NO170787B - Reflekterende ark - Google Patents

Reflekterende ark Download PDF

Info

Publication number
NO170787B
NO170787B NO853045A NO853045A NO170787B NO 170787 B NO170787 B NO 170787B NO 853045 A NO853045 A NO 853045A NO 853045 A NO853045 A NO 853045A NO 170787 B NO170787 B NO 170787B
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
chlorosilanes
absorbent
hydrogen
mixture
absorption
Prior art date
Application number
NO853045A
Other languages
English (en)
Other versions
NO170787C (no
NO853045L (no
Inventor
Bruce D Orensteen
Thomas I Bradshaw
Original Assignee
Minnesota Mining & Mfg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Minnesota Mining & Mfg filed Critical Minnesota Mining & Mfg
Publication of NO853045L publication Critical patent/NO853045L/no
Publication of NO170787B publication Critical patent/NO170787B/no
Publication of NO170787C publication Critical patent/NO170787C/no

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/12Reflex reflectors
    • G02B5/126Reflex reflectors including curved refracting surface
    • G02B5/128Reflex reflectors including curved refracting surface transparent spheres being embedded in matrix
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/06009Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code with optically detectable marking
    • G06K19/06046Constructional details
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/08Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code using markings of different kinds or more than one marking of the same kind in the same record carrier, e.g. one marking being sensed by optical and the other by magnetic means
    • G06K19/10Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code using markings of different kinds or more than one marking of the same kind in the same record carrier, e.g. one marking being sensed by optical and the other by magnetic means at least one kind of marking being used for authentication, e.g. of credit or identity cards
    • G06K19/14Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code using markings of different kinds or more than one marking of the same kind in the same record carrier, e.g. one marking being sensed by optical and the other by magnetic means at least one kind of marking being used for authentication, e.g. of credit or identity cards the marking being sensed by radiation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
  • Aerials With Secondary Devices (AREA)
  • Road Signs Or Road Markings (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Projection-Type Copiers In General (AREA)
  • Holo Graphy (AREA)

