JPS588640B2 - スピ−カ−シンドウバンノセイゾウホウ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はスピーカー振動板の製造法、特に硬質無機材料
層をドーム材料の表面に被覆してなる高温スピーカー振
動板の製造法に関する。

従来から高周波スパツタ法によって無機材料層を金属の
ドーム材料に被覆させたスピーカー振動板が知られてい
る。

（特開昭４９−１０５５２２号） しかし、前記のものは確かにすぐれたものであるが、そ
の製造法はアルゴンイオンによる高周波スパッタリング
法によっているので、その蒸着速度が数百Å／ｍｉｎ程
度であり、その表面の被覆層の厚さを１０〜２０μ程度
とするには時間がかかる他その密着性に劣る欠点があっ
た。

本発明は、これらの欠点を解決することを目的とするも
ので比弾性率９×１０８ｃｍ以上の無機材料を形成する
金属材料を少くとも０．１５ｇ／ｍｉｎ以上の速度で蒸
発させ、これを粒子エネルギーの高いプラズマ反応によ
り金属のドリーム材料の表面に０．１μ／ｍｉｎ以上の
速度で前記無機材料を蒸着させることにより、機械的振
動特性にすぐれたスピーカー振動板の製造法を提供しよ
うとするものである。

すなわち、本発明は、金属のドーム材料の表面にプラズ
マ反応により比弾性率９×１０８ｃｍ以上の無機材料を
蒸着させスピーカー振動板を製造するにあたり、前記無
機材料を形成する金属を少くとも０．１５ｇ／ｍｉｎの
速度で蒸発させ、一方活性化反応蒸着法による場合は活
性化電極、高周波イオンプレーテイング法による場合は
高周波コイルに電気エネルギーを供給し、前記金属のガ
スと雰囲気ガスとをプラズマ反応させ、前記ドーム材料
の表面に前記無機材料を０．１μ／ｍｉｎの速度で蒸着
させることを特徴とする。

以下さらに本発明を説明する。

本発明に用いる金属のドーム材料は比較的軽量の金属で
あればよく、例えばチタン、アルミニウム等の金属があ
げられる。

また本発明に用いる被覆材料は第１表に示す比弾性率が
９×１０８ｃｍ以上の無機材料であり、これらの中でア
ルミナ、ボロンカーバイド、チタンカーバイド、シリコ
ンカーバイドなどが好ましいものである。

なお比弾性率とは次の式により計算によって求めた値で
ある。

式 比弾性率＝ヤング率／密度 このような無機材料を形成する金属を少くとも０．１５
ｇ／ｍｉｎの速度で蒸発させ、粒子エネルギーの高いプ
ラズマにより金属のドーム材料に蒸着させるとスピーカ
ー振動板が得られる。

蒸着法としては図面に示す装置を用いて常法の操作によ
り活性化反応蒸着法又は高周波イオンプレーテイング法
により蒸着させる無機材料を形成する金属と雰囲気のガ
スをプラズマ反応させて金属のドーム材料に蒸着が０．
１μ／ｍｉｎ以上となるように電気エネルギーを供給す
る。

このようにすれば装置内の金属のドーム材料の表面に均
一に無機材料の被覆層が形成され、しかもその硬度が２
０００Ｋｇ／ｃｍ２以上のものが得られる。

以下図面により本発明の実施例に用いる装置の構造につ
いて説明する。

図面は本発明の実施例に用いる装置の断面を示す概略図
である。

図面に示すように上部にはヒーター１により加熱できる
ように配置した金属のドーム材料３、下部には金属を溶
融できるように配置した加熱装置である電子ビーム７と
溶融金属８を保持する容器と雰囲気ガスの導入管１０が
配置されている。

この上部と下部との間に、活性化電極５又は高周波コイ
ル６を設けてプラズマ反応が行われるように構成される
。

なお蒸着に活性化反応蒸着法を用いる場合は活性電極５
、高周波イオンプレーテイング法を用いる場合は高周波
コイル６を配置した装置を使用する。

このような装置を用いてベルジャー内でプラズマ反応さ
せると、ドーム材料の表面及びその内部にまで無機材料
が打込まれ強固な被覆層が形成される。

又さらにドーム材料に（−）の電圧をかけておくとさら
に強固に被覆層が形成させることが可能である。

以上説明したように、本発明はドーム材料の表面に蒸着
材料をプラズマ反応により強力に打込まれるので、その
蒸着速度が早く、従来の高周波スパツタ法によるのに比
べてすぐれており、蒸着厚さ１０〜２０μのものを得る
のに１０〜２０分程度で蒸着することができ、しかも密
着性がすぐれているという効果がある。

以下実施例をあげて本発明を詳しく説明する。

実施例 １ 金属シリコンを抵抗加熱により蒸発させ、その速度を１
９／ｍｉｎとした。

次いでアセチレンガスをベルジャー内に供給し、系内の
ガス圧を４×１０−４Ｔｏｒｒに調整し、活性化電極に
１００Ｖの電圧を印加し、蒸着基板であるチタンドーム
に反応生成物を蒸着させた。

なおチタンからなるドーム材料はあらかじめ必要な部分
以外はアルミ箔等でマスクし、４００℃前後に加熱し、
また抵抗加熱源から基板までの距離を２５ｃｍした。

このようにして蒸着された反応物はシリコンカーバイド
であることをＸ線回折で確かめた。

第二表に実施例１におけるＳｉＣの蒸着速度及び蒸発金
属としてＴｉ，Ｂを用いた時のＴｉＣ，Ｂ４Ｃの蒸着速
度と各々の硬度（ＤＰＨＮ）を示した。

実施例 ２ 金属チタン（ペタン状）を電子ビーム加熱方式で蒸発速
度０．１５ｇ／ｍｉｎに調整し高周波コイルに１３．５
６ＭＨｚ ０．２ＫＷを印加する。

次に系にアセチレンガスを導入し系内のガス圧を５×１
０−４ｔｏｒｒ程度にしグロー放電を起させる。

しかる後にシャッターをあけチタンドームに蒸着させた
。

なおドームは予め４００℃程度に加熱し、また電子ビー
ム加熱源から蒸着基板であるドームまでの距離は約２５
ｃｍとした。

このようにして得られた蒸着物はＸ線回折でチタンカー
バイド（ＴｉＣ）であることを確かめた。

第二表に実施例２におけるＴｉＣの蒸着速度と蒸発金属
としてＢ，Ｓｉを用いた時のＢ４Ｃ，ＳｉＣの蒸着速度
及び蒸発金属としてＡｌを用い、ガスとして酸素を用い
た場合の蒸着速度（但し、Ａｌの蒸発は抵抗加速方式で
行った）と各々の硬度を示す。

一方比較例として化成蒸着で最も蒸着速度を上げた場合
の結果を示す。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例に用いる装置の概略図である。 付号１・・・・・・ヒーター、２・・・・・・熱電対、
３・・・・・・ドーム材料、４・・・・・・シャッター
、５・・・・・・活性化電極、６・・・・・・コイル、
７・・・・・・電子ビーム、８・・・・・・溶融金属、
９・・・・・・ペルジャー、１０・・・・・・ガス導入
管。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 金属のドーム材料の表面にプラズマ反応により比弾
   性率９×１０８ｃｍ以上の無機材料を蒸着させスピーカ
   ー振動板を製造するにあたり、前記無機材料を形成する
   金属を少くとも０．１５ｇ／ｍｉｎの速度で蒸発させ、
   一方活性化反応蒸着法による場合は活性化電極、高周波
   イオンプレーテイング法による場合は高周波コイルに電
   気エネルギーを供給し、前記金属のガスと雰囲気ガスと
   をプラズマ反応させ、前記ドート材料の表面に前記無機
   材料を０．１μ／ｍｉｎ以上の速度で蒸着させることを
   特徴とするスピーカー振動板の製造法。