JPS61106494A - ダイヤモンド被膜部材及びその製法 - Google Patents
ダイヤモンド被膜部材及びその製法Info
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- JPS61106494A JPS61106494A JP22867384A JP22867384A JPS61106494A JP S61106494 A JPS61106494 A JP S61106494A JP 22867384 A JP22867384 A JP 22867384A JP 22867384 A JP22867384 A JP 22867384A JP S61106494 A JPS61106494 A JP S61106494A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はダイヤモンド膜の基体に対する密着性を向上せ
しめたダイヤモンド被膜部材及びその製法に関するもの
である。
しめたダイヤモンド被膜部材及びその製法に関するもの
である。
ダイヤモンドは高価な装置を使用して超高圧・超高温の
もとで合成されるようになったが、他方、硬度及び耐摩
耗性に優れた切削部材や耐摩耗部材など更に広範な用途
に答えると共に効率的にダイヤモンドを合成するために
ダイヤモンド膜の低圧気相合成技術が研究されている。
もとで合成されるようになったが、他方、硬度及び耐摩
耗性に優れた切削部材や耐摩耗部材など更に広範な用途
に答えると共に効率的にダイヤモンドを合成するために
ダイヤモンド膜の低圧気相合成技術が研究されている。
最近の研究によれば、熱ＣＶＤ法、プラズマＣ■法、イ
オンビーム−法等の気相合成技術により良質なダイヤモ
ンド膜が形成できるようになってきた。
オンビーム−法等の気相合成技術により良質なダイヤモ
ンド膜が形成できるようになってきた。
しかしながら、このダイヤモンド膜を工具、耐摩耗部材
等の物理的衝撃の大きい部材やヒートシンク用基板等の
熱衝撃の大きい部材やヒートサイクルの激しい部材膠ζ
用いると膜の基体に対する密着性に問題がでる。即ち、
ダイヤモンド膜形成用基体にはＳｉ−、ＭＯ，石英、ス
テンレス、 ＡＪｘＯａ 。
等の物理的衝撃の大きい部材やヒートシンク用基板等の
熱衝撃の大きい部材やヒートサイクルの激しい部材膠ζ
用いると膜の基体に対する密着性に問題がでる。即ち、
ダイヤモンド膜形成用基体にはＳｉ−、ＭＯ，石英、ス
テンレス、 ＡＪｘＯａ 。
超硬合金、サーメット、 ＺｒＯ＋ 、 Ｓｌ、Ｃ、５
ｉａＮ＋ 等々があるが、これらの基体表面に直接、
ダイヤモンド膜を形成しようとするとこの膜と基体との
それぞれの熱膨張係数に差があるため、気相成長法によ
り基体表面上にダイヤモンド膜を生成する１こ際して基
体が加熱されて膜生成後の冷却に伴って膜に応力が加わ
った状態となる。その結果、斯様なダイヤモンド被膜部
材を物理的衝撃や熱衝撃の大きい部材に用いると膜にク
ラックが発生したり、膜自体が剥離するという問題が生
じていた。
ｉａＮ＋ 等々があるが、これらの基体表面に直接、
ダイヤモンド膜を形成しようとするとこの膜と基体との
それぞれの熱膨張係数に差があるため、気相成長法によ
り基体表面上にダイヤモンド膜を生成する１こ際して基
体が加熱されて膜生成後の冷却に伴って膜に応力が加わ
った状態となる。その結果、斯様なダイヤモンド被膜部
材を物理的衝撃や熱衝撃の大きい部材に用いると膜にク
ラックが発生したり、膜自体が剥離するという問題が生
じていた。
従って本発明の目的はダイヤモンド膜の基体に対する密
着性を向上せしめて高品質且つ゛高信頼性のダイヤモン
ド被膜部材を提供することにある。
着性を向上せしめて高品質且つ゛高信頼性のダイヤモン
ド被膜部材を提供することにある。
本発明の他の目的は新規な薄膜形成技術を用いて効率的
に高品質且つ高信頼性ダイヤモンド被膜部材となるよう
な製法を提供することにある。
に高品質且つ高信頼性ダイヤモンド被膜部材となるよう
な製法を提供することにある。
本発明によれば、基体上に基体成分及び炭素成分を有す
る中間層を介してダイヤモンド膜を形成したことを特徴
とするダイヤモンド被膜部材が提供される。
る中間層を介してダイヤモンド膜を形成したことを特徴
とするダイヤモンド被膜部材が提供される。
更に本発明によれば、内部に基体が設置された反応室に
基体構成元素含有ガスと炭素含有ガスを導入して気相成
長させることにより該基体上に基体成分及び炭素成分を
有する中間層を形成し、次いで該中間層上にダイヤモン
ド膜を形成することを特徴とするダイヤモンド被膜部材
の製法が提供される。
基体構成元素含有ガスと炭素含有ガスを導入して気相成
長させることにより該基体上に基体成分及び炭素成分を
有する中間層を形成し、次いで該中間層上にダイヤモン
ド膜を形成することを特徴とするダイヤモンド被膜部材
の製法が提供される。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明においては、第１図に示す通り、基体１上にダイ
ヤモンド＠２を形成するに際して基体１とダイヤモンド
膜２の間に後述する製法により中間層３を介在するもの
である。即ち、前述した通り、基体にＰＶＤやＣＶＤな
どにより直接、ダイヤモンド膜を形成しようとする場合
、膜形成中、基体自身を所定温度にまで高める必要があ
り、そのために膜と基体の熱膨張係数の差に起因して膜
形成後冷却を行なうと膜の内部には応力が加わった状態
となる。これにより物理的衝撃や熱衝撃に弱いダイヤモ
ンド被膜部材となり、用途範囲を著しく狭くしている。
ヤモンド＠２を形成するに際して基体１とダイヤモンド
膜２の間に後述する製法により中間層３を介在するもの
である。即ち、前述した通り、基体にＰＶＤやＣＶＤな
どにより直接、ダイヤモンド膜を形成しようとする場合
、膜形成中、基体自身を所定温度にまで高める必要があ
り、そのために膜と基体の熱膨張係数の差に起因して膜
形成後冷却を行なうと膜の内部には応力が加わった状態
となる。これにより物理的衝撃や熱衝撃に弱いダイヤモ
ンド被膜部材となり、用途範囲を著しく狭くしている。
従って、基体１とダイヤモンド膜２の間に中間層３を形
成して中間層３の熱膨張係数を基体、１及びダイヤモン
ド膜２のそれぞれの熱膨張係数のなかに入るようにすれ
ばダイヤモンド膜の形成に伴って発生するダイヤモンド
膜２の内部応力が緩和されることになる。
成して中間層３の熱膨張係数を基体、１及びダイヤモン
ド膜２のそれぞれの熱膨張係数のなかに入るようにすれ
ばダイヤモンド膜の形成に伴って発生するダイヤモンド
膜２の内部応力が緩和されることになる。
本発明によれば前記中間層３を形成するため次に述べる
ような製法。により該層が基体成分及び炭素成分を有す
るようにして熱膨張係数を上述した通りの所定の範囲内
にすることが重要である。
ような製法。により該層が基体成分及び炭素成分を有す
るようにして熱膨張係数を上述した通りの所定の範囲内
にすることが重要である。
本発明の製法によれば、前記中間層を形成するに際して
内部に基体が設置された反応室に基体構成元素含有ガス
及び炭素含有ガスを導入して該反応室内部にプラズマが
発生すると基体上に基体成分及び炭素成分を有する中間
層が形成される。引き続いて同じプラズマＣＶＤ装置を
用いてこの中間層の上にダイヤモンド膜を形成すること
ができる。
内部に基体が設置された反応室に基体構成元素含有ガス
及び炭素含有ガスを導入して該反応室内部にプラズマが
発生すると基体上に基体成分及び炭素成分を有する中間
層が形成される。引き続いて同じプラズマＣＶＤ装置を
用いてこの中間層の上にダイヤモンド膜を形成すること
ができる。
斯様に中間層とダイヤモンド膜を同一のプラズマＣＶＤ
装置を用いて連続して形成することができるが、ダイヤ
モンド膜を熱ＣＶＤ法、スパッタリング法、イオノブレ
ーティング法等による他の成膜装置によって形成しても
何ら差支えない。
装置を用いて連続して形成することができるが、ダイヤ
モンド膜を熱ＣＶＤ法、スパッタリング法、イオノブレ
ーティング法等による他の成膜装置によって形成しても
何ら差支えない。
更に本発明に係る中間層の製法については、プラズマＣ
ＶＤ装置に基体材料にも関係するが熱Ｃ叩法を用いるこ
とができる。またＰＶＤ （物理的気相法）を用いるこ
ともでき、例えばＩＣＥ （電子サイクロトロン共鳴）
プラズマのイオンビーム法によってダイヤモンド状炭素
と基体成分から成る中間層を形成し、次いでＥＣＲプラ
ズマＣｖＤ法またはＥＣＲイオンビーム法によりダイヤ
モンド膜を形成することができる。更に他のＰＶＤとし
てスパッタリング、イオンビーム法、イオンブレーティ
ング法などによっても中間層を形成することができ、次
いでそれぞれの成膜技術によって連続してダイ）ヤモン
ド膜を形成することができる。
ＶＤ装置に基体材料にも関係するが熱Ｃ叩法を用いるこ
とができる。またＰＶＤ （物理的気相法）を用いるこ
ともでき、例えばＩＣＥ （電子サイクロトロン共鳴）
プラズマのイオンビーム法によってダイヤモンド状炭素
と基体成分から成る中間層を形成し、次いでＥＣＲプラ
ズマＣｖＤ法またはＥＣＲイオンビーム法によりダイヤ
モンド膜を形成することができる。更に他のＰＶＤとし
てスパッタリング、イオンビーム法、イオンブレーティ
ング法などによっても中間層を形成することができ、次
いでそれぞれの成膜技術によって連続してダイ）ヤモン
ド膜を形成することができる。
本発明に係る中間層はダイヤモンド膜と同じ炭素成分を
含むものであり、更にこの炭素成分が局部的又は全体と
してダイヤモンド状に原子配列していると共に基体材料
にもよるが、基体成分がダイヤモンド状炭素原子配列に
取り込まれるかもしくは置換して固溶体をつ（る。或い
は基体成分元素と化学結合して硬質な次化物を生成する
。通常、ダイヤモンド膜の熱膨張係数は基体と比べて小
さいことから、この中間層には熱膨張係数の小さなダイ
ヤモンド状態が局部的又は全体として形成されても基体
成分が固溶したり、炭化物をつくることによって該層の
熱膨張係数をダイヤモンド膜よりも大きくしている。
含むものであり、更にこの炭素成分が局部的又は全体と
してダイヤモンド状に原子配列していると共に基体材料
にもよるが、基体成分がダイヤモンド状炭素原子配列に
取り込まれるかもしくは置換して固溶体をつ（る。或い
は基体成分元素と化学結合して硬質な次化物を生成する
。通常、ダイヤモンド膜の熱膨張係数は基体と比べて小
さいことから、この中間層には熱膨張係数の小さなダイ
ヤモンド状態が局部的又は全体として形成されても基体
成分が固溶したり、炭化物をつくることによって該層の
熱膨張係数をダイヤモンド膜よりも大きくしている。
更に中間層には前述したダイヤモンド状や炭化物が局部
的又は全体として生成しているのに相笑って、基体構成
元素含有ガスの種類やその構成成分の含有量とも関連す
るが、該層の内部には基体成分が基体と同様な原子配列
を局部的又は全体として形成している。その結果、中間
層の熱膨張係数はダイヤモンド膜より太き（なっても基
体の熱膨張係数を下回ることになる。
