JPS6245306B2 - - Google Patents
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- JPS6245306B2 JPS6245306B2 JP23926284A JP23926284A JPS6245306B2 JP S6245306 B2 JPS6245306 B2 JP S6245306B2 JP 23926284 A JP23926284 A JP 23926284A JP 23926284 A JP23926284 A JP 23926284A JP S6245306 B2 JPS6245306 B2 JP S6245306B2
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- JP
- Japan
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- sample
- evaporation
- laser beam
- vapor deposition
- vapor
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- Expired
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザ蒸着法に関し、さらに詳しく
は、レーザビームを用い空間において蒸着用微粒
子試料を蒸発させ、蒸着基板に蒸着させるもの
で、この蒸発ガスは、ほぼ均一的に装置内空間に
拡散しレーザビーム照射光路と微粒子供給装置を
除く全球状空間を利用して蒸着を行う、レーザビ
ームを用いた空間蒸発蒸着法に関するものであ
る。
は、レーザビームを用い空間において蒸着用微粒
子試料を蒸発させ、蒸着基板に蒸着させるもの
で、この蒸発ガスは、ほぼ均一的に装置内空間に
拡散しレーザビーム照射光路と微粒子供給装置を
除く全球状空間を利用して蒸着を行う、レーザビ
ームを用いた空間蒸発蒸着法に関するものであ
る。
従来の蒸発技術は、蒸発エネルギー源として抵
抗加熱、電子線加熱、材料陽極形電子加熱、誘導
加熱、熱放射加熱等がある。これ等の蒸着方法
は、蒸着試料を蒸発エネルギー供給体の上に乗せ
るか、蒸発エネルギー供給体の中央るつぼ等に入
れて置くか、あるいは、蒸着試料自身に電子線等
を加速して照射し蒸着するものであつた。
抗加熱、電子線加熱、材料陽極形電子加熱、誘導
加熱、熱放射加熱等がある。これ等の蒸着方法
は、蒸着試料を蒸発エネルギー供給体の上に乗せ
るか、蒸発エネルギー供給体の中央るつぼ等に入
れて置くか、あるいは、蒸着試料自身に電子線等
を加速して照射し蒸着するものであつた。
従来の蒸着方式では、加熱温度が低く、セラミ
ツク等の超高温度耐熱材料の蒸着は非常に難かし
く不可能であつた。その上、蒸着試料を必要量る
つぼの中あるいはエネルギーを照射する位置に配
置する必要から、蒸着試料の熱容量が非常に大き
くなる欠点がある。それのみにとどまらず、種々
のエネルギー供給体を使用するので、このエネル
ギー供給体からの不純ガスの発生等による悪影響
が生ずる等問題点が多かつた。
ツク等の超高温度耐熱材料の蒸着は非常に難かし
く不可能であつた。その上、蒸着試料を必要量る
つぼの中あるいはエネルギーを照射する位置に配
置する必要から、蒸着試料の熱容量が非常に大き
くなる欠点がある。それのみにとどまらず、種々
のエネルギー供給体を使用するので、このエネル
ギー供給体からの不純ガスの発生等による悪影響
が生ずる等問題点が多かつた。
本発明は、上記欠点を解決するためになされた
もので、きれいなレーザビームを用いた蒸発エネ
ルギーの中を、熱容量の非常に小さい微粒子試料
を通過させることにより空間で低温度蒸発試料か
ら超高温度耐熱材料であるセラミツクに至るま
で、不純ガスの混入等がなく容易に蒸着すること
ができ、かつ、蒸着試料を利用する範囲が従来技
術に比べ非常に大きく、しかも、立体構造体の内
面等にも容易に蒸着することができるレーザ蒸着
法を提供することを目的とする。以下、本発明に
ついて実施例に基づき説明する。
もので、きれいなレーザビームを用いた蒸発エネ
ルギーの中を、熱容量の非常に小さい微粒子試料
を通過させることにより空間で低温度蒸発試料か
ら超高温度耐熱材料であるセラミツクに至るま
で、不純ガスの混入等がなく容易に蒸着すること
ができ、かつ、蒸着試料を利用する範囲が従来技
術に比べ非常に大きく、しかも、立体構造体の内
面等にも容易に蒸着することができるレーザ蒸着
法を提供することを目的とする。以下、本発明に
ついて実施例に基づき説明する。
第１図は、本発明の一実施例を説明するための
ものである。なお、同図には、真空装置、レーザ
ビーム吸収装置、レーザビーム絞り装置等は本発
明に直接関与しないので図示しない。図中、１は
試料蒸発用レーザビーム、２は微粒子試料供給装
置、３は試料蒸発領域、４は未蒸発試料回収装
置、５は全球面状に配置が可能な蒸着基板であ
る。
ものである。なお、同図には、真空装置、レーザ
ビーム吸収装置、レーザビーム絞り装置等は本発
明に直接関与しないので図示しない。図中、１は
試料蒸発用レーザビーム、２は微粒子試料供給装
置、３は試料蒸発領域、４は未蒸発試料回収装
置、５は全球面状に配置が可能な蒸着基板であ
る。
試料蒸発用レーザビーム１の中に微粒子試料供
給装置２から供給される微粒子試料３を通過さ
せ、試料蒸着領域４にて微粒子試料３を空間にて
完全に蒸発させる。このとき微粒子試料３の供給
量は制御されている。蒸発した試料は、球面上に
配置された蒸着基板６の上に薄膜生成する。必要
に応じてマスクを使用してもよい。蒸着基板６が
蒸着物に対して加熱装置により最適に加熱されて
いることは云うまでもない。試料蒸着領域４で完
全に蒸発しきれない試料は、未蒸発試料回収装置
５によつて完全に回収して、真空領域を常時清潔
にしてある。
給装置２から供給される微粒子試料３を通過さ
せ、試料蒸着領域４にて微粒子試料３を空間にて
完全に蒸発させる。このとき微粒子試料３の供給
量は制御されている。蒸発した試料は、球面上に
配置された蒸着基板６の上に薄膜生成する。必要
に応じてマスクを使用してもよい。蒸着基板６が
蒸着物に対して加熱装置により最適に加熱されて
いることは云うまでもない。試料蒸着領域４で完
全に蒸発しきれない試料は、未蒸発試料回収装置
５によつて完全に回収して、真空領域を常時清潔
にしてある。
多層膜を生成させるには、上記の操作を微粒子
試料供給装置２を取換えて行う。円筒状内部等の
蒸着は、試料蒸発用レーザビーム１の照射角度を
変化すれば容易である。
試料供給装置２を取換えて行う。円筒状内部等の
蒸着は、試料蒸発用レーザビーム１の照射角度を
変化すれば容易である。
次に、作用について説明する。
本発明の主要な特徴は、熱容量の小さい微粒子
を、空間に位置するところで試料蒸発用レーザビ
ーム１によつて蒸発させることにあるもので、蒸
発速度が早く、その結果低温融点材料から超高温
度材料まで巾広く蒸着コーテイング速度を早め
る。しかも、高純度の蒸着膜が生成される。
を、空間に位置するところで試料蒸発用レーザビ
ーム１によつて蒸発させることにあるもので、蒸
発速度が早く、その結果低温融点材料から超高温
度材料まで巾広く蒸着コーテイング速度を早め
る。しかも、高純度の蒸着膜が生成される。
また、真空中に各種ガスの封入により雰囲気を
変えて、窒化物、酸化物等の蒸着膜の生成も行え
る。本発明のレーザ蒸着法は、蒸着試料を空間で
蒸着させるため、全球面状空間で蒸着物を生成さ
せることが可能であり、試料蒸発用レーザビーム
の入射方法及び蒸着試料の供給方法を変化させれ
ば、円筒状、その他、複雑な形状のものの内部壁
面への蒸着膜の生成をも実現した。
変えて、窒化物、酸化物等の蒸着膜の生成も行え
る。本発明のレーザ蒸着法は、蒸着試料を空間で
蒸着させるため、全球面状空間で蒸着物を生成さ
せることが可能であり、試料蒸発用レーザビーム
の入射方法及び蒸着試料の供給方法を変化させれ
ば、円筒状、その他、複雑な形状のものの内部壁
面への蒸着膜の生成をも実現した。
以上説明したように、本発明は蒸発エネルギー
源としてきれいなレーザビームを用い、このレー
ザビームの中に蒸着資料を通過させることにより
空間において蒸発試料を蒸発させ蒸着基板に蒸着
させるもので、低温度から超高温度耐熱材料であ
るセラミツクに至るまでの蒸発試料を不純物の混
入等がない高純度の蒸着膜の生成することがで
き、かつ、蒸着コーテイング速度を早めるという
効果を有する。
源としてきれいなレーザビームを用い、このレー
ザビームの中に蒸着資料を通過させることにより
空間において蒸発試料を蒸発させ蒸着基板に蒸着
させるもので、低温度から超高温度耐熱材料であ
るセラミツクに至るまでの蒸発試料を不純物の混
入等がない高純度の蒸着膜の生成することがで
き、かつ、蒸着コーテイング速度を早めるという
効果を有する。
さらに、全球面状空間を利用して蒸着を行うた
め立体構造体の内面等にも容易に蒸着することが
でき、しかも、蒸着試料を利用する範囲も従来技
術に比べ非常に大きいという利点がある。
め立体構造体の内面等にも容易に蒸着することが
でき、しかも、蒸着試料を利用する範囲も従来技
術に比べ非常に大きいという利点がある。
本発明のレーザ蒸着法は、切削工具、磨擦面の
磨耗防止膜、各種センサの作成、各種積層膜の生
成等多方面に亘り大きな技術的波及効果をもたら
すものである。
磨耗防止膜、各種センサの作成、各種積層膜の生
成等多方面に亘り大きな技術的波及効果をもたら
すものである。
第１図は本発明の一実施例を説明するための図
である。 図中、１は試料蒸発用レーザビーム、２は微粒
子試料供給装置、３は試料蒸発領域、４は未蒸発
試料回収装置、５は蒸着基板である。
である。 図中、１は試料蒸発用レーザビーム、２は微粒
子試料供給装置、３は試料蒸発領域、４は未蒸発
試料回収装置、５は蒸着基板である。
Claims (1)
- １ レーザビームを用いて蒸着試料を空間蒸発さ
せる蒸着法であつて、真空中または希薄ガス中で
蒸着試料蒸発用レーザビームを照射し、前記蒸着
試料蒸発用レーザビームの中に微粒子または超微
粒子試料を通過させる過程において、この通過空
間で前記微粒子または超粒子試料を蒸発させ蒸着
させることを特徴とするレーザ蒸着法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23926284A JPS61117271A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | レ−ザ蒸着法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23926284A JPS61117271A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | レ−ザ蒸着法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61117271A JPS61117271A (ja) | 1986-06-04 |
| JPS6245306B2 true JPS6245306B2 (ja) | 1987-09-25 |
Family
ID=17042145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23926284A Granted JPS61117271A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | レ−ザ蒸着法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61117271A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2215122A (en) * | 1988-02-12 | 1989-09-13 | Philips Electronic Associated | A method of forming a quantum dot structure |
| FI126769B (en) | 2014-12-23 | 2017-05-15 | Picodeon Ltd Oy | Lighthouse type scanner with a rotating mirror and a circular target |
-
1984
- 1984-11-13 JP JP23926284A patent/JPS61117271A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61117271A (ja) | 1986-06-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |