JPS6086904A - 超高周波用増幅器 - Google Patents
超高周波用増幅器Info
- Publication number
- JPS6086904A JPS6086904A JP19489883A JP19489883A JPS6086904A JP S6086904 A JPS6086904 A JP S6086904A JP 19489883 A JP19489883 A JP 19489883A JP 19489883 A JP19489883 A JP 19489883A JP S6086904 A JPS6086904 A JP S6086904A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stages
- terminal
- matching
- fets
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、接地導体の上に、増幅用半導体素子とマイク
ロストリ、プラインにより構成した超高周波用の増幅器
に関する。
ロストリ、プラインにより構成した超高周波用の増幅器
に関する。
現在低雑音増幅器（以下ＬＮＡと略す）が衛星からの電
波を直接受信するための低雑音周波数変換器に組みこま
れて数多く使用されており、人工衛星の小型化、使用周
波数帯の高域化に伴ない、よシ低雑音で、高利得の特性
を有し、かつ低価格の増幅器の開発がなされている。こ
のため、一つのケースの中に、ＦＥＴとマイクロストリ
、プラインが複数個、交互に縦続接続された構造の増幅
器が作られている。
波を直接受信するための低雑音周波数変換器に組みこま
れて数多く使用されており、人工衛星の小型化、使用周
波数帯の高域化に伴ない、よシ低雑音で、高利得の特性
を有し、かつ低価格の増幅器の開発がなされている。こ
のため、一つのケースの中に、ＦＥＴとマイクロストリ
、プラインが複数個、交互に縦続接続された構造の増幅
器が作られている。
しかしながら、使用周波数が高く、かつ低雑音の増幅器
を作るためには、各段間の整合を最適にする必要があり
、現在、一般的に使用されているケースにおいては、入
力端子と出力端子があるのみで、ＬＮＡの股間の整合状
態を知ることはできず、ＦＥＴ本来の実力を十分に引き
出す設計がなされておらず、また生産においては、歩留
の低下をもたらす原因となっている。
を作るためには、各段間の整合を最適にする必要があり
、現在、一般的に使用されているケースにおいては、入
力端子と出力端子があるのみで、ＬＮＡの股間の整合状
態を知ることはできず、ＦＥＴ本来の実力を十分に引き
出す設計がなされておらず、また生産においては、歩留
の低下をもたらす原因となっている。
すなわち、第１図（ａ）は従来一般的に使用されている
ＬＮＡの実装状態の平面図、同図（ｂ）はその断面図で
ある。第１図（ａ）、 （ｂ）において、放熱板１の上
には、ＦＥＴ４と５およびマイクロストリップラインを
有する入力用、段間用および出力用の基板６，７．８が
入力端子２と出力端子３との間に搭載され、ワイヤ９で
各素子間が結ばれている。
ＬＮＡの実装状態の平面図、同図（ｂ）はその断面図で
ある。第１図（ａ）、 （ｂ）において、放熱板１の上
には、ＦＥＴ４と５およびマイクロストリップラインを
有する入力用、段間用および出力用の基板６，７．８が
入力端子２と出力端子３との間に搭載され、ワイヤ９で
各素子間が結ばれている。
１０はチップ型のコンデンサで、両側のＦＥＴ４゜５の
ＤＣ分を遮断するためのものである。なお１１はバイア
ス用端子である。
ＤＣ分を遮断するためのものである。なお１１はバイア
ス用端子である。
この第１図に示したような従来型の増幅器では、入力側
と出力側からみたインピーダンスを測定することはでき
るが、ＦＥＴ４．５の間の整合が十分とれているかどう
かは判定することができない欠点がある。
と出力側からみたインピーダンスを測定することはでき
るが、ＦＥＴ４．５の間の整合が十分とれているかどう
かは判定することができない欠点がある。
本発明の目的は、縦続接続の複数個の増幅用半導体素子
間の段間整合ｆ、ｔ：ならしめることを各局にした超高
周波用増幅 提供するにある。
間の段間整合ｆ、ｔ：ならしめることを各局にした超高
周波用増幅 提供するにある。
本発明の超高周波用増幅器は、複数個の増幅用半導体素
子と、入力用および出力用ならびに前記素子間の段間用
マイクロストリップラインが一つの接地導体の上に設け
られており、かつ、前記股間のマイクロストリップライ
ンの整合調整のために用いる、前記股間ストリップライ
ンの近傍に設けた接続端子を備えた構成を有する０ つぎに実施例により本発明を説明する０第２図（ａ）、
（ｂ）は本発明の一実施例の平面図とその断面図であ
る０第２図（ａ）、 （ｂ）において、第１図の従来例
と比較した場合、ＦＥＴ４と５との段間に、接続端子１
２と１３が設けられており、入力端子２と段間端子１２
との間、また、出力端子３と段間端子１３との間を５０
Ωの特性インピーダンスライン１４および１５を用いて
接続することにより段間より見たＦＥＴ４と５のインピ
ーダンスを測定することができる。このインピーダンス
を複素共役整合させるためにマイクロストリップライン
のパターンの調整を行い、つぎに５０Ωライン１４と１
５のワイヤを取ｐ外し、第１図に示したように、チップ
コンデンサ１０を搭載し、ワイヤでマイクロストリップ
ラインを接続することにより、股間における完全整合を
実現することができる。
子と、入力用および出力用ならびに前記素子間の段間用
マイクロストリップラインが一つの接地導体の上に設け
られており、かつ、前記股間のマイクロストリップライ
ンの整合調整のために用いる、前記股間ストリップライ
ンの近傍に設けた接続端子を備えた構成を有する０ つぎに実施例により本発明を説明する０第２図（ａ）、
（ｂ）は本発明の一実施例の平面図とその断面図であ
る０第２図（ａ）、 （ｂ）において、第１図の従来例
と比較した場合、ＦＥＴ４と５との段間に、接続端子１
２と１３が設けられており、入力端子２と段間端子１２
との間、また、出力端子３と段間端子１３との間を５０
Ωの特性インピーダンスライン１４および１５を用いて
接続することにより段間より見たＦＥＴ４と５のインピ
ーダンスを測定することができる。このインピーダンス
を複素共役整合させるためにマイクロストリップライン
のパターンの調整を行い、つぎに５０Ωライン１４と１
５のワイヤを取ｐ外し、第１図に示したように、チップ
コンデンサ１０を搭載し、ワイヤでマイクロストリップ
ラインを接続することにより、股間における完全整合を
実現することができる。
このように、本発明においては、股間に設けた接続端子
を用いて段間の整合調整を行うことによｐ、ＦＥＴ本来
の実力を十分に引き出すことができると同時に、複数個
のＦＥＴの縦続接続が可能となるだけでなく、低価格の
超高周波低雑音増幅器を得ることができる。
を用いて段間の整合調整を行うことによｐ、ＦＥＴ本来
の実力を十分に引き出すことができると同時に、複数個
のＦＥＴの縦続接続が可能となるだけでなく、低価格の
超高周波低雑音増幅器を得ることができる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ従来の超高周波用
増幅器の平面図および断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は
それぞれ本発明の一実施例の平面図および断面図である
。 １・・・・・・接地導体、２・・・・・・入力端子、３
・・・・・・出力端子、４，５・・・・・・ＦＥＴ１６
，７．８・・・・・・マイクロストリップラインの形成
された基板、９・・・・・・接続ワイヤ、１０・・・・
・・チップコンデンサ、１１・・・・・・バイアス端子
、１２．１３・・・・・・股間端子、１４゜１５・・・
・・・調整接続用５０Ωライン。 第２図
増幅器の平面図および断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は
それぞれ本発明の一実施例の平面図および断面図である
。 １・・・・・・接地導体、２・・・・・・入力端子、３
・・・・・・出力端子、４，５・・・・・・ＦＥＴ１６
，７．８・・・・・・マイクロストリップラインの形成
された基板、９・・・・・・接続ワイヤ、１０・・・・
・・チップコンデンサ、１１・・・・・・バイアス端子
、１２．１３・・・・・・股間端子、１４゜１５・・・
・・・調整接続用５０Ωライン。 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 接地導体の上に、複数個の増幅用半導体素子と、入力用
および出力用ならびに前記半導体素子間の段間用マメク
ロストリ、プラインを設けた超高周波用増幅器において
、前記段間用マイクロストリップラインの整合調整のた
めに１前記段間マイクロストリ、プラインの近傍に、一
定の特性インピーダンスのラインを通して前記マイクロ
ストリ。 プラインに接続するための接続端子を有することを特徴
とする超高周波用増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19489883A JPS6086904A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 超高周波用増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19489883A JPS6086904A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 超高周波用増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086904A true JPS6086904A (ja) | 1985-05-16 |
Family
ID=16332158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19489883A Pending JPS6086904A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 超高周波用増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086904A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62254505A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波発振器 |
| JP2014203846A (ja) * | 2013-04-01 | 2014-10-27 | 株式会社東芝 | 高周波半導体モジュール |
| JP2015139207A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 増幅装置 |
-
1983
- 1983-10-18 JP JP19489883A patent/JPS6086904A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62254505A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波発振器 |
| JP2014203846A (ja) * | 2013-04-01 | 2014-10-27 | 株式会社東芝 | 高周波半導体モジュール |
| JP2015139207A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 増幅装置 |
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