的又は全体として生成しているのに相笑って、基体構成
元素含有ガスの種類やその構成成分の含有量とも関連す
るが、該層の内部には基体成分が基体と同様な原子配列
を局部的又は全体として形成している。その結果、中間
層の熱膨張係数はダイヤモンド膜より太き（なっても基
体の熱膨張係数を下回ることになる。
本発明によれば、中間層の炭素成分含有量が少なくなる
と基体成分が基体と同様な原子配列を形成するようにな
り、一方、その含有量が大きくなるとダイヤモンド状や
炭化物が生成し易くなる。
と基体成分が基体と同様な原子配列を形成するようにな
り、一方、その含有量が大きくなるとダイヤモンド状や
炭化物が生成し易くなる。
本発明者が種々の実験を繰り返し行った結果、中間層に
炭素成分が容積比で０６０１乃至９９．９９％含有して
いると該層の熱膨張係数がダイヤモンド膜と基体のそれ
ぞれの熱膨張係数のなかに入れることができ、これによ
りダイヤモンド膜の内部に発生する応力を顕著に低減せ
しめることができ、ダイヤモンド膜の基体に対する密着
性を高めることができる。
炭素成分が容積比で０６０１乃至９９．９９％含有して
いると該層の熱膨張係数がダイヤモンド膜と基体のそれ
ぞれの熱膨張係数のなかに入れることができ、これによ
りダイヤモンド膜の内部に発生する応力を顕著に低減せ
しめることができ、ダイヤモンド膜の基体に対する密着
性を高めることができる。
更に、本発明に係る中間層にダイヤモンド状及び基体状
の原子配列を含むことによって中間層と基体、中間層と
ダイヤモンド膜のそれぞれＩζ連続した界面を形成する
ことができ、中間層の両者に対する濡れ性が向上し、ダ
イヤモンド膜の基体にを基体側に少なりシ、ダイヤモン
ド膜側に多（するように該層の成膜過程で基体構成元素
含有ガス及び炭素含有ガスの導入ガス量を加減するとよ
い。
の原子配列を含むことによって中間層と基体、中間層と
ダイヤモンド膜のそれぞれＩζ連続した界面を形成する
ことができ、中間層の両者に対する濡れ性が向上し、ダ
イヤモンド膜の基体にを基体側に少なりシ、ダイヤモン
ド膜側に多（するように該層の成膜過程で基体構成元素
含有ガス及び炭素含有ガスの導入ガス量を加減するとよ
い。
これにより、基体とダイヤモンド膜に発生した内部応力
の差を中間層がその層厚方向に順次連続して又は段階的
に緩和することができ、加えて中間層の基体及びダイヤ
モンド膜のそれぞれの濡れ性が向上し、その結果、ダイ
ヤモンド膜の基体に対する密着性が更に著しく高められ
る。
の差を中間層がその層厚方向に順次連続して又は段階的
に緩和することができ、加えて中間層の基体及びダイヤ
モンド膜のそれぞれの濡れ性が向上し、その結果、ダイ
ヤモンド膜の基体に対する密着性が更に著しく高められ
る。
本発明に用いられる基体【ζはＳＩＣ，５ｉａＮ＊ 、
＃Ｎ、 ＢＨなどの非酸化物系セラミック焼結体、
Ｍ２Ｏ３、ＺｒＯｓ＋ 、 ５Ｌ０２などの酸化物系セ
ラミック焼結体、ＴｉＣ基、ＴｉＮ基、Ｔ１ＣＮ基及び
超硬合金などのサーメット（セラミックと金属の複合材
料）、ＭＯ、ステンレスなどの金属等はとんどｔべての
基体材料を用いることができ、更に焼結体に限られず、
厚膜技術や薄膜技術によって被覆された基体であっても
何ら差支えなく、いずれの材料についても単結晶、多結
晶、非晶質のうちどれかに限定せねばならぬ格別な理由
はない。
＃Ｎ、 ＢＨなどの非酸化物系セラミック焼結体、
Ｍ２Ｏ３、ＺｒＯｓ＋ 、 ５Ｌ０２などの酸化物系セ
ラミック焼結体、ＴｉＣ基、ＴｉＮ基、Ｔ１ＣＮ基及び
超硬合金などのサーメット（セラミックと金属の複合材
料）、ＭＯ、ステンレスなどの金属等はとんどｔべての
基体材料を用いることができ、更に焼結体に限られず、
厚膜技術や薄膜技術によって被覆された基体であっても
何ら差支えなく、いずれの材料についても単結晶、多結
晶、非晶質のうちどれかに限定せねばならぬ格別な理由
はない。
更に本発明に用いられる基体にＳｉＣ、５Ｌ３Ｎ４ 。
ＳｉなどＳｉ系材料を用いて第１図に示すように該基体
１に、（こ主としてＳｌとＣから成る中間層３を介して
ダイヤモンド膜２を形成したダイヤモンド被膜部材に詔
いてはダイヤモンド膜の基体に対する密着性が他の基体
材料を用いるのに比べて優れており、就中、ＳＩＣ基体
又は５Ｌ３Ｎ４基体を用いると著しく優れた密着性が得
られる。
１に、（こ主としてＳｌとＣから成る中間層３を介して
ダイヤモンド膜２を形成したダイヤモンド被膜部材に詔
いてはダイヤモンド膜の基体に対する密着性が他の基体
材料を用いるのに比べて優れており、就中、ＳＩＣ基体
又は５Ｌ３Ｎ４基体を用いると著しく優れた密着性が得
られる。
また本発明に用いられる基体構成元素含有ガスには基体
材料の少なくとも一種の元素を含有して成るガスであれ
ばよ（、例えばＳＩＣ基体又は５Ｌ３Ｎ４基体にはＳｉ
Ｈ４，５ｉｉＥＩａ 、 ５ｉｓＨｓなどがあり、ＴＩ
ＣＩＣ−メット基体には’ｆｌｃ１４などが、ＭＯ基体
Ｋ Ｇｔ ＭｏＣ１ａ ナト力、ＡＪｓＯａ基体ｔｃ
＋ｔ Ａｊ（Ｊａ ｒｊ トがある。またステンレス基
体や超硬合金基体に対してはそれぞれＦｅやＣｏをター
ゲットとしたスパッタリングを行なって基体構成元素ガ
スとしても何ら差支えない。従って、基体構成元素含有
ガスにはＣＶＤ法、スパッタリング法などの薄膜生成技
術で用いられる気相成長用ガスのすべてを使用できるこ
とは当業者であれば自明であろう。
材料の少なくとも一種の元素を含有して成るガスであれ
ばよ（、例えばＳＩＣ基体又は５Ｌ３Ｎ４基体にはＳｉ
Ｈ４，５ｉｉＥＩａ 、 ５ｉｓＨｓなどがあり、ＴＩ
ＣＩＣ−メット基体には’ｆｌｃ１４などが、ＭＯ基体
Ｋ Ｇｔ ＭｏＣ１ａ ナト力、ＡＪｓＯａ基体ｔｃ
＋ｔ Ａｊ（Ｊａ ｒｊ トがある。またステンレス基
体や超硬合金基体に対してはそれぞれＦｅやＣｏをター
ゲットとしたスパッタリングを行なって基体構成元素ガ
スとしても何ら差支えない。従って、基体構成元素含有
ガスにはＣＶＤ法、スパッタリング法などの薄膜生成技
術で用いられる気相成長用ガスのすべてを使用できるこ
とは当業者であれば自明であろう。
更にまた本発明に用いられる炭素含有ガスにはＣＨ４、
Ｃ！ＩＨａ 、 Ｃ５Ｈｓ 、 ＯｍＨ＋などの有機材
料に限らず、黒鉛、カーボンブラックなどの無機材料を
用いてもよ（、気相成長用ガスと成り得るならばすべて
の炭素源を用いることができる。
Ｃ！ＩＨａ 、 Ｃ５Ｈｓ 、 ＯｍＨ＋などの有機材
料に限らず、黒鉛、カーボンブラックなどの無機材料を
用いてもよ（、気相成長用ガスと成り得るならばすべて
の炭素源を用いることができる。
本発明によれば、前述した通りの基体成分及び炭素成分
を有する・中間層の他に、第３成分を含有した中間層を
形成してもよい。
を有する・中間層の他に、第３成分を含有した中間層を
形成してもよい。
即ち、例えばダイヤモンド膜の基体に対する密着性を更
に向上させるために第３成分を選択すればよい。この第
３成分を第１図に示す中間層３に含有させる他に、第２
図に示す通り基体１上に第１中間層３ａと第２中間ｍ
３１）を形成してダイヤモンド膜２を形成してもよい。
に向上させるために第３成分を選択すればよい。この第
３成分を第１図に示す中間層３に含有させる他に、第２
図に示す通り基体１上に第１中間層３ａと第２中間ｍ
３１）を形成してダイヤモンド膜２を形成してもよい。
第２図の層構成によれば、基体とダイヤモンド膜のそれ
ぞれの熱膨張係数に大きな差があったり、両者間の濡れ
性が劣る場合、これらの欠点を改善するため、例えば第
１中間層３ａを基体成分と第３成分、第２中間層３ｂを
第３成分と炭素成分により形成するとよい。
ぞれの熱膨張係数に大きな差があったり、両者間の濡れ
性が劣る場合、これらの欠点を改善するため、例えば第
１中間層３ａを基体成分と第３成分、第２中間層３ｂを
第３成分と炭素成分により形成するとよい。
更に、この中間層には第３成分に加えてｇｌＳ４成分、
第５成分・・・−を加えて、第３図及び第４図に示すよ
うに第２中間層３ｂのうえに第３中間層３Ｃ１第４中間
ａ３ｄ、を形成し、これに伴って第３中間層３Ｃを第３
成分及び第４成分に、第４中間層３ｄを第４成分及び第
５成分により形成するとよい。
第５成分・・・−を加えて、第３図及び第４図に示すよ
うに第２中間層３ｂのうえに第３中間層３Ｃ１第４中間
ａ３ｄ、を形成し、これに伴って第３中間層３Ｃを第３
成分及び第４成分に、第４中間層３ｄを第４成分及び第
５成分により形成するとよい。
更に本発明によれば、中間層の厚みを０．０１ μｍ乃
至１ｆｌの範囲内に設定するのが望ましく、この厚みは
基体の材料、中間層の炭素含有量や他成分含有量、及び
層構成とも関連するが、本発明者がこれまでに繰り返し
行った実験によれば前記の範囲内に設定することにより
一段と顕著な密着性が得られた。
至１ｆｌの範囲内に設定するのが望ましく、この厚みは
基体の材料、中間層の炭素含有量や他成分含有量、及び
層構成とも関連するが、本発明者がこれまでに繰り返し
行った実験によれば前記の範囲内に設定することにより
一段と顕著な密着性が得られた。
更にまた本発明によれば、ダイヤモンド膜の厚みを中間
層の厚み以下に設定するのが望ましい。
層の厚み以下に設定するのが望ましい。
即ち、本発明者が種々の実験を繰り返し行った結果基体
材料、中間層の層構成や組成材料にも関係するが、ダイ
ヤモンド膜の厚みが中間層の厚みを越えていると内部に
応力が発生し易くなる傾向にあることを確かめた。
材料、中間層の層構成や組成材料にも関係するが、ダイ
ヤモンド膜の厚みが中間層の厚みを越えていると内部に
応力が発生し易くなる傾向にあることを確かめた。
次に本発明の実施例を述べる。
〔実施例１〕
反応室としての石英管の外側に高周波電流用コイルを４
回巻に形成し、その内部には９００℃の温度に設定しで
ある５ｉ−Ｃ基体ｌを設置した。高周波プラズマＣｖＤ
法に基いて該コイルに１３．５６ ＭＨｚの高周波電流
を流すと共に石英管内部にＨ３ガス、ＣＨ４ガス及びＳ
ｉＨ４ガスをそれぞれ２００ ＱＱ／ｍ。
回巻に形成し、その内部には９００℃の温度に設定しで
ある５ｉ−Ｃ基体ｌを設置した。高周波プラズマＣｖＤ
法に基いて該コイルに１３．５６ ＭＨｚの高周波電流
を流すと共に石英管内部にＨ３ガス、ＣＨ４ガス及びＳ
ｉＨ４ガスをそれぞれ２００ ＱＱ／ｍ。
２ＣＯ／ｍ及び０．５ ＣＱ／ｉの流量で導入して全圧
ガスを１０ ’ｒｏｒｒに設定し、プラズマを発生させ
た。
ガスを１０ ’ｒｏｒｒに設定し、プラズマを発生させ
た。
これを３時間続けたところ黒色の中間層３が１２μｍの
厚みで形成することができた。この中間層をオージェ分
析法と微小Ｘ線回折により測定したところ、β−８ＩＣ
が約６０容量％、ダイヤモンドが約４０容量％の組成で
あることを確認した。
厚みで形成することができた。この中間層をオージェ分
析法と微小Ｘ線回折により測定したところ、β−８ＩＣ
が約６０容量％、ダイヤモンドが約４０容量％の組成で
あることを確認した。
次いでＨ２ガス及びＣＨ４ガスをそれぞれ２００ ｃｃ
／釧及び２（３０／＠ｔＨの流量にして全圧ガスを２０
Ｔｏｒｒに設定し、他の設定条件は何ら変更しないで
プラズマを発生させた。これを３時間続けたところ５μ
