JPS6081820A - 分子線エピタキシヤル装置のウエハ取付装置 - Google Patents
分子線エピタキシヤル装置のウエハ取付装置Info
- Publication number
- JPS6081820A JPS6081820A JP19021083A JP19021083A JPS6081820A JP S6081820 A JPS6081820 A JP S6081820A JP 19021083 A JP19021083 A JP 19021083A JP 19021083 A JP19021083 A JP 19021083A JP S6081820 A JPS6081820 A JP S6081820A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- mounting device
- block
- molecular beam
- mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1)
この発明は、分子線エピタキシャル(MBE)法を用い
て半導体素子を製造する装置(分子線エピタキシャル装
置)のウェハ取付装置に関する。
て半導体素子を製造する装置(分子線エピタキシャル装
置)のウェハ取付装置に関する。
分子線エピタキシャル法は、超真空中で、基板ウェハに
材料を分子線の形で入射させ、ウェハ上にその材料を堆
積させるエピタキシャル成長法である。すなわち第1図
に示すように、分子線エピタキシャル装置の超高真空チ
ャンバ1内に、ヒータで加熱可能なブロック2を設け、
このブロック2にウェハ3を取付け、このウェハ3にル
ツボ4の例えばGa、ルツボ5の例えばAsを分子線で
投射し、ウェハ3上に例えばGaAsを成長させるよう
にしている。この種の分子線エピタキシャル装置におい
て、従来はブロック2として、モリブデン(Mo)を用
い、このモリブデンブロック2に、ウェハ3を取付ける
のに、I n (インジューム)等で貼り付けていた。
材料を分子線の形で入射させ、ウェハ上にその材料を堆
積させるエピタキシャル成長法である。すなわち第1図
に示すように、分子線エピタキシャル装置の超高真空チ
ャンバ1内に、ヒータで加熱可能なブロック2を設け、
このブロック2にウェハ3を取付け、このウェハ3にル
ツボ4の例えばGa、ルツボ5の例えばAsを分子線で
投射し、ウェハ3上に例えばGaAsを成長させるよう
にしている。この種の分子線エピタキシャル装置におい
て、従来はブロック2として、モリブデン(Mo)を用
い、このモリブデンブロック2に、ウェハ3を取付ける
のに、I n (インジューム)等で貼り付けていた。
しかしながら、lnを用いた取付は方法では、大型ウェ
ハの場合、貼り付けが難しく、また一旦貼り付けられる
と堅(貼り付けられ、簡単に取外(2) しができなかった。またウェハの貼り付は時に、Inが
飛散してウェハを汚染したり、ウェハの取外し後にウェ
ハ裏面にInが残り、このInを除去する際にうエバ表
面が汚染され、ファインパターン用ウェハとして不適で
あった。さらにまた、ウェハ裏面がInと反応して凹凸
が生じ、以後の工程で、例えばマスクパターンを密着さ
せる場合に、ウェハに割れを発生させたりする欠点があ
った。
ハの場合、貼り付けが難しく、また一旦貼り付けられる
と堅(貼り付けられ、簡単に取外(2) しができなかった。またウェハの貼り付は時に、Inが
飛散してウェハを汚染したり、ウェハの取外し後にウェ
ハ裏面にInが残り、このInを除去する際にうエバ表
面が汚染され、ファインパターン用ウェハとして不適で
あった。さらにまた、ウェハ裏面がInと反応して凹凸
が生じ、以後の工程で、例えばマスクパターンを密着さ
せる場合に、ウェハに割れを発生させたりする欠点があ
った。
それゆえに、この発明の目的は、」1記従来の欠点を解
消し、ウェハの取付け、取外し過程で、ウェハに汚染を
生じさせることなく、しかも取付け、取外しが容易で量
産に適した分子線エピタキシャル装置のウェハ取付装置
を提供することである。
消し、ウェハの取付け、取外し過程で、ウェハに汚染を
生じさせることなく、しかも取付け、取外しが容易で量
産に適した分子線エピタキシャル装置のウェハ取付装置
を提供することである。
上記目的を達成するために、この発明はInを使用せず
、取付ブロック上に、ウェハを取付け、取外し自在に保
合固着する固着機構を設けるようにしている。
、取付ブロック上に、ウェハを取付け、取外し自在に保
合固着する固着機構を設けるようにしている。
以下、実施例により、この発明をさらに詳細に説明する
。
。
(3)
第2図は、この発明のI実施例を示すウェハ取付装置の
平面図、第3図は同ウェハ取付装置の側面図である。
平面図、第3図は同ウェハ取付装置の側面図である。
第2図、第3図において、ウェハ取付装置10はモリブ
デンブロック11と、ウェハ押さえピン12と、ウェハ
押さえピン12の締付は用のネジ13とから構成されて
いる。このウェハ押さえピン12とネジ13ばウェハ1
4を位置決め固定できるように3点に配置されている。
デンブロック11と、ウェハ押さえピン12と、ウェハ
押さえピン12の締付は用のネジ13とから構成されて
いる。このウェハ押さえピン12とネジ13ばウェハ1
4を位置決め固定できるように3点に配置されている。
15はモリブデンブロック11の加熱用のヒータである
。モリブデンブロック110表面には、大型ウェハを取
付けた場合でも、チャンバ内の雰囲気を悪化させずに高
温を得るために、熱輻射率を良くするGaAs層16等
が予め付着されている。
。モリブデンブロック110表面には、大型ウェハを取
付けた場合でも、チャンバ内の雰囲気を悪化させずに高
温を得るために、熱輻射率を良くするGaAs層16等
が予め付着されている。
この実施例ウェハ取付装置10で、ウェハ14の取付け
を行うには、ネジ13で押さえピン12を締付け、押さ
えピン12でウェハ14を押さえ付は固定し、取外す場
合には、ネジ13をゆるめることにより、それぞれ簡単
に行うことができる。
を行うには、ネジ13で押さえピン12を締付け、押さ
えピン12でウェハ14を押さえ付は固定し、取外す場
合には、ネジ13をゆるめることにより、それぞれ簡単
に行うことができる。
第4図は、第3図に示すウェハ取付装置よりも、(4)
さらにモリブデンブロック11からの熱輻射率を減少さ
せるための工夫をこらしたウェハ取付装置の側面図であ
る。このウェハ取付装置20は、モリブデンブロック1
1のウェハ14に対接する面11a上に、ウェハ14を
固着する面取外の面を覆う熱反射板21を特徴的に設け
ており、その他は第3図のものと変わりはない。この実
施例ウェハ取付装置によれば、モリブデンブロック11
より発せられる熱は、ウェハ14に対接する面ではGa
As層16を通じてウェハ14に伝達されるが、ウェハ
14に対接する面取外の面よりの熱は反射板21で反射
され、放出が抑えられるので、ウェハ14に対しては、
効率の良い熱伝達を行うことができる。
せるための工夫をこらしたウェハ取付装置の側面図であ
る。このウェハ取付装置20は、モリブデンブロック1
1のウェハ14に対接する面11a上に、ウェハ14を
固着する面取外の面を覆う熱反射板21を特徴的に設け
ており、その他は第3図のものと変わりはない。この実
施例ウェハ取付装置によれば、モリブデンブロック11
より発せられる熱は、ウェハ14に対接する面ではGa
As層16を通じてウェハ14に伝達されるが、ウェハ
14に対接する面取外の面よりの熱は反射板21で反射
され、放出が抑えられるので、ウェハ14に対しては、
効率の良い熱伝達を行うことができる。
第5図は、この発明の他の実施例を示すウェハ取付装置
の平面図である。この実施例ウェハ取付装置30は、モ
リブデンブロック11に2本の支柱31.31を立てる
とともに、バネ材32を設け、ウェハ14の端辺を支柱
31.31に当接させるとともに、バネ材32でウェハ
14の他方の(5) 端辺を側方から押圧して、ウェハ14を係合固着するよ
うにしている。
の平面図である。この実施例ウェハ取付装置30は、モ
リブデンブロック11に2本の支柱31.31を立てる
とともに、バネ材32を設け、ウェハ14の端辺を支柱
31.31に当接させるとともに、バネ材32でウェハ
14の他方の(5) 端辺を側方から押圧して、ウェハ14を係合固着するよ
うにしている。
第6図はこの発明のさらに他の実施例を示すウェハ取付
装置の平面図である。この実施例ウェハ取付装置40は
、モリブデンブロック11に、内側にそれぞれ切欠を有
する支柱41.41を立てるとともに、1個の押さえピ
ン42及びネジ43を設け、ウェハ14の端辺を支柱4
1.41の切欠に嵌込むとともに、ウェハ14の他方の
端辺を押さえピン42で押さえ、ネジ43で締付は固定
して、ウェハ14をモリブデンブロック11に取付ける
ようにしている。
装置の平面図である。この実施例ウェハ取付装置40は
、モリブデンブロック11に、内側にそれぞれ切欠を有
する支柱41.41を立てるとともに、1個の押さえピ
ン42及びネジ43を設け、ウェハ14の端辺を支柱4
1.41の切欠に嵌込むとともに、ウェハ14の他方の
端辺を押さえピン42で押さえ、ネジ43で締付は固定
して、ウェハ14をモリブデンブロック11に取付ける
ようにしている。
このほか、この発明におけるウェハをブロックに取外し
自在に係合固着する固着機構は、適宜の変形が可能であ
る。
自在に係合固着する固着機構は、適宜の変形が可能であ
る。
以上のように、この発明の分子線エピタキシャル装置の
ウェハ取付装置によれば、ウェハをブロックに脱着自在
に係合固着するものであるから、ウェハの取付け、取外
しが簡単になせ、作業性が向上するのでMBE法を量産
に適用することかで(6) きる。しかも、取付けにインジュームを使用しないので
、ウェハの表裏面に凹凸や汚染が生じることがなく、フ
ァインパターン用に適したウェハを得ることができる。
ウェハ取付装置によれば、ウェハをブロックに脱着自在
に係合固着するものであるから、ウェハの取付け、取外
しが簡単になせ、作業性が向上するのでMBE法を量産
に適用することかで(6) きる。しかも、取付けにインジュームを使用しないので
、ウェハの表裏面に凹凸や汚染が生じることがなく、フ
ァインパターン用に適したウェハを得ることができる。
第1図は分子線エビクキシャル装置のチャンバを示す概
略図、第2図はこの発明の1実施例を示すウェハ取付装
置の平面図、第3図は同ウェハ取付装置の側面図、第4
図はこの発明の他の実施例を示すウェハ取付装置の側面
図、第5図及び第6図はこの発明のさらに他の実施例を
示すウェハ取付装置の各平面図である。 1:超高真空チャンバ、 10・20・30・40:ウェハ取付装置、11:モリ
ブデンブロック、 12・42:ウヱハ押さえピン、 13・43:ネジ、 14:ウェハ、 16 : GaAs1i、21:熱反射板、31・41
、支柱、32:バネ材 (7) 第1図 ] 第2図 第3図
略図、第2図はこの発明の1実施例を示すウェハ取付装
置の平面図、第3図は同ウェハ取付装置の側面図、第4
図はこの発明の他の実施例を示すウェハ取付装置の側面
図、第5図及び第6図はこの発明のさらに他の実施例を
示すウェハ取付装置の各平面図である。 1:超高真空チャンバ、 10・20・30・40:ウェハ取付装置、11:モリ
ブデンブロック、 12・42:ウヱハ押さえピン、 13・43:ネジ、 14:ウェハ、 16 : GaAs1i、21:熱反射板、31・41
、支柱、32:バネ材 (7) 第1図 ] 第2図 第3図
Claims (3)
- (1)超高真空チャンバ内に、エピタキシャル成長を行
うべきウェハを収納するためのウェハ取付装置であって
、加熱可能な取付ブロックと、この取付ブロック上に設
けられ、前記ウェハを前記ブロックに脱着自在に係合固
着する固着機構とからなる分子線エピタキシャル装置の
ウェハ取付装置。 - (2)前記取付ブロックの前記ウェハに対接する面上に
、ガリウム・ヒ素(GaAs)が付着されてなることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の分子線エピタキ
シャル装置のウェハ取付装置。 - (3)前記取付ブロックの前記ウェハに対接する面上に
、前記ウェハを固着する面以外の面を覆う熱反射板を設
けてなることを特徴とする特許請求の範囲第1項または
第2項記載の分子線エピタキシャル装置のウェハ取付装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19021083A JPS6081820A (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ取付装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19021083A JPS6081820A (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ取付装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6081820A true JPS6081820A (ja) | 1985-05-09 |
JPH0136978B2 JPH0136978B2 (ja) | 1989-08-03 |
Family
ID=16254294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19021083A Granted JPS6081820A (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ取付装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6081820A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07161801A (ja) * | 1993-12-02 | 1995-06-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 基板ホルダ |
US5556477A (en) * | 1994-06-09 | 1996-09-17 | Leybold Aktiengesellschaft | Transport device for substrates to be coated in a vacuum coating system |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5730320A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-18 | Fujitsu Ltd | Substrate holder for molecular beam epitaxy |
JPS5759665A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Control method for coated article-baking oven |
JPS57107026A (en) * | 1980-12-25 | 1982-07-03 | Seiko Epson Corp | Heating mechanic for vacuum machine |
