JPH0136978B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 この発明は、分子線エピタキシヤル（MBE）
法を用いた半導体素子を製造する装置（分子線エ
ピタキシヤル装置）のウエハ取付装置に関する。

(ロ) 従来の技術 分子線エピタキシヤル法は、超真空中で、基板
ウエハに材料を分子線の形で入射させ、ウエハ上
にその材料を堆積させるエピタキシヤル成長法で
ある。すなわち第１図に示すように、分子線エピ
タキシヤル装置の超高真空チヤンバ内１内に、ヒ
ータで加熱可能なブロツク２を設け、このブロツ
ク２にウエハ３を取付け、このウエハ３にルツボ
４の例えばGa、ルツボ５の例えばAsを分子線で
投射し、ウエハ３上に例えばGaAsを成長させる
ようにしている。この種の分子線エピタキシヤル
装置において、従来はブロツク２として、モリブ
デン（Mo）を用い、このモリブデンブロツク２
にウエハ３を取付けるのに、In（インジユーム）
等で貼り付けていた。

(ハ) 発明が解決しようとする課題 しかしながら、Inを用いた取付け方法では、大
型ウエハの場合、貼り付けが難しく、また一旦貼
り付けられると堅く貼り付けられ、簡単に取外し
ができなかつた。またウエハの貼り付け時に、In
が飛散してウエハを汚染したり、ウエハの取外し
後にウエハ裏面にInが残り、このInを除去する際
にウエハ表面が汚染され、フアインパターン用ウ
エハとして不適であつた。さらにまた、ウエハ裏
面がInと反応して凹凸が生じ、以後の工程で、例
えばマスクパターンを密着させる場合に、ウエハ
に割れを発生させたりする欠点があつた。

それゆえに、この発明の目的は、上記従来の欠
点を解消し、ウエハの取付け、取外し過程で、ウ
エハに汚染を生じさせることなく、しかも取付
け、取外しが容易で量産に適した分子線エピタキ
シヤル装置のウエハ取付装置を提供することであ
る。

(ニ) 課題を解決するための手段及び作用 上記課題を解決するため、この発明の分子線エ
ピタキシヤル装置のウエハ取付装置は、超高真空
チヤンバ内に、エピタキシヤル成長を行うべきウ
エハを収納するためのウエハ取付装置であつて、
加納可能な取付ブロツクと、この取付ブロツク上
に設けられ、前記ウエハを前記ブロツクに脱着自
在に係合固着する固着機構と、前記取付ブロツク
の前記ウエハに対接する面上に設けられ、前記ウ
エハを固着する面以外の面を覆う熱反射板とから
なるものである。

従つて、Inを用いることなくウエハをブロツク
に脱着自在に係合固着することができ、従来Inを
用いることにより生じていた問題点が解消され
る。しかし、ウエハがブロツクに接触しているだ
けなので、従来のInによりウエハをブロツクに貼
り付ける場合に比べて、ブロツクよりウエハに伝
達される熱量が低下する。そこで、熱反射板によ
り、ブロツクより放射される熱を反射して戻しブ
ロツクよりウエハへ、効率のよい熱伝達を行わせ
る。

(ホ) 実施例 この発明の実施例を第２図乃至第６図に基づい
て以下に説明する。

第２図及び第３図は、それぞれ実施例に係るウ
エハ取付装置の熱反射板を省略して示す平面図及
び側面図である。

第２図、第３図において、ウエハ取付装置１０
はモリブデンブロツク１１と、ウエハ押さえピン
１２と、ウエハ押さえピン１２の締付け用のネジ
１３とから構成されている。このウエハ押さえピ
ン１２とネジ１３はウエハ１４を位置決め固定で
きるように３点に配置されている。１５はモリブ
デンブロツク１１の加熱用のヒータである。モリ
ブデンブロツク１１の表面には、大型ウエハを取
付けた場合でも、チヤンバ内の雰囲気を悪化させ
ずに高温を得るために、熱輻射率を良くする
GaAs層１６等が予め付着されている。