ｍのダイヤモンド膜２ができて諺り、第１図に示すダイ
ヤモンド被膜部材を得た。尚、このダイヤモンド膜２は
Ｘ線回折、Ｘ線励起光電子分析法及びオージェ電子分光
のいずれによってもダイヤモンドが生成していることを
確認した。
／釧及び２（３０／＠ｔＨの流量にして全圧ガスを２０
Ｔｏｒｒに設定し、他の設定条件は何ら変更しないで
プラズマを発生させた。これを３時間続けたところ５μ
ｍのダイヤモンド膜２ができて諺り、第１図に示すダイ
ヤモンド被膜部材を得た。尚、このダイヤモンド膜２は
Ｘ線回折、Ｘ線励起光電子分析法及びオージェ電子分光
のいずれによってもダイヤモンドが生成していることを
確認した。
かくして得られたダイヤモンド被膜部材について第５図
に示すように引掻き硬さの測定を行った。
に示すように引掻き硬さの測定を行った。
即ち、かかるダイヤモンド被膜部材４の表面上にダイヤ
モンド圧子５を５０ｋｇの大−きさで荷重を加え、その
ままＡ方向へ横切らせて引掻き疵を作ろうとしたが全く
疵が出来なかった。
モンド圧子５を５０ｋｇの大−きさで荷重を加え、その
ままＡ方向へ横切らせて引掻き疵を作ろうとしたが全く
疵が出来なかった。
然る１ζ本実施例において中間層３がなく、ＳＩＣ基体
１及びダイヤモンド膜２から成る比較例のダイヤモンド
被膜部材に対して引掻き硬さの測定を行ったところ、ダ
イヤモンド圧子？荷重が５ｋｇになると引掻き疵が発生
した。
１及びダイヤモンド膜２から成る比較例のダイヤモンド
被膜部材に対して引掻き硬さの測定を行ったところ、ダ
イヤモンド圧子？荷重が５ｋｇになると引掻き疵が発生
した。
本実施例１ζおいてはこの引掻き硬さの測定によりダイ
ヤモンド膜の密着性を試験した。比較例においては引掻
き疵の周辺のダイヤモンド膜が剥離していた。
ヤモンド膜の密着性を試験した。比較例においては引掻
き疵の周辺のダイヤモンド膜が剥離していた。
〔実施例２〕
本実施例においてはマイクロ波プラズマＣｖＤ法に基い
て、５ｉａＮ＋基体１上に第２図に示すような第１中間
層３ａ及び第２中間層３ｂを介在させて成るダイヤモン
ド被膜部材を製作した。
て、５ｉａＮ＋基体１上に第２図に示すような第１中間
層３ａ及び第２中間層３ｂを介在させて成るダイヤモン
ド被膜部材を製作した。
即ち、本実施例に射いては２．４５ ＧＥ（ｚのマイク
ロ波を用いて成膜するに当って、初めにＨ２ガス、Ｓｉ
Ｈ＋ガス及びＮＨ４ガスをそれぞれＩＱＱ ＱＱ／ｍ。
ロ波を用いて成膜するに当って、初めにＨ２ガス、Ｓｉ
Ｈ＋ガス及びＮＨ４ガスをそれぞれＩＱＱ ＱＱ／ｍ。
１０ｃｃ／ｇｉ及び２５ ＱＱ／ｘｉｓの流量にて導入
してプラズマを発生させ、５Ｌ３Ｎ４基体表面に０．０
１μｍの厚みの５ｉｓＮ＋ Ｗを形成しておいた。モし
てＨ１１ガス、５ｌ−Ｈ４カｘ、ＮＨ４ｉｆ ｘ 及び
ＣＩ４ガスをそれぞれ１００ＣＯ／寓ｍ、 １０ ｃｃ
／ＩＩＩｍ、 １０００／ｍ及び５ ｃｃ、、’＝の流
量にて導入して３０分間プラズマ発生させ、前記５１３
Ｎ４膜上に２μ肩の厚みで５ｊ−Ｃ及び５ｉｓＮ４ か
ら成る第１中間崩３ａを形成した。次いでＨ３ガス、Ｃ
Ｈ４カス及びＳｉＨ＋ガスをそれぞれ１００ ＱＣ／ｍ
。
してプラズマを発生させ、５Ｌ３Ｎ４基体表面に０．０
１μｍの厚みの５ｉｓＮ＋ Ｗを形成しておいた。モし
てＨ１１ガス、５ｌ−Ｈ４カｘ、ＮＨ４ｉｆ ｘ 及び
ＣＩ４ガスをそれぞれ１００ＣＯ／寓ｍ、 １０ ｃｃ
／ＩＩＩｍ、 １０００／ｍ及び５ ｃｃ、、’＝の流
量にて導入して３０分間プラズマ発生させ、前記５１３
Ｎ４膜上に２μ肩の厚みで５ｊ−Ｃ及び５ｉｓＮ４ か
ら成る第１中間崩３ａを形成した。次いでＨ３ガス、Ｃ
Ｈ４カス及びＳｉＨ＋ガスをそれぞれ１００ ＱＣ／ｍ
。
２ｃｃ／＝及び１００７ｍの流量にて導入して１時間プ
ラズマ発生させ、前記第１中間Ｊｌ ３ａ上に２−の厚
みでダイヤモンド及びＳ１０から成る第２中間ゝ層３ｂ
を形成した。然る後、Ｅ（ｓガス及びＣＲ２ガスのそれ
ぞれの流量を１００００／４及びＯ−５ＣＯ／ ｘｉｓ
膠こ設定して５μｍの厚みのダイヤモンド膜２を形成し
た。尚、いずれの膜も成膜中基体温度を９００℃に設定
した。
ラズマ発生させ、前記第１中間Ｊｌ ３ａ上に２−の厚
みでダイヤモンド及びＳ１０から成る第２中間ゝ層３ｂ
を形成した。然る後、Ｅ（ｓガス及びＣＲ２ガスのそれ
ぞれの流量を１００００／４及びＯ−５ＣＯ／ ｘｉｓ
膠こ設定して５μｍの厚みのダイヤモンド膜２を形成し
た。尚、いずれの膜も成膜中基体温度を９００℃に設定
した。
かくして得られたダイヤモンド被膜部材について実施例
１で述べた引掻き硬さの測定を行ったところ、ダイヤモ
ンド圧子の荷重を５０ｋｇにしても全く疵が出来なかっ
た。
１で述べた引掻き硬さの測定を行ったところ、ダイヤモ
ンド圧子の荷重を５０ｋｇにしても全く疵が出来なかっ
た。
然るに本実施例において前述した５ｉａＮ令膜、第１中
間層３ａ及び第２中間層３ｂがなく、５ｉｓＮ４基体及
びダイヤモンド膜から成る比較例のダイヤモンド被膜部
材については、ダイヤモンド圧子の荷重を１０ ｋｇに
すると引掻き疵が発生した。
間層３ａ及び第２中間層３ｂがなく、５ｉｓＮ４基体及
びダイヤモンド膜から成る比較例のダイヤモンド被膜部
材については、ダイヤモンド圧子の荷重を１０ ｋｇに
すると引掻き疵が発生した。
〔実施例３〕
本実施例においてはマイクロ波プラズマＣＶＤ法に基い
てＴＩＣＩＣ−メット基体１上に第１図に示すような中
間＄３を介在させるものであって、この中間層３の層厚
方向にダイヤモンド膜２へ向かって段階的にダイヤモン
ド状結晶を多くしたことに特徴がある。
てＴＩＣＩＣ−メット基体１上に第１図に示すような中
間＄３を介在させるものであって、この中間層３の層厚
方向にダイヤモンド膜２へ向かって段階的にダイヤモン
ド状結晶を多くしたことに特徴がある。
即ち、本実施例に＃いても２．４５ ＧＨｚのマイクロ
波を用いて形成するが、初めにＨ３ガス、ＴｉＣ１＋ガ
ス及びＣ９Ｈ４ガスをそれぞれ１００ ＱＣ／ａｉｍ、
２ＱＣ／ｉ及び２ｃｃ／＝の流量で導入してプラズマ
を発生させ、Ｔｉｃ基サーメット基体表面に１μｍの厚
みでＴＩＣとダイヤモンドから成る層を形成した。
波を用いて形成するが、初めにＨ３ガス、ＴｉＣ１＋ガ
ス及びＣ９Ｈ４ガスをそれぞれ１００ ＱＣ／ａｉｍ、
２ＱＣ／ｉ及び２ｃｃ／＝の流量で導入してプラズマ
を発生させ、Ｔｉｃ基サーメット基体表面に１μｍの厚
みでＴＩＣとダイヤモンドから成る層を形成した。
次イテ１５分毎ｆｃ ’Ｉ’１Ｃ１４ガス流量を順次１
，５ ＱＣ／ｌｉｎ。
，５ ＱＣ／ｌｉｎ。
Ｉ ＱＯ／ｘｉｓ、 ０．５００／ｍにまで減らし他の
ガス流量はそのままにしながら段階的にダイヤモンド含
有比率を大きくした層をそれぞれ２μｍ、２μｍ、 １
ｊｍの厚みで形成して中間層３とした。然る後、ＴｉＣ
１＋ガス流量を零として最上層１こダイヤモンド膜を形
成した。
ガス流量はそのままにしながら段階的にダイヤモンド含
有比率を大きくした層をそれぞれ２μｍ、２μｍ、 １
ｊｍの厚みで形成して中間層３とした。然る後、ＴｉＣ
１＋ガス流量を零として最上層１こダイヤモンド膜を形
成した。
かくして得られたダイヤモンド被膜部材について実施例
１で述べた引掻き硬さの測定を行ったところ、ダイヤモ
ンド圧子の荷重が３０ ｋｇまでは何ら疵が出来なかっ
た。
１で述べた引掻き硬さの測定を行ったところ、ダイヤモ
ンド圧子の荷重が３０ ｋｇまでは何ら疵が出来なかっ
た。
然るに本実施例において前述した中間層がなくＴｉＣ基
サーメット基体及びダイヤモンド膜から成る比較例のダ
イヤモンド被膜部材についてはダイヤモンド圧子の荷重
を１ｋｇ１こするだけで容易に引掻き疵が発生した。
サーメット基体及びダイヤモンド膜から成る比較例のダ
イヤモンド被膜部材についてはダイヤモンド圧子の荷重
を１ｋｇ１こするだけで容易に引掻き疵が発生した。
〔実施例４〕
本実施例においては第６図に示すような平行平すような
中間層３を介在させるものであってこの装置におけるス
パッタリングにより中間層３の基体成分を漸次減少せし
めたことに特徴がある。
中間層３を介在させるものであってこの装置におけるス
パッタリングにより中間層３の基体成分を漸次減少せし
めたことに特徴がある。
即ち、第６図によれば反応室６の内部に超硬合金基体７
及びヒーター８が装置された載置台９、並びにＣｏから
成るターゲフ） １０が設定されており、反応室６の外
側には高周波電流用コイル１１が４回巻にして形成され
ている。そして高周波電源１２がスイッチ１３の第１端
子１４及び第２端子１５によりそれぞれコンデンサ１６
を介したターゲ７） １０へ、またコイル１１へ電気的
に接続されている。尚、１７．１８はそれぞれガス導入
口及びガス排出口である。
及びヒーター８が装置された載置台９、並びにＣｏから
成るターゲフ） １０が設定されており、反応室６の外
側には高周波電流用コイル１１が４回巻にして形成され
ている。そして高周波電源１２がスイッチ１３の第１端
子１４及び第２端子１５によりそれぞれコンデンサ１６
を介したターゲ７） １０へ、またコイル１１へ電気的
に接続されている。尚、１７．１８はそれぞれガス導入
口及びガス排出口である。
本装置番ζおいて、初めにスイッチ１３を第１端子１４
へ導通して高周波電源１２によりｃｏをターゲット１０
としてスパッタリングを行うべく、 ガス導入口１７よ
りＨ！ガス及びかガスをそれぞれ田ＱＱ／ｍ、 ２０
ＱＣ３／ｍに設定して導入した。次いでこのスパッタリ
ングによってＣＯが超硬合金基体７上に蒸着し始めると
釘ガスの流量を１０００／１１０との速さで減らすと共
にＣＨ４ガスを１０（！／ｈｏｔｅｒの速さで増やしな
がら導入することによりＣｏとダイヤモンドから成る中
間層を形成した。斯様な中間層においてはＣＯの蒸着に
伴ってダイヤモンドの析出量が多くなっているため、か
かる組成勾配のない中間層に比べればダイヤモンド膜の
基体に対する密着性に大きく寄与することは明白である
。然る後スイッチ１３を第２端子１５へ導通して高周波
プラズマＣＶＤ法に基いて高周波電源１２よりコイル１
１に１３．５６ ＭＨｚの高同波電流を流すと共にガス
導入口１７よりジガス及びＣＨ４ガスをそれぞれＺｏｏ
ＱＱ／ａｍ及び２０（３／ｌｉｎの流量にて導入する
と核中間層上にダイヤモンド膜が形成できた。
へ導通して高周波電源１２によりｃｏをターゲット１０
としてスパッタリングを行うべく、 ガス導入口１７よ
りＨ！ガス及びかガスをそれぞれ田ＱＱ／ｍ、 ２０
ＱＣ３／ｍに設定して導入した。次いでこのスパッタリ
ングによってＣＯが超硬合金基体７上に蒸着し始めると
釘ガスの流量を１０００／１１０との速さで減らすと共
にＣＨ４ガスを１０（！／ｈｏｔｅｒの速さで増やしな
がら導入することによりＣｏとダイヤモンドから成る中
間層を形成した。斯様な中間層においてはＣＯの蒸着に
伴ってダイヤモンドの析出量が多くなっているため、か
かる組成勾配のない中間層に比べればダイヤモンド膜の
基体に対する密着性に大きく寄与することは明白である
。然る後スイッチ１３を第２端子１５へ導通して高周波
プラズマＣＶＤ法に基いて高周波電源１２よりコイル１
１に１３．５６ ＭＨｚの高同波電流を流すと共にガス
