CN103298821A - 制备二有机二卤代硅烷的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种制备二有机二卤代硅烷的方法，所述方法包括以下单独且连续的步骤：(i)使用包含氢气和四卤化硅的混合物在300-1400℃的温度下处理预先形成的金属硅化物，以形成处理过的金属硅化物，其中所述预先形成的金属硅化物包含选自Ni、Pd或Pt中的至少一者的金属；以及(ii)使所述处理过的金属硅化物与根据式RX的有机卤化物在250-700℃的温度下反应以形成二有机二卤代硅烷，其中R为C1-C10烃基并且X为卤素。
Description
相关专利申请的交叉引用
无
技术领域
本发明涉及一种制备二有机二卤代硅烷的方法，该方法包括使用包含氢气和四卤化硅的混合物处理预先形成的金属硅化物以形成处理过的金属硅化物，然后使处理过的金属硅化物与有机卤化物反应。
背景技术
二有机二卤代硅烷可水解制备出售到多种不同行业的各种聚有机硅氧烷。通常，二有机二卤代硅烷通过Mueller-Rochow直接法进行商业化制备，该直接法包括在铜催化剂和各种促进剂的存在下将有机卤化物（诸如氯甲烷）传递到零价硅上。该直接法制备有机卤代硅烷的混合物，其中最有价值的是二甲基二氯硅烷。
直接法中使用的零价硅通常在电弧炉中于极高温度下通过SiO2的碳热还原制得。产生这些极端温度需要大量的能量，这会显著增加制备零价硅方法的成本。因此，零价硅的使用也显著增加了通过直接法制备二有机二卤代硅烷的成本。
金属硅化物（诸如硅化铜）已用于直接法中，以促进零价硅与有机卤化物反应制得二有机二卤代硅烷。然而，当用作促进剂时，金属硅化物通常以低含量与大量零价硅以及其他催化剂和促进剂一起使用。
因此，需要不直接使用通过SiO2的碳热还原制备的零价硅来制备二有机二卤代硅烷的更经济的方法。
发明内容
本发明涉及一种制备二有机二卤代硅烷的方法，该方法包括以下单独且连续的步骤：(i)使用包含氢气和四卤化硅的混合物在300-1400℃的温度下处理预先形成的金属硅化物，以形成处理过的金属硅化物，其中预先形成的金属硅化物包含选自Ni、Pd或Pt中的至少一者的金属；以及(ii)使处理过的金属硅化物与根据式RX的有机卤化物在250-700℃的温度下反应以形成二有机二卤代硅烷，其中R为C1-C10烃基并且X为卤素。
由于本发明的方法由四卤化硅和金属硅化物制备二有机二卤代硅烷，所以该方法可比目前通过直接使用SiO2的碳热还原制备的零价硅来制备二有机二卤代硅烷的商业化方法更为经济。另外，该方法允许由与有机卤化物反应时通常不会产生二有机二卤代硅烷的金属硅化物制备二有机二卤代硅烷。
根据本发明方法制备的二有机二卤代硅烷可通过已知方法水解制备聚硅氧烷，而聚硅氧烷可应用于许多行业和应用。
具体实施方式
一种制备二有机二卤代硅烷的方法，该方法包括以下单独且连续的步骤：
(i)使用包含氢气和四卤化硅的混合物在300-1400℃的温度下处理预先形成的金属硅化物，以形成处理过的金属硅化物，其中预先形成的金属硅化物包含选自Ni、Pd或Pt中的至少一者的金属；以及
(ii)使处理过的金属硅化物与根据式RX的有机卤化物在250-700℃的温度下反应以形成二有机二卤代硅烷，其中R为C1-C10烃基并且X为卤素。
在步骤(i)中，使用包含氢气和四卤化硅的混合物在300-1400℃的温度下处理预先形成的金属硅化物，以形成处理过的金属硅化物，其中预先形成的金属硅化物包含选自Ni、Pd或Pt中的至少一者的金属。
预先形成的金属硅化物包含选自Ni、Pd或Pt中的至少一者的金属，或者选自Ni或Pd中的至少一者的金属，或者为Pd的金属。如本文所用，“预先形成的”是指金属硅化物的至少一部分在步骤(i)之前形成。
预先形成的金属硅化物可具有多种形式、形状和大小（直径最高至几厘米），但预先形成的金属硅化物通常为细碎的。如本文所用，“细碎的”是指预先形成的金属硅化物为粉末形式。
预先形成的金属硅化物的例子包括但不限于PdSi、Pd2Si、Pd3Si、Pd5Si、Pd2Si9、NiSi、Ni2Si、Ni3Si、NiSi2、Ni3Si2、Ni3Si2、PtSi和Pt2Si。在一个实施例中，预先形成的金属硅化物为PdSi或Pd2Si中的至少一者。预先形成的金属硅化物可为金属硅化物的混合物。
