JPS6439656U - - Google Patents
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- JPS6439656U JPS6439656U JP13390187U JP13390187U JPS6439656U JP S6439656 U JPS6439656 U JP S6439656U JP 13390187 U JP13390187 U JP 13390187U JP 13390187 U JP13390187 U JP 13390187U JP S6439656 U JPS6439656 U JP S6439656U
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- etching
- semiconductor device
- oxide layer
- thin part
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- Pending
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
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Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Weting (AREA)
Description
第１図はこの考案に係る半導体装置の実施例を
示す縦断面図、第２図は同上実施例の製造工程例
を示す工程図、第３図は従来の半導体装置の製造
工程を示す工程図である。 ３：エピタキシヤル半導体基板、４：酸化物層
、５：薄肉ダイヤフラム（薄肉部）、４ａ：多孔
質シリコン層。
示す縦断面図、第２図は同上実施例の製造工程例
を示す工程図、第３図は従来の半導体装置の製造
工程を示す工程図である。 ３：エピタキシヤル半導体基板、４：酸化物層
、５：薄肉ダイヤフラム（薄肉部）、４ａ：多孔
質シリコン層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板の所要部に裏面からのエツチングに
より形成された所要厚さの薄肉部を有する半導体
装置において、 前記薄肉部は、半導体基板の表面から所要の深
さ位置に、陽極化成による多孔質層の形成処理と
該多孔質層の酸化処理とによりエツチングストツ
パとなる酸化物層が形成され、半導体基板の裏面
から当該酸化物層までエツチングを行なうことに
より形成されていることを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13390187U JPS6439656U (ja) | 1987-09-03 | 1987-09-03 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13390187U JPS6439656U (ja) | 1987-09-03 | 1987-09-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6439656U true JPS6439656U (ja) | 1989-03-09 |
Family
ID=31392189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13390187U Pending JPS6439656U (ja) | 1987-09-03 | 1987-09-03 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6439656U (ja) |
-
1987
- 1987-09-03 JP JP13390187U patent/JPS6439656U/ja active Pending
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