導入口１７よりジガス及びＣＨ４ガスをそれぞれＺｏｏ
ＱＱ／ａｍ及び２０（３／ｌｉｎの流量にて導入する
と核中間層上にダイヤモンド膜が形成できた。
かくして得られたダイヤモンド被膜部材につい・て実施
例１で述べた引掻き硬さの測定を行ったところ、ダイヤ
モンド圧子の荷重を５０ ｋｇにしても何ら疵が出来な
かった。
例１で述べた引掻き硬さの測定を行ったところ、ダイヤ
モンド圧子の荷重を５０ ｋｇにしても何ら疵が出来な
かった。
然るに本実施例において前述した中間層がなく超硬合金
基体及びダイヤモンド膜から成る比較例のダイヤモンド
被膜部材についてはダイヤモンド圧子の荷重を１ｋｇに
するだけで容易に引掻き疵が発生した。
基体及びダイヤモンド膜から成る比較例のダイヤモンド
被膜部材についてはダイヤモンド圧子の荷重を１ｋｇに
するだけで容易に引掻き疵が発生した。
〔実施例５〕
本実施例においてはマイクロ波プラズマＣＶＤ法に基い
て８１基体１上に第２図に示すような第１中間層３ａ及
び第２中間層３ｂを介在させて成るダイヤ予ンド被膜部
材を製作した。
て８１基体１上に第２図に示すような第１中間層３ａ及
び第２中間層３ｂを介在させて成るダイヤ予ンド被膜部
材を製作した。
即ち、本実施例に＄いては２．４５ ＧＨｚのマイクロ
波を用いて成膜するに当って、初めにＨ８ガス及びＳＩ
Ｈ＊ガスをそれぞれ２００’Ｃ（３／ａｉｍ及び２０Ｑ
（３／ｍの流量にて導入し、プラズマを発生させ、８１
基体表面に８１膜を形成しておいた。モしてＨ２ガス、
ＳｉＨ＋ガス及びＣＨ４ガスをそれぞれＺｏｏ ００膜
ｍ。
波を用いて成膜するに当って、初めにＨ８ガス及びＳＩ
Ｈ＊ガスをそれぞれ２００’Ｃ（３／ａｉｍ及び２０Ｑ
（３／ｍの流量にて導入し、プラズマを発生させ、８１
基体表面に８１膜を形成しておいた。モしてＨ２ガス、
ＳｉＨ＋ガス及びＣＨ４ガスをそれぞれＺｏｏ ００膜
ｍ。
１０ ＱＣ／ｉｔ及び５ｃｃ、’＝の流量にて導入して
プラズマを発生させ、前記Ｓｉ ｇ上にＳｉとＳＩＣか
ら成る第１中間層３ａを形成した。次いでＨ！ガス、５
ｉＥ（４ガス及びＣＨ４ガスをそれぞれ１００ ＱＱ／
ｌｉｎ、 ２ ｃｃ／ｉ及び３ＱＯ／ｍの流量にて導入
してプラズマを発生させ、ダイヤモンド及びＳＩＣから
成る第２中間層３ｂを形成した。然る後、Ｋｇガス及び
ＣＨ４ガスのそれぞれの流量を１００ ａａ／、Ｈ及び
０．５００７ｍに設定してダイヤモンド膜２を形成した
。
プラズマを発生させ、前記Ｓｉ ｇ上にＳｉとＳＩＣか
ら成る第１中間層３ａを形成した。次いでＨ！ガス、５
ｉＥ（４ガス及びＣＨ４ガスをそれぞれ１００ ＱＱ／
ｌｉｎ、 ２ ｃｃ／ｉ及び３ＱＯ／ｍの流量にて導入
してプラズマを発生させ、ダイヤモンド及びＳＩＣから
成る第２中間層３ｂを形成した。然る後、Ｋｇガス及び
ＣＨ４ガスのそれぞれの流量を１００ ａａ／、Ｈ及び
０．５００７ｍに設定してダイヤモンド膜２を形成した
。
かくして得られたダイヤモンド被膜部材について実施例
１で述べた引掻き硬さの測定を行ったところ、ダイヤモ
ンド圧子の荷重を５０に９にしても全（疵が出来なかっ
た。
１で述べた引掻き硬さの測定を行ったところ、ダイヤモ
ンド圧子の荷重を５０に９にしても全（疵が出来なかっ
た。
然る夢ζ本実施例に勿いて前述したＳ１膜、第１中間！
ＶＪ３ａ及び第２中間層３ｂがなく、８１基体及びダイ
ヤモンド膜から成る比較例のダイヤモンド被膜部材につ
いては、ダイヤモンド圧子の荷重を１０ｋｇにすると引
掻き疵が発生した。
ＶＪ３ａ及び第２中間層３ｂがなく、８１基体及びダイ
ヤモンド膜から成る比較例のダイヤモンド被膜部材につ
いては、ダイヤモンド圧子の荷重を１０ｋｇにすると引
掻き疵が発生した。
〔実施例６〕
本実施例膠こおいてはマイクロ波プラズマＣＶＤ法に基
いてＭｏ基体１上に第１図に示すような中間層３を介在
させるものであって、この中間層３の層厚方向にダイヤ
モンド膜２へ向かって段階的にダイヤモンド状結晶を多
くするようにしたことに特徴がある。
いてＭｏ基体１上に第１図に示すような中間層３を介在
させるものであって、この中間層３の層厚方向にダイヤ
モンド膜２へ向かって段階的にダイヤモンド状結晶を多
くするようにしたことに特徴がある。
即ち、本実施例に射いては２．４５ ＧＨｚのマイクロ
波を用いて形成するに当って、初めにＨ２ガス、ＭｏＣ
１ｂガス及びＣＨ４ガスをそれぞれ２５０ Ｃ７０／Ｉ
ｉＲ。
波を用いて形成するに当って、初めにＨ２ガス、ＭｏＣ
１ｂガス及びＣＨ４ガスをそれぞれ２５０ Ｃ７０／Ｉ
ｉＲ。
１０００／ｍ及びＺｏｏ／ａｍの流量で導入してプラズ
マを発生させ、次いで１０分毎にＣＨ４ガスを０．５Ｃ
ＣＺｉずつ増加して１時間後にＭｏＣｌ５ガス及びＣＨ
４ガスのそれぞれの流量を１００７ｍ及び２ ｃｃ／ｍ
にして中間層を形成した。然る後、Ｈｓガス及びＣＨ４
ガスのそれぞれの流量を１００００７ｍ及び２ ＱＱ／
ｉに設定してダイヤモンド膜を形成した。
マを発生させ、次いで１０分毎にＣＨ４ガスを０．５Ｃ
ＣＺｉずつ増加して１時間後にＭｏＣｌ５ガス及びＣＨ
４ガスのそれぞれの流量を１００７ｍ及び２ ｃｃ／ｍ
にして中間層を形成した。然る後、Ｈｓガス及びＣＨ４
ガスのそれぞれの流量を１００００７ｍ及び２ ＱＱ／
ｉに設定してダイヤモンド膜を形成した。
しており、Ｍｏ相には炭素が固溶していた。そしてこれ
を実施例１で述べた引掻き硬さの測定を行ったところ、
ダイヤモンド圧子の荷重が２０ ｋｇまでは何ら疵が出
来なかった。
を実施例１で述べた引掻き硬さの測定を行ったところ、
ダイヤモンド圧子の荷重が２０ ｋｇまでは何ら疵が出
来なかった。
然るに本実施例において前述した中間層がなくＭＯ基体
及びダイヤモンド膜から成る比較例のダイヤモンド被膜
部材についてはダイヤモンド圧子の荷重を１ ｋｇにす
るだけで容易に引掻き疵が発生した。
及びダイヤモンド膜から成る比較例のダイヤモンド被膜
部材についてはダイヤモンド圧子の荷重を１ ｋｇにす
るだけで容易に引掻き疵が発生した。
〔実施例７〕
本実施例１ζ詔いてはステンレスを基体とするものであ
って実施例４で述べた平行平板型プラズマＣＶＤ装置を
用いてスパッタリングを付した高周波プラズマＯＶＤ法
に基いて第１図に示すような中間層３を介在させるもの
であって、かかるスパッタリングにより中間層３の基体
成分を漸次減少せしめたことに特徴がある。
って実施例４で述べた平行平板型プラズマＣＶＤ装置を
用いてスパッタリングを付した高周波プラズマＯＶＤ法
に基いて第１図に示すような中間層３を介在させるもの
であって、かかるスパッタリングにより中間層３の基体
成分を漸次減少せしめたことに特徴がある。
即ち、実施例４において基体７をステンレスとし、且つ
ターゲット１０をＦｅに置換した。そして実施例４と同
じ操作方法を行いながらガス導入口１７よりＨ８ガス及
びＡｒガスをそれぞれ８０ ＱＱ／ｍ。
ターゲット１０をＦｅに置換した。そして実施例４と同
じ操作方法を行いながらガス導入口１７よりＨ８ガス及
びＡｒガスをそれぞれ８０ ＱＱ／ｍ。
２０ ＣＱ／ｗｉｇにして導入しスパッタリングを行っ
た。
た。
次いでこのスパッタリングによってＦｅがステンレス基
体７上に蒸着し始めると層ガスの流量を１０ＣＣ／ ｈ
ｏｕｒの速さで減らすと共にＣＨ４ガスを１ ｃｃ／
ｈｏｕｒの速さで増やしながら導入することによりＦｅ
、 ＦｅＣｘ及びダイヤモンドから成る中間層を形成
した。斯様な中間層に詔いてはＦｅの蒸着に件ってダイ
ヤモンドの析出量が多くなっているため、かかる組成勾
配のない中間層に比べればダイヤモンド膜の基体に対す
る密着性に太き（寄与することは明白である。然る後ス
イッチ１３を第２端子１５へ導通して高周波プラズマＣ
ＶＤ法に基いて高周波型ｇ１２よりコイｋ １１１ｃ
１３．５６ ＭＥＩｚ （Ｆ）高周波電流を流すと共に
ガス導入口１７よりＨｇガス及びＣＨ４ガスをそれぞれ
Ｚｏｏ ＱＱ／ｍ及び２ （３０／ｉの流量にて導入す
ると該中間層上にダイヤモンド膜が形成できた。
体７上に蒸着し始めると層ガスの流量を１０ＣＣ／ ｈ
ｏｕｒの速さで減らすと共にＣＨ４ガスを１ ｃｃ／
ｈｏｕｒの速さで増やしながら導入することによりＦｅ
、 ＦｅＣｘ及びダイヤモンドから成る中間層を形成
した。斯様な中間層に詔いてはＦｅの蒸着に件ってダイ
ヤモンドの析出量が多くなっているため、かかる組成勾
配のない中間層に比べればダイヤモンド膜の基体に対す
る密着性に太き（寄与することは明白である。然る後ス
イッチ１３を第２端子１５へ導通して高周波プラズマＣ
ＶＤ法に基いて高周波型ｇ１２よりコイｋ １１１ｃ
１３．５６ ＭＥＩｚ （Ｆ）高周波電流を流すと共に
ガス導入口１７よりＨｇガス及びＣＨ４ガスをそれぞれ
Ｚｏｏ ＱＱ／ｍ及び２ （３０／ｉの流量にて導入す
ると該中間層上にダイヤモンド膜が形成できた。
かくして得られたダイヤモンド被膜部材番こついて実施
例１で述べた引掻き硬さの測定を行ったところ、ダイヤ
モンド圧子の荷重が２０に９までは何ら疵が出来なかっ
た。
例１で述べた引掻き硬さの測定を行ったところ、ダイヤ
モンド圧子の荷重が２０に９までは何ら疵が出来なかっ
た。
然るに本実施例において前述した中間層がなくステンレ
ス基体及びダイヤモンド膜から成る比較例のダイヤモン
ド被膜部材についてはダイヤモンド圧子の荷重をｌ１ｇ
にするだけで容易に引掻き疵が発生した。
ス基体及びダイヤモンド膜から成る比較例のダイヤモン
ド被膜部材についてはダイヤモンド圧子の荷重をｌ１ｇ
にするだけで容易に引掻き疵が発生した。
〔実施例８〕
本実施例においてはマイクロ波プグズマＣＶＤ法に基い
て石英基体１上に第４図に示すような第１中間層３ａ、
第２中間層３ｂ、第３中間層３Ｃ及び第４中間層３ｄを
介在させて成るダイヤモンド被膜部材を製作した。
て石英基体１上に第４図に示すような第１中間層３ａ、
第２中間層３ｂ、第３中間層３Ｃ及び第４中間層３ｄを
介在させて成るダイヤモンド被膜部材を製作した。
即ち、本実施例に詔いては２．４５０Ｈ！Ｚのマイクロ
波を用いて成膜するに当って、初めにＳｉＨ４ガス、０
ｇガス及びかガスをそれぞれ１０００７ｍ、 ３ ＱＣ
３／ｉ及び８０ ｃｃ／ｇの流量にて導入してプラズマ
を発生させ、続けて０８ガスをＩＣＣ／ｉに減らして石
英基体１上にＳｉＯ＋とＳｌから成って２段階の組成か
ら成る第１中間゛層３ａを形成した。次いで０２ガスの
導入を止めてＳ［＋ガス及びＨ！層ガスそれぞれ５ＱＣ
３／ｍ及び１００ （３Ｃ３／ｉの流量に導入してプラ
ズマを発生させ、Ｓｌから成る第２中間層３ｂを形成し
、更にこれよりＣＨ４ガスを漸次増やして８１とＳＩＣ
から成る第３中間層３ｃを、続けて１時間後に５ｉＨｓ
ガス及びＣＨ４ガスの流量をそれぞれ５００／＋＋ｉ及
び７０Ｑ／ｍになるまて増やして層形成に伴ってダイヤ
モンドの析出量を多くしてダイヤモンドとＳＩＣから成
る第４中間層３ｄを形成した。然る後、ＳｉＨ＋ガスの
導入を止めてＨ１１ガス及びＣＨ４ガスをそれぞれ１０
０ ＱＱ／ｍ及びｌ ＱＱ／ｍ１ｐＨの流量にて導入し
プラズマを発生させるとダイヤモンド膜２が形成した。
波を用いて成膜するに当って、初めにＳｉＨ４ガス、０
ｇガス及びかガスをそれぞれ１０００７ｍ、 ３ ＱＣ
