JPS6439656U - - Google Patents

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JPS6439656U
JPS6439656U JP13390187U JP13390187U JPS6439656U JP S6439656 U JPS6439656 U JP S6439656U JP 13390187 U JP13390187 U JP 13390187U JP 13390187 U JP13390187 U JP 13390187U JP S6439656 U JPS6439656 U JP S6439656U
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JP
Japan
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semiconductor substrate
etching
semiconductor device
oxide layer
thin part
Prior art date
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JP13390187U
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【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案に係る半導体装置の実施例を
示す縦断面図、第2図は同上実施例の製造工程例
を示す工程図、第3図は従来の半導体装置の製造
工程を示す工程図である。 3:エピタキシヤル半導体基板、4:酸化物層
、5:薄肉ダイヤフラム(薄肉部)、4a:多孔
質シリコン層。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板の所要部に裏面からのエツチングに
    より形成された所要厚さの薄肉部を有する半導体
    装置において、 前記薄肉部は、半導体基板の表面から所要の深
    さ位置に、陽極化成による多孔質層の形成処理と
    該多孔質層の酸化処理とによりエツチングストツ
    パとなる酸化物層が形成され、半導体基板の裏面
    から当該酸化物層までエツチングを行なうことに
    より形成されていることを特徴とする半導体装置
JP13390187U 1987-09-03 1987-09-03 Pending JPS6439656U (ja)

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JP13390187U JPS6439656U (ja) 1987-09-03 1987-09-03

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JP13390187U Pending JPS6439656U (ja) 1987-09-03 1987-09-03

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