Description

Fremgangsmåte til adskillelse av klorsilaner fra de ved klorering eller hydroklorering av silisium ag silisiumholdige utgangsmaterialer dannede (gassformede) reaksjonsblandinger.
Oppfinnelsen vedrører en fremgangsmåte til adskillelse av klorsilaner fra gassformede reaksjonsblandinger, bestående av klorsilaner og/eller karbondioksyd og/eller karbonmonooksyd eller hydrogen, slik de fremkommer ved klorering eller hydroklorering av silisium, silisiumlegeringer og silisiumholdige forbindelser som silicider og (ved tilsetning av reduksjonsmiddel) kiselsyre, ved absorpsjon i flytende medium.
Ved kloreringen av metallisk silisium, eksempelvis fra silicider med klorhydrogen oppstår ifølge likningene et mol silisiumtetraklorid og to mol hydrogen, resp. ett mol triklorsilan og ett mol hydrogen.
Disse gassblandinger kan finne anvendelse til fremstilling av høydisperst silisiumdioksyd ved flammehydrolyse. Ved fremstilling av høydisperst silisiumdioksyd kreves imidlertid generelt klorsilan/Hg-blandinger av annen molar sammensetning, f.eks. SiCl^/Hg som 1:2 til 1:3, således at en økning av hydrogen-innholdet resp. en senkning av klorsilaninnholdet i reaksjons-gassblandingen er uunngåelig. Økningen av hydrogenmengden ved til-førsel av rent hydrogen til nevnte gassblanding forutsetter imidlertid at dette i nødvendig grad stilles til disposisjon utenifra, utenfor kloreringsprosessen.
Dertil kommer at den ytelsesmessige avstemning av et teknisk kloreringsanlegg med et anlegg til fremstilling av silisiumdioksyd uten mellomlagring av kloreringsproduktene praktisk talt er utelukket. En mellomlagring av den ved nevnte kloreringsprosess dannede gassblanding, eksempelvis i gassometeret, bortfaller imidlertid, for denne blanding har et duggpunkt på ca. 26°C, dvs. under denne temperatur forandrer gass-sammensetningen seg på grunn av delkondensasjon av klorsilan, idet det utkondenserte klorsilan kan gi anledning til ytterligere vanskeligheter, eksempelvis ved den pneumatiske sperring av gassometeret.
Det foreligger altså nødvendighet for en delvis eller
kvantitativ adskillelse av klorsilaner fra de nevnte reaksjonsgasser.
Den delvise kondensasjon av klorsilanene til tilsiktet innstilling av et bestemt klorsilan/H2_niolforhold ved avkjøling av gassene kommer ikke i betraktning, for ved 26°C utskiller det seg nettopp intet klorsilan, ved 15°C imidlertid allerede ca. 50% av de i gassfasen tilstedeværende klorsilaner, således at allerede en liten, ikke beherskbar temperaturforandring ville føre til sterke svingninger av klorsilan/^-f orholdet. En fullstendig adskillelse av klorsilanene ved dypavkjøling er ikke oppnåelig økonomisk på grunn av de meget lave temperaturer som må anvendes, f.eks. -50°C og lavere, da eksempelvis selve damptrykket for SiCl^ ved -20°C stadig ennå utgjør 25 torr således at det også da forblir betrakte-lige mengder klorsilaner i" gassfasen.
Motstrømsabsorpsjon og desorpsjon ved gjennomblåsing med inertgass prinsipielt er å anse som nærliggende anvendt teknikk. Imidlertid var kombinasjonen av kjente fysikalske forholdsregler aldri foreskrevet eller sågar anvendt til løsning av et påtrengende problem i silisiumkjemien, nemlig en kvantitativ adskillelse av halogenerings- eller hydrokloreringsproduktene fra reaksjonen stammende følgende gasser (f.eks. hydrogen).
Oppfinnelsen vedrører altså en fremgangsmåte til adskillelse av klorsilaner fra de ved klorering eller hydroklorering av silisium og silisiumholdige utgangsmaterialer dannede (gassformede) reaksjonsblandinger av klorsilaner og karbonmonoksyd og/eller karbondioksyd eller hydrogen ved absorpsjon i flytende medium og etterfølgende utdrivning av klorsilanene fra absorpsjonsmidlet, hvor gassblandingen av klorsilaner og karbondioksyd og/eller karbonmonoksyd eller hydrogen ved temperaturer under kokepunktet for det ubegrensede med klorsilaner blandbare absorpsjonsmiddel, innføres i et med dette beskiktet absorpsjonsrom i motstrøm, deretter adskilles i en utdrivningsinnretning klorsilaner fra absorpsj onsmidlet ved oppvarmning til en temperatur som ligger mellom klorsilanets og absorpsjonsmidlets koketemperatur, idet klorsilanenes utdrivning fra absorpsjonsmidlet kombineres med en inertgass-spyling således at en inertgass-strøm enten under temperaturbehandlingen eller også i tilknytning hertil føres over eller inn i blandingen som skal skilles, og fremgangsmåten er karakterisert ved at det som absorpsjonsmiddel anvendes en kiselsyreester, f.eks. oktylsilikat eller etylsilikat, eller en fosforsyreester, spesielt trikresylfosfat.