３／ｉ及び８０ ｃｃ／ｇの流量にて導入してプラズマ
を発生させ、続けて０８ガスをＩＣＣ／ｉに減らして石
英基体１上にＳｉＯ＋とＳｌから成って２段階の組成か
ら成る第１中間゛層３ａを形成した。次いで０２ガスの
導入を止めてＳ［＋ガス及びＨ！層ガスそれぞれ５ＱＣ
３／ｍ及び１００ （３Ｃ３／ｉの流量に導入してプラ
ズマを発生させ、Ｓｌから成る第２中間層３ｂを形成し
、更にこれよりＣＨ４ガスを漸次増やして８１とＳＩＣ
から成る第３中間層３ｃを、続けて１時間後に５ｉＨｓ
ガス及びＣＨ４ガスの流量をそれぞれ５００／＋＋ｉ及
び７０Ｑ／ｍになるまて増やして層形成に伴ってダイヤ
モンドの析出量を多くしてダイヤモンドとＳＩＣから成
る第４中間層３ｄを形成した。然る後、ＳｉＨ＋ガスの
導入を止めてＨ１１ガス及びＣＨ４ガスをそれぞれ１０
０ ＱＱ／ｍ及びｌ ＱＱ／ｍ１ｐＨの流量にて導入し
プラズマを発生させるとダイヤモンド膜２が形成した。
かくして得られたダイヤモンド被膜部材について実施例
１で述べた引掻き硬さの測定を行ったところ、ダイヤモ
ンド圧子の荷重を５０ｋｇにしても全く疵が出来なかっ
た。
１で述べた引掻き硬さの測定を行ったところ、ダイヤモ
ンド圧子の荷重を５０ｋｇにしても全く疵が出来なかっ
た。
然るに本実施例にセいて前述した第１．第２゜第３．第
４中間層３ａ、 ３１）、 ３０．３ｄがなく、石英基
体及びダイヤモンド膜から成る比較例のダイヤモンド被
膜部材については、ダイヤモンド圧子の荷重を５ｋｇに
すると引掻き疵が発生した。
４中間層３ａ、 ３１）、 ３０．３ｄがなく、石英基
体及びダイヤモンド膜から成る比較例のダイヤモンド被
膜部材については、ダイヤモンド圧子の荷重を５ｋｇに
すると引掻き疵が発生した。
〔実施例９〕
本実施例においては高周波プラズマＯＶＤ法に基いてＡ
１Ｍ０３基体１ （ＡＪｉＯａ焼結体もしくはサファイ
アを使用した）上に第２図に示すような第１中間層３ａ
及び第２中間層３ｂを介在させて成るダイ。
１Ｍ０３基体１ （ＡＪｉＯａ焼結体もしくはサファイ
アを使用した）上に第２図に示すような第１中間層３ａ
及び第２中間層３ｂを介在させて成るダイ。
ヤモンド被膜部材を製作した。
即ち、本実施例にぶいては実施例１と同様に１３゜５６
ＭＨ２を用いて成膜するに当って、初めにＡＪＣ１ａ
ガス、０１ガス、Ｈｇガス及びＣＨ４ガスをそれぞれ１
０００／ｗｉｎ、５００７ｍ、 １００ ＱＱ／ｗｉｎ
及び１００／ｍの流量にて導入してプラズマを発生させ
、ＡｌａＯｓ基体表面にＡ１９０ｇ、とＡＪＣＸから成
る第１中間層３ａを形成した。次いでＯＩ！ガスを徐々
に減らすと共にＣＨ４ガスを徐々に増やしながら、Ａｌ
Ｃｌ３ガスを徐々に減らしてＡｌＣｌ３ガス、０ｇガス
及びＣＨ４ガスのそれぞれの流量を３ ｃｃ／ｍ、 ２
ｃｃ／＝及び２００／ｌｉｎとしてＡｊ＋０３． ｋ
ｌｃｘ及びダイー？モアＦから成る第２中間！ｆ！４３
ｂを形成した。然る後Ｈ１！ガス及びＣＨ４がスをそれ
ぞれ１００ Ｃ（！／１１１１及び２ ｃＱ／ｍの流量
多こて導入するとダイヤモンド膜が形成できた。
ＭＨ２を用いて成膜するに当って、初めにＡＪＣ１ａ
ガス、０１ガス、Ｈｇガス及びＣＨ４ガスをそれぞれ１
０００／ｗｉｎ、５００７ｍ、 １００ ＱＱ／ｗｉｎ
及び１００／ｍの流量にて導入してプラズマを発生させ
、ＡｌａＯｓ基体表面にＡ１９０ｇ、とＡＪＣＸから成
る第１中間層３ａを形成した。次いでＯＩ！ガスを徐々
に減らすと共にＣＨ４ガスを徐々に増やしながら、Ａｌ
Ｃｌ３ガスを徐々に減らしてＡｌＣｌ３ガス、０ｇガス
及びＣＨ４ガスのそれぞれの流量を３ ｃｃ／ｍ、 ２
ｃｃ／＝及び２００／ｌｉｎとしてＡｊ＋０３． ｋ
ｌｃｘ及びダイー？モアＦから成る第２中間！ｆ！４３
ｂを形成した。然る後Ｈ１！ガス及びＣＨ４がスをそれ
ぞれ１００ Ｃ（！／１１１１及び２ ｃＱ／ｍの流量
多こて導入するとダイヤモンド膜が形成できた。
か（して得られたダイヤモンド被膜部材について実施例
１で述べた引掻き硬さの測定を行ったところ、ダイヤモ
ンド圧子の荷重が３０ ｋｇまでは何ら疵が出来なかっ
た。
１で述べた引掻き硬さの測定を行ったところ、ダイヤモ
ンド圧子の荷重が３０ ｋｇまでは何ら疵が出来なかっ
た。
然るに本実施例に詔いて前述した中間層がなくＡｐｊｅ
ｓ基体及びダイヤモンド膜から成る比較例のダイヤモン
ド被膜部材についてはダイヤモンド圧子の荷重を１ｋｇ
にするだけで容易に引掻き疵が発生した。
ｓ基体及びダイヤモンド膜から成る比較例のダイヤモン
ド被膜部材についてはダイヤモンド圧子の荷重を１ｋｇ
にするだけで容易に引掻き疵が発生した。
〔実施例１０〕
本実施例に詔いては実施例７と同じように平行平板型プ
ラズマ（：’ＶＤ装置を用いてスパッタリングを付した
高量波プラズマＣｖＤ法に基いてステンレス基体上に第
１図に示すような中間層３を介在させるものであるが、
実施例７との相違点はターゲットＩＣＦｅ ７４％、Ｎ
ｉ １ａ％、′Ｃｒ８％から成る合金を用いることにあ
る。即ち、ステンレス基体の材料はＦｅ以外にＮｉ、Ｃ
ｒなども構成元素としているため、中間層３にＮｉ、、
Ｏｒも含有せしめて密着性の更に一層の向上を狙うもの
である。他の製作条件を実施例７と同じにしてＦｅ、
Ｎｉ、 Ｏｒ。
ラズマ（：’ＶＤ装置を用いてスパッタリングを付した
高量波プラズマＣｖＤ法に基いてステンレス基体上に第
１図に示すような中間層３を介在させるものであるが、
実施例７との相違点はターゲットＩＣＦｅ ７４％、Ｎ
ｉ １ａ％、′Ｃｒ８％から成る合金を用いることにあ
る。即ち、ステンレス基体の材料はＦｅ以外にＮｉ、Ｃ
ｒなども構成元素としているため、中間層３にＮｉ、、
Ｏｒも含有せしめて密着性の更に一層の向上を狙うもの
である。他の製作条件を実施例７と同じにしてＦｅ、
Ｎｉ、 Ｏｒ。
ＦｅＣｘ及びダイヤモンドから成る中間層を形成し、続
けてダイヤモンド膜を形成した。
けてダイヤモンド膜を形成した。
かくして得られたダイヤモンド被膜部材について引掻き
硬さの測定を行ったところ、２５ ｋｇまでは何ら疵が
出来なかった。
硬さの測定を行ったところ、２５ ｋｇまでは何ら疵が
出来なかった。
上述した実施例から明らかな通り、本発明によればダイ
ヤモンド膜の基体に対する密着性が顕著に向上し、長寿
命且つ高信頼性のダイヤモンド被膜部材となった。これ
によって切削工具、耐摩耗部材、耐熱応力部材、耐熱衝
撃部材など過酷な条件下の使用に耐える種々の広範な用
途にも提供することができる。
ヤモンド膜の基体に対する密着性が顕著に向上し、長寿
命且つ高信頼性のダイヤモンド被膜部材となった。これ
によって切削工具、耐摩耗部材、耐熱応力部材、耐熱衝
撃部材など過酷な条件下の使用に耐える種々の広範な用
途にも提供することができる。
第１図乃至第４図は本発明に係るダイヤモンド被膜部材
の層構成を示す拡大断面図、第５図はダイヤモンド被膜
部材の引掻き硬さを測定するための試験方法を示す概略
図、第６図は平行平板型プラズマＣＶＤ装置を示す概略
図である。 ｌ−基 体 ２−ダイヤモンド膜３・−中 間
層 ３ａ−・第１中間層３ｂ−・′Ｍ２中間！ａ
３０−・第３中間層３ｄ・・・第４中間層
の層構成を示す拡大断面図、第５図はダイヤモンド被膜
部材の引掻き硬さを測定するための試験方法を示す概略
図、第６図は平行平板型プラズマＣＶＤ装置を示す概略
図である。 ｌ−基 体 ２−ダイヤモンド膜３・−中 間
層 ３ａ−・第１中間層３ｂ−・′Ｍ２中間！ａ
３０−・第３中間層３ｄ・・・第４中間層
Claims (2)
- （１）基体上に基体成分及び炭素成分を有する中間層を
介してダイヤモンド膜を形成したことを特徴とするダイ
ヤモンド被膜部材。 - （２）内部に基体が設置された反応室に基体構成元素含
有ガスと炭素含有ガスを導入して気相成長させることに
より該基体上に基体成分及び炭素成分を有する中間層を
形成し、次いで該中間層上にダイヤモンド膜を形成する
ことを特徴とするダイヤモンド被膜部材の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22867384A JPS61106494A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | ダイヤモンド被膜部材及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22867384A JPS61106494A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | ダイヤモンド被膜部材及びその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61106494A true JPS61106494A (ja) | 1986-05-24 |
| JPH0566358B2 JPH0566358B2 (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=16880017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22867384A Granted JPS61106494A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | ダイヤモンド被膜部材及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61106494A (ja) |
Cited By (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61291493A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド被覆硬質材料 |
| JPS62133068A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-16 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | ダイヤモンド被覆部材 |
| JPS63102801A (ja) * | 1986-10-21 | 1988-05-07 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ダイヤモンド工具部材 |
| JPS63182297A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-07-27 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | Ｃｖｄ法によるダイヤモンド製造のための装置及び方法 |
| JPS63241170A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-10-06 | エルンスト ヴィンター ウント ゾーン（ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー） | 摩耗防止層の塗布方法及びこの方法にしたがって生産される生産物 |
