JPH03215393A - ダイヤモンド膜及びその製造方法 - Google Patents
ダイヤモンド膜及びその製造方法Info
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- JPH03215393A JPH03215393A JP646690A JP646690A JPH03215393A JP H03215393 A JPH03215393 A JP H03215393A JP 646690 A JP646690 A JP 646690A JP 646690 A JP646690 A JP 646690A JP H03215393 A JPH03215393 A JP H03215393A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
基板上にダイヤモンド結晶層の形成されたダイヤモンド
膜及びその製造方法の改良、特に、基板とダイヤモンド
結晶層との密着力を向上する改良に関し、 基板上に高い密着力をもって気相合成ダイヤモンド結晶
層の形成されたダイヤモンド膜とその製造方法とを捷供
することを目的とし、 基板上にダイヤモンド粒子とマトリックス材とを含有す
る中間層の複数層よりなる積層体が形成されており、こ
の積層体を構成する各中間層に含有されるダイヤモンド
粒子の単位体積当り含有量は、前記の基板から離隔した
層において、より大きくされており、前記の積層体上に
ダイヤモンド結晶層が形成されているダイヤモンド膜を
もって構成される． 〔産業上の利用分野〕 本発明は、基板上にダイヤモンド結晶層の形成されたダ
イヤモンド膜及びその製′造方法の改良に関する．特に
、基板とダイヤモンド結晶層との密着力を向上する改良
に関する． 〔従来の技術］ ダイヤモンドはビッカース硬度が１ ０，０００であっ
て、地球上において最も硬い材料であり、また、ヤング
率も高く耐摩耗性、化学的安定性の面でも優れた材料で
ある．そのため、ダイヤモンドは工具材料としてハイテ
ク産業分野において必要不可欠な材料であり、また、ダ
イヤモンド膜は、耐摩耗性コーティング、スビーカの振
動板、光学部品の透明コーティング等への応用が期待さ
れている． 従来のダイヤモンド膜の製造方法としては、化学気相成
長法（以下、ＣＶＤ法と云う．）を使用して、基板上に
直接ダイヤモンド結晶層を形成する方法、基板を構成す
る成分の炭化物よりなる中間層を基板とダイヤモンド結
晶層との間に介在させる方法、基板表面を粗面化してそ
の上にダイヤモンド結晶層を形成する方法が知られてい
る．〔発明が解決しようとする課題〕 ところで、基板上に直接気相合成ダイヤモンド結晶層を
形成する方法は、基板との密着力が極めて小さいという
問題がある．また、基板上に、基板を構成する成分の炭
化物等よりなる中間層を形成し、その上にダイヤモンド
結晶層を形成する方法については、未だ満足すべき結果
は得られていない．さらにまた、基板の表面を粗面化し
、アンカー効果を利用して機械的にダイヤモンド結晶層
の密着力を高める方法については、従来のダイヤモンド
気相合成法は核発生密度、製膜迷度が共に低いため、ダ
イヤモンド結晶が粗面化している基板表面の凹部に良好
に埋め込まれず、十分なアンカー効果が得られていない
． 本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、基板
上に高い密着力をもって気相合成ダイヤモンド結晶層の
形成されたダイヤモンド膜とその製造方法とを提供する
ことにある． 〔課題を解決するための手段〕 上記の目的は、基板（１）上にダイヤモンド粒子とマト
リックス材とを含有する中間層（２ｎ）の複数層よりな
る積層体（２）が形成されており、この積層体（２）を
構成する各中間層（２ｎ）に含有されるダイヤモンド粒
子の単位体積当り含有量は、前記の基板（１）から離隔
した層においてより大きくされており、前記の積層体（
２）上にダイヤモンド結晶層（３）が形成されているダ
イヤモンド膜、及び、気相合成法を使用して、基板（１
）上にダイヤモンド結晶層（３）を形成するダイヤモン
ド膜の製造方法において、厚膜法を使用して、前記の基