Det ble fastslått at klorsilanene såvel lar seg fjerne delvis som også fullstendig fra de omtalte kloreringsgasser mest fordelaktig ved en vaskeprosess. Det ble videre funnet at av det uttall som vaskevæske aktuelle organiske væsker, som er ubegrenset blandbart med klorsilaner, egner følgende seg best: hydrokarboner og klorhydrokarboner, spesielt parafinolje og klorparafin, kisel-syreestere, f.eks. oktylsilikat eller etylsilikat og endelig fos-forsyreestere, f.eks. trikresylfosfat.
De nevnte organiske væsker har følgende felles egen-skaper som er nødvendig for formålet ifølge oppfinnelsen:
a) de er inerte overfor klorsilaner,
b) de har en god absorpsjonsevne for klorsilaner,
c) ' de kan adskilles igjen med vanlige midler fra klorsilanene,
d) deres kokepunkt ligger tilstrekkelig høyt over klorsilanenes og
e) de spalter ikke seg selv ved lengere oppvarmning og i nærvær
av klorsilanene.
De flytende blandinger av disse organiske væsker
og klorsilaner kan derfor i og for seg fullstendig spaltes igjen i deres bestanddeler ved enkel oppvarmning. Hertil er det imidlertid nødvendig med en oppvarmning til absorpsjonsmidlets koketemperatur, ved høyerekokende absorbenter er det altså nødvendig med høyere temperaturer. Således inneholder parafinolje, når man eksempelvis oppvarmer en vektslik blanding av parafinolje og SiCl^ til 200°C, stadig 2-3 vektprosent SiCljj. For nå praktisk talt å oppnå en fullstendig SiCl^-frihet i oljen, måtte man anvende temperaturer på minst 300°C. Slike høye temperaturer over 200°C er imidlertid uheldig for alle her nevnte organiske væsker. Dessuten ville fremgangsmåten bli for sterkt belastet fra energisiden.
Det ble nå videre funnet at en fullstendig eller mål-bevisst delvis adskillelse av de organiske væsker fra klorsilanene også kan oppnås ved vesentlig lavere temperaturer, når man kombinerer temperaturbehandlingen med en inertgass-spyling, således at man enten under temperaturbehandlingen eller også etterpå fører en inertgass-strøm over eller inn i blandingen som skal skilles, idet det i om-rådet for høyere temperaturer er nødvendig med min-re og ved lavere temperaturer større mengder inertgass.
Hensiktsmessig lar det seg anvende slike inertgasser
til spyling som de allerede er tilstede i reaksjonsblandingen, nemlig hydrogen og/eller karbonmonooksyd og/eller karbondioksyd. Derved fremkommer muligheten for tilbakeføring av de for spyling benyttede og med klorsilaner oppladede inertgasser i vaskeprosessen.
Ved anlegg av et vakuum kan utdrivningen av oppløst klorsilan befordres betraktelig, idet man kommer ut med lavere temperaturer. Byggende på de forannevnte erkjennelser oppbygger fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen seg i følgende fremgangsmåtetrinn: A) Klorsilanenes absorpsjon i absorpsjonsmiddel ved mot-.strømsføring av kloreringsgassene og av absorpsjonsmidlet i et med fyll-legemer besjiktet tårn; lagring av de gasser som forlater tårnet øverst og som er klorsilanfrie. B) Desorpsjon av klorsilanene i en egnet innretning ved oppvarmning av klorsilanhoidige absorpsjonsmidler, kondensasjon og lagring av klorsilanene. C) Videre eller fullstendig desorpsjon av klorsilanene i den samme eller en annen innretning ved samme eller en annen temperatur ved spyling med en for klorsilanet fri eller mest mulig
befridd delgass-strøm fra fremgangsmåtetrinn A.
D) Tilbakeføring såvel av de klorsilanholdige spylegasser som også det klorsilanfrie eller mest mulig frie absorpsjonsmiddel fra fremgangsmåtetrinn C) i absorpsjonstårnet i trinn A).
Det er mulig å utføre denne absorpsjons-/desorpsjons-syklus således at klorsilanene ikke fullstendig adskilles, men for en overveiende eller også bare mindre del adskilles fra de øvrige kloreringsgasser. Det kan foregå ved at man avstemmer mengden av absorpsjonsvæske i vasketårnet' således at de kloreringsgasser som forlater tårnet øverst, har et helt bestemt innhold av klorsilaner. Det kan videre også foregå ved at man ved fremgangsmåtetrinnene B) og C) bare desorberer til et bestemt klorsilaninnhold og tilbake-fører det ennå klorsilanholdige absorpsjonsmiddel som vaskevæske til absorpsjonstårnet i trinn A), idet det resterende og definerte klorsilaninnhold avdrives med de i tårnet oppadstigende klorerings-reaksjonsgasser. Gassene som nå har et ønsket innhold av klorsilaner, kan deretter lagres enten i gassometeret hvis duggpunkt ligger lavt nok eller også direkte føres til prosessen for flamme-. hydrolyse til fremstilling av høydisperse kiselsyrer. Fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen lar seg også fordelaktig anvende for adskillelsen av kloreringsgasser som bare inneholder mindre mengder klorsilaner, eksempelvis gassblandinger av SiCljj og H2 i molforhold 1:10 til 1:50. Det er også i dette til-felle mulig praktisk talt å adskille klorsilandelen fullstendig.
Gjennomføring av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen forklares videre ved hjelp av følgende eksempler.
Eksempel 1.
En gassblanding, inneholdende 1 m^ hydrogen, 0,45 m gassformet SiCl^ (dvs. ca. 3,2 kg SiCl^) og 0,05 m- 5 SiHCl^ (dvs. ca. 0,25 kg SiHCl-j) føres i en absorpsjonssøyle (230 cm lang og kO mm diameter) i motstrøm i løpet av 10 timer med 3,5 kg parafinolje. Den bortrennende blanding (ca. 7 kg) har et SiCl^/SiHCl^-innhold på ca. 50 vektprosent, mens det hydrogen som forlater søylen øverst praktisk talt er fri for SiCl^ og SiHClj.
Den bortløpende blanding (7 kg) oppvarmes til 180°C, idet den største del av det i blandingen inneholdte SiCl^ og SiHCl^ fordamper og kan således utvinnes i ren form ved etterfølgende kondensasjon.
Det blir tilbake 3,7 kg av en blanding som ennå inneholder 0,2 kg SiCljj, dvs. 5,5 vektprosent. For fullstendig fjerning av SiCl^-mengden gassbehandler man blandingen med 100 liter fra absorpsjonssøylens hode bortgrenet, rent hydrogen. Etter hydrogenspylingen forblir det tilbake en praktisk talt SiCllj- og SiHCl3-fri parafinolje, mens det med SiCl^ oppladede hydrogen igjen tilbakeføres til absorpsjonssøylen. Parafinoljen tilbakeføres i absorpsj onskretsløpet.
Eksempel 2.
En gassblanding som består av karbonmonooksyd og gassformet silisiumtetraklorid (molforhold CO : SiCl^ = 2,85 : 1)
føres gjennom en absorpsjonssøyle av 230 cm lengde og 4 cm diameter, idet det mot gass-strømmen strømmer n-oktylsilikat over Raschig-ringer. Under produksjonen av tilsammen 2,3 m^ gassblanding
(1,7 m<5> CO og 0,6 m<5> gassformet SiCl^, det tilsvarer 4,46 kg SiCl^)
i 12 timer gjennom søylen anvendes 16,05 kg n-oktylsilikat til absorpsjon. Det SiCl^-frie karbonmonooksyd forlater søylen øverst, mens det nedvaskede SiCl^ strømmer i blanding nedad med n-oktylsilikat .
Den bortrennende blanding (20,51 kg) med et SiCl^-innhold på 21,74% oppvarmes i en destilleringskolbe ved 200°C,
idet en stor del av det oppløste silisiumtetraklorid avdestillerer i ren form over en rektifiseringssøyle og kondenseres i en kjøler, mens n-oktylsilikat blir tilbake i kolben med et innhold på 6, 1% SiCljj (det tilsvarer 1,05 kg SiC<l>jj).
For fullstendig utdrivning av SiCl^ leder man ved
hjelp av en gassdusj 0,15 m karbonmonooksyd gjennom det 200°C varme n-oktylsilikat. Det SiCl^-frie n-oktylsilikat og CO/SiCl^-gassblandingen fører man tilbake i absorpsjonskretsløpet.
Eksempel 3-
1,18 nr ■ z av en gassblanding av C02 og SiCl^ med den molare sammensetning C02 : SiCl^ = 2,58 : 1 adskilles på den i eksempel 2 omtalte måte med 21,4 kg trikresylfosfat. Man får 23,9 kg blanding trikresylf osf at/SiCl^ med 2,5 kg SiCljj og praktisk talt SiCljj-fri C02.
Den flytende blanding med 10, 5% SiCljj oppvarmes deretter ved 150°C, derved avdestillerer 1,'95 kg SiCl^. Den gjen-blivende blanding inneholder ennå 2, 5% SiClj., tilsvarende 0,55 kg, som utdrives ved samme temperatur med 0,20 nr C02 og tilbakeføres i absorpsjonskretsløpet.

