JPS61177462U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS61177462U JPS61177462U JP6125885U JP6125885U JPS61177462U JP S61177462 U JPS61177462 U JP S61177462U JP 6125885 U JP6125885 U JP 6125885U JP 6125885 U JP6125885 U JP 6125885U JP S61177462 U JPS61177462 U JP S61177462U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- regions
- impurity diffusion
- semiconductor device
- conductivity type
- field ring
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
Landscapes
- Element Separation (AREA)
Description
第１図は本考案に係る半導体装置の一実施例を
示す断面図、第２図は第１図の半導体装置の動作
状態を説明するための断面図である。第３図は従
来の半導体装置の具体例を示す断面図、第４図は
第３図の半導体装置の動作状態を説明するための
断面図である。 １，２……基板、３，４……不純物拡散領域、
５，５′……フイールドリング領域。
示す断面図、第２図は第１図の半導体装置の動作
状態を説明するための断面図である。第３図は従
来の半導体装置の具体例を示す断面図、第４図は
第３図の半導体装置の動作状態を説明するための
断面図である。 １，２……基板、３，４……不純物拡散領域、
５，５′……フイールドリング領域。
Claims (1)
- 一導電型基板上に他導電型の不純物拡散領域を
順次選択的に形成し、さらにそれらの周辺に、不
純物拡散によるフイールドリング領域を形成した
ものにおいて、上記フイールドリング領域を、該
不純物拡散領域よりも深く形成したことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6125885U JPS61177462U (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6125885U JPS61177462U (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177462U true JPS61177462U (ja) | 1986-11-05 |
Family
ID=30589368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6125885U Pending JPS61177462U (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61177462U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58100460A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-15 | Hitachi Ltd | 縦形ｍｏｓ半導体装置 |
-
1985
- 1985-04-23 JP JP6125885U patent/JPS61177462U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58100460A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-15 | Hitachi Ltd | 縦形ｍｏｓ半導体装置 |