JPH02122433U - - Google Patents

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JPH02122433U
JPH02122433U JP3152589U JP3152589U JPH02122433U JP H02122433 U JPH02122433 U JP H02122433U JP 3152589 U JP3152589 U JP 3152589U JP 3152589 U JP3152589 U JP 3152589U JP H02122433 U JPH02122433 U JP H02122433U
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JP
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insulating layer
semiconductor device
wiring pattern
semiconductor
semiconductor substrate
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JP3152589U
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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案に係る半導体装置の一実施例を
示す断面図、第2図は第1図の平面図である。第
3図は半導体装置の従来例を示す断面図、第4図
は第3図の平面図、第5図は第3図の装置におけ
る配線パターン間で熱的ストレスによるマイグレ
ーシヨンが発生した状態を示す拡大断面図、第6
図は第5図の平面図、第7図は第3図の装置にお
いてパツシベーシヨン膜を形成した状態を示す拡
大断面図である。 1……半導体基板(コレクタ領域)、4……半
導体素子、5……絶縁層、6,7,8……配線パ
ターン、11,12……突壁部。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板上に不純物を選択的に拡散させて半
    導体素子を形成し、上記半導体基板上に絶縁層上
    へかけて金属膜による電極引出し用配線パターン
    を形成したものにおいて、 上記の配線パターン相互間絶縁層上に、配線パ
    ターンを囲繞する突壁部を設けたことを特徴とす
    る半導体装置。
JP3152589U 1989-03-20 1989-03-20 Pending JPH02122433U (ja)

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JP3152589U JPH02122433U (ja) 1989-03-20 1989-03-20

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JPH02122433U true JPH02122433U (ja) 1990-10-08

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