Claims (4)

1. Fremgangsmåte til adskillelse av klorsilaner fra de ved klorering eller hydroklorering av silisium og silisiumholdige utgangsmaterialer dannede (gassformede) reaksjonsblandinger av klorsilaner og karbonmonoksyd og/eller karbondioksyd eller hydrogen ved absorpsjon i flytende medium, og etterfølgende utdrivning av klorsilanene fra absorpsjonsmidlet, hvor gassblandingen av klorsilaner og karbondioksyd og/eller karbonmonoksyd eller hydrogen ved temperaturer under kokepunktet for det ubegrensede med klorsilaner blandbare absorpsjonsmiddel , innføres i et med dette beskiktet absorpsj onsrom i motstrøm, deretter adskilles i en utdrivningsinnretning klorsilaner fra absorpsjonsmidlet ved oppvarmning til en temperatur som ligger mellom klorsilanets og absorpsjonsmidlets koketemperatur, idet klorsilanenes utdrivning fra absorpsjonsmidlet kombineres med en inertgass-spyling således at en inertgass-strøm enten under temperaturbehandlingen eller også i tilknytning hertilføres over eller inn i blandingen som skal skilles, karakterisert ved at det som absorpsjonsmiddel anvendes en kiselsyreester, f.eks. oktylsilikat eller etylsilikat, eller en fosforsyreester, spesielt trikresylfosfat.
2. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at klorsilaner helt eller delvis adskilles fra blandinger av disse med hydrogen, hvis molforhold klorsilan:hydrogen = 1:2 til 1:50.
3. Fremgangsmåte ifølge kravene 1-2, karakterisert ved at silisiumtetraklorid adskilles fra en blanding av dette med hydrogen, hvis molforhold SiCl^ : H2 = 1 : 2.
4. Fremgangsmåte ifølge kravene 1-3, karakterisert ved at det foretas en delvis absorpsjon, således at det fremkommer en blanding hvor molforholdet SiCl^ : H2 ligger mellom 1 : 2 til 1:4.
NO853045A 1984-08-03 1985-07-31 Reflekterende ark NO170787C (no)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/637,474 US4650283A (en) 1984-08-03 1984-08-03 Directionally imaged retroreflective sheeting

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NO853045L NO853045L (no) 1986-02-04
NO170787B true NO170787B (no) 1992-08-24
NO170787C NO170787C (no) 1992-12-02

Family

ID=24556100

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO853045A NO170787C (no) 1984-08-03 1985-07-31 Reflekterende ark

Country Status (17)