| JPS63262467A (ja) * | 1987-04-18 | 1988-10-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質ダイヤモンド状カ−ボン膜を密着良く形成する方法 |
| JPS63307196A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-14 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンド多層薄膜及びその製造方法 |
| JPS643098A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-06 | Nec Corp | Production of diamond single crystal film |
| JPH01132779A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-25 | Nikon Corp | 硬質炭素膜被覆を施した金属基体 |
| JPH01138198A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-05-31 | Nec Corp | ダイヤモンド膜の製造方法 |
| JPH01201480A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-08-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド被覆水素脆性金属の製造方法 |
| JPH01201476A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-14 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ダイヤモンド膜付超硬合金の製造方法 |
| JPH01246118A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 高耐熱性の複合炭素被膜及びその作製方法 |
| JPH01275759A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-06 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ダイヤモンド薄膜付き超硬合金およびその製造方法 |
| JPH02501490A (ja) * | 1987-08-24 | 1990-05-24 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 耐摩耗性プラスチック物品の製造法 |
| JPH02175694A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-06 | Aisin Seiki Co Ltd | ダイヤモンドコーティング方法 |
| US5043219A (en) * | 1989-01-20 | 1991-08-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Composite material |
| JPH03199376A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-08-30 | Shimadzu Corp | 硬質カーボン膜形成方法 |
| JPH03215393A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-09-20 | Fujitsu Ltd | ダイヤモンド膜及びその製造方法 |
| WO1991014572A1 (en) * | 1990-03-20 | 1991-10-03 | Diamonex, Incorporated | Diamond-on-a-substrate for electronic applications |
| WO1992005951A1 (en) * | 1990-09-27 | 1992-04-16 | Diamonex, Incorporated | Abrasion wear resistant coated substrate product |
| WO1992006843A1 (en) * | 1990-10-18 | 1992-04-30 | Diamonex, Incorporated | Abrasion wear resistant polymeric substrate product |
| US5114745A (en) * | 1989-05-31 | 1992-05-19 | Jones Barbara L | Method of producing a thin carbide layer on a carbon substrate, growing a diamond or diamond-like film on the carbide layer, and removing the carbon substrate |
| US5147687A (en) * | 1991-05-22 | 1992-09-15 | Diamonex, Inc. | Hot filament CVD of thick, adherent and coherent polycrystalline diamond films |
| US5206083A (en) * | 1989-09-18 | 1993-04-27 | Cornell Research Foundation, Inc. | Diamond and diamond-like films and coatings prepared by deposition on substrate that contain a dispersion of diamond particles |
| US5225275A (en) * | 1986-07-11 | 1993-07-06 | Kyocera Corporation | Method of producing diamond films |
| JPH05311443A (ja) * | 1991-03-26 | 1993-11-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ダイヤモンドコーティング部材作製方法 |
| US5272009A (en) * | 1988-10-21 | 1993-12-21 | Battelle Memorial Institute | Laminate material and its use as heat-sink |
| US5310596A (en) * | 1990-08-10 | 1994-05-10 | Norton Company | Multi-layer superhard film structure |
| US5318836A (en) * | 1989-06-15 | 1994-06-07 | Ngk Spark Plug Company Limited | Diamond-coated body |
| US5328761A (en) * | 1990-10-05 | 1994-07-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond-coated hard material, throwaway insert and a process for the production thereof |
| US5334453A (en) * | 1989-12-28 | 1994-08-02 | Ngk Spark Plug Company Limited | Diamond-coated bodies and process for preparation thereof |
| US5378527A (en) * | 1991-02-15 | 1995-01-03 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Carbon film coated glass |
| US5391422A (en) * | 1991-02-18 | 1995-02-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond- or Diamond-like carbon-coated hard materials |
| US5462772A (en) * | 1957-06-27 | 1995-10-31 | Lemelson; Jerome H. | Methods for forming artificial diamond |
| US5527596A (en) * | 1990-09-27 | 1996-06-18 | Diamonex, Incorporated | Abrasion wear resistant coated substrate product |
| US5616372A (en) * | 1995-06-07 | 1997-04-01 | Syndia Corporation | Method of applying a wear-resistant diamond coating to a substrate |
| US5637353A (en) * | 1990-09-27 | 1997-06-10 | Monsanto Company | Abrasion wear resistant coated substrate product |
| US5688557A (en) * | 1995-06-07 | 1997-11-18 | Lemelson; Jerome H. | Method of depositing synthetic diamond coatings with intermediates bonding layers |
| US5714202A (en) * | 1995-06-07 | 1998-02-03 | Lemelson; Jerome H. | Synthetic diamond overlays for gas turbine engine parts having thermal barrier coatings |
| US5740941A (en) * | 1993-08-16 | 1998-04-21 | Lemelson; Jerome | Sheet material with coating |
| US5869133A (en) * | 1991-05-01 | 1999-02-09 | General Electric Company | Method of producing articles by chemical vapor deposition and the support mandrels used therein |
