JPS58416U - 半導体製造治具 - Google Patents

半導体製造治具

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Publication number
JPS58416U
JPS58416U JP9331681U JP9331681U JPS58416U JP S58416 U JPS58416 U JP S58416U JP 9331681 U JP9331681 U JP 9331681U JP 9331681 U JP9331681 U JP 9331681U JP S58416 U JPS58416 U JP S58416U
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JP
Japan
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semiconductor manufacturing
manufacturing jig
silicon carbide
carbide layer
layer
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Pending
Application number
JP9331681U
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English (en)
Inventor
毛利　幹生
Original Assignee
日本電気ホームエレクトロニクス株式会社
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Publication date
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Publication of JPS58416U publication Critical patent/JPS58416U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は横型エピタキシャル成長装置の断面区第２図は
従来のサセプタの要部拡大断面図、第３図は従来のサセ
プタのエピタキシャル成長後の装部拡大断面図、第４図
は従来のサセプタのエッチ゛　　フグ後の要部拡大断面
図、第５図および第６図は；　　この考案の異なる実施
例のサセプタの要部拡大断シ　　面図である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ゛カーボンよりなりその表面を炭化シリコン層で被覆し
    てなる半導体製造治具において、前記炭化シリコン層の
    上に少なくとも窒化シリコン層を千成したことを特徴と
    する半導体製造治具。
JP9331681U 1981-06-24 1981-06-24 半導体製造治具 Pending JPS58416U (ja)

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JP9331681U JPS58416U (ja) 1981-06-24 1981-06-24 半導体製造治具

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JP9331681U JPS58416U (ja) 1981-06-24 1981-06-24 半導体製造治具

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Publication Number Publication Date
JPS58416U true JPS58416U (ja) 1983-01-05

Family

ID=29888284

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JP9331681U Pending JPS58416U (ja) 1981-06-24 1981-06-24 半導体製造治具

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5284964A (en) * 1976-01-07 1977-07-14 Hitachi Ltd Vapor phase growth method for semiconductors

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5284964A (en) * 1976-01-07 1977-07-14 Hitachi Ltd Vapor phase growth method for semiconductors

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