JPS58106820A - 膜形成装置 - Google Patents
膜形成装置Info
- Publication number
- JPS58106820A JPS58106820A JP20568881A JP20568881A JPS58106820A JP S58106820 A JPS58106820 A JP S58106820A JP 20568881 A JP20568881 A JP 20568881A JP 20568881 A JP20568881 A JP 20568881A JP S58106820 A JPS58106820 A JP S58106820A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- holder
- film
- epitaxial
- epitaxial film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、分子線エピタキシャル法や真空蒸着法等を用
いて基板表面に膜を形成する膜形成装置Ｏ改ｊＬＫ関す
る。
いて基板表面に膜を形成する膜形成装置Ｏ改ｊＬＫ関す
る。
発Ｉｊ！ｏ技術的背景とその問題点
近時、シリフン基板の表面にシリコンをエピタキシャル
成長させる技術として、分子線エピタキシャル法が注目
されている・この分子線エピタキシャル法は、結晶成長
温度が低いため基板からエピタキシャル膜への不純物拡
散が少ないと云う利点を有しており、薄ｉエピタキシャ
ル層を形成するのに極めて有効である。しかしながら、
現在の技術では以下に述べる理由で、必ずしも上記した
利点が十分に生かされていると祉云えなかった。
成長させる技術として、分子線エピタキシャル法が注目
されている・この分子線エピタキシャル法は、結晶成長
温度が低いため基板からエピタキシャル膜への不純物拡
散が少ないと云う利点を有しており、薄ｉエピタキシャ
ル層を形成するのに極めて有効である。しかしながら、
現在の技術では以下に述べる理由で、必ずしも上記した
利点が十分に生かされていると祉云えなかった。
第１＠ｌは従来の分子線エピタキシャル装置の概略構成
を示す模式図である・真空容器１内の下部には、例えば
シリコンからなる分子線源２が設けられ、上記容器１内
の上部には加熱源３を有しえセラ建ツク板４が設けられ
ている。セフイック板４の下面には保持具５を介してシ
リコン基板−が保持され、このシリコン基板σの下ｍ（
表Ｗ）が分子線源２に対向配置されるものとなっている
、ここで、保持具５は基板−の脱落を防ぐためその下端
が内方向に折曲されており、これにより保持具５の折曲
部が基板Ｃの下面周辺に密着するものとなっている。
を示す模式図である・真空容器１内の下部には、例えば
シリコンからなる分子線源２が設けられ、上記容器１内
の上部には加熱源３を有しえセラ建ツク板４が設けられ
ている。セフイック板４の下面には保持具５を介してシ
リコン基板−が保持され、このシリコン基板σの下ｍ（
表Ｗ）が分子線源２に対向配置されるものとなっている
、ここで、保持具５は基板−の脱落を防ぐためその下端
が内方向に折曲されており、これにより保持具５の折曲
部が基板Ｃの下面周辺に密着するものとなっている。
しかして、分子線源２に電子ビーム等を照射しシリコン
の分子線（第１図中１点鎖線で示す）を生成し、シリコ
ン基板６の下面にエピタキシャル膜を生長させたところ
、基板６の中央部は問題ないが周辺部、つま夛保持具Ｃ
との接触部近傍では単結晶が成長し難く、エピタキシャ
ル膜の品質に問題があった。つまＪ）、ｔＸ２図に示す
如くシリコン基板Ｃの下面中央部には良質のエピタキシ
ャル膜１が形成されるが、下面周辺部には−ビタキシャ
ル膜不良部Ａ形成されるこれは、保持具５が成長時のエ
ピタキシャル膜と接する仁とによシ保持具５からエピタ
キシャル膜中に不純物が混入するためであると考えられ
る。なお、第２図中９は保持具５の下面に付着する多結
晶層を示している。
の分子線（第１図中１点鎖線で示す）を生成し、シリコ
ン基板６の下面にエピタキシャル膜を生長させたところ
、基板６の中央部は問題ないが周辺部、つま夛保持具Ｃ
との接触部近傍では単結晶が成長し難く、エピタキシャ
ル膜の品質に問題があった。つまＪ）、ｔＸ２図に示す
如くシリコン基板Ｃの下面中央部には良質のエピタキシ
