JPS6096826U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6096826U
JPS6096826U JP18958483U JP18958483U JPS6096826U JP S6096826 U JPS6096826 U JP S6096826U JP 18958483 U JP18958483 U JP 18958483U JP 18958483 U JP18958483 U JP 18958483U JP S6096826 U JPS6096826 U JP S6096826U
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JP
Japan
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oxide film
silicon oxide
semiconductor device
semiconductor equipment
silicon
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Pending
Application number
JP18958483U
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English (en)
Inventor
瀬川　雅博
Original Assignee
関西日本電気株式会社
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Publication date
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Publication of JPS6096826U publication Critical patent/JPS6096826U/ja
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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、従来の半導体装置の部分断面図である。第２
図は、この考案の実施例である半導体装置のホトエツチ
ング工程前における部分断面図、第３図は、同半導体装
置のエツチング後における部分断面図、第４図は、同半
導体装置のアルミニウム蒸着後における部分断面図であ
る。 １・・・シリ弓ン基板、２・・・シリコン酸化膜、２ａ
・・・熱酸化によるシリコン酸化膜、２ｂ・・・気長成
長法によるシリコン酸化膜、３・・・アルミニウム（電
極金属）。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. シリコン基板の表面に形成したシリコン酸化膜の一部を
    所定のパターンでホトエツチング工程により除去し、こ
    の上に電極金属を付着させることにより電極を形成する
    半導体装置において、シリコン酸化膜を、熱酸化による
    シリコン酸化−の上層に気相成長法によるシリコン酸化
    膜を積み重ねることにより形成したことを特徴とする半
    導体装置。
JP18958483U 1983-12-07 1983-12-07 半導体装置 Pending JPS6096826U (ja)

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JP18958483U JPS6096826U (ja) 1983-12-07 1983-12-07 半導体装置

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JPS6096826U true JPS6096826U (ja) 1985-07-02

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