| US5871805A (en) * | 1996-04-08 | 1999-02-16 | Lemelson; Jerome | Computer controlled vapor deposition processes |
| US6083570A (en) * | 1987-03-31 | 2000-07-04 | Lemelson; Jerome H. | Synthetic diamond coatings with intermediate amorphous metal bonding layers and methods of applying such coatings |
| US6465057B1 (en) | 1995-09-13 | 2002-10-15 | Nissin Electric Co., Ltd. | Plasma CVD method and apparatus |
| US6904935B2 (en) | 2002-12-18 | 2005-06-14 | Masco Corporation Of Indiana | Valve component with multiple surface layers |
| EP1391926A4 (en) * | 2001-05-30 | 2006-10-18 | Tokuyama Corp | COOLING BODY AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE |
| US7269889B2 (en) | 2001-09-11 | 2007-09-18 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a magnetic head |
| JP2007314838A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 炭素膜の製造方法 |
| CN102198523A (zh) * | 2010-03-26 | 2011-09-28 | 三菱综合材料株式会社 | 金刚石包覆切削工具 |
| US9909677B2 (en) | 2002-12-18 | 2018-03-06 | Delta Faucet Company | Faucet component with coating |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58126972A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド被覆超硬合金工具 |
| JPS58213872A (ja) * | 1982-06-07 | 1983-12-12 | Ulvac Corp | 炭素膜の形成方法 |
| JPS5993869A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドを含有する硬質層被覆構造物 |
| JPS59182300A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-17 | Mitsubishi Metal Corp | ダイヤモンドの気相合成法 |
| JPS59184791A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-20 | Mitsubishi Metal Corp | ダイヤモンドの気相合成法 |
-
1984
- 1984-10-29 JP JP22867384A patent/JPS61106494A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58126972A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド被覆超硬合金工具 |
| JPS58213872A (ja) * | 1982-06-07 | 1983-12-12 | Ulvac Corp | 炭素膜の形成方法 |
| JPS5993869A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドを含有する硬質層被覆構造物 |
| JPS59182300A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-17 | Mitsubishi Metal Corp | ダイヤモンドの気相合成法 |
| JPS59184791A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-20 | Mitsubishi Metal Corp | ダイヤモンドの気相合成法 |
Cited By (59)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5462772A (en) * | 1957-06-27 | 1995-10-31 | Lemelson; Jerome H. | Methods for forming artificial diamond |
| JPS61291493A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド被覆硬質材料 |
| JPS62133068A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-16 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | ダイヤモンド被覆部材 |
| JPH0558067B2 (ja) * | 1985-12-03 | 1993-08-25 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | |
| US5225275A (en) * | 1986-07-11 | 1993-07-06 | Kyocera Corporation | Method of producing diamond films |
| JPS63102801A (ja) * | 1986-10-21 | 1988-05-07 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ダイヤモンド工具部材 |
| JPS63182297A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-07-27 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | Ｃｖｄ法によるダイヤモンド製造のための装置及び方法 |
| JPH0472798B2 (ja) * | 1986-12-22 | 1992-11-19 | Gen Electric | |
| JPS63241170A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-10-06 | エルンスト ヴィンター ウント ゾーン（ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー） | 摩耗防止層の塗布方法及びこの方法にしたがって生産される生産物 |
| US6083570A (en) * | 1987-03-31 | 2000-07-04 | Lemelson; Jerome H. | Synthetic diamond coatings with intermediate amorphous metal bonding layers and methods of applying such coatings |
| JPS63262467A (ja) * | 1987-04-18 | 1988-10-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質ダイヤモンド状カ−ボン膜を密着良く形成する方法 |
| JPS63307196A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-14 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンド多層薄膜及びその製造方法 |
| JPS643098A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-06 | Nec Corp | Production of diamond single crystal film |
| JPH0527599B2 (ja) * | 1987-06-25 | 1993-04-21 | Nippon Electric Co | |
| JPH02501490A (ja) * | 1987-08-24 | 1990-05-24 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 耐摩耗性プラスチック物品の製造法 |
| JPH01201480A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-08-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド被覆水素脆性金属の製造方法 |
| JPH01132779A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-25 | Nikon Corp | 硬質炭素膜被覆を施した金属基体 |
| JPH01138198A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-05-31 | Nec Corp | ダイヤモンド膜の製造方法 |
| JPH0534319B2 (ja) * | 1987-11-26 | 1993-05-21 | Nippon Electric Co | |
| JPH01201476A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-14 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ダイヤモンド膜付超硬合金の製造方法 |
| JPH01246118A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 高耐熱性の複合炭素被膜及びその作製方法 |
| JPH01275759A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-06 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ダイヤモンド薄膜付き超硬合金およびその製造方法 |