ャル膜１が形成されるが、下面周辺部には−ビタキシャ
ル膜不良部Ａ形成されるこれは、保持具５が成長時のエ
ピタキシャル膜と接する仁とによシ保持具５からエピタ
キシャル膜中に不純物が混入するためであると考えられ
る。なお、第２図中９は保持具５の下面に付着する多結
晶層を示している。
ところで、ＧａＡｓ等の分子線エピタキシャルでＢ、Ｇ
ａＡａ基板をインジウムを介して直接モリブデン板１１
（第１図のセランツク板４に相当するもの）Ｋ貼シ付け
ることができるので、前記した保持具５が不要となシ、
上述した問題はない。
ａＡａ基板をインジウムを介して直接モリブデン板１１
（第１図のセランツク板４に相当するもの）Ｋ貼シ付け
ることができるので、前記した保持具５が不要となシ、
上述した問題はない。
しかしながら、シリコン基板表面にシリコンを分子線エ
ピタキシャルで成長させる場合ＫＦｉ、１２００（’Ｃ
）程度の高温前処理が必要な丸め前記保持＾５が不可欠
となシ、前述した問題を避けるヒとはできなかった。
ピタキシャルで成長させる場合ＫＦｉ、１２００（’Ｃ
）程度の高温前処理が必要な丸め前記保持＾５が不可欠
となシ、前述した問題を避けるヒとはできなかった。
一方、真空蒸着装置においても被蒸着基板を加熱する必
要がある場合等、基板を保持している保持具と蒸着物が
反応し、保持具近傍の蒸着膜の劣化が起ζシ鳥いと云う
問題があった。
要がある場合等、基板を保持している保持具と蒸着物が
反応し、保持具近傍の蒸着膜の劣化が起ζシ鳥いと云う
問題があった。
発明の目的
本発明の目的は、基板表面に形成される蒸着膜或いは工
♂り中シャル膜の保持具との接触に起因する劣化を防止
することができ、良質の蒸着膜或いは立ビタキシャル膜
のみを基板表面忙形成し得る膜形成装置を提供する仁と
にある。
♂り中シャル膜の保持具との接触に起因する劣化を防止
することができ、良質の蒸着膜或いは立ビタキシャル膜
のみを基板表面忙形成し得る膜形成装置を提供する仁と
にある。
発明の概要
本発明は、基板と保持具との接触部が分子線或いは蒸発
物を放出するソースに対しめくらとなるようＫ、基板表
面に接触することなく遮蔽部を設けたものである。
物を放出するソースに対しめくらとなるようＫ、基板表
面に接触することなく遮蔽部を設けたものである。
発明の効果
本発明によれば、基板表面の保持具との接触部が遮蔽部
で覆われるため、上記接触部には蒸着膜中エピタキシャ
ル膜勢が形成されることはない、このため、保持具と蒸
着膜或いはエピタキシャル膜との接触に起因する膜の劣
化を未然−に防止することができ、蒸着膜或いはエピタ
キシャル膜の高品質化をはかり得て、ひいては半導体−
品の高品質化および製造歩留抄向上に寄与し得る等の効
果を奏する・ 発明の実施例 第３図線本発明の一実施例の要部構成を示す模式図であ
る。この実施例が前記第１図に示した装置と異なる点は
、シリコン基板Ｃの下面の保持具Ｖとの接触部が、前記
分子線源２に対しめくらとなるようカバー（遮蔽部）１
１を設けたことである。すなわち、シリコン基板６およ
び保持＾ｒの下方部には、保持具５の折曲部を覆う如く
力Δ−１１が基板６と非接触で設叶られている。
で覆われるため、上記接触部には蒸着膜中エピタキシャ
ル膜勢が形成されることはない、このため、保持具と蒸
着膜或いはエピタキシャル膜との接触に起因する膜の劣
化を未然−に防止することができ、蒸着膜或いはエピタ
キシャル膜の高品質化をはかり得て、ひいては半導体−
品の高品質化および製造歩留抄向上に寄与し得る等の効
果を奏する・ 発明の実施例 第３図線本発明の一実施例の要部構成を示す模式図であ
る。この実施例が前記第１図に示した装置と異なる点は
、シリコン基板Ｃの下面の保持具Ｖとの接触部が、前記
分子線源２に対しめくらとなるようカバー（遮蔽部）１
１を設けたことである。すなわち、シリコン基板６およ
び保持＾ｒの下方部には、保持具５の折曲部を覆う如く
力Δ−１１が基板６と非接触で設叶られている。
このような構成であれば、エピタキシャル成長を行った
場合、第４図に示す如くシリコン基板Ｃの下面中央部の
みに単結晶が成長、つまシ良質のエピタキシャル膜１が
形成され、下面周辺部にはエピタキシャル展線形成され
ない。この丸め、シリコン基板６の下面周辺部にエピタ
キシャル膜の不良部分が形成されるのを防止することか
でｔ＆ゐ、しかも、従来装置にカバー１１を付加するの