Country Link
US (1) US4650283A (no)
EP (1) EP0170518B1 (no)
JP (1) JPS6146976A (no)
KR (1) KR930003787B1 (no)
AT (1) ATE74669T1 (no)
AU (1) AU568758B2 (no)
BR (1) BR8503626A (no)
CA (1) CA1273835A (no)
DE (1) DE3585812D1 (no)
DK (1) DK316585A (no)
ES (1) ES8702667A1 (no)
FI (1) FI84520C (no)
HK (1) HK4693A (no)
IE (1) IE58653B1 (no)
MX (1) MX157153A (no)
NO (1) NO170787C (no)
ZA (1) ZA855873B (no)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4688894A (en) * 1985-05-13 1987-08-25 Minnesota Mining And Manufacturing Company Transparent retroreflective sheets containing directional images and method for forming the same
CA1267173A (en) * 1985-09-23 1990-03-27 Thomas I. Bradshaw Sheet containing contour-dependent directional image and method for forming the same
CA1284141C (en) * 1985-11-18 1991-05-14 Minnesota Mining And Manufacturing Company Encapsulated-lens retroreflective sheeting and method of making
US4983436A (en) * 1987-04-15 1991-01-08 Minnesota Mining And Manufacturing Company Retroreflective sheeting with backing film
AT388759B (de) * 1987-07-21 1989-08-25 Oesterr Forsch Seibersdorf Warenbahnmarkierung mittels streifencode
US4801193A (en) * 1988-03-04 1989-01-31 Reflexite Corporation Retroreflective sheet material and method of making same
GB8924751D0 (en) * 1989-11-02 1989-12-20 Storechange Ltd Reflective material
GB2251091B (en) * 1989-11-02 1993-10-27 Storechange Ltd Reflective material
US6019287A (en) * 1993-10-06 2000-02-01 3M Innovative Properties Company Security reader for automatic detection of tampering and alteration
US5621571A (en) * 1994-02-14 1997-04-15 Minnesota Mining And Manufacturing Company Integrated retroreflective electronic display
KR100375893B1 (ko) * 1994-05-12 2003-05-16 미네소타 마이닝 앤드 매뉴팩춰링 캄파니 재귀반사성물품및그제조방법
JPH10510227A (ja) * 1994-11-29 1998-10-06 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー エッチングしたような外観/プリズム画像を上に有する透明装飾品
WO1997001776A1 (en) * 1995-06-29 1997-01-16 Minnesota Mining & Mfg Rainbow sheeting having distinct color changes and/or hidden images
US6086707A (en) * 1996-02-29 2000-07-11 Raytheon Company Method for making an identification document
US5940212A (en) * 1997-10-30 1999-08-17 3M Innovative Properties Company Cube corner article with altered inactive areas and method of making same
US6282026B1 (en) 1998-02-05 2001-08-28 3M Innovative Properties Company Retroreflectors having two optical surfaces and varying retroreflectivity
US6045230A (en) * 1998-02-05 2000-04-04 3M Innovative Properties Company Modulating retroreflective article
ES2238814T3 (es) 1998-10-30 2005-09-01 Avery Dennison Corporation Lamina retrorreflectante que contiene una imagen de validacion y metodos de fabricacion.
US6288842B1 (en) 2000-02-22 2001-09-11 3M Innovative Properties Sheeting with composite image that floats
US7336422B2 (en) * 2000-02-22 2008-02-26 3M Innovative Properties Company Sheeting with composite image that floats
US7068434B2 (en) 2000-02-22 2006-06-27 3M Innovative Properties Company Sheeting with composite image that floats
US6500526B1 (en) 2000-09-28 2002-12-31 Avery Dennison Corporation Retroreflective sheeting containing a validation image and methods of making the same
AU2003214999A1 (en) * 2002-02-04 2003-09-02 Avery Dennison Corporation Topcoat compositions, coated substrates and method
JP2004252415A (ja) * 2003-01-28 2004-09-09 Kyodo Printing Co Ltd 偽造防止粘着シール及びその製造方法
GB2400717A (en) * 2003-04-05 2004-10-20 Royal British Legion Ind Ltd A method of temporarily concealing information displayed by a sign.
US8062735B2 (en) * 2004-04-13 2011-11-22 L-1 Secure Credentialing, Inc. Retroreflective security features in secure documents
US7616332B2 (en) * 2004-12-02 2009-11-10 3M Innovative Properties Company System for reading and authenticating a composite image in a sheeting
