厄介であり、費用も掛る。又、この様な方法
においてはバインダーや大気中のゴミが混入する為や純
度の高いスパッタリング用ターゲットを作成するのは難
しい。
では、鋳型が必要で、しかも作成すべきターゲットの大
きさに合せて種々の大きさの鋳型を作成しなければなら
ず、極めて厄介であり、費用も掛る。又、この様な方法
においてはバインダーや大気中のゴミが混入する為や純
度の高いスパッタリング用ターゲットを作成するのは難
しい。
本発明はこの様な問題を解決する事を目的としたもので
ある。
ある。
［問題点を解決するための手段１
本発明のスパッタリング用ターゲットの作成方法は、排
気室内に所定の形状の基板と蒸発材料を配置し、該蒸発
材料を蒸発させて直接該基板表面に該蒸発材料の蒸発粒
子を付着させるか、又は該蒸発粒子をイオン化したもの
を該基板表面に付着させるものである。
気室内に所定の形状の基板と蒸発材料を配置し、該蒸発
材料を蒸発させて直接該基板表面に該蒸発材料の蒸発粒
子を付着させるか、又は該蒸発粒子をイオン化したもの
を該基板表面に付着させるものである。
［実施例］
第１図は本発明のスパッタリング用ターゲットの作成方
法を実施するための真空蒸着装置の−例・ を示した
ものである。
法を実施するための真空蒸着装置の−例・ を示した
ものである。
図中１＆を排気装置２を備えたチャンバで、該チャンバ
の上方中央部には、スパッタリングに適した形状及び大
きさに加工された金属板３が基板として配置される。該
金属板としては銅、モリブデン、又はステンレス等が選
択される。該金属板の下方にはスパッタリング用ターゲ
ツト材となる金属材料４が収容された坩堝５が配置され
る。６は該坩堝中の金属材料を蒸発させる為の電子ビー
ムを発生する電子銃、７は該電子銃から発生した１子ビ
ームが前記坩堝中の金属材料の適宜位置に照射される様
に該電子ビームを偏向する為の偏向器である。
の上方中央部には、スパッタリングに適した形状及び大
きさに加工された金属板３が基板として配置される。該
金属板としては銅、モリブデン、又はステンレス等が選
択される。該金属板の下方にはスパッタリング用ターゲ
ツト材となる金属材料４が収容された坩堝５が配置され
る。６は該坩堝中の金属材料を蒸発させる為の電子ビー
ムを発生する電子銃、７は該電子銃から発生した１子ビ
ームが前記坩堝中の金属材料の適宜位置に照射される様
に該電子ビームを偏向する為の偏向器である。
斯くの如き装置において、電子銃６からの電子ビームを
坩堝５内の金属材料４に照射し、該材料を蒸発させる。
坩堝５内の金属材料４に照射し、該材料を蒸発させる。
該蒸発した金属粒子は前記金属板３の表面に付着する。
該金属粒子の付着により、該金属板３の表面にはスパッ
タリング用ターゲツト材となるべき金属材料の蒸着膜が
形成される。
タリング用ターゲツト材となるべき金属材料の蒸着膜が
形成される。
この蒸着膜の厚さは大体数１０μｍ程度である。
この様にして金属板３の表面にスパッタリング用ターゲ
ット材料の金属の蒸着１！８を形成したもの（第２図参
照）をスパッタリング用ターゲットとする。
ット材料の金属の蒸着１！８を形成したもの（第２図参
照）をスパッタリング用ターゲットとする。
第３図は本発明の他の実施例として２つの金属から成る
スパッタリング用ターゲットを作成するために使用する
真空蒸着装置の概略図で、前記第１図にて使用した番号
と同一番号のものは同一構成要素を示す。基板として配
置された金属板３−の直ぐ下には、例えば、第４図に示
す様に、各々開き角αを有し、微小円Ｏを中心に互いに
角°αおいて配置された扇面体Ｓ１．Ｓ２．Ｓ３．Ｓ４
から成るフィルタ板９が配置されている。該フィルタ板
は中心軸の回りに適宜角度回転可能に取り付けられてい
る。該フィルタ板の下方には第１金属（例えば、Ｎ１）
４ａが収容された坩堝５ａ、第２金属（例えばＣｒ）４
ｂが収容された坩堝５ｂが配置されている。６ａ、７ａ
は夫々電子銃と該電子銃からの電子ビームを該第１金属
の適宜個所へ照射する為の偏向器、６ｂ、７ｂは電子銃
と該電子銃からの電子ビームを前記第２金属の適宜個所
へ照射する為の偏向器である。
スパッタリング用ターゲットを作成するために使用する
真空蒸着装置の概略図で、前記第１図にて使用した番号
と同一番号のものは同一構成要素を示す。基板として配
置された金属板３−の直ぐ下には、例えば、第４図に示
す様に、各々開き角αを有し、微小円Ｏを中心に互いに