预先形成的金属硅化物可通过本领域已知的方法制备。例如，预先形成的金属硅化物可通过以所需的化学计量比率混合熔化的硅和熔化的金属，然后冷却至本领域已知的温度以结晶所需的预先形成的金属硅化物而进行制备。一旦冷却并结晶后，预先形成的金属硅化物可经受由大块金属锭制备粒状金属的常用方法。例如，预先形成的金属硅化物锭可经受研磨、冲击、粉碎、磨削、模压、铣削或化学方法而制备粒状预先形成的金属硅化物。通常采用磨削。预先形成的金属硅化物还可借助于（例如）筛分或通过使用机械气动分级器（诸如旋转分级器），按其粒度分布进行分类。制备本领域已知的预先形成的金属硅化物的其他方法还可以设想用于制备本发明的预先形成的金属硅化物。例如，可设想在US3,297,403和US2009/0275466中公开的制备硅化钯的方法。大部分预先形成的金属硅化物都可以商购获得。例如，一些预先形成的金属硅化物可购自阿法埃莎公司(Alfa Aesar)和合金铸造研究所(ACI Alloy)。
四卤化硅的式为SiX4，其中X为氯、溴、氟或碘，或者为氯、溴或碘，或者为氯。
四卤化硅的例子包括但不限于四氯化硅、四溴化硅、四碘化硅和四氟化硅。
四卤化硅可由本领域已知的方法制备。这些四卤化硅中的许多都可以商购获得。
步骤(i)的反应器可以为任何适于用硅烷气体处理金属硅化物的反应器。例如可使用密封管、开放管、固定床、搅拌床和流化床反应器。
用氢和四卤化硅处理预先形成的金属硅化物的温度通常为300-1400℃；或者为400-1200℃；或者为600-1200℃；或者为650-1100℃。
用氢和四卤化硅处理预先形成的金属硅化物的压力可以为次大气压、大气压或超大气压。例如，压力通常为0-2000千帕表计(kPag)；或者为0-1000kPag；或者为0-800kPag。如本文所用，0kPag是指大气压。
混合物中氢与四卤化硅的摩尔比为0.01-10,000，或者为1-100，或者为2-20。
氢和四卤化硅具有足够的停留时间，以使氢和四卤化硅接触预先形成的金属硅化物并形成处理过的金属硅化物。例如，氢和四卤化硅的足够的停留时间通常为至少0.01秒(s)；或者为至少0.1s；或者为0.1s-10分钟（min）；或者为0.1s-1min；或者为0.5s-10s。如本文所用，“停留时间”意指一反应器体积的反应物气体（即氢和四卤化硅）穿过装有预先形成的金属硅化物的反应器的时间。可通过调节氢和四卤化硅的流速来达到所需的停留时间。
使用流化床时，以不仅足以提供上述停留时间而且足以使床流化的速率将氢和四卤化硅引入到反应器床中。该速率将取决于床中预先形成的金属硅化物粒子的粒度质量分布以及流化床反应器的尺寸。本领域的技术人员将了解如何确定添加足够的速率，以使床流化的同时不会完全淘析来自床的材料。
反应器中预先形成的金属硅化物的量通常为至少0.01mg催化剂/cm3反应器体积；或者至少0.5mg催化剂/cm3反应器体积；或者1-10,000mg催化剂/cm3反应器体积。
氢、四卤化硅和预先形成的金属硅化物在步骤(i)中的添加顺序不重要。通常，向反应器中装入预先形成的金属硅化物，然后使氢和四卤化硅同时流过预先形成的金属硅化物；然而，可向反应器中首先装入氢和四卤化硅，然后再装入预先形成的金属硅化物。也设想通过氢和四卤化硅的单独脉冲处理预先形成的金属硅化物。
进行步骤(i)的时间没有上限。例如，步骤(i)通常进行至少0.1秒，或者进行1秒至5小时，或者进行1分钟至1.5小时。
步骤(i)制备处理过的金属硅化物。处理过的金属硅化物与预先形成的金属硅化物（即，未处理过的金属硅化物）相比，通常包含额外的硅。如本文所用，“额外的硅”是指通过在步骤(i)中用四卤化硅和氢处理而沉积在预先形成的金属硅化物上的硅。处理过的金属硅化物上的额外的硅的量通常取决于用氢和四卤化硅处理预先形成的金属硅化物的时间长度，处理时间越长，沉积的硅越多。例如，处理过的金属硅化物基于处理过的金属硅化物的重量计，通常包含至少0.1-90%(重量/重量)、或者1-20%(重量/重量)、或者1-5%(重量/重量)的额外的硅。可使用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)和电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)确定预先形成的金属硅化物和处理过的金属硅化物中硅的量。
在步骤(ii)中，处理过的金属硅化物在250-700℃的温度下与根据式RX的有机卤化物反应以形成二有机二卤代硅烷，其中R为C1-C10烃基并且X为卤素。
有机卤化物具有式RX(I)，其中R为具有1-10个碳原子的烃基并且X为卤素，例如氟、氯、溴或碘。
用式(I)中的R表示的烃基通常具有1-10个碳原子，或者1-6个碳原子，或者1-4个碳原子。含有至少3个碳原子的无环烃基可具有支化或非支化的结构。烃基的例子包括但不限于：烷基，例如甲基、乙基、丙基、1-甲基乙基、丁基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1,1-二甲基乙基、戊基、1-甲基丁基、1-乙基丙基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1,2-二甲基丙基、2,2-二甲基丙基、己基、庚基、辛基、壬基和癸基；环烷基，例如环戊基、环己基和甲基环己基；芳基，例如苯基和萘基；烷芳基，例如甲苯基和二甲苯基；芳烷基，例如苄基和苯乙基；烯基，例如乙烯基、烯丙基和丙烯基；芳烯基，例如苯乙烯基和肉桂基；以及炔基，例如乙炔基和丙炔基。
有机卤化物的例子包括但不限于氯甲烷、溴甲烷、碘甲烷、氯乙烷、溴乙烷、碘乙烷、氯苯、溴苯、碘苯、氯乙烯、溴乙烯、碘乙烯、氯丙烯、溴丙烯和碘丙烯。
在该方法的步骤(ii)中，有机卤化物可自身反应或与惰性载气混合。
制备有机卤化物的方法是本领域熟知的；这些化合物中的许多是市售的。
适用于(ii)的反应器如上文针对(i)所描述。步骤(ii)可与步骤(i)使用同一反应器；然而，也可使用分别的反应器。
有机卤化物通常与处理过的金属硅化物反应，方法是将有机卤化物送入装有步骤(i)中制备的处理过的金属硅化物的反应器中。
有机卤化物的停留时间足以使有机卤化物与处理过的金属硅化物反应以形成二有机二卤代硅烷。例如，有机卤化物的足够停留时间如上文针对步骤(i)中的氢和四卤化硅所描述。
步骤(ii)中反应器内的处理过的金属硅化物的量如上文针对步骤(i)中的预先形成的金属硅化物所描述。
有机卤化物与处理过的金属硅化物反应的温度通常为250-700℃；或者为280-700℃；或者为300-700℃。
步骤(ii)通常进行到处理过的金属硅化物中的硅降至低于预定的限值为止。例如，步骤(ii)通常进行到处理过的金属硅化物中的硅低于处理过的金属硅化物中其初始量的90%(重量/重量)、或者为其1-90%(重量/重量)或者1-40%(重量/重量)为止。可使用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)和电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)确定处理过的金属硅化物中硅的量。
(ii)中有机卤化物与处理过的金属硅化物反应的压力可为次大气压、大气压或超大气压。例如，压力通常为0-2000千帕表计(kPag)；或者为0-1000kPag；或者为0-800kPag。
本方法的步骤(i)和步骤(ii)单独地且连续地进行。本文所用的“单独地”是指步骤(i)和步骤(ii)不同时发生。本文所用的“连续地”意指本方法的步骤(ii)在步骤(i)之后进行；然而，附加步骤可存在于步骤(i)之后和步骤(ii)之前，如下所述。
在一个实施例中，该方法还包括(iii)使在(ii)中与有机卤化物反应的处理过的金属硅化物接触包含氢气和四卤化硅的混合物，以改良处理过的金属硅化物；以及(iv)使改良的处理过的金属硅化物接触有机卤化物，以形成至少一种二有机二卤代硅烷。步骤(iii)如针对步骤(i)所述进行，而步骤(iv)如上文针对步骤(iv)所述进行。
在另一个实施例中，本发明的方法还包括重复步骤(iii)和(iv)至少1次，或者重复1-105次，或者重复1-1000次，或者重复1-100次，或者重复1-10次。
该方法还可包括用已知方法对有机卤化物或四卤化硅进行预热并气化，然后在(i)和(iii)中用四卤化硅和氢处理预先形成的的金属硅化物，或在(ii)和(iv)中使有机卤化物与处理过的金属硅化物反应。或者，该方法还可包括将氢鼓泡通入液态四卤化硅以蒸发四卤化硅，然后在步骤(i)中接触预先形成的的金属硅化物，以及在(iii)中接触处理过的金属硅化物。
该方法还可包括先活化预先形成的的金属硅化物，然后在(i)和(iii)中用四卤化硅和氢处理，或者先活化处理过的金属硅化物，然后在(ii)和(iv)中使有机卤化物与处理过的金属硅化物反应。如本文所用，“活化”是指预先形成的的金属硅化物或处理过的金属硅化物在高温（通常为约500℃）下与氢接触。
在一个实施例中，在步骤(ii)中，处理过的金属硅化物与有机卤化物在不存在氢气或四卤化硅中至少一者的情况下反应，其中四卤化硅如上文所描述和例示。
该方法还可包括回收制备的二有机二卤代硅烷。二有机二卤代硅烷可通过（例如）以下方式回收：从反应器中移除气态二有机二卤代硅烷，然后通过蒸馏分离。
由上文所描述和例示的方法制备的二有机二卤代硅烷具有式R2SiX2，其中R和X如上文针对有机卤化物所定义和例示。
根据本发明方法制备的二有机二卤代硅烷的例子包括但不限于二甲基二氯硅烷（即(CH3)2SiCl2）、二甲基二溴硅烷、二甲基二碘硅烷、二甲基二氟硅烷、二乙基二氯硅烷、二乙基二溴硅烷、二乙基二碘硅烷、二环己基二氯硅烷和二环己基二溴硅烷。
该方法还可制备其他有机卤代硅烷，例如具有式RaHSiX3-a、RSiX3和R3SiX的那些，其中R和X如上所定义并且a为1或2。该方法还可制备氢化卤代硅烷，例如具有式HSiX3的那些，其中X如上文所定义。
本发明的方法由四卤化硅和金属硅化物制备二有机二卤代硅烷。由于四卤化硅是其他工业过程的副产物，并且可用比生产零价硅所需能量更少的能量制备金属硅化物，因此本发明的方法可以比使用零价硅生产二有机二卤代硅烷的方法更加经济。另外，该方法允许由与有机卤化物直接反应时通常不产生二有机二卤代硅烷的金属硅化物生产二有机二卤代硅烷。
本发明的方法制备可采用已知方法水解以产生聚有机硅氧烷的二有机二卤代硅烷。这样产生的聚有机硅氧烷可应用于许多行业和应用中。
实例
提供以下实例以更好地说明本发明的方法，但以下实例不能被解释为限制本发明，本发明是由所附权利要求限定。除非另有指明，否则实例中报告的所有份数和百分数均以重量计。下表描述了实例中使用的缩写：
表2：实例中使用的缩写列表。
实例中采用以下方法和材料：
使用配有5975B惰性XL EI/CI MSD的安捷伦科技公司(AgilentTechnologies）6890N网络化气相色谱系统，通过GC-MS来分析反应产物，从而确定选择性。
硅和其他元素的浓度通过ICP-AES确定。该方法为已知用于固体样品元素分析的典型工序，其中将固体溶解于HF中，然后相对于包含已知量的任何所关注元素的适当标准物确定其在水溶液中的浓度。
氯甲烷（>99.9%(重量/重量)纯度）得自Airgas公司。预先形成的金属硅化物得自美国马萨诸塞州沃德希尔的阿法埃莎公司(Alfa Aesar(WardHill,MA))和美国加利福尼亚州圣何塞的合金铸造研究所(ACI Alloy(SanJose,CA))。
流通式金属反应器管装置由设置为竖直或水平的0.25英寸不锈钢管构成。待测试的预先形成的金属硅化物设置在管的中部，并且将有机卤化物从竖直排列管的顶端以及从水平排列管的端部之一引入。将产物和未反应的有机卤化物从管的与有机卤化物引入端相对的一端移除，并使其通过-78℃的冷阱。将有机卤化物从气缸通过质量控制器送入反应器。
比较例1
将Pd2Si(200.0mg)的样品装入流通式金属反应器，并用氮气流在150℃下预处理过夜。接下来，使MeCl(30mL/min)连续流过催化剂床，在400℃的反应温度下保持4h，在450℃的反应温度下保持1.5h，以及在500℃的反应温度下保持2h。通过ICP-AES对管中剩下的固体进行分析，确定硅转化率为82.8%(重量/重量)。如通过气相色谱测得，MeSiCl3是产物中唯一的有机卤代硅烷。
实例1
将Pd2Si(350.0mg)的样品装入流通式金属反应器，并用H2(24mL/min)在850℃下还原60.0min。接下来，将H2和SiCl4气体混合物（H2/SiCl4摩尔比为2.8-8.6）送入Pd2Si床，在850℃下保持2.0h。在该处理过程中，通过GC/GC-MS分析观察到痕量的HSiCl3产物。停止H2和SiCl4气体混合物流，并用氮气替换，然后将反应温度降至400℃。然后用N2(50mL/min)在400℃下吹扫系统60min。接下来，使MeCl(30mL/min)在400℃下流过处理过的Pd2Si床，并通过GC和GC-MS分析产物。检测到的硅烷产物为SiCl4(3%(重量/重量))、Me2SiCl2(11%(重量/重量))和MeSiCl3(86%(重量/重量))。在400℃下保持30min后，检测到的产物大致为SiCl4(7.7%(重量/重量))、Me2SiCl2(5.7%(重量/重量))和MeSiCl3(87%(重量/重量))。
实例2
将Pd2Si(510.0mg)的样品装入流通式金属反应器，并用H2(24mL/min)在700℃下还原120min。接下来，将H2和SiCl4气体混合物（H2/SiCl4摩尔比为2.8-10）送入Pd2Si床，在850℃下保持2h。在该处理过程中，通过GC/GC-MS测量HSiCl3的产量（1.3-2%(重量/重量)，基于离开反应器的含硅物质的重量计）。停止H2和SiCl4气体流，并用氮气替换，然后将反应温度降至400℃。用N2(50mL/min)在400℃下吹扫系统额外60min。接下来，使MeCl(30mL/min)在400℃下流过处理过的Pd2Si床，并通过GC和GC-MS分析产物。来自反应器的硅烷产物为SiCl4(2%(重量/重量))、
Me2SiCl2(24%(重量/重量))和MeSiCl3(74%(重量/重量))。
实例3
将Pd9Si2(670.0mg)的样品装入流通式金属反应器，并用H2(24mL/min)在650℃下还原120min。接下来，将H2和SiCl4气体混合物（H2/SiCl4摩尔比为10-15）送入Pd9Si2床，在650℃下保持2h。在该处理过程中，通过GC/GC-MS未观察到HSiCl3产物的生成。停止氢和四氯化硅流，并用氮气替换，然后允许反应温度达到400℃。用N2(50mL/min)在400℃下吹扫系统额外60min。接下来，使MeCl(30mL/min)在400℃下流过处理过的Pd9Si2床，并通过GC和GC-MS分析产物。据观察，氯硅烷演变为了SiCl4和MeSiCl3。未检测到Me2SiCl2。
实例4
将Pd3Si(650.0mg)的样品装入流通式金属反应器，并用H2(12mL/min)在650℃下还原120min。接下来，将H2和SiCl4气体混合物（H2/SiCl4摩尔比为10-12）送入Pd3Si床，在650℃下保持2h。在该处理过程中，通过GC/GC-MS观察到生成了痕量的HSiCl3。停止H2和SiCl4流，并用氮气替换，然后将反应温度降至400℃。用N2(50mL/min)在400℃下吹扫系统额外60min。接下来，使MeCl(6mL/min)在350-400℃下流过处理过的Pd3Si床，并通过GC和GC-MS分析产物。除观察到作为主要氯硅烷产物的SiCl4和MeSiCl3之外，还观察到痕量的Me2SiCl2(～1%(重量/重量))。
实例5
将Pt2Si(800.0mg)的样品装入插有石英管的流通式金属管反应器，并用H2(30ml/min)在500℃下还原120min。将温度升至850℃，然后将H2和SiCl4气体混合物（H2/SiCl4摩尔比为10-12）送入活化的Pt2Si床，在850℃下保持0.5h。在该处理过程中，通过GC/GC-MS观察到生成了HSiCl3。停止H2和SiCl4流，并用氢气替换，然后将反应温度降低至300℃。在300℃下停止氢气流，并用氩气吹扫系统额外60min。接下来，使MeCl(5mL/min)在350-500℃下流过处理过的Pt2Si床，并通过GC和GC-MS分析产物。在不同反应温度下观察到的氯硅烷产物演变汇总如下。在T=300-400℃下，仅生成了SiCl4。在T=500℃下，氯甲烷流过10min后，产物显示为SiCl4(15%)、Me2SiCl2(25%)、MeSiCl3(60%)。随着反应继续，Me2SiCl2的浓度降低；20min后，观察到演变得到的物质为SiCl4(3%)、Me2SiCl2(36%)、MeSiCl3(61%)；30min后，观察到演变得到的物质为SiCl4(3%)、Me2SiCl2(21%)、MeSiCl3(76%)。
实例6
将Ni2Si(800.0mg)的样品装入插有石英管的流通式金属管反应器，并用H2(30ml/min)在500℃下还原120min。将温度升至850℃，然后将H2和SiCl4气体的混合物（H2/SiCl4摩尔比为10-12）送入活化的Ni2Si床，在850℃下保持0.5h。在该处理过程中，通过GC/GC-MS观察到生成了HSiCl3。停止H2和SiCl4流，并用氢气替换，然后将反应温度降低至300℃。在300℃下停止氢气流，并用氩气吹扫系统额外60min。接下来，使MeCl(5mL/min)在350-500℃下流过处理过的Ni2Si床，并通过GC和GC-MS分析产物。在T=350℃下，据观察氯硅烷变为SiCl4(18%)、Me2SiCl2(5%)、MeSiCl3(76%)；在T=450℃下，变为HSiCl3(4%)、MeHSiCl2(3%)、SiCl4(34%)、MeSiCl3(63%)，并且在T=500℃下，变为HSiCl3(5%)、SiCl4(77%)、MeSiCl3(18%)。
Claims (17)
1.一种制备二有机二卤代硅烷的方法，所述方法包括以下单独且连续的步骤：
(i)使用包含氢气和四卤化硅的混合物在300-1400℃的温度下处理预先形成的金属硅化物，以形成处理过的金属硅化物，其中所述预先形成的金属硅化物包含选自Ni、Pd或Pt中的至少一者的金属；并且
(ii)使所述处理过的金属硅化物与根据式RX的有机卤化物在250-700℃的温度下反应以形成二有机二卤代硅烷，其中R为C1-C10烃基并且X为卤素。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述预先形成的金属硅化物为硅化钯。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述预先形成的金属硅化物选自PdSi、Pd2Si、Pd3Si或Pd2Si9中的至少一者。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述预先形成的金属硅化物为Pd2Si。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述预先形成的金属硅化物为Pt2Si或Ni2Si。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中步骤(i)在650-1100℃的温度，而步骤(ii)在300-700℃的温度。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中所述二有机二卤代硅烷是根据式R2SiX2。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中R为甲基，并且X为氯。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其还包括在步骤(i)之前活化所述预先形成的金属硅化物。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其还包括(iii)使在(ii)中与所述有机卤化物反应的所述处理过的金属硅化物接触包含氢气和四卤化硅的所述混合物，以改良所述处理过的金属硅化物，以及(iv)使
所述改良的处理过的金属硅化物接触所述有机卤化物以形成所述二有机二卤代硅烷。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其还包括回收所述二有机二卤代硅烷。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中所述混合物中氢与四卤化硅的摩尔比为2至20。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中所述氢和四卤化硅具有0.5秒至10秒的停留时间。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的方法，其中所述有机卤化物具有0.5秒至10秒的停留时间。
15.根据权利要求1-14中任一项所述的方法，其还包括在步骤(i)之后和步骤(ii)之前活化所述处理过的金属硅化物。
16.根据权利要求1-15中任一项所述的方法，其中在步骤(ii)中所述处理过的金属硅化物与所述有机卤化物在不存在氢气或所述四卤化硅中至少一者的情况下反应。
17.1.一种制备二有机二卤代硅烷的方法，所述方法包括以下单独且连续的步骤：
(i)使用包含氢气和四卤化硅的混合物在300-1400℃的温度下处理预先形成的金属硅化物，以形成处理过的金属硅化物，其中所述预先形成的金属硅化物选自Pt2Si、Ni2Si、PdSi、Pd2Si、Pd3Si或Pd2Si9中的至少一者；并且
(ii)使所述处理过的金属硅化物与根据式RX的有机卤化物在250-700℃的温度下反应以形成二有机二卤代硅烷，其中R为C1-C10烃基并且X为卤素。
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