WO2006138129A1 (en) * 2005-06-16 2006-12-28 Avery Dennison Corporation Retroreflective sheet structure
JP4697705B2 (ja) * 2005-07-15 2011-06-08 共同印刷株式会社 再起反射材及び再帰反射材へのマーキング方法
US7981499B2 (en) * 2005-10-11 2011-07-19 3M Innovative Properties Company Methods of forming sheeting with a composite image that floats and sheeting with a composite image that floats
US7586685B2 (en) * 2006-07-28 2009-09-08 Dunn Douglas S Microlens sheeting with floating image using a shape memory material
RU2422303C2 (ru) 2006-08-23 2011-06-27 Ниппон Карбайд Когио Кабусики Кайся Номерной знак транспортного средства и используемый для него световозвращающий лист
US7800825B2 (en) * 2006-12-04 2010-09-21 3M Innovative Properties Company User interface including composite images that float
US8459807B2 (en) 2007-07-11 2013-06-11 3M Innovative Properties Company Sheeting with composite image that floats
EP3260893A3 (en) * 2007-11-27 2018-04-11 3M Innovative Properties Co. Methods for forming sheeting with a composite image that floats and a master tooling
US8111463B2 (en) 2008-10-23 2012-02-07 3M Innovative Properties Company Methods of forming sheeting with composite images that float and sheeting with composite images that float
US7995278B2 (en) * 2008-10-23 2011-08-09 3M Innovative Properties Company Methods of forming sheeting with composite images that float and sheeting with composite images that float
US20120099200A1 (en) 2009-07-17 2012-04-26 Nippon Carbide Industries Co., Inc. Retroreflective sheeting of micro glass sphere provided with image having visual direction
US9547109B2 (en) 2009-08-25 2017-01-17 Avery Dennison Corporation Retroreflective article
US20130286481A1 (en) 2011-01-19 2013-10-31 Nippon Carbide Industries Co., Inc. Micro glass bead retroreflective sheeting having image with directional visibility thereon
DE102015118966A1 (de) 2015-11-05 2017-05-11 Erich Utsch Ag Retroreflektierender Körper mit Farbeffekt und Herstellungsverfahren
CN108680976B (zh) * 2018-07-25 2021-11-09 浙江夜光明光电科技股份有限公司 一种双色反光热贴膜的制作方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3190178A (en) * 1961-06-29 1965-06-22 Minnesota Mining & Mfg Reflex-reflecting sheeting
US3154872A (en) * 1963-02-13 1964-11-03 Minnesota Mining & Mfg Tamper-proof markings for reflecting structures
US3700305A (en) * 1970-12-14 1972-10-24 Minnesota Mining & Mfg Retroreflective microspheres having a dielectric mirror on a portion of their surface and retroreflective constructions containing such microspheres
US3836227A (en) * 1973-04-13 1974-09-17 Minnesota Mining & Mfg Heat-bondable retroreflective sheeting
US3801183A (en) * 1973-06-01 1974-04-02 Minnesota Mining & Mfg Retro-reflective film
US4082427A (en) * 1974-07-02 1978-04-04 Fukuoka Tokushu Garasu Kabushiki Kaisha High refractive index glass compositions
JPS51144198A (en) * 1975-06-06 1976-12-10 Seibu Polymer Kasei Kk Return reflector
US4025159A (en) * 1976-02-17 1977-05-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Cellular retroreflective sheeting
US4099838A (en) * 1976-06-07 1978-07-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Reflective sheet material
US4082426A (en) * 1976-11-26 1978-04-04 Minnesota Mining And Manufacturing Company Retroreflective sheeting with retroreflective markings
US4200875A (en) * 1978-07-31 1980-04-29 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Apparatus for, and method of, recording and viewing laser-made images on high gain retroreflective sheeting
US4367920A (en) * 1979-10-01 1983-01-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Retroflective sheeting
DE3070933D1 (en) * 1979-11-27 1985-09-05 Swarovski & Co Retroreflection plate
CA1244306A (en) * 1982-09-02 1988-11-08 Louis C. Belisle Retroreflective sheeting
JPH0617921B2 (ja) * 1984-03-15 1994-03-09 西武ポリマ化成株式会社 セル状反射シート

Also Published As

Publication number Publication date
CA1273835A (en) 1990-09-11
FI852852A0 (fi) 1985-07-22
DE3585812D1 (de) 1992-05-14
EP0170518B1 (en) 1992-04-08
KR930003787B1 (ko) 1993-05-10
DK316585A (da) 1986-02-04
NO170787C (no) 1992-12-02
KR860002003A (ko) 1986-03-24
MX157153A (es) 1988-10-28
EP0170518A3 (en) 1988-06-01
NO853045L (no) 1986-02-04
FI84520C (fi) 1991-12-10
FI84520B (fi) 1991-08-30
ES545140A0 (es) 1986-12-16
US4650283A (en) 1987-03-17
AU568758B2 (en) 1988-01-07
JPH0569220B2 (no) 1993-09-30
DK316585D0 (da) 1985-07-11
FI852852L (fi) 1986-02-04
AU4479185A (en) 1986-02-06
HK4693A (en) 1993-01-29
JPS6146976A (ja) 1986-03-07
EP0170518A2 (en) 1986-02-05
BR8503626A (pt) 1986-04-29
ZA855873B (en) 1987-03-25
ES8702667A1 (es) 1986-12-16
ATE74669T1 (de) 1992-04-15
IE58653B1 (en) 1993-11-03
IE851722L (en) 1986-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO170787B (no) Reflekterende ark
US4506087A (en) Method for the continuous preparation of alkoxysilanes
AU2005318149B2 (en) Process for the manufacture of 1,2-dichloroethane
EP2045249B1 (en) Process for preparing monochloroethylene carbonate and subsequent conversion to vinylene carbonate
JPS608969B2 (ja) トリクロルシランの連続製造法
SU988184A3 (ru) Способ получени четыреххлористого кремни
US20110082267A1 (en) Process for the manufacture of 1,2-dichloroethane and of at least one ethylene derivative compound different from 1,2-dichloroethane
US4156632A (en) Process for the separation of water from gas mixtures formed in the manufacture of vinyl acetate
US2779663A (en) Recovery of thionyl chloride
JP2018531906A (ja) 塩素化メタンの製造プロセス
NO121268B (no)
JPH08225471A (ja) 塩化水素を分離する方法
US4759826A (en) Process for purifying thionyl chloride
JP3175286B2 (ja) フッ化水素と1,1,1−トリフルオロ−2−クロロエタンの共沸混合物および1,1,1−トリフルオロ−2−クロロエタンの精製方法
JPS61268635A (ja) 二塩化エタンの製造方法
US4283577A (en) Method for making ethylene chlorohydrin
CA1094093A (en) Methyl chloroformate process
US4422913A (en) Process for the production of 1,1,2-trichloro-2,2-difluoroethane
JPH0471007B2 (no)
US3145079A (en) Process for the preparation of purified hydrogen bromide gas by the use of activated arbon as catalyst
JPS6116255B2 (no)
US6673329B2 (en) Process for preparing fluorosulfonic acid having low contents of low-boiling compounds
CN112661598B (zh) 一种利用Si或SiC晶体薄膜生长的氯基CVD制程尾气制备氯甲烷的方法
RU2214364C1 (ru) Способ получения трихлорсилана
JPH0571524B2 (no)