JPS5993869A - ダイヤモンドを含有する硬質層被覆構造物 - Google Patents

ダイヤモンドを含有する硬質層被覆構造物

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JPS5993869A
JPS5993869A JP20200682A JP20200682A JPS5993869A JP S5993869 A JPS5993869 A JP S5993869A JP 20200682 A JP20200682 A JP 20200682A JP 20200682 A JP20200682 A JP 20200682A JP S5993869 A JPS5993869 A JP S5993869A
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JP
Japan
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diamond
phase
base material
hard
coating
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JP20200682A
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JPH0583634B2 (ja
Inventor
Akira Doi
陽 土居
Naoharu Fujimori
直治 藤森
Takeshi Yoshioka
剛 吉岡
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ)発明の目的 本発明はダイヤモンド又はダイヤモンド状炭素相と金属
または硬質無機化合物の混合体(一般にはサーメフトと
呼ばれ、超硬合金も広義には含まれる)との混合相から
成る超硬質の耐摩耗性に優れしかも基材との密着性の良
い被覆を提供するものである。
口) 技術の背景 ダイヤモンド又は擬似ダイヤモンドの気相合成は数十年
に亘り各国で研究されている。
近年になり、研究が進みスローアウエイテンフヤφ50
期の程度の大きさの81ウエハーの表面にも気相蒸着出
来る様になって来ている。
この様なダイヤモンドもしくはダイヤモンド状薄膜は天
然ダイヤモンドや人工ダイヤモンドと同様の物性を有す
るため、半導体素子として、また金属部品の絶縁膜とし
て、更にけ太陽電池やレーザ発振ダイオードのパンシベ
ーション膜として有望視されている。
−万、切削用途や耐摩用途の工具の表面や1ii7j質
摺動部品の表面に、上記の膜を形成させる事により耐摩
耗性を改善する試みも成されているが、金属や無機化合
物で構成される上記製品母材の表面に、密着性良く、シ
かも厚い被覆を設ける事が難かしい為、成功例は全く認
められないのが現状である。例えば単に気相蒸着するだ
けでは、機械的にSiCの砥粒などで摺ると容易に剥離
するし、2〜5μm以上の厚みになると膜内の応力で破
壊しスゲ−リングを生じ結局剥離してしまう。
ハ) 発明の開示 本発明は、耐摩用途を対象として、超硬質膜を基材表面
へ気相蒸着するに際し、ダイヤモンド又は擬似ダイヤモ
ンドを含有する超硬質膜を密着性良く基材に被覆した部
品を提供することを目的とするものである。
本発明に於てはまず基材(又は母材)として、元々、そ
れ単独でも耐摩部品として使用される金属や金属と硬質
無機金属化合物の分散相から成る混合体を用いる。その
理由は基材に成る程度以上の剛性又は硬度が無けれれそ
の上に被覆する超硬質膜が外部からの荷重が加えられた
場合に基材の変形に追随出来ず破壊する現象が著しくな
る為である。該金属としてはCo、Ni等が挙げられる
硬質無機金属化合物としては11/a s V a s
 Vla族の元素の炭化物、窒化物、炭窒化物、炭酸窒
化物、硼化物及びこれらの固溶体であり、その具体例と
してはTtc、 Tag、 lJo、C,WC。
TlN 、 TaN5TiCN 、 TiB2、Tie
、 、 TiBN等が挙げられる。
更に本発明では、母料上へ被覆を行う超硬質膜が単−相
から成るのでなくダイヤモンド又はダイヤモンド状(擬
似ダイヤモンド)相が膜全体の50体積−以上95に@
Z以下を占め、残部(基体金属)が鉄系金属又は無機硬
質金属化合物(所謂、広義の意味でのサーメット)から
成る事が特徴である。ダイヤモンド状相は炭化水素のプ
ラズマ中での分解物を蒸着することにより得られ、その
性質はダイヤモンドと酷似している。
上記無機硬質金属化合物は、実施例に示す様な■、■、
■族金属のB%C,N、Qとの化合物が望ましいがこれ
以外のSiC,Si、N、等でも良い。
ダイヤモンド相(擬似ダイヤモンド相を含む)が膜全体
の50体積−より少なければそれと共存する他の相のみ
から成る@に比べて飛躍的な耐摩耗性(或いは硬さ)の
向上が見られず、逆に95体積チより多くなると、他相
の木槽古有比率が511より少なくなりその結果、膜の
内部歪が増大し膜がスy−ルし易くなると共に、膜と母
材との密着性も低下してしまう。
最後に膜の強靭性と基板に対する密着性を一段と改善し
、更に膜内に発生する内部応力を抑える為には、原料ガ
スの濃度(反応条件下での過飽和度)、反応温度、蒸着
法(CVD。
PVD )によりダイヤモンド相の形状を適宜変えるこ
と、例えばダイヤモンド相を10μm以下の径の粒状と
するか、或いはダイヤモンド相を柱状に(母材表面に対
し垂直に)母材から成長させ、しかもその断面積を1×
10−4m2以下とする事がより好ましい事が実験の結
果、判明した。
以下実施例により本発明の詳細な説明する。
実施例1 ダイス鋼上にイオンビームデボジョン法によってTiC
被覆を行なった。尚この時TiC被覆と同時に、同じく
イオンビームデポジション法により間歇的にダイヤモン
ドを構成させながらダイヤモンド含有型710層を基材
上に密着性良く生成せしめた。
本発明品を、ダイヤモンドの間歇イオンビームデボジョ
ン法ンさない単なるTiC被覆材と耐摩耗性の比較を行
なった。比較法としては500℃において外径10藺φ
のステンレス丸棒をこすり合わせる方法を採用し念。こ
すり合わせる条件としては、圧カニ10に9/端2、速
度=2.5m/5ec(往復運動)、時間24時間を採
用した。この結果、本発明品が006脳の摩耗深さであ
ったのに対し比較品は0.28 mの摩耗深さであった
尚、試験終了後本発明について走査電子顕微鏡(SE)
JJ及びX線回析により被覆相を詳細に解析したところ
、被覆相には、TiCに混じって2〜5μmのダイヤモ
ンド粒子が体積率にて45チ稈度混入していることが判
明した。
実施例2 超硬合金上に公知手法であるP−CVD(プラズ?CV
DJ法により: 700℃、5 hrのSiC被覆を行
ない2.5μmのSiC層を生成させた。尚、同じ< 
P−CVD法により、同様の条件下で母材である超硬合
金上にSiCを蒸着しつつダイヤモンドをもP−CVD
法にて母材上に同時蒸着せしめ5iC−ダイヤモンド複
合体を母材上に生成せしめた。
この両者を実施例1と同様の耐摩耗テストに供したとこ
ろ、本発明品(後者)の摩耗深さは0、 O45wxで
あったのに対し、ダイヤモンドを含まない従来品(前者
)け0.078mの摩耗を示した。
尚、試験終了後、本発明品についてSEM及びX線回折
により被覆層を詳細に観察したところ、被覆層はSiC
層中に約5X10’″61R2程度の底面をもつ六角柱
らしきダイヤモンドの柱状相が体積率にして約60%観
察できた6 実施例6 種々なる母材上[CVD、PVD等の気相蒸着法を用い
てメタルもしくけ(IVa、Va、■a)(B、C,N
、 O)もしくはSiC,Si、N4等の基体金属と共
にダイヤモンド相を被覆させた。これら各種被覆材に対
して、実施例1と同様のこすり合わせ法により各被覆相
の耐摩耗性及び母材との密着性を調査した結果を第1表
に示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 fl)  母材上に硬質耐摩耗性被膜を形成した構造物
    において、該被膜の50体積%〜95体積チをダイヤモ
    ンドもしくけダイヤモンド状の相が占め、残部を鉄属金
    属または無機硬質金属化合物が占めたダイヤモンドを含
    有する硬質被膜で母材表面を被覆した構造物。 (2)  硬質被膜におけるダイヤモンドもしくけダイ
    ヤモンド状の相が10μm以下の径の粒子であって、ダ
    イヤモンドもL〈けダイヤモンド状の相思外で被膜を構
    成する他相に対し5次元的に分散して存在している特許
    請求の範囲1記載の構造物。 (3)  硬質被膜におけるダイヤモンドもしくはダイ
    ヤモンド状の相が、柱状に母材表面から成長[、−1そ
    の柱状相の面積の殆んどが+x+o−’gi12以下で
    ある特許請求の範囲1記載の構造物。 (4) 硬質被膜が気相蒸着法により合成されたもので
    ある特許請求の範囲1記載の構造物。
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