角°αおいて配置された扇面体Ｓ１．Ｓ２．Ｓ３．Ｓ４
から成るフィルタ板９が配置されている。該フィルタ板
は中心軸の回りに適宜角度回転可能に取り付けられてい
る。該フィルタ板の下方には第１金属（例えば、Ｎ１）
４ａが収容された坩堝５ａ、第２金属（例えばＣｒ）４
ｂが収容された坩堝５ｂが配置されている。６ａ、７ａ
は夫々電子銃と該電子銃からの電子ビームを該第１金属
の適宜個所へ照射する為の偏向器、６ｂ、７ｂは電子銃
と該電子銃からの電子ビームを前記第２金属の適宜個所
へ照射する為の偏向器である。
斯くの如き装置において、先ず、電子銃６ａと偏向器７
ａのみ作動させ、坩堝５ａ内の第１金属（Ｎｉ）を蒸発
させ、フィルタ９を介して金属板３′の表面に適宜な厚
さく数１０μ−）の第１金属の蒸着膜を形成する。次に
、該第１金属の蒸発を停止させると同時にフィルタ板９
を角度α回転させて、電子銃６ｂと偏向器７ｂを作動さ
せ、坩堝５ｂ中の第２金属（Ｃ「）を蒸発させ、該フィ
ルタ９を介して前記金属板３−の表面に適宜な厚さく数
１０μ■）の第２金属の蒸着膜を形成する。
ａのみ作動させ、坩堝５ａ内の第１金属（Ｎｉ）を蒸発
させ、フィルタ９を介して金属板３′の表面に適宜な厚
さく数１０μ−）の第１金属の蒸着膜を形成する。次に
、該第１金属の蒸発を停止させると同時にフィルタ板９
を角度α回転させて、電子銃６ｂと偏向器７ｂを作動さ
せ、坩堝５ｂ中の第２金属（Ｃ「）を蒸発させ、該フィ
ルタ９を介して前記金属板３−の表面に適宜な厚さく数
１０μ■）の第２金属の蒸着膜を形成する。
第５図はこの様にして金属板３′の表面にＮｉとＱｒの
蒸着膜が交互に形成されものを示し、ＮｉとＣ「の合金
用スパッタリングターゲットとして使用される。尚、第
４図の実施例では２つの金属膜共同−面積に形成したが
、面積を異ならせる場合には、扇形の開き角と扇形間の
角を異ならせれば良い。
蒸着膜が交互に形成されものを示し、ＮｉとＣ「の合金
用スパッタリングターゲットとして使用される。尚、第
４図の実施例では２つの金属膜共同−面積に形成したが
、面積を異ならせる場合には、扇形の開き角と扇形間の
角を異ならせれば良い。
尚、前記実施例では真空蒸着装置に応用した場合を示し
たがイオンスパッタリング装置にも応用出来る事はいう
迄もない。又、前記実施例では蒸発材料として、金属材
料を使用する例を示したが、非金属材料、金属の酸化物
、非金属の酸化物から成る材料等を使用してもよい。
たがイオンスパッタリング装置にも応用出来る事はいう
迄もない。又、前記実施例では蒸発材料として、金属材
料を使用する例を示したが、非金属材料、金属の酸化物
、非金属の酸化物から成る材料等を使用してもよい。
［効果］
本発明によれば、種々の大きざの鋳型が不要で、極めて
簡単にスパッタリング用ターゲットを作成する事が出来
、費用も掛らない。又、本発明の方法においてはバイン
ダーや大気中のゴミが混入する事は無く、蒸発した粒子
により蒸着膜を金属板の表面に形成するようにしている
ので、純度の高いスパッタリング用ターゲットが作成さ
れる。
簡単にスパッタリング用ターゲットを作成する事が出来
、費用も掛らない。又、本発明の方法においてはバイン
ダーや大気中のゴミが混入する事は無く、蒸発した粒子
により蒸着膜を金属板の表面に形成するようにしている
ので、純度の高いスパッタリング用ターゲットが作成さ
れる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明を実施するための真空蒸着装置の一例を
示すための図、第２図は該装置により出来たスパッタリ
ング用ターゲット、第３図は本発明の他の実施例に掛る
真空蒸着装置の概略図である。 １：チャンバ ２：排気装買 ３．３−：金属板 ４：金属材料 ４ａ：第１金属 ４ｂ ：第２金腐 ５．５ａ 、５ｂ ：坩堝 ５．５ａ 、５ｂ ：電子銃 ７．７ａ、７ｂ ：偏向器 ８：蒸着膜 フィルタ板
示すための図、第２図は該装置により出来たスパッタリ
ング用ターゲット、第３図は本発明の他の実施例に掛る
真空蒸着装置の概略図である。 １：チャンバ ２：排気装買 ３．３−：金属板 ４：金属材料 ４ａ：第１金属 ４ｂ ：第２金腐 ５．５ａ 、５ｂ ：坩堝 ５．５ａ 、５ｂ ：電子銃 ７．７ａ、７ｂ ：偏向器 ８：蒸着膜 フィルタ板
Claims (1)
- 排気室内に所定の形状の基板と蒸発材料を配置し、該蒸
発材料を蒸発させて直接該基板表面に該蒸発材料の蒸発
粒子を付着させるか、又は該蒸発粒子をイオン化したも