JPS58102526A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Nec Corp | スパツタ用パレツト治具 |
JPS58106820A (ja) * | 1981-12-19 | 1983-06-25 | Toshiba Corp | 膜形成装置 |
-
1983
- 1983-10-11 JP JP19021083A patent/JPS6081820A/ja active Granted
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5730320A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-18 | Fujitsu Ltd | Substrate holder for molecular beam epitaxy |
JPS5759665A (en) * | 1980-09-25 | 1982-04-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Control method for coated article-baking oven |
JPS57107026A (en) * | 1980-12-25 | 1982-07-03 | Seiko Epson Corp | Heating mechanic for vacuum machine |
JPS58102526A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Nec Corp | スパツタ用パレツト治具 |
JPS58106820A (ja) * | 1981-12-19 | 1983-06-25 | Toshiba Corp | 膜形成装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07161801A (ja) * | 1993-12-02 | 1995-06-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 基板ホルダ |
US5556477A (en) * | 1994-06-09 | 1996-09-17 | Leybold Aktiengesellschaft | Transport device for substrates to be coated in a vacuum coating system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0136978B2 (ja) | 1989-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4599069A (en) | Substrate holder for molecular beam epitaxy apparatus | |
JPH088198A (ja) | 気相成長装置用サセプター | |
JPS6081820A (ja) | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ取付装置 | |
JP3911518B2 (ja) | 気相成長装置用サセプターと気相成長方法 | |
JPS60112691A (ja) | 分子線エピタキシャル成長装置用の基板保持装置 | |
JP2944426B2 (ja) | 分子線エピタキシー装置 | |
JPH0365590A (ja) | 分子線エピタキシー装置 | |
JPH0474794A (ja) | 基板ホルダおよび基板の装着方法 | |
JPS61101488A (ja) | 分子線結晶成長装置 | |
JPH0633229B2 (ja) | 分子線結晶成長用基板ホルダー | |
JPH01144620A (ja) | 半導体成長装置 | |
JP3198971B2 (ja) | 分子線エピタキシー装置 | |
JPH06132221A (ja) | 分子線結晶成長用基板ホルダ | |
JPH02248388A (ja) | 分子線結晶成長装置 | |
JPS62122121A (ja) | 半導体基板の加熱方法 | |
JPH0427198B2 (ja) | ||
JPS6344463Y2 (ja) | ||
JPH03271193A (ja) | 基板保持具 | |
JPS62123093A (ja) | 分子線エピタキシヤル成長装置の基板装着方法 | |
JPH02243591A (ja) | 分子線結晶成長装置 | |
JPH0319693B2 (ja) | ||
JPS6212118A (ja) | 分子線エピタキシ装置 | |
JPS62241894A (ja) | ウエハホルダ− | |
JPH03187994A (ja) | 分子線気相成長装置における基板保持装置 | |
JPH04365317A (ja) | 半導体成長装置 |