みの簡易な構成で実現し得る等の利点がある・ ｉ九１本発明者等の実験によれば、シリコン基板＃ｌＰ
Ｉ！［１００）方位、比抵抗１０〜１２〔Ω・１〕、直
径７６〔箇〕のものとし、これを１０−”（？＊ｒｒ）
の真空槽に入れ１２００ＥＣ）で３分間高温処理を行っ
たのち、実施例装置を用い基板１１［８００（”Ｃ）で
シリコンをエピタキシャル成長させた・その結果、従来
装置では保持具５の端部から横方向に約５〔■〕の不良
部分が生じたのに対し、実施例装置では全く生じなかつ
九。
場合、第４図に示す如くシリコン基板Ｃの下面中央部の
みに単結晶が成長、つまシ良質のエピタキシャル膜１が
形成され、下面周辺部にはエピタキシャル展線形成され
ない。この丸め、シリコン基板６の下面周辺部にエピタ
キシャル膜の不良部分が形成されるのを防止することか
でｔ＆ゐ、しかも、従来装置にカバー１１を付加するの
みの簡易な構成で実現し得る等の利点がある・ ｉ九１本発明者等の実験によれば、シリコン基板＃ｌＰ
Ｉ！［１００）方位、比抵抗１０〜１２〔Ω・１〕、直
径７６〔箇〕のものとし、これを１０−”（？＊ｒｒ）
の真空槽に入れ１２００ＥＣ）で３分間高温処理を行っ
たのち、実施例装置を用い基板１１［８００（”Ｃ）で
シリコンをエピタキシャル成長させた・その結果、従来
装置では保持具５の端部から横方向に約５〔■〕の不良
部分が生じたのに対し、実施例装置では全く生じなかつ
九。
第５図は本発明の他の実施例の要部構成を示す模式図で
ある。この実施例が先に説明した実ン基板６の下面に接
触しないように加工したことである。すなわち、保持具
５の折曲部の上面が内方向に向って下方向に傾斜して設
けられている・つまり、折曲部が前記力／４−１１と同
様に分子線の遮蔽部をなし、この遮蔽部が保持具５と一
体形成されている・ このような構成であっても、シリコン基板σの下面に形
成されるエピタキシャル膜は第６図に示す如くなシ、先
の実施例と同様の効果を奏する。
ある。この実施例が先に説明した実ン基板６の下面に接
触しないように加工したことである。すなわち、保持具
５の折曲部の上面が内方向に向って下方向に傾斜して設
けられている・つまり、折曲部が前記力／４−１１と同
様に分子線の遮蔽部をなし、この遮蔽部が保持具５と一
体形成されている・ このような構成であっても、シリコン基板σの下面に形
成されるエピタキシャル膜は第６図に示す如くなシ、先
の実施例と同様の効果を奏する。
々お、本発明は上述した各実施例に＠定される４のでは
ない０例えば、前記基板や分子線源はシリコンに限るも
のではないのは勿論のことである＠また、分子線工ぎタ
キシャル装置の他に真空蒸着装置にも適用することがで
きる・その他、本発明の要旨を逸脱しない範凹で、種々
変形して実施することができる０
ない０例えば、前記基板や分子線源はシリコンに限るも
のではないのは勿論のことである＠また、分子線工ぎタ
キシャル装置の他に真空蒸着装置にも適用することがで
きる・その他、本発明の要旨を逸脱しない範凹で、種々
変形して実施することができる０
第１図は従来の分子線エピタキシャル装置の概略構成を
示す模式図、第２図は上記従来装置の欠点を説明するた
めの模式図、第３図は本発明の一実施例の要部構成を示
す模式図、第４図は上記実施例の作用を説明する丸めの
模式図、第６図は他Ｏ実施例の要部構成を示す模式図、
第６図は上記他の実施例の作用を説明するための模式図
である。 １・−真空容器、２−分子線源（ソース）、３・・・加
熱源、４・・・セラミック板、５−・保持具、６・・・
シリコン基板、１１・−カバー（３１蔽部）、１１−折
曲部（Ｊ１蔽部）。 １１ＷＡ Ｉ！２図 第３図 第４図 第５図 第６図
示す模式図、第２図は上記従来装置の欠点を説明するた
めの模式図、第３図は本発明の一実施例の要部構成を示
す模式図、第４図は上記実施例の作用を説明する丸めの
模式図、第６図は他Ｏ実施例の要部構成を示す模式図、
第６図は上記他の実施例の作用を説明するための模式図
である。 １・−真空容器、２−分子線源（ソース）、３・・・加
熱源、４・・・セラミック板、５−・保持具、６・・・
シリコン基板、１１・−カバー（３１蔽部）、１１−折
曲部（Ｊ１蔽部）。 １１ＷＡ Ｉ！２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (2