DE1935895B2 - Verfahren zur herstellung von silikochloroform - Google Patents
Verfahren zur herstellung von silikochloroformInfo
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- C01B33/04—Hydrides of silicon
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- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Silikochloroform SiHCl3 aus Siliciumtetrachlorid
SiCl4.
Bei der Darstellung von Silikochloroform aus Ferrosilicium und Chlorwasserstoff fällt Siliciumtetrachlorid
in erheblichen Mengen an, das für die Siliconchemie, insbesondere aber für die Herstellung von Halbleiter-Silicium
nicht brauchbar ist. Es sind daher Verfahren erwünscht, die eine Konvertierung des unerwünschten
Nebenprodukts SiCl4 zu SiHCl3 erlauben.
Es ist bekannt, zur Herstellung von SiHCl3 ein
Gemisch von SiCl4-Dampf und H2 in Gegenwart von
Aluminium oder Zink als HCl-bindendes Medium bei Temperaturen von 300 bis 5000C umzusetzen. Dabei
ist z. B. von Nachteil, daß in der Reaktion gebildetes Aluminiumchlorid schwierig aus den flüchtigen Reaktionsprodukten
abtrennbar ist. Eine Weiterverarbeitung des SiHCl3 zu Halbleiter-Silicium oder zu Spezialkieselsäuren
ist daher erst nach Vornahme aufwendiger Reinigungsmaßnahmen möglich.
Die Erfindung betrifft nun ein Verfahren, welches auf einfache Weise die Gewinnung sehr reinen Silicochloroforms
gestattet. Erfindungsgemäß setzt man zur Herstellung von SiHCl3 ein Gemisch von SiCl4 und H2
bei erhöhter Temperatur und in Anwesenheit eines HCl-bindenden Mediums um, indem man ein Gemisch
von SiCl4 und H2 im Verhältnis 1: 1 bis 1: 3, vorzugsweise
1: 1,5 bis 1: 2, in Gegenwart von Si oder Si-haltigen
Metallen bei Temperaturen von 700 bis 14000C, vorzugsweise 900 bis 10000C, unter gleichzeitiger
Umsetzung des Chlorwasserstoffs aus dem Reaktionsgleichgewicht nach
SiCl4 +H2-* SiHCl3 + HCl
umsetzt.
Es wurde nun gefunden, daß die Ausbeute an Silikochloroform von der Menge des zugesetzten Wasserstoffs
abhängig ist. Diese Menge variiert in einem Bereich zwischen der nach vorstehender Reaktionsgleichung
gegebenen stöchiometrischen Menge und 100 °/o Überschuß. Vorzugsweise wendet man jedoch
einen Überschuß um etwa 50% Wasserstoff an.
Zweckmäßigerweise erfolgt die Reaktion des Gasgemisches in Gegenwart eines reduzierend wirkenden
Mediums. Bei Durchführung der Reaktion in einer Schüttung von Silicium oder siliciumhaltigen Metallen
wird das Gleichgewicht nach obiger Reaktionsgleichung durch Umsetzung des HCl mit Si auf die rechte
Seite verschoben. Besonders glatt verläuft die Konvertierungsaktion bei Verwendung eines Ferrosiliciums
mit etwa 90% Si-Gehalt oder auch mit reinem 99%igem Silicium.
Die zur Durchführung des Verfahrens erforderliche Reaktionstemperatur kann dem Reaktionssystem von
außen zugeführt werden. Man kann die Reaktionstemperatur aber auch durch Vorheizen der Reaktionspartner oder zum Teil durch eine gleichzeitig mit der
erfindungsgemäßen Konvertierung durchgeführte Chlorierungsreaktion aufbringen.
Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erzielten Ausbeuten sind überraschend hoch. Sie liegen etwa
bei 20 bis 30 %, bezogen auf die Menge des eingesetzten Siliciumtetrachiorids.
Bei Anwendung allgemein bekannter Trennverfahren läßt sich ein Kreislaufverfahren aufbauen, wobei das
SiHCl3 aus dem Reaktionsgas entfernt wird und das Restgas unter Ergänzung der erforderlichen Komponenten
(H2, SiCl4, Si) dem erfindungsgemäßen Umsetzungsprozeß
unterworfen wird.
