JPS608969B2 - トリクロルシランの連続製造法 - Google Patents
トリクロルシランの連続製造法Info
- Publication number
- JPS608969B2 JPS608969B2 JP56054490A JP5449081A JPS608969B2 JP S608969 B2 JPS608969 B2 JP S608969B2 JP 56054490 A JP56054490 A JP 56054490A JP 5449081 A JP5449081 A JP 5449081A JP S608969 B2 JPS608969 B2 JP S608969B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reactor
- silicon tetrachloride
- trichlorosilane
- hydrogen
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 38
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 title claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 title claims description 4
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims description 46
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 31
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 31
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 17
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 9
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 5
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 3
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 2
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004508 fractional distillation Methods 0.000 description 2
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010011224 Cough Diseases 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- PXBRQCKWGAHEHS-UHFFFAOYSA-N dichlorodifluoromethane Chemical compound FC(F)(Cl)Cl PXBRQCKWGAHEHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019404 dichlorodifluoromethane Nutrition 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明の対象は四塩化ケイ素を水素によって置換し、こ
の際に生成する塩化水素を粗ケイ素と反応させることに
よるトリクロルシランの連続製造法である。
の際に生成する塩化水素を粗ケイ素と反応させることに
よるトリクロルシランの連続製造法である。
粗ケイ素(ケイ素舎量95%以上)と塩化水素とからト
リクロルシランを製造する典型的な製造法では、多量の
四塩化ケイ素が副生するが、これは水素による還元によ
って高純度ケイ素を製造するのに通さないものである。
リクロルシランを製造する典型的な製造法では、多量の
四塩化ケイ素が副生するが、これは水素による還元によ
って高純度ケイ素を製造するのに通さないものである。
また、この反応一遍常、一般に行なわれているような一
にトリクロルシランが適しているとしても、この場合に
はこの還元も決して定量的に進行しないで、おそらく、
トリクロルシランの大部分は大体次のような反応式に従
がつて四塩化ケイ素に転換すると思われる。$iHC〆
3 十日2=Si十SiHC夕3 十SIC夕4 十2
HC夕+日2.それ故、用いたトリクロルシランの約1
/3は四塩化ケイ素に変化することになる(米国特許第
3933985号公報参照)。この2つの反応の廃棄す
べき生成物として得られる四塩化ケイ素をトリクロルシ
ラン転換しようと云う試みが今までに多くなされてきた
。前述の米国特許公報の方法によると、四塩化炭素を分
離し、望ましくは1:1の比で水素と混合し、共に90
0〜110000のコンバータに移し入れ、発生するト
リクロルシランを分離している。
にトリクロルシランが適しているとしても、この場合に
はこの還元も決して定量的に進行しないで、おそらく、
トリクロルシランの大部分は大体次のような反応式に従
がつて四塩化ケイ素に転換すると思われる。$iHC〆
3 十日2=Si十SiHC夕3 十SIC夕4 十2
HC夕+日2.それ故、用いたトリクロルシランの約1
/3は四塩化ケイ素に変化することになる(米国特許第
3933985号公報参照)。この2つの反応の廃棄す
べき生成物として得られる四塩化ケイ素をトリクロルシ
ラン転換しようと云う試みが今までに多くなされてきた
。前述の米国特許公報の方法によると、四塩化炭素を分
離し、望ましくは1:1の比で水素と混合し、共に90
0〜110000のコンバータに移し入れ、発生するト
リクロルシランを分離している。
西ドイツ公開第2054265号公報では、特に少なく
とも1モルの水素と約3モルの塩化水素とから成るガス
混合物を1000o 〜130000において、少なく
とも50モル%の四塩化ケイ素がトリクロルシランに転
換するもで、反応させている。西ドイツ公開第2209
267号公報の方法によると、四塩化ケイ素と水素の反
応間に6000〜1200℃の温度において達成する反
応平衡系を突然に300CCにまで冷却し、凝縮後にク
ロルシラン類を含有するガス混合物を蒸留によって分離
している。
とも1モルの水素と約3モルの塩化水素とから成るガス
混合物を1000o 〜130000において、少なく
とも50モル%の四塩化ケイ素がトリクロルシランに転
換するもで、反応させている。西ドイツ公開第2209
267号公報の方法によると、四塩化ケイ素と水素の反
応間に6000〜1200℃の温度において達成する反
応平衡系を突然に300CCにまで冷却し、凝縮後にク
ロルシラン類を含有するガス混合物を蒸留によって分離
している。
最後に、西ドイツ公告第1935895号明細書の方法
によると、四塩化ケイ素と水素を昇温下および塩化水素
結合煤質の存在下で(例えば700〜1400℃におい
てケイ素の存在下で)反応されている。
によると、四塩化ケイ素と水素を昇温下および塩化水素
結合煤質の存在下で(例えば700〜1400℃におい
てケイ素の存在下で)反応されている。
複雑なケイ素−水素−塩素系であることと熱力学的な理
由から、これらの反応はいずれも、単位時間に得られる
トリクロルシランの収率に関して、満足すべきものでは
ない。それ故、本発明はトリクロルシラン製造過程間お
よびトリクロルシランを高純度ケイ素に還元する過程間
に廃棄すべき生成物として得られる四塩化ケイ素を、費
用のかからない方法でトリクロルシランに転換すること
を可能にし得るような方法を提供すると云う課題に基づ
いている。
由から、これらの反応はいずれも、単位時間に得られる
トリクロルシランの収率に関して、満足すべきものでは
ない。それ故、本発明はトリクロルシラン製造過程間お
よびトリクロルシランを高純度ケイ素に還元する過程間
に廃棄すべき生成物として得られる四塩化ケイ素を、費
用のかからない方法でトリクロルシランに転換すること
を可能にし得るような方法を提供すると云う課題に基づ
いている。
この課題は、四塩化ケイ素と水素との混合物を高温反応
器において200〜1秒間の間、900〜1300℃の
温度にさらし、生成する塩化水素を冷却後に再反応器に
おいて、200〜2秒間の滞留時間の間280〜350
00の温度においてケイ素に接触させて、追加のトリク
ロルシランに変え、両方の反応からのトリクロルシラン
を凝縮・分離し、他方では未反応四塩化ケイ素、新たに
生成した四塩化ケイ素および水素を再び高温反応器に戻
し入れることを特徴とする連続方法によって、解決され
る。
器において200〜1秒間の間、900〜1300℃の
温度にさらし、生成する塩化水素を冷却後に再反応器に
おいて、200〜2秒間の滞留時間の間280〜350
00の温度においてケイ素に接触させて、追加のトリク
ロルシランに変え、両方の反応からのトリクロルシラン
を凝縮・分離し、他方では未反応四塩化ケイ素、新たに
生成した四塩化ケイ素および水素を再び高温反応器に戻
し入れることを特徴とする連続方法によって、解決され
る。
高温反応器に導入する四塩化ケイ素を圧縮機内で水素と
混合し、望ましくは1〜6バールの圧力に圧縮する。混
合する水素量は、混合物の四塩化ケィ素含量が全体量に
基づいて10〜60モル%、望ましくは40〜60モル
%であるように定めるのが有利である。これに関連して
、低い飽和度ではすなわち四塩化ケイ素の低い含量では
、四塩化ケィ素含量の高い場合よりも相対的に高いトリ
クロルシラン収量が得られるが、この場合にはトリクロ
ルシランの凝縮が非常に悪い状態であり、単位時間に絶
対量でかなり高い収量を生ずる飽和度の高い場合よりも
、低い温度を必要とすることに注意すべきである。四塩
化ケィ素含量が10モル%より低いまたは60モル%よ
り大きい場合には、トリクロルシランの絶対収量は非常
に迅速に低下し、この方法がもはや経済上、実施され得
ないことになる。すでに予備圧縮によって加熱されてい
る、四塩化ケイ素と水素とのガス混合物を更に熱交換器
内で予備加熱して、最後に、900〜130000の温
度、特に1050〜125000の温度に保持した高温
反応器を通過させせるが、この際に反応器内での滞留時
間としては、200〜1秒間特に10〜2秒間が有利で
あり、一般に反応器の温度が高くなると滞留時間は徐々
に短かくなる。
混合し、望ましくは1〜6バールの圧力に圧縮する。混
合する水素量は、混合物の四塩化ケィ素含量が全体量に
基づいて10〜60モル%、望ましくは40〜60モル
%であるように定めるのが有利である。これに関連して
、低い飽和度ではすなわち四塩化ケイ素の低い含量では
、四塩化ケィ素含量の高い場合よりも相対的に高いトリ
クロルシラン収量が得られるが、この場合にはトリクロ
ルシランの凝縮が非常に悪い状態であり、単位時間に絶
対量でかなり高い収量を生ずる飽和度の高い場合よりも
、低い温度を必要とすることに注意すべきである。四塩
化ケィ素含量が10モル%より低いまたは60モル%よ
り大きい場合には、トリクロルシランの絶対収量は非常
に迅速に低下し、この方法がもはや経済上、実施され得
ないことになる。すでに予備圧縮によって加熱されてい
る、四塩化ケイ素と水素とのガス混合物を更に熱交換器
内で予備加熱して、最後に、900〜130000の温
度、特に1050〜125000の温度に保持した高温
反応器を通過させせるが、この際に反応器内での滞留時
間としては、200〜1秒間特に10〜2秒間が有利で
あり、一般に反応器の温度が高くなると滞留時間は徐々
に短かくなる。
高温反応器は最も簡単な場合には、例えば電気で加熱さ
れる石英管または黒鉛管から成るものであるが、西ドイ
ツ特許出願第P30243200号明細書に述べられて
いるように、必要に応じて積分熱交換器を有する管状反
応器も非常に適している。
れる石英管または黒鉛管から成るものであるが、西ドイ
ツ特許出願第P30243200号明細書に述べられて
いるように、必要に応じて積分熱交換器を有する管状反
応器も非常に適している。
この熱交換器ユニットは1列に連結した1組の熱交換器
から成るのが有利であり、これらの熱交換器の中で熱反
応ガスが高温反応器に供給される飽和ガスに対して、熱
を向流で伝達する。大きな熱交換器の代りに1列に連結
した1組みの小勢交換器を用にることは、大きな系にお
いては単に経済的な理由から勧められる。高温において
は熱交換器の材料は高い必要条件を満たさなければなら
ず、そのため比較的費用のかかる黒鉛装置などを用いな
ければならないが、約600〜7000○の低温になる
と、フェライト鋼または他の種類の精鋼のような安価な
材料に変えることができる。向流で約250〜350o
oに冷却された反応ガスはトZリクロルシラン、未反応
四塩化ケイ素、水素、塩化水素および少量の他のハロゲ
ン化シランから成るものであり、次に再反応器中の粗ケ
イ素上に導びかれるが、ここで塩化水素が280o 〜
3500C望ましくは300〜350ooに熱せられた
ケイ素に接触して通過する際に実際にトリクロルシラン
と四塩化ケイ素とに転換する。この場合にも滞留時間は
実質的に第1段階の滞留時間に相応する、すなわち約2
00〜2秒間、特に10〜2秒間である。ケイ素接触材
料は例えば固定床または流動床中にケイ素を少なくとも
95%含有する捨金品質ケイ素から成っている。このよ
うな再反応器は例えば、バブルプレートとして構成され
たフロープレートと、平均粒度が約100〜600仏m
である流動床を安定化するために流れの方向に円錐状に
拡大した床を有している。粗ケイ素を充填した再反応器
に反応ガスを通した後に、実質的にトリク。
から成るのが有利であり、これらの熱交換器の中で熱反
応ガスが高温反応器に供給される飽和ガスに対して、熱
を向流で伝達する。大きな熱交換器の代りに1列に連結
した1組みの小勢交換器を用にることは、大きな系にお
いては単に経済的な理由から勧められる。高温において
は熱交換器の材料は高い必要条件を満たさなければなら
ず、そのため比較的費用のかかる黒鉛装置などを用いな
ければならないが、約600〜7000○の低温になる
と、フェライト鋼または他の種類の精鋼のような安価な
材料に変えることができる。向流で約250〜350o
oに冷却された反応ガスはトZリクロルシラン、未反応
四塩化ケイ素、水素、塩化水素および少量の他のハロゲ
ン化シランから成るものであり、次に再反応器中の粗ケ
イ素上に導びかれるが、ここで塩化水素が280o 〜
3500C望ましくは300〜350ooに熱せられた
ケイ素に接触して通過する際に実際にトリクロルシラン
と四塩化ケイ素とに転換する。この場合にも滞留時間は
実質的に第1段階の滞留時間に相応する、すなわち約2
00〜2秒間、特に10〜2秒間である。ケイ素接触材
料は例えば固定床または流動床中にケイ素を少なくとも
95%含有する捨金品質ケイ素から成っている。このよ
うな再反応器は例えば、バブルプレートとして構成され
たフロープレートと、平均粒度が約100〜600仏m
である流動床を安定化するために流れの方向に円錐状に
拡大した床を有している。粗ケイ素を充填した再反応器
に反応ガスを通した後に、実質的にトリク。
ルシランと、四塩化ケイ素と、水素とから成るガス混合
物が得られる。この混合物を約一1oo 〜一60o0
の温度に冷却する。この場合に更に低い温度も当然可能
であるが、このような温度はかなりの装置的およびエネ
ルギー的な出費を必要とする。この手段によって液化し
たクロルシラン類を取り出し、望ましくは蒸留によって
その成分に分離する。この分離を分留によって行なうこ
とも、または例えば活性炭に吸着させてトリクロルシラ
ンを分離することも当然可能である。このようにして取
り出したトリクロルシランを場合によっては中間で蒸留
精製を行なった後に高純度ケイ素を得るために分離反応
器に導入し、他方では水素を−場合によっては列えば活
性炭で洗浄した後に−必要量で四塩化ケイ素と混合して
、更に転換させるために高温反応器に導入する。第2の
実施態様によると、第1段階の高温反応器から生じた反
応ガスは、新たに反応器に導入される向流で流れるガス
混合物によって熱交換器ユニット内ですでに2500
〜35000に冷却されているが、次に更に約一1oo
〜一60ooまで冷却する。この作業間に例えば凝縮
物から蒸留によって分離したトリクロルシランは、更に
精製することなく、直接分離反応器に導入されて高純度
のケイ素を得ることができる。塩化水素と水素とから成
る残留ガス混合物は熱交換器ュニット内での予備加熱に
よってまたは再反応器から生成する反応ガスから熱をう
ばうことによる予備加熱によって、望ましくは250〜
350q○の温度にしてから、再反応器のケイ素接触体
の上に供給するのが有利である。
物が得られる。この混合物を約一1oo 〜一60o0
の温度に冷却する。この場合に更に低い温度も当然可能
であるが、このような温度はかなりの装置的およびエネ
ルギー的な出費を必要とする。この手段によって液化し
たクロルシラン類を取り出し、望ましくは蒸留によって
その成分に分離する。この分離を分留によって行なうこ
とも、または例えば活性炭に吸着させてトリクロルシラ
ンを分離することも当然可能である。このようにして取
り出したトリクロルシランを場合によっては中間で蒸留
精製を行なった後に高純度ケイ素を得るために分離反応
器に導入し、他方では水素を−場合によっては列えば活
性炭で洗浄した後に−必要量で四塩化ケイ素と混合して
、更に転換させるために高温反応器に導入する。第2の
実施態様によると、第1段階の高温反応器から生じた反
応ガスは、新たに反応器に導入される向流で流れるガス
混合物によって熱交換器ユニット内ですでに2500
〜35000に冷却されているが、次に更に約一1oo
〜一60ooまで冷却する。この作業間に例えば凝縮
物から蒸留によって分離したトリクロルシランは、更に
精製することなく、直接分離反応器に導入されて高純度
のケイ素を得ることができる。塩化水素と水素とから成
る残留ガス混合物は熱交換器ュニット内での予備加熱に
よってまたは再反応器から生成する反応ガスから熱をう
ばうことによる予備加熱によって、望ましくは250〜
350q○の温度にしてから、再反応器のケイ素接触体
の上に供給するのが有利である。
塩化水素とケイ素との発熱的に経過する反応が行なわれ
る再反応器の温度を約280〜350ooに保持し得る
ためには、HC夕/日2混合物の温度が第1段階からの
四塩化ケイ素とトリクロルシランとによって強く希釈さ
れているので、最初の実施態様において一般に付加的な
冷却はもはや必要ではない。実際に純粋なHC夕/日2
混合物が再反応器に供給される、シランの中間凝縮を伴
なう第2の実施態様では、冷却剤を受容するために頭頂
部から始まって底部へテーパ状をなす中空の鋼ロッドを
反応器内に設ける、または代替案として流動床内または
ケイ素固定床内に冷却コイルを設けることが勧められる
。好ましい態様によると、前もって凝縮させた四塩化ケ
イ素を冷却剤として用いるが、これは気化熱をうばうこ
とによって反応系を冷却すると同時に蒸発し、次に水素
を混合されて高温反応器に戻されて転換する。2つの実
施態様において再反応器から生ずるガス混合物を、部分
的な凝縮によってまたは必要に5応じて次に蒸留を行な
うことによって、成分に分離し、四塩化ケイ素と水素の
成分は更に転換するために高温反応器に戻す。
る再反応器の温度を約280〜350ooに保持し得る
ためには、HC夕/日2混合物の温度が第1段階からの
四塩化ケイ素とトリクロルシランとによって強く希釈さ
れているので、最初の実施態様において一般に付加的な
冷却はもはや必要ではない。実際に純粋なHC夕/日2
混合物が再反応器に供給される、シランの中間凝縮を伴
なう第2の実施態様では、冷却剤を受容するために頭頂
部から始まって底部へテーパ状をなす中空の鋼ロッドを
反応器内に設ける、または代替案として流動床内または
ケイ素固定床内に冷却コイルを設けることが勧められる
。好ましい態様によると、前もって凝縮させた四塩化ケ
イ素を冷却剤として用いるが、これは気化熱をうばうこ
とによって反応系を冷却すると同時に蒸発し、次に水素
を混合されて高温反応器に戻されて転換する。2つの実
施態様において再反応器から生ずるガス混合物を、部分
的な凝縮によってまたは必要に5応じて次に蒸留を行な
うことによって、成分に分離し、四塩化ケイ素と水素の
成分は更に転換するために高温反応器に戻す。
次に図面に基づいて、本発明を説明する。高温反応器1
から生ずる反応ガスによって熱交0襖器ユニット2にお
いて予備加熱された四塩化ケイ素と水素の混合物を、高
温反応器1(900〜130000)に充填する。
から生ずる反応ガスによって熱交0襖器ユニット2にお
いて予備加熱された四塩化ケイ素と水素の混合物を、高
温反応器1(900〜130000)に充填する。
実施態様Aによると、例え÷ば、フレオンで冷却した冷
却器3内で、すでに前段階でかなり冷却されている反応
ガスから、四塩化ケイ素とトリクロルシランとを分離す
る。トリクロルシランは更に精製することなく、直ちに
分離反応器に導入されてケイ素を製造することができる
が、液状で得られる四塩化ケイ素は冷却剤として〜直接
に再反応器4に導入される。この再反応器4では反応ガ
スから残留する水素と塩化水素とが、熱交換器ユニット
5内で予備加熱ミれた後に、低温度(280〜3500
C)において治金品質ケイ素と反応する。実施態様Bに
よると、高温反応器1を出る反応ガスは、四塩化ケイ素
とトリクロルシランを分離することなく「熱交換器ユニ
ット2内で冷却された後に、直接再反応器4に導入され
る。再反応器4において治金品質ケイ素と反応した後に
得られたガス混合物は場合によっては熱交換器ユニット
5−ここで発生する粗粒な固体粒子は再反応器4の排水
だめ7に蓮通させるのが有利である−を通過した後に、
微細ダストを分離するためにフィルター系6に導び〈。
フィルター6から出た後に、ガス混合物を段階的に冷却
するが、この際に塩水で冷却した冷却系8において四塩
化ケイ素を凝縮し、場合によっては再反応器4の冷却系
を通って出た後に、出発ガス混合物に再び加え、高温反
応器1において転換する。フレオンで冷却した冷却器ユ
ニットにおいてトリクロルソランを分離するが、水素は
再び出発ガス混合物に加え、新鮮な水素を添加すること
によって反応に適した消費量を配慮する。実施例 1 1時間につき四塩化ケイ素28k9(混合物中に約4仇
ho〆e%の四塩化ケイ素に相当する)と混合する水素
5.6で(常温常圧で測定)を、電気的に110000
まで加熱し、ラーシッヒリングを充填した直径10比吻
〜長さ100仇駁の黒鉛管に、1.3くール絶対圧の圧
力下で通した。
却器3内で、すでに前段階でかなり冷却されている反応
ガスから、四塩化ケイ素とトリクロルシランとを分離す
る。トリクロルシランは更に精製することなく、直ちに
分離反応器に導入されてケイ素を製造することができる
が、液状で得られる四塩化ケイ素は冷却剤として〜直接
に再反応器4に導入される。この再反応器4では反応ガ
スから残留する水素と塩化水素とが、熱交換器ユニット
5内で予備加熱ミれた後に、低温度(280〜3500
C)において治金品質ケイ素と反応する。実施態様Bに
よると、高温反応器1を出る反応ガスは、四塩化ケイ素
とトリクロルシランを分離することなく「熱交換器ユニ
ット2内で冷却された後に、直接再反応器4に導入され
る。再反応器4において治金品質ケイ素と反応した後に
得られたガス混合物は場合によっては熱交換器ユニット
5−ここで発生する粗粒な固体粒子は再反応器4の排水
だめ7に蓮通させるのが有利である−を通過した後に、
微細ダストを分離するためにフィルター系6に導び〈。
フィルター6から出た後に、ガス混合物を段階的に冷却
するが、この際に塩水で冷却した冷却系8において四塩
化ケイ素を凝縮し、場合によっては再反応器4の冷却系
を通って出た後に、出発ガス混合物に再び加え、高温反
応器1において転換する。フレオンで冷却した冷却器ユ
ニットにおいてトリクロルソランを分離するが、水素は
再び出発ガス混合物に加え、新鮮な水素を添加すること
によって反応に適した消費量を配慮する。実施例 1 1時間につき四塩化ケイ素28k9(混合物中に約4仇
ho〆e%の四塩化ケイ素に相当する)と混合する水素
5.6で(常温常圧で測定)を、電気的に110000
まで加熱し、ラーシッヒリングを充填した直径10比吻
〜長さ100仇駁の黒鉛管に、1.3くール絶対圧の圧
力下で通した。
この反応器への滞留時間は1秒間であった。この過程間
に黒鉛管に入るガス混合物は、1方の管の内側に他方の
管を挿入した配置の2本の石英管を用いた向流の原理で
、黒鉛管から生ずる反応ガスによって予備加熱されたも
のであった。反応ガスはシランに関してしジクロルシラ
ン0.弦容量%、トリクロルシラン29.5容量%およ
び四塩化ケイ素7皮容量%から成る組成を有した。向流
原理で約320℃まで冷却したガス混合物を次に、9母
重量%のケィ素含量を有し、粒度範囲0.3〜3肌の粒
子が98%存在する固定床上に導入した。再反応器とし
て用いて、上述のようなケイ素固定床を充填した鋼管は
、直径15仇枕、長さ80仇岬のものであった。再反応
器内での滞留時間は3秒であった。この再反応器内の温
度は熱電対によって2900 〜320ooもこ保持し
た。非反応性成分によってガス混合物をかなり希釈する
ことによって、付加的な冷却を省略することも可能であ
った。再反応器を出るガス混合物を、1列に連結した塩
水‐冷却器(約−1oo 0)とフレオンー冷却器(約
一50C○)において部分的に凝縮させ、分留によって
その成分に分離した。水素を考慮しないと、分析結果は
ジクロルンラン0.3容量%、トリクロルシラン38.
弦容量%および四塩化ケイ素61.2容量%であった。
赤外分光計によると、排出ガス中に1容量%以下の塩化
水素が検出された。実施例 2この場合には、混合物中
の四塩化ケイ素の割合を約60モル%の上限範囲にまで
高めた(1時間につき四塩化ケイ素31.6k9を有す
る混合中に水素2.側め)。
に黒鉛管に入るガス混合物は、1方の管の内側に他方の
管を挿入した配置の2本の石英管を用いた向流の原理で
、黒鉛管から生ずる反応ガスによって予備加熱されたも
のであった。反応ガスはシランに関してしジクロルシラ
ン0.弦容量%、トリクロルシラン29.5容量%およ
び四塩化ケイ素7皮容量%から成る組成を有した。向流
原理で約320℃まで冷却したガス混合物を次に、9母
重量%のケィ素含量を有し、粒度範囲0.3〜3肌の粒
子が98%存在する固定床上に導入した。再反応器とし
て用いて、上述のようなケイ素固定床を充填した鋼管は
、直径15仇枕、長さ80仇岬のものであった。再反応
器内での滞留時間は3秒であった。この再反応器内の温
度は熱電対によって2900 〜320ooもこ保持し
た。非反応性成分によってガス混合物をかなり希釈する
ことによって、付加的な冷却を省略することも可能であ
った。再反応器を出るガス混合物を、1列に連結した塩
水‐冷却器(約−1oo 0)とフレオンー冷却器(約
一50C○)において部分的に凝縮させ、分留によって
その成分に分離した。水素を考慮しないと、分析結果は
ジクロルンラン0.3容量%、トリクロルシラン38.
弦容量%および四塩化ケイ素61.2容量%であった。
赤外分光計によると、排出ガス中に1容量%以下の塩化
水素が検出された。実施例 2この場合には、混合物中
の四塩化ケイ素の割合を約60モル%の上限範囲にまで
高めた(1時間につき四塩化ケイ素31.6k9を有す
る混合中に水素2.側め)。
高温反応器内での反応は1200℃、4バール絶対圧の
圧力および3秒間の滞留時間において実施した。その他
の点では、実施例1に述べた通りの方法を行なった。高
温反応器を出た後の分析(ガスクロマトグラフィによる
)の結果は、ジクロルシラン0.&容量%、トリクロル
シラン21。4容量%および四塩化ケイ素78.咳容量
%を示し、再反応器中での4.5秒の滞留時間でFeS
i・固定床反応器を出た後の分析は、ジクロルシラン0
.2容量%「 トリクロルシラン27.群容量%ならび
に四塩化ケイ素71.既容量%を示した。
圧力および3秒間の滞留時間において実施した。その他
の点では、実施例1に述べた通りの方法を行なった。高
温反応器を出た後の分析(ガスクロマトグラフィによる
)の結果は、ジクロルシラン0.&容量%、トリクロル
シラン21。4容量%および四塩化ケイ素78.咳容量
%を示し、再反応器中での4.5秒の滞留時間でFeS
i・固定床反応器を出た後の分析は、ジクロルシラン0
.2容量%「 トリクロルシラン27.群容量%ならび
に四塩化ケイ素71.既容量%を示した。
実施例 3
この場合には、混合物中の四塩化ケイ素の割合を約10
モル%の下限範囲にまで抵下した(1時間につき四塩化
ケイ素0.4kgを有する混合物中に水素0.洲で)、
反応は1000ご0、4バール絶対圧および4の砂間の
滞留時間で実施した。
モル%の下限範囲にまで抵下した(1時間につき四塩化
ケイ素0.4kgを有する混合物中に水素0.洲で)、
反応は1000ご0、4バール絶対圧および4の砂間の
滞留時間で実施した。
トリクロルシランの収率は全シラン量に基づいて、第1
段階で493容量%であり、再反応器中での4親砂の滞
留時間および32000の温度における第2段階後に6
3.5容量%まで上昇した。水素の割合が高く、そのた
めに生ずる技術的困難性のために、トリクロルシランの
凝縮は行なわなかった、分析はガスクロマトグラフイに
よって行なった。
段階で493容量%であり、再反応器中での4親砂の滞
留時間および32000の温度における第2段階後に6
3.5容量%まで上昇した。水素の割合が高く、そのた
めに生ずる技術的困難性のために、トリクロルシランの
凝縮は行なわなかった、分析はガスクロマトグラフイに
よって行なった。
図面は本発明によるトリクロルシラン製造工程を示すフ
ローシートである。 1・・・・・・高温反応器、2・…・・熱交換器ユニッ
ト、3・・・・・・フレオン12によって冷却する冷却
器、4・・・…再反応器、5…・・・熱交換器ユニット
、6・・・・・・フィルター、7・・…・排水だめ、8
・・・・・・塩水で冷却する冷却系、9・…−・フレオ
ンで冷却する冷却器ュニツト。
ローシートである。 1・・・・・・高温反応器、2・…・・熱交換器ユニッ
ト、3・・・・・・フレオン12によって冷却する冷却
器、4・・・…再反応器、5…・・・熱交換器ユニット
、6・・・・・・フィルター、7・・…・排水だめ、8
・・・・・・塩水で冷却する冷却系、9・…−・フレオ
ンで冷却する冷却器ュニツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 四塩化ケイ素を水素と反応させ、この際に生成する
塩化水素を粗ケイ素と反応させることから成るトリクロ
ルシランの連続製造法において、四塩化ケイ素と水素と
の混合物を高温反応器に入れ900〜1300℃の温度
に200〜1秒間さらし、生成する塩化水素を冷却後、
再反応器中で200〜2秒間の滞留時間、280〜35
0℃の温度においてケイ素に接触させて更にトリクロル
シランになるまで反応させ、2つの反応からのトリクロ
ルシランを凝縮・分離させ、未反応四塩化ケイ素および
新たに生成した四塩化ケイ素と水素とを再び前記高温反
応器に戻し入れることを特徴とする方法。 2 再反応器として流動床反応器を用いることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の方法。 3 流動床中に浸漬し、液状の四塩化ケイ素を供給され
る冷却管による冷却によって、流動床の温度を280〜
350℃に調節することを特徴とする特許請求の範囲第
1項または第2項に記載の方法。 4 流動床の冷却間に冷却管内で気化する四塩化ケイ素
を水素と混合し、高温反応器に導入して反応させること
を特徴とする特許請求の範囲第1項から第3項までのい
ずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3024319.7 | 1980-06-27 | ||
DE3024319A DE3024319C2 (de) | 1980-06-27 | 1980-06-27 | Kontinuierliches Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5717415A JPS5717415A (en) | 1982-01-29 |
JPS608969B2 true JPS608969B2 (ja) | 1985-03-07 |
Family
ID=6105738
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56054490A Expired JPS608969B2 (ja) | 1980-06-27 | 1981-04-13 | トリクロルシランの連続製造法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS608969B2 (ja) |
DE (1) | DE3024319C2 (ja) |
IT (1) | IT1171331B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0211570U (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-24 | ||
JP2013540095A (ja) * | 2010-10-22 | 2013-10-31 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 実質的に閉ループの方法およびシステムにおける多結晶シリコンの製造 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2530638A1 (fr) * | 1982-07-26 | 1984-01-27 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede de preparation d'un melange a base de trichlorosilane utilisable pour la preparation de silicium de haute purete |
US4526769A (en) * | 1983-07-18 | 1985-07-02 | Motorola, Inc. | Trichlorosilane production process |
EP0370050B1 (en) * | 1987-07-08 | 1994-05-18 | Primtec | Hold-pressure control and clamping in stacked multi-parting molding system having desynchronized injection periods |
DE10062413A1 (de) * | 2000-12-14 | 2002-07-04 | Solarworld Ag | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan |
DE102006009954A1 (de) | 2006-03-03 | 2007-09-06 | Wacker Chemie Ag | Wiederverwertung von hochsiedenden Verbindungen innerhalb eines Chlorsilanverbundes |
DE102006009953A1 (de) | 2006-03-03 | 2007-09-06 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Wiederverwertung von hochsiedenden Verbindungen innerhalb eines Chlorsilanverbundes |
DE102006050329B3 (de) | 2006-10-25 | 2007-12-13 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan |
JP5488777B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2014-05-14 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシランの製造方法およびトリクロロシランの製造装置 |
DE102009037155B3 (de) * | 2009-08-04 | 2010-11-04 | Schmid Silicon Technology Gmbh | Verfahren und Anlage zur Herstellung von Trichlorsilan |
DE102010000978A1 (de) * | 2010-01-18 | 2011-07-21 | Evonik Degussa GmbH, 45128 | Strömungsrohrreaktor zur Umsetzung von Siliciumtetrachlorid zu Trichlorsilan |
DE102010000981A1 (de) * | 2010-01-18 | 2011-07-21 | Evonik Degussa GmbH, 45128 | Closed loop-Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan aus metallurgischem Silicium |
KR20120124061A (ko) | 2010-01-26 | 2012-11-12 | 다우 코닝 코포레이션 | 오가노할로실란의 제조 방법 |
DE102010007916B4 (de) | 2010-02-12 | 2013-11-28 | Centrotherm Sitec Gmbh | Verfahren zur Hydrierung von Chlorsilanen und Verwendung eines Konverters zur Durchführung des Verfahrens |
US8722915B2 (en) | 2010-05-28 | 2014-05-13 | Dow Corning Corporation | Preparation of organohalosilanes |
US8772525B2 (en) | 2010-05-28 | 2014-07-08 | Dow Corning Corporation | Method for preparing a diorganodihalosilane |
WO2012033644A1 (en) | 2010-09-08 | 2012-03-15 | Dow Corning Corporation | Method for preparing a trihalosilane |
DE102010044755A1 (de) | 2010-09-08 | 2012-03-08 | Spawnt Private S.À.R.L. | Verfahren zur Herstellung von Silicium hoher Reinheit |
US8449848B2 (en) | 2010-10-22 | 2013-05-28 | Memc Electronic Materials, Inc. | Production of polycrystalline silicon in substantially closed-loop systems |
US20120100061A1 (en) | 2010-10-22 | 2012-04-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | Production of Polycrystalline Silicon in Substantially Closed-loop Processes |
US20120107216A1 (en) * | 2010-10-27 | 2012-05-03 | Gt Solar Incorporated | Hydrochlorination heater and related methods therefor |
EP2651954B1 (en) | 2010-12-17 | 2015-09-16 | Dow Corning Corporation | Method of making a trihalosilane |
AU2011341476A1 (en) | 2010-12-17 | 2013-05-23 | Dow Corning Corporation | Method of making a diorganodihalosilane |
CN103298821A (zh) | 2011-01-25 | 2013-09-11 | 道康宁公司 | 制备二有机二卤代硅烷的方法 |
US20120199323A1 (en) | 2011-02-03 | 2012-08-09 | Memc Electronic Materials Spa | Shell and tube heat exchangers and methods of using such heat exchangers |
IN2015DN01936A (ja) | 2012-08-13 | 2015-08-07 | Dow Corning | |
EP2909217B1 (en) | 2012-10-16 | 2016-10-26 | Dow Corning Corporation | Method of preparing halogenated silahydrocarbylenes |
DE102012223784A1 (de) | 2012-12-19 | 2014-06-26 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Konvertierung von Siliciumtetrachlorid in Trichlorsilan |
EP3068789B1 (en) | 2013-11-12 | 2021-04-07 | Dow Silicones Corporation | Method for preparing a halosilane |
WO2016099690A1 (en) | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Dow Corning Corporation | Method for producing aryl-functional silanes |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1935895B2 (de) * | 1969-07-15 | 1971-06-03 | Deutsche Gold und Silber Scheide anstalt vormals Roessler, 6000 Frankfurt | Verfahren zur herstellung von silikochloroform |
-
1980
- 1980-06-27 DE DE3024319A patent/DE3024319C2/de not_active Expired
-
1981
- 1981-04-13 JP JP56054490A patent/JPS608969B2/ja not_active Expired
- 1981-06-25 IT IT48753/81A patent/IT1171331B/it active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0211570U (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-24 | ||
JP2013540095A (ja) * | 2010-10-22 | 2013-10-31 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 実質的に閉ループの方法およびシステムにおける多結晶シリコンの製造 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5717415A (en) | 1982-01-29 |
DE3024319C2 (de) | 1983-07-21 |
IT1171331B (it) | 1987-06-10 |
DE3024319A1 (de) | 1982-01-28 |
IT8148753A0 (it) | 1981-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS608969B2 (ja) | トリクロルシランの連続製造法 | |
US4276424A (en) | Methods for the production of organic polysilanes | |
US5171901A (en) | Process for the preparation of 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane and 2-chloro-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane | |
CA1039754A (en) | Method of preparing vinyl chloride from liquid ethylene dichloride | |
NO170787B (no) | Reflekterende ark | |
SU988184A3 (ru) | Способ получени четыреххлористого кремни | |
JPS6259051B2 (ja) | ||
JPH0549675B2 (ja) | ||
US2836622A (en) | Preparation of carbonyl fluoride | |
CA2036220C (en) | Process for the preparation of 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane and 2-chloro-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane | |
JPH05194548A (ja) | 3−クロルプロピルシランの製造方法 | |
US4259309A (en) | Method for obtaining gaseous hydrogen chloride from dilute aqueous hydrochloric acid | |
JPS6221706A (ja) | トリクロルシランを介する珪素または珪素化合物の循環的製造方法 | |
US4073816A (en) | Process for the continuous production of monochloroalkanes | |
US6103942A (en) | Method of high purity silane preparation | |
JPS62298540A (ja) | 塩化メチル中のジメチルエ−テルを除去する方法 | |
JP2002515896A (ja) | ヘキサフルオロイソプロピルエーテル類の合成方法 | |
JPS643807B2 (ja) | ||
WO2016047736A1 (ja) | ペンタクロロジシランの製造方法並びに該方法により製造されるペンタクロロジシラン | |
JPS6221707A (ja) | トリクロルシランの製造方法 | |
JPS59195519A (ja) | ヘキサクロロジシランの製造法 | |
AU605075B2 (en) | Preparation of cyclobutarenes via the steam pyrolysis of aromatic derivatives | |
Malykhin et al. | Preparation of 2, 6-difluoro-n-alkylbenzenes from 1, 3-difluorobenzene Transformation of 2, 6-difluorotoluene to the corresponding benzaldehyde via benzyl chloride | |
JPH03193741A (ja) | アニゾールの臭素化方法 | |
Throckmorton | Preparation and reactions of perfluoro-. beta.-oxa-. delta.-valerolactone |