板（１）上に、ダイヤモンド粒子とマトリックス材とを
含有する中間層（２ｎ）の複数層を、前記のダイヤモン
ド粒子の単位体積当り含有量を基板（１）から離隔する
にともない漸次増加させながら形成して、この中間層（
２ｎ）の積層体（２）を形成し、この積層体（２）上に
、ダイヤモンド結晶層（３）を形成する工程を有するダ
イヤモンド膜の製造方法によって達成される．なお、前
記の中間層（２ｎ）に含有させるマトリックス材は、基
板（１）との密着性に優れた成分、または、少なくとも
前記の基板（１）に含有させる成分を含有させることが
好適である。
膜及びその製造方法の改良、特に、基板とダイヤモンド
結晶層との密着力を向上する改良に関し、 基板上に高い密着力をもって気相合成ダイヤモンド結晶
層の形成されたダイヤモンド膜とその製造方法とを捷供
することを目的とし、 基板上にダイヤモンド粒子とマトリックス材とを含有す
る中間層の複数層よりなる積層体が形成されており、こ
の積層体を構成する各中間層に含有されるダイヤモンド
粒子の単位体積当り含有量は、前記の基板から離隔した
層において、より大きくされており、前記の積層体上に
ダイヤモンド結晶層が形成されているダイヤモンド膜を
もって構成される． 〔産業上の利用分野〕 本発明は、基板上にダイヤモンド結晶層の形成されたダ
イヤモンド膜及びその製′造方法の改良に関する．特に
、基板とダイヤモンド結晶層との密着力を向上する改良
に関する． 〔従来の技術］ ダイヤモンドはビッカース硬度が１ ０，０００であっ
て、地球上において最も硬い材料であり、また、ヤング
率も高く耐摩耗性、化学的安定性の面でも優れた材料で
ある．そのため、ダイヤモンドは工具材料としてハイテ
ク産業分野において必要不可欠な材料であり、また、ダ
イヤモンド膜は、耐摩耗性コーティング、スビーカの振
動板、光学部品の透明コーティング等への応用が期待さ
れている． 従来のダイヤモンド膜の製造方法としては、化学気相成
長法（以下、ＣＶＤ法と云う．）を使用して、基板上に
直接ダイヤモンド結晶層を形成する方法、基板を構成す
る成分の炭化物よりなる中間層を基板とダイヤモンド結
晶層との間に介在させる方法、基板表面を粗面化してそ
の上にダイヤモンド結晶層を形成する方法が知られてい
る．〔発明が解決しようとする課題〕 ところで、基板上に直接気相合成ダイヤモンド結晶層を
形成する方法は、基板との密着力が極めて小さいという
問題がある．また、基板上に、基板を構成する成分の炭
化物等よりなる中間層を形成し、その上にダイヤモンド
結晶層を形成する方法については、未だ満足すべき結果
は得られていない．さらにまた、基板の表面を粗面化し
、アンカー効果を利用して機械的にダイヤモンド結晶層
の密着力を高める方法については、従来のダイヤモンド
気相合成法は核発生密度、製膜迷度が共に低いため、ダ
イヤモンド結晶が粗面化している基板表面の凹部に良好
に埋め込まれず、十分なアンカー効果が得られていない
． 本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、基板
上に高い密着力をもって気相合成ダイヤモンド結晶層の
形成されたダイヤモンド膜とその製造方法とを提供する
ことにある． 〔課題を解決するための手段〕 上記の目的は、基板（１）上にダイヤモンド粒子とマト
リックス材とを含有する中間層（２ｎ）の複数層よりな
る積層体（２）が形成されており、この積層体（２）を
構成する各中間層（２ｎ）に含有されるダイヤモンド粒
子の単位体積当り含有量は、前記の基板（１）から離隔
した層においてより大きくされており、前記の積層体（
２）上にダイヤモンド結晶層（３）が形成されているダ
イヤモンド膜、及び、気相合成法を使用して、基板（１
）上にダイヤモンド結晶層（３）を形成するダイヤモン
ド膜の製造方法において、厚膜法を使用して、前記の基
板（１）上に、ダイヤモンド粒子とマトリックス材とを
含有する中間層（２ｎ）の複数層を、前記のダイヤモン
ド粒子の単位体積当り含有量を基板（１）から離隔する
にともない漸次増加させながら形成して、この中間層（
２ｎ）の積層体（２）を形成し、この積層体（２）上に