Die Erfindung wird durch nachstehende Beispiele weiter erläutert:
In einem von außen auf 9000C beheizten, mit
Raschig-Ringen gefüllten Quarzrohr von 15 mm Durchmesser und 300 mm Länge wurde Siliciumtetrachlorid
mit Wasserstoff im Verhältnis 1: 3 umgesetzt. Der Umsatz zu SiHCl3 betrug 3,2%.
In einem von außen auf 12000C beheizten und mit
FeSi (89 % Si) gefüllten Quarzrohr von 30 mm Durchmesser
und 300 mm Länge wurde SiCl4 mit H2 (Verhältnis
1: 1,2) umgesetzt. Der Umsatz zu SiHCl3 betrug 19 bis 20%.
In einem wärmeisolierten Reaktor von 300 mm lichten Durchmesser und einer Schüttung von FeSi
(90% Si) der Körnung 50 mm und 2000 mm Höhe wurden stündlich 42 Nm3H2 und 21 Nm3SiCl4, die auf
10500C vorgewärmt waren, zur Reaktion gebracht. Der Umsatz zu SiHCl3 betrug etwa 20%.
Dem im Beispiel 3 beschriebenen Reaktionsofen mit Schüttung wurden stündlich zugeführt: 42 Nm3H2,
Nm3SiCl4, 6 Nm3Cl2. Dabei wurden SiCl4 und H2
auf etwa 850° C vorgewärmt und das Cl2 dem vorerhitzten
SiCl4 zugemischt. Dabei stellte sich eine Reaktionstemperatur von etwa 10000C ein. Der
Umsatz zu SiHCl3 betrug ebenfalls etwa 20%.
Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung von SiHCl3 durch
Umsetzung eines Gemisches von SiCl4 und H2 bei
erhöhter Temperatur in Anwesenheit eines HCl-bindenden Mediums, dadurch gekennzeichnet,
daß man ein Gemisch von SiCl4 und H2 im
Verhältnis 1:1 bis 1:3, vorzugsweise 1: 1,5 bis 1: 2, in Gegenwart von Si oder Si-haltigen Metallen
bei Temperaturen von 700 bis 14000C, vorzugsweise 900 bis 10000C, unter gleichzeitiger Umsetzung
des Chlorwasserstoffs aus dem Reaktionsgleichgewicht, umsetzt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktion des Gasgemisches in
Gegenwart eines reduzierend wirkenden Mediums durchgeführt wird.
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erforderliche
Reaktionstemperatur durch Vorheizung der Reaktionspartner aufgebracht wird.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erforderliche Reaktionstemperatur
zum Teil durch eine gleichzeitig mit der Konvertierungsreaktion durchgeführte Chlorierungsreaktion aufgebracht wird.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19691935895 DE1935895B2 (de) | 1969-07-15 | 1969-07-15 | Verfahren zur herstellung von silikochloroform |
BE753340D BE753340A (fr) | 1969-07-15 | 1970-07-10 | Procede pour la preparation de silicochloroforme |
JP6201670A JPS6028763B1 (de) | 1969-07-15 | 1970-07-15 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19691935895 DE1935895B2 (de) | 1969-07-15 | 1969-07-15 | Verfahren zur herstellung von silikochloroform |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1935895A1 DE1935895A1 (de) | 1971-02-18 |
DE1935895B2 true DE1935895B2 (de) | 1971-06-03 |
Family
ID=5739850
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19691935895 Pending DE1935895B2 (de) | 1969-07-15 | 1969-07-15 | Verfahren zur herstellung von silikochloroform |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6028763B1 (de) |
BE (1) | BE753340A (de) |
DE (1) | DE1935895B2 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3024319A1 (de) * | 1980-06-27 | 1982-01-28 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Kontinuierliches verfahren zur herstellung von trichlorsilan |
DE19534922C1 (de) * | 1995-09-21 | 1997-02-20 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan und Silicium |
-
1969
- 1969-07-15 DE DE19691935895 patent/DE1935895B2/de active Pending
-
1970
- 1970-07-10 BE BE753340D patent/BE753340A/xx not_active IP Right Cessation
- 1970-07-15 JP JP6201670A patent/JPS6028763B1/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3024319A1 (de) * | 1980-06-27 | 1982-01-28 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Kontinuierliches verfahren zur herstellung von trichlorsilan |
DE19534922C1 (de) * | 1995-09-21 | 1997-02-20 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan und Silicium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE753340A (fr) | 1970-12-16 |
JPS6028763B1 (de) | 1985-07-06 |
DE1935895A1 (de) | 1971-02-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 |