第４図は、このウエハ取付装置１０に熱反射板
２１を装着した状態での側面図で、ウエハ押さえ
ピン１２とネジ１３は省略している。熱反射板２
１は、モリブデンブロツク１１のウエハ１４に対
接する面１１ａ上の、ウエハ１４を固着する面以
外の面を覆つている。モリブデンブロツク１１よ
り発せられる熱は、ウエハ１４に対接する面では
GaAs層１６を通じてウエハ１４に伝達される
が、ウエハ１４に対接する面以外の面よりの熱
は、この熱反射板２１で反射する。このためモリ
ブデンブロツク１１よりの熱放出が抑えられ、ウ
エハ１４に対して効率の良い熱伝達を行うことが
できる。

この実施例ウエハ取付装置１０で、ウエハ１４
の取付けを行うには、ネジ１３で押さえピン１２
を締付け、押さえピン１２でウエハ１４を押さえ
付け固定し、取外す場合には、ネジ１３をゆるめ
ることにより、それぞれ簡単に行うことができ
る。

第５図は、固着機構の変形を示している。この
実施例ウエハ取付装置３０は、モリブデンブロツ
ク１１に２本の支柱３１，３１を立てるととも
に、バネ材３２を設け、ウエハ１４の端辺を支柱
３１，３１に当接させるとともに、バネ材３２で
ウエハ１４の他方の端辺を側方から押圧して、ウ
エハ１４を係合固着するようにしている。なお、
第５図では省略しているが、このウエハ取付装置
３０にも先と同様の熱反射板が装着される。

第６図は、固着機構のさらに他の変形を示して
いる。この実施例ウエハ取付装置４０は、モリブ
デンブロツク１１に、内側にそれぞれ切欠を有す
る支柱４１，４１を立てるとともに、１個の押さ
えピン４２及びネジ４３を設け、ウエハ１４の端
辺を支柱４１，４１の切欠に嵌込むとともに、ウ
エハ１４の他方の端辺を押さえピン４２で押さ
え、ネジ４３で締付け固定して、ウエハ１４をモ
リブデンブロツク１１に取付けるようにしてい
る。

このほか、この発明におけるウエハをブロツク
に取外し自在に係合固着する固着機構は、適宜変
形が可能である。

(ヘ) 発明の効果 以上説明したように、この発明の分子線エピタ
キシヤル装置のウエハ取付装置は、超高真空チヤ
ンバ内に、エピタキシヤル成長を行うべきウエハ
を収納するためのウエハ取付装置であつて、加熱
可能な取付ブロツクと、この取付ブロツク上に設
けられ、前記ウエハを前記ブロツクに脱着自在に
係合固着する固着機構と、前記取付ブロツクの前
記ウエハに対接する面上に設けられ、前記ウエハ
を固着する面以外の面を覆う熱反射板とからなる
ものであるから、ウエハの取付け、取外しが簡単
に行え、作業性が向上するのでMBE法を量産に
適用することができる。また、取付ブロツクより
ウエハへ良い熱伝達の効率を保つことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、分子線エピタキシヤル装置のチヤン
バを示す概略図、第２図は、この発明の一実施例
に係るウエハ取付装置の平面図、第３図は、同ウ
エハ取付装置の側面図、第４図は、同ウエハ取付
装置の熱反射板を装着した状態での側面図、第５
図及び第６図は、それぞれ同ウエハ取付装置の固
着機構の変形例を説明する図である。 １：超高真空チエンバ、１０，３０，４０：ウ
エハ取付装置、１１：モリブデンブロツク、１
２，４２：ウエハ押さえピン、１３，４３：ネ
ジ、１４：ウエハ、１６：GaAs層、２１：熱反
射板、３１，４１：支柱、３２：バネ材。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 超高真空チヤンバ内に、エピタキシヤル成長
   を行うべきウエハを収納するためのウエハ取付装
   置であつて、加熱可能な取付ブロツクと、この取
   付ブロツク上に設けられ、前記ウエハを前記ブロ
   ツクに脱着自在に係合固着する固着機構と、前記
   取付ブロツクの前記ウエハに対接する面上に設け
   られ、前記ウエハを固着する面以外の面を覆う熱
   反射板とからなる分子線エピタキシヤル装置のウ
   エハ取付装置。