、ダイヤモンド結晶層（３）を形成する工程を有するダ
イヤモンド膜の製造方法によって達成される．なお、前
記の中間層（２ｎ）に含有させるマトリックス材は、基
板（１）との密着性に優れた成分、または、少なくとも
前記の基板（１）に含有させる成分を含有させることが
好適である。
基板材料とマトリックス材との組み合わせの例を以下に
示す． ｎ ヱ」』」ＣとＬ捗Ｍ ｏ
Ｔ ｉ ／ Ａ １合金Ｗ Ｃ ／ Ｃ
ｏ合金 Ｃｏ ＡｆｆｉＮ ＡｆｆｉＮＳｉＣ
ＳｉＣ また、前記のダイヤモンド結晶層（３）を形成する方法
は、ＤＣプラズマジェットＣＶＤ法、または、ＲＦ熱プ
ラズマＣＶＤ法、または、燃焼炎法であることが好適で
ある． 〔作用〕 本発明に係るダイヤモンド膜及びその製造方法において
は、第１図に示すように、基板ｌとダイヤモンド結晶層
３との間に、基板１との密着力の高い成分を含むマトリ
ックス材とダイヤモンド粒子４とを含有する中間層２ｎ
の複数層よりなる積層体２が形成され、しかも、中間層
２ｎに含まれるダイヤモンド粒子４の単位体積当りの含
有量は、基板１から離隔するにともない漸次増加するよ
うに形成されているので、積層体２はマトリックス材５
を介して基板１と良好に密着し、しかも、積層体２の表
面ばほ＼ダイヤモンド粒子４で覆われるようになるので
、その上に形成されるダイヤモンド結晶層３との密着強
度は極めて大きくなる．〔実施例〕 以下、図面を参照しつー、本発明のダイヤモンド膜及び
その製造方法に係る四つの実施例について説明する． ｌＬｊ外 第２図参照 １例として、２０ｍ角、５ｍ厚のモリブデン基板ｌ上に
ダイヤモンド結晶層３を形成する場合について説明する
． 平均粒径が２ｎのチタンーアルミニウム合金の粉末より
なるマトリックス材と平均粒径が１Ｏｎの高圧合成ダイ
ヤモンド粒子と有機ノ＜インダとしてのＰＭＭＡ （ポ
リ・メタクリル酸アクリレート）と溶剤とを混練して３
種類の組成を有するペーストを作成する．３種類のペー
ストに含まれるマトリックス材とダイヤモンド粒子との
混合比率はそれぞれ１：１、１：２、及び、１：４とす
る．これら３種類のペーストを、ダイヤモンド粒子の混
合比率の一番小さいペーストから順次２０ｕ厚づ一基板
ｌ上にスクリーン印刷法を使用して印刷し、中間層２ｌ
、２２、２３を形成する．第３図参照 窒素雰囲気中において、チタンーアルミニウム合金の融
点に近い１，５００℃の温度において１時間焼成し、基
板１上に中間層２ｌ、２２、２３の積層体２を形成する
． 次いで、表面をメカロケミカル研磨して、ダイヤモンド
粒子が表面に露出するようにする．第４図、第５図参照 第５図は、特開昭６４−３３０９６号に示されているＤ
ＣプラズマジェットＣＶＤ装置の構成図である．チャン
バ１２の中に設けられた基板ホルダ６上に中間層の積層
体２の形成された基板ｌを載置し、陽極８と陰極７（！
：の間に直流電ｓ９を使用して直流電力を供給し、原料
ガス供給口１０から供給される原料ガス、例えばメタン
と水素との混合ガスをプラズマ化し、このプラズマ化さ
れたプラズマジェット１１を基板ｌ上に照射して、第４
図に示すように、基板１上に形成された積層体２の上に
ダイヤモンド結晶層３を１００ｎ厚に形成する．前記の
工程をもって形成されたダイヤモンド結晶層３の基板ｌ
との密着強度を測定したところ、約１００ｋｇ／１３以
上の引張力でダイヤモンド結晶層３の表面に取り付けら
れた強度測定用治具が剥離してしまい、正しい測定値を
得ることはできなかったが、少なくとも１００ｋｇ／■
２以上の密着力があることが確認された．モリブデン基
板上に直接ダイヤモンド結晶層を形成した場合の密署力
は０。ｌ ｋｇ／■２以下であるので、密着力が大幅に
向上したことが確認された。
示す． ｎ ヱ」』」ＣとＬ捗Ｍ ｏ
Ｔ ｉ ／ Ａ １合金Ｗ Ｃ ／ Ｃ
ｏ合金 Ｃｏ ＡｆｆｉＮ ＡｆｆｉＮＳｉＣ
ＳｉＣ また、前記のダイヤモンド結晶層（３）を形成する方法
は、ＤＣプラズマジェットＣＶＤ法、または、ＲＦ熱プ
ラズマＣＶＤ法、または、燃焼炎法であることが好適で
ある． 〔作用〕 本発明に係るダイヤモンド膜及びその製造方法において
は、第１図に示すように、基板ｌとダイヤモンド結晶層
