DE1935895B2 - Verfahren zur herstellung von silikochloroform - Google Patents

Verfahren zur herstellung von silikochloroform

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DE1935895B2 DE19691935895 DE1935895A DE1935895B2 DE 1935895 B2 DE1935895 B2 DE 1935895B2 DE 19691935895 DE19691935895 DE 19691935895 DE 1935895 A DE1935895 A DE 1935895A DE 1935895 B2 DE1935895 B2 DE 1935895B2
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    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Silikochloroform SiHCl3 aus Siliciumtetrachlorid SiCl4.
Bei der Darstellung von Silikochloroform aus Ferrosilicium und Chlorwasserstoff fällt Siliciumtetrachlorid in erheblichen Mengen an, das für die Siliconchemie, insbesondere aber für die Herstellung von Halbleiter-Silicium nicht brauchbar ist. Es sind daher Verfahren erwünscht, die eine Konvertierung des unerwünschten Nebenprodukts SiCl4 zu SiHCl3 erlauben.
Es ist bekannt, zur Herstellung von SiHCl3 ein Gemisch von SiCl4-Dampf und H2 in Gegenwart von Aluminium oder Zink als HCl-bindendes Medium bei Temperaturen von 300 bis 5000C umzusetzen. Dabei ist z. B. von Nachteil, daß in der Reaktion gebildetes Aluminiumchlorid schwierig aus den flüchtigen Reaktionsprodukten abtrennbar ist. Eine Weiterverarbeitung des SiHCl3 zu Halbleiter-Silicium oder zu Spezialkieselsäuren ist daher erst nach Vornahme aufwendiger Reinigungsmaßnahmen möglich.
Die Erfindung betrifft nun ein Verfahren, welches auf einfache Weise die Gewinnung sehr reinen Silicochloroforms gestattet. Erfindungsgemäß setzt man zur Herstellung von SiHCl3 ein Gemisch von SiCl4 und H2 bei erhöhter Temperatur und in Anwesenheit eines HCl-bindenden Mediums um, indem man ein Gemisch von SiCl4 und H2 im Verhältnis 1: 1 bis 1: 3, vorzugsweise 1: 1,5 bis 1: 2, in Gegenwart von Si oder Si-haltigen Metallen bei Temperaturen von 700 bis 14000C, vorzugsweise 900 bis 10000C, unter gleichzeitiger Umsetzung des Chlorwasserstoffs aus dem Reaktionsgleichgewicht nach
SiCl4 +H2-* SiHCl3 + HCl
umsetzt.
Es wurde nun gefunden, daß die Ausbeute an Silikochloroform von der Menge des zugesetzten Wasserstoffs abhängig ist. Diese Menge variiert in einem Bereich zwischen der nach vorstehender Reaktionsgleichung gegebenen stöchiometrischen Menge und 100 °/o Überschuß. Vorzugsweise wendet man jedoch einen Überschuß um etwa 50% Wasserstoff an.
Zweckmäßigerweise erfolgt die Reaktion des Gasgemisches in Gegenwart eines reduzierend wirkenden Mediums. Bei Durchführung der Reaktion in einer Schüttung von Silicium oder siliciumhaltigen Metallen wird das Gleichgewicht nach obiger Reaktionsgleichung durch Umsetzung des HCl mit Si auf die rechte Seite verschoben. Besonders glatt verläuft die Konvertierungsaktion bei Verwendung eines Ferrosiliciums mit etwa 90% Si-Gehalt oder auch mit reinem 99%igem Silicium.
Die zur Durchführung des Verfahrens erforderliche Reaktionstemperatur kann dem Reaktionssystem von außen zugeführt werden. Man kann die Reaktionstemperatur aber auch durch Vorheizen der Reaktionspartner oder zum Teil durch eine gleichzeitig mit der erfindungsgemäßen Konvertierung durchgeführte Chlorierungsreaktion aufbringen.
Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erzielten Ausbeuten sind überraschend hoch. Sie liegen etwa bei 20 bis 30 %, bezogen auf die Menge des eingesetzten Siliciumtetrachiorids.