のを該基板表面に付着させる事によってターゲットを作
成するようにしたスパッタリング用ターゲットの作成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25678684A JPS61136672A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | スパツタリング用タ−ゲツトの作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25678684A JPS61136672A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | スパツタリング用タ−ゲツトの作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61136672A true JPS61136672A (ja) | 1986-06-24 |
Family
ID=17297425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25678684A Pending JPS61136672A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | スパツタリング用タ−ゲツトの作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61136672A (ja) |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP25678684A patent/JPS61136672A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3475403B2 (ja) | 蒸着装置及び蒸着方法 | |
| US4505798A (en) | Magnetron sputtering apparatus | |
| JPS61136672A (ja) | スパツタリング用タ−ゲツトの作成方法 | |
| JP3399570B2 (ja) | 連続真空蒸着装置 | |
| JPS588640B2 (ja) | スピ−カ−シンドウバンノセイゾウホウ | |
| JPS62247065A (ja) | るつぼ型蒸着源 | |
| JPH0723535B2 (ja) | 複合膜形成装置 | |
| JPH0673543A (ja) | 連続真空蒸着装置 | |
| JPH05230627A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JPS6314859A (ja) | 金属蒸発方法 | |
| JP2746292B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPS6473075A (en) | Film forming device by ion beam sputtering | |
| JPS6152359A (ja) | サ−マルシ−ルドの金属蒸着膜形成方法 | |
| JP2890686B2 (ja) | レーザ・スパッタリング装置 | |
| JP2603919B2 (ja) | 立方晶系窒化ホウ素の結晶粒を含む窒化ホウ素膜の作製方法 | |
| JPH01172563A (ja) | 高純度膜の形成方法 | |
| JPS63166963A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| JPH04350156A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS6245306B2 (ja) | ||
| JPH01149955A (ja) | 薄膜製造装置 | |
| JPH07316791A (ja) | 昇華性材料の蒸着方法 | |
| JPH0734231A (ja) | パルスレーザー蒸着法を用いた複合系材料薄膜の製 造方法 | |
| JPH02310993A (ja) | 回路板のスルーホール形成方法 | |
| JPH02294472A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JPH06101027A (ja) | 合金成膜方法及びその装置 |