JPS61102046U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS61102046U JPS61102046U JP18607984U JP18607984U JPS61102046U JP S61102046 U JPS61102046 U JP S61102046U JP 18607984 U JP18607984 U JP 18607984U JP 18607984 U JP18607984 U JP 18607984U JP S61102046 U JPS61102046 U JP S61102046U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- scribe
- etching
- separated
- crystal plane
- Prior art date
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- Pending
Links
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
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Landscapes
- Dicing (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例図、第２図および第
３図は従来装置の一例図、第４図はエツチングに
よつて各半導体装置を分離する際の説明図、第５
図は第４図において分離された１個の半導体装置
を示す図である。符号の説明、 １……Ｓｉ単結晶基板、２……半導体装置、３
……素子領域、４……スクライブ領域、５……耐
エツチング性のスクライブ領域、６……半導体装
置１個分の領域、７，８……Ｖ溝。
３図は従来装置の一例図、第４図はエツチングに
よつて各半導体装置を分離する際の説明図、第５
図は第４図において分離された１個の半導体装置
を示す図である。符号の説明、 １……Ｓｉ単結晶基板、２……半導体装置、３
……素子領域、４……スクライブ領域、５……耐
エツチング性のスクライブ領域、６……半導体装
置１個分の領域、７，８……Ｖ溝。
Claims (1)
- （１００）結晶面のシリコン基板上に、周囲に
スクライブ領域を有する多数の方形の半導体装置
を形成した後、上記スクライブ領域をエツチング
することによつて各々の半導体装置毎に分離する
ものにおいて、各半導体装置の少なくとも四隅を
囲む近傍のスクライブ領域の表面に耐エツチング
性の膜あるいは拡散層を設け、スクライブ領域の
それ以外の部分は（１００）結晶面を露出させて
あることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18607984U JPS61102046U (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18607984U JPS61102046U (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102046U true JPS61102046U (ja) | 1986-06-28 |
Family
ID=30743541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18607984U Pending JPS61102046U (ja) | 1984-12-10 | 1984-12-10 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61102046U (ja) |
-
1984
- 1984-12-10 JP JP18607984U patent/JPS61102046U/ja active Pending
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