３との間に、基板１との密着力の高い成分を含むマトリ
ックス材とダイヤモンド粒子４とを含有する中間層２ｎ
の複数層よりなる積層体２が形成され、しかも、中間層
２ｎに含まれるダイヤモンド粒子４の単位体積当りの含
有量は、基板１から離隔するにともない漸次増加するよ
うに形成されているので、積層体２はマトリックス材５
を介して基板１と良好に密着し、しかも、積層体２の表
面ばほ＼ダイヤモンド粒子４で覆われるようになるので
、その上に形成されるダイヤモンド結晶層３との密着強
度は極めて大きくなる．〔実施例〕 以下、図面を参照しつー、本発明のダイヤモンド膜及び
その製造方法に係る四つの実施例について説明する． ｌＬｊ外 第２図参照 １例として、２０ｍ角、５ｍ厚のモリブデン基板ｌ上に
ダイヤモンド結晶層３を形成する場合について説明する
． 平均粒径が２ｎのチタンーアルミニウム合金の粉末より
なるマトリックス材と平均粒径が１Ｏｎの高圧合成ダイ
ヤモンド粒子と有機ノ＜インダとしてのＰＭＭＡ （ポ
リ・メタクリル酸アクリレート）と溶剤とを混練して３
種類の組成を有するペーストを作成する．３種類のペー
ストに含まれるマトリックス材とダイヤモンド粒子との
混合比率はそれぞれ１：１、１：２、及び、１：４とす
る．これら３種類のペーストを、ダイヤモンド粒子の混
合比率の一番小さいペーストから順次２０ｕ厚づ一基板
ｌ上にスクリーン印刷法を使用して印刷し、中間層２ｌ
、２２、２３を形成する．第３図参照 窒素雰囲気中において、チタンーアルミニウム合金の融
点に近い１，５００℃の温度において１時間焼成し、基
板１上に中間層２ｌ、２２、２３の積層体２を形成する
． 次いで、表面をメカロケミカル研磨して、ダイヤモンド
粒子が表面に露出するようにする．第４図、第５図参照 第５図は、特開昭６４−３３０９６号に示されているＤ
ＣプラズマジェットＣＶＤ装置の構成図である．チャン
バ１２の中に設けられた基板ホルダ６上に中間層の積層
体２の形成された基板ｌを載置し、陽極８と陰極７（！
：の間に直流電ｓ９を使用して直流電力を供給し、原料
ガス供給口１０から供給される原料ガス、例えばメタン
と水素との混合ガスをプラズマ化し、このプラズマ化さ
れたプラズマジェット１１を基板ｌ上に照射して、第４
図に示すように、基板１上に形成された積層体２の上に
ダイヤモンド結晶層３を１００ｎ厚に形成する．前記の
工程をもって形成されたダイヤモンド結晶層３の基板ｌ
との密着強度を測定したところ、約１００ｋｇ／１３以
上の引張力でダイヤモンド結晶層３の表面に取り付けら
れた強度測定用治具が剥離してしまい、正しい測定値を
得ることはできなかったが、少なくとも１００ｋｇ／■
２以上の密着力があることが確認された．モリブデン基
板上に直接ダイヤモンド結晶層を形成した場合の密署力
は０。ｌ ｋｇ／■２以下であるので、密着力が大幅に
向上したことが確認された。
１１■
基板ｌとしてＷ Ｃ ／ Ｃ ｏ超硬合金基板を使用し
、中間層２ｌ、２２、２３に含まれるマトリックス材と
してＣｏの粉末を使用し、焼成温度を１，４５０゜Ｃと
し、その他の条件は第１例と同一にして、基板ｌ上にダ
イヤモンド結晶層３を形成した．このときの密着力も１
００ｋｇ／閣２以上であった．Ｃｏは炭素を固溶するた
め、通常Ｃｏの上にダイヤモンド結晶層３を形成するこ
とはできない。
、中間層２ｌ、２２、２３に含まれるマトリックス材と
してＣｏの粉末を使用し、焼成温度を１，４５０゜Ｃと
し、その他の条件は第１例と同一にして、基板ｌ上にダ
イヤモンド結晶層３を形成した．このときの密着力も１
００ｋｇ／閣２以上であった．Ｃｏは炭素を固溶するた
め、通常Ｃｏの上にダイヤモンド結晶層３を形成するこ
とはできない。
そのため、ＷＣ／Ｃｏ超硬合金基板の上にダイヤモンド
結晶層を形成しても、すぐ剥離してしまうが、本願発明
の方法を使用した場合には密着力を大幅に向上すること
ができた． 』」レ医 基板ｌとしてＡｉｔＮ基板を使用し、中間層２Ｉ、２２
、２３に含まれるマトリックス材としてＡＩＮ粉末を使
用し、焼成温度を１，８００℃として、第１例と同樟に
して、中間層の積層体２を形成した後、高周波電力の供
給された高周波コイルの中を原料ガスを通過させてプラ
ズマ化し、このプラズマを基板上に照射してダイヤモン
ド結晶を気相成長するＲＦ熱プラズマＣＶＤ法（Ｓ．
Ｍａｔｓｕｓ＋ｏｔｏ， ｅｔａｌ． Ａｐｐｌ． Ｒ
ｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ５１，７３７ （１９８７）参
照）を使用して、厚さ５０．のダイヤモンド結晶層３を
形成した。このときの密着力も１００ｋｇ／■２以上で
あった． 】レＬ匠 基板１としてＳｉＣ基板を使用し、中間層２１、２２、
２３に含まれるマトリックス材としてＳｉＣ粉末を使用
し、焼成温度を１，９５０℃として、第１例と同様にし
て、中間層の積層体２を形成した後、酸素−プロピレン
の燃焼炎を使用して原料ガスを分解して、ダイヤモンド
結晶層を形成する燃焼炎法（ ’ｌ． Ｈｉｒｏｓｅ，
Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆ ＦｉｒｓｔＩｎｔｅｒ
ｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ
ｔｈｅ Ｎｅｗ ＤｉａｍｏｎｄＳｃｉｅｎｃｅ
ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ＋ Ｔｏｋｙｏ， １
９８８参照）を使用して、厚さ５０ｎのダイヤモンド結
晶層３を形成した．このときの密着力も１ ０ ０ｋｇ
／ｗ”以上であった． 〔発明の効果〕 以上説明せるとおり、本発明に係るダイヤモンド膜及び
その製造方法においては、基板とダイヤモンド結晶層と
の間に、基板との密着性の優れた成分を含有するマトリ
ックス材とダイヤモンド粒子とを含有する中間層の複数
層を、ダイヤモンド粒子の単位体積当り含有量が基板か
ら隔離するにともなって漸次増加するように形成して、
中間層の積層体を形成しているので、積層体の表面はは
りダイヤモンド粒子で覆われるため、その上に形成され
るダイヤモンド結晶層との間に１００ｋｇ／■２以上と
いう高い密着強度が得られるようになった．本発明に係
るダイヤモンド膜の製造方法を使用して、工具、治具に
ダイヤモンド被覆をした場合には、ダイヤモンド被覆無
しの場合に比べて数倍から数十倍寿命が長くなることが
期待できる．
結晶層を形成しても、すぐ剥離してしまうが、本願発明
の方法を使用した場合には密着力を大幅に向上すること
ができた． 』」レ医 基板ｌとしてＡｉｔＮ基板を使用し、中間層２Ｉ、２２
、２３に含まれるマトリックス材としてＡＩＮ粉末を使
用し、焼成温度を１，８００℃として、第１例と同樟に
して、中間層の積層体２を形成した後、高周波電力の供
給された高周波コイルの中を原料ガスを通過させてプラ
ズマ化し、このプラズマを基板上に照射してダイヤモン
ド結晶を気相成長するＲＦ熱プラズマＣＶＤ法（Ｓ．
Ｍａｔｓｕｓ＋ｏｔｏ， ｅｔａｌ． Ａｐｐｌ． Ｒ
ｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ５１，７３７ （１９８７）参
照）を使用して、厚さ５０．のダイヤモンド結晶層３を
形成した。このときの密着力も１００ｋｇ／■２以上で
あった． 】レＬ匠 基板１としてＳｉＣ基板を使用し、中間層２１、２２、
２３に含まれるマトリックス材としてＳｉＣ粉末を使用
し、焼成温度を１，９５０℃として、第１例と同様にし
て、中間層の積層体２を形成した後、酸素−プロピレン
の燃焼炎を使用して原料ガスを分解して、ダイヤモンド
結晶層を形成する燃焼炎法（ ’ｌ． Ｈｉｒｏｓｅ，
Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏｆ ＦｉｒｓｔＩｎｔｅｒ
ｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ
ｔｈｅ Ｎｅｗ ＤｉａｍｏｎｄＳｃｉｅｎｃｅ
ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ＋ Ｔｏｋｙｏ， １
９８８参照）を使用して、厚さ５０ｎのダイヤモンド結
晶層３を形成した．このときの密着力も１ ０ ０ｋｇ
／ｗ”以上であった． 〔発明の効果〕 以上説明せるとおり、本発明に係るダイヤモンド膜及び
その製造方法においては、基板とダイヤモンド結晶層と
の間に、基板との密着性の優れた成分を含有するマトリ
ックス材とダイヤモンド粒子とを含有する中間層の複数
層を、ダイヤモンド粒子の単位体積当り含有量が基板か
ら隔離するにともなって漸次増加するように形成して、
中間層の積層体を形成しているので、積層体の表面はは
りダイヤモンド粒子で覆われるため、その上に形成され
るダイヤモンド結晶層との間に１００ｋｇ／■２以上と
いう高い密着強度が得られるようになった．本発明に係
るダイヤモンド膜の製造方法を使用して、工具、治具に
ダイヤモンド被覆をした場合には、ダイヤモンド被覆無
しの場合に比べて数倍から数十倍寿命が長くなることが
期待できる．
第１図は、本発明の一実施例に係るダイヤモンド膜の断
面図である。 第２図、第３図、第４図は、本発明の一実施例に係るダ
イヤモンド膜の製造工程図である．第５図は、ダイヤモ
ンド結晶層の形成に使用されるＤＣプラズマジェットＣ
ＶＤ装置の構成図である。 ■ ・ ・ ２ ・ ・ ２ｎ ・ ３ ・ ・ ４ ・ ・ ５ ・ ・ ６ ・ ・ ７ ・ ・ ８ ・ ・ ９ ・ ・ ｌＯ・ ・ 基板、 積層体、 ・中間層、 ダイヤモンド結晶層、 ダイヤモンド粒子、 マトリックス材、 基板ホルダ、 陰極、 陽極、 直流電源、 原料ガス供給口、 ｌ１・ ・プラズマジェット、 ｌ２・ ・チャンハ。
面図である。 第２図、第３図、第４図は、本発明の一実施例に係るダ
イヤモンド膜の製造工程図である．第５図は、ダイヤモ
ンド結晶層の形成に使用されるＤＣプラズマジェットＣ
ＶＤ装置の構成図である。 ■ ・ ・ ２ ・ ・ ２ｎ ・ ３ ・ ・ ４ ・ ・ ５ ・ ・ ６ ・ ・ ７ ・ ・ ８ ・ ・ ９ ・ ・ ｌＯ・ ・ 基板、 積層体、 ・中間層、 ダイヤモンド結晶層、 ダイヤモンド粒子、 マトリックス材、 基板ホルダ、 陰極、 陽極、 直流電源、 原料ガス供給口、 ｌ１・ ・プラズマジェット、 ｌ２・ ・チャンハ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］基板（１）上にダイヤモンド粒子とマトリックス
材とを含有する中間層（２ｎ）の複数層よりなる積層体
（２）が形成されてなり、 該積層体（２）を構成する各中間層（２ｎ）に含有され
るダイヤモンド粒子の単位体積当り含有量は、前記基板
（１）から離隔した層において、より大きくされてなり
、 前記積層体（２）上にダイヤモンド結晶層（３）が形成
されてなる ことを特徴とするダイヤモンド膜。 ［２］前記中間層（２ｎ）に含有されるマトリックス材
は、基板（１）との密着性に優れた成分を含有すること
を特徴とする請求項１記載のダイヤモンド膜。 ［３］前記中間層（２ｎ）に含有されるマトリックス材
は、少なくとも前記基板（１）に含有される成分を含有
することを特徴とする請求項１または２記載のダイヤモ
ンド膜。 ［４］気相合成法を使用して、基板（１）上にダイヤモ
ンド結晶層（３）を形成するダイヤモンド膜の製造方法
において、 厚膜法を使用して、前記基板（１）上に、ダイヤモンド
粒子とマトリックス材とを含有する中間層（２ｎ）の複
数層を、前記ダイヤモンド粒子の単位体積当り含有量を
基板（１）から離隔するにともない漸次増加させながら
形成して、該中間層（２ｎ）の積層体（２）を形成し、 該積層体（２）上に、ダイヤモンド結晶層（３）を形成
する 工程を有することを特徴とするダイヤモンド膜の製造方
法。 ［５］前記中間層（２ｎ）に含有させるマトリックス材
は、基板（１）との密着性に優れた成分を含有させるこ
とを特徴とする請求項４記載のダイヤモンド膜の製造方
法。 ［６］前記中間層（２ｎ）に含有させるマトリックス材
は、少なくとも前記基板（１）に含有させる成分を含有
させることを特徴とする請求項４または５記載のダイヤ
モンド膜の製造方法。 ［７］前記ダイヤモンド結晶層（３）を形成する方法は
、ＤＣプラズマジェットＣＶＤ法であることを特徴とす
る請求項４、５、または、６記載のダイヤモンド膜の製
造方法。 ［８］前記ダイヤモンド結晶層（３）を形成する方法は
、ＲＦ熱プラズマＣＶＤ法であることを特徴とする請求
項４、５、または、６記載のダイヤモンド膜の製造方法
。 ［９］前記ダイヤモンド結晶層（３）を形成する方法は
、燃焼炎法であることを特徴とする請求項４、５、また
は、６記載のダイヤモンド膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP646690A JPH03215393A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | ダイヤモンド膜及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP646690A JPH03215393A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | ダイヤモンド膜及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03215393A true JPH03215393A (ja) | 1991-09-20 |
Family
ID=11639230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP646690A Pending JPH03215393A (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | ダイヤモンド膜及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03215393A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5260141A (en) * | 1991-11-29 | 1993-11-09 | Regents Of The University Of Minnesota | Diamond coated products |
| JP2008238385A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Seiko Epson Corp | カッター刃、カッターユニット及び記録装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61106494A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-24 | Kyocera Corp | ダイヤモンド被膜部材及びその製法 |
-
1990
- 1990-01-17 JP JP646690A patent/JPH03215393A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61106494A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-24 | Kyocera Corp | ダイヤモンド被膜部材及びその製法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5260141A (en) * | 1991-11-29 | 1993-11-09 | Regents Of The University Of Minnesota | Diamond coated products |
| US5344551A (en) * | 1991-11-29 | 1994-09-06 | Regents Of The University Of Minnesota | Diamond coated products and method of preparation |
| JP2008238385A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Seiko Epson Corp | カッター刃、カッターユニット及び記録装置 |
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