| US5272009A (en) * | 1988-10-21 | 1993-12-21 | Battelle Memorial Institute | Laminate material and its use as heat-sink |
| JPH02175694A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-06 | Aisin Seiki Co Ltd | ダイヤモンドコーティング方法 |
| US5043219A (en) * | 1989-01-20 | 1991-08-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Composite material |
| US5114745A (en) * | 1989-05-31 | 1992-05-19 | Jones Barbara L | Method of producing a thin carbide layer on a carbon substrate, growing a diamond or diamond-like film on the carbide layer, and removing the carbon substrate |
| US5318836A (en) * | 1989-06-15 | 1994-06-07 | Ngk Spark Plug Company Limited | Diamond-coated body |
| US5206083A (en) * | 1989-09-18 | 1993-04-27 | Cornell Research Foundation, Inc. | Diamond and diamond-like films and coatings prepared by deposition on substrate that contain a dispersion of diamond particles |
| JPH03199376A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-08-30 | Shimadzu Corp | 硬質カーボン膜形成方法 |
| US5334453A (en) * | 1989-12-28 | 1994-08-02 | Ngk Spark Plug Company Limited | Diamond-coated bodies and process for preparation thereof |
| JPH03215393A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-09-20 | Fujitsu Ltd | ダイヤモンド膜及びその製造方法 |
| WO1991014572A1 (en) * | 1990-03-20 | 1991-10-03 | Diamonex, Incorporated | Diamond-on-a-substrate for electronic applications |
| US5310596A (en) * | 1990-08-10 | 1994-05-10 | Norton Company | Multi-layer superhard film structure |
| US5527596A (en) * | 1990-09-27 | 1996-06-18 | Diamonex, Incorporated | Abrasion wear resistant coated substrate product |
| US5637353A (en) * | 1990-09-27 | 1997-06-10 | Monsanto Company | Abrasion wear resistant coated substrate product |
| WO1992005951A1 (en) * | 1990-09-27 | 1992-04-16 | Diamonex, Incorporated | Abrasion wear resistant coated substrate product |
| US5635245A (en) * | 1990-09-27 | 1997-06-03 | Monsanto Company | Process of making abrasion wear resistant coated substrate product |
| US5844225A (en) * | 1990-09-27 | 1998-12-01 | Monsanto Company | Abrasion wear resistant coated substrate product |
| US5135808A (en) * | 1990-09-27 | 1992-08-04 | Diamonex, Incorporated | Abrasion wear resistant coated substrate product |
| US5328761A (en) * | 1990-10-05 | 1994-07-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond-coated hard material, throwaway insert and a process for the production thereof |
| WO1992006843A1 (en) * | 1990-10-18 | 1992-04-30 | Diamonex, Incorporated | Abrasion wear resistant polymeric substrate product |
| US5378527A (en) * | 1991-02-15 | 1995-01-03 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Carbon film coated glass |
| US5391422A (en) * | 1991-02-18 | 1995-02-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond- or Diamond-like carbon-coated hard materials |
| JPH05311443A (ja) * | 1991-03-26 | 1993-11-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ダイヤモンドコーティング部材作製方法 |
| US5869133A (en) * | 1991-05-01 | 1999-02-09 | General Electric Company | Method of producing articles by chemical vapor deposition and the support mandrels used therein |
| US5147687A (en) * | 1991-05-22 | 1992-09-15 | Diamonex, Inc. | Hot filament CVD of thick, adherent and coherent polycrystalline diamond films |
| US5740941A (en) * | 1993-08-16 | 1998-04-21 | Lemelson; Jerome | Sheet material with coating |
| US5794801A (en) * | 1993-08-16 | 1998-08-18 | Lemelson; Jerome | Material compositions |
| US5714202A (en) * | 1995-06-07 | 1998-02-03 | Lemelson; Jerome H. | Synthetic diamond overlays for gas turbine engine parts having thermal barrier coatings |
| US5616372A (en) * | 1995-06-07 | 1997-04-01 | Syndia Corporation | Method of applying a wear-resistant diamond coating to a substrate |
| US5688557A (en) * | 1995-06-07 | 1997-11-18 | Lemelson; Jerome H. | Method of depositing synthetic diamond coatings with intermediates bonding layers |
| US6465057B1 (en) | 1995-09-13 | 2002-10-15 | Nissin Electric Co., Ltd. | Plasma CVD method and apparatus |
| US5871805A (en) * | 1996-04-08 | 1999-02-16 | Lemelson; Jerome | Computer controlled vapor deposition processes |
| EP1391926A4 (en) * | 2001-05-30 | 2006-10-18 | Tokuyama Corp | COOLING BODY AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE |
| US7269889B2 (en) | 2001-09-11 | 2007-09-18 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a magnetic head |
| US6904935B2 (en) | 2002-12-18 | 2005-06-14 | Masco Corporation Of Indiana | Valve component with multiple surface layers |
| US9909677B2 (en) | 2002-12-18 | 2018-03-06 | Delta Faucet Company | Faucet component with coating |
| JP2007314838A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 炭素膜の製造方法 |
| CN102198523A (zh) * | 2010-03-26 | 2011-09-28 | 三菱综合材料株式会社 | 金刚石包覆切削工具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0566358B2 (ja) | 1993-09-21 |
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