JPH0376139U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0376139U JPH0376139U JP13813789U JP13813789U JPH0376139U JP H0376139 U JPH0376139 U JP H0376139U JP 13813789 U JP13813789 U JP 13813789U JP 13813789 U JP13813789 U JP 13813789U JP H0376139 U JPH0376139 U JP H0376139U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- insulating layer
- semiconductor substrate
- group
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例の半導体感圧ダイア
フラムの断面図、第２図は第１図の半導体感圧ダ
イアフラムの製造工程中の断面図、第３図は従来
の一例の半導体感圧ダイアフラムの断面図、第４
図は第３図の半導体感圧ダイアフラムの製造工程
中の断面図、第５図は半導体感圧ダイアフラムを
使用した一例の半導体変換装置の断面図である。 １１……半導体基板（Ｐ型）、１２……絶縁層
、１４……エピタキシヤル層（Ｎ型）、１５……
感圧部、１８……ダイアフラム。
フラムの断面図、第２図は第１図の半導体感圧ダ
イアフラムの製造工程中の断面図、第３図は従来
の一例の半導体感圧ダイアフラムの断面図、第４
図は第３図の半導体感圧ダイアフラムの製造工程
中の断面図、第５図は半導体感圧ダイアフラムを
使用した一例の半導体変換装置の断面図である。 １１……半導体基板（Ｐ型）、１２……絶縁層
、１４……エピタキシヤル層（Ｎ型）、１５……
感圧部、１８……ダイアフラム。
Claims (1)
- 半導体基板と、この一面上に酸素および窒素か
らなる群の一つをイオン注入し、高温熱処理によ
り形成された、前記群の一つと半導体との化合物
からなる絶縁層と、この上に成長させたエピタキ
シヤル層と、この層の一部に不純物拡散により形
成された感圧部とからなり、この感圧部の下部が
前記半導体基板の他面からエツチングで前記絶縁
層まで除かれていることを特徴とする半導体感圧
ダイアフラム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13813789U JPH0376139U (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13813789U JPH0376139U (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0376139U true JPH0376139U (ja) | 1991-07-30 |
Family
ID=31685259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13813789U Pending JPH0376139U (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0376139U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6211772B1 (en) | 1995-01-30 | 2001-04-03 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor composite sensor |
-
1989
- 1989-11-29 JP JP13813789U patent/JPH0376139U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6211772B1 (en) | 1995-01-30 | 2001-04-03 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor composite sensor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0376139U (ja) | ||
| JPS6327066U (ja) | ||
| JPH02133308U (ja) | ||
| JPS6417447U (ja) | ||
| JP2726861B2 (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPS6439656U (ja) | ||
| JPS62142839U (ja) | ||
| JPH0310530U (ja) | ||
| JPH0241440U (ja) | ||
| JPH028032U (ja) | ||
| JPS62204354U (ja) | ||
| JPH0390460U (ja) | ||
| JPH03180075A (ja) | 受光素子の製造方法 | |
| JPS6390867U (ja) | ||
| JPH0245633U (ja) | ||
| JPS61177462U (ja) | ||
| JPH0346328A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0183356U (ja) | ||
| JPS5877241A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH02119258A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6336048U (ja) | ||
| JPS61147533A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0262720U (ja) | ||
| JPS61171247U (ja) | ||
| JPH02102727U (ja) |