Bei Anwendung allgemein bekannter Trennverfahren läßt sich ein Kreislaufverfahren aufbauen, wobei das SiHCl3 aus dem Reaktionsgas entfernt wird und das Restgas unter Ergänzung der erforderlichen Komponenten (H2, SiCl4, Si) dem erfindungsgemäßen Umsetzungsprozeß unterworfen wird.
Die Erfindung wird durch nachstehende Beispiele weiter erläutert:
Beispiel 1
In einem von außen auf 9000C beheizten, mit Raschig-Ringen gefüllten Quarzrohr von 15 mm Durchmesser und 300 mm Länge wurde Siliciumtetrachlorid mit Wasserstoff im Verhältnis 1: 3 umgesetzt. Der Umsatz zu SiHCl3 betrug 3,2%.
Beispiel 2
In einem von außen auf 12000C beheizten und mit FeSi (89 % Si) gefüllten Quarzrohr von 30 mm Durchmesser und 300 mm Länge wurde SiCl4 mit H2 (Verhältnis 1: 1,2) umgesetzt. Der Umsatz zu SiHCl3 betrug 19 bis 20%.
Beispiel 3
In einem wärmeisolierten Reaktor von 300 mm lichten Durchmesser und einer Schüttung von FeSi (90% Si) der Körnung 50 mm und 2000 mm Höhe wurden stündlich 42 Nm3H2 und 21 Nm3SiCl4, die auf 10500C vorgewärmt waren, zur Reaktion gebracht. Der Umsatz zu SiHCl3 betrug etwa 20%.
Beispiel 4
Dem im Beispiel 3 beschriebenen Reaktionsofen mit Schüttung wurden stündlich zugeführt: 42 Nm3H2, Nm3SiCl4, 6 Nm3Cl2. Dabei wurden SiCl4 und H2 auf etwa 850° C vorgewärmt und das Cl2 dem vorerhitzten SiCl4 zugemischt. Dabei stellte sich eine Reaktionstemperatur von etwa 10000C ein. Der Umsatz zu SiHCl3 betrug ebenfalls etwa 20%.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung von SiHCl3 durch Umsetzung eines Gemisches von SiCl4 und H2 bei erhöhter Temperatur in Anwesenheit eines HCl-bindenden Mediums, dadurch gekennzeichnet, daß man ein Gemisch von SiCl4 und H2 im Verhältnis 1:1 bis 1:3, vorzugsweise 1: 1,5 bis 1: 2, in Gegenwart von Si oder Si-haltigen Metallen bei Temperaturen von 700 bis 14000C, vorzugsweise 900 bis 10000C, unter gleichzeitiger Umsetzung des Chlorwasserstoffs aus dem Reaktionsgleichgewicht, umsetzt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktion des Gasgemisches in Gegenwart eines reduzierend wirkenden Mediums durchgeführt wird.
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erforderliche Reaktionstemperatur durch Vorheizung der Reaktionspartner aufgebracht wird.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erforderliche Reaktionstemperatur zum Teil durch eine gleichzeitig mit der Konvertierungsreaktion durchgeführte Chlorierungsreaktion aufgebracht wird.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3024319A1 (de) * 1980-06-27 1982-01-28 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Kontinuierliches verfahren zur herstellung von trichlorsilan
DE19534922C1 (de) * 1995-09-21 1997-02-20 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan und Silicium

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3024319A1 (de) * 1980-06-27 1982-01-28 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Kontinuierliches verfahren zur herstellung von trichlorsilan
DE19534922C1 (de) * 1995-09-21 1997-02-20 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan und Silicium

Also Published As

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BE753340A (fr) 1970-12-16
JPS6028763B1 (de) 1985-07-06
DE1935895A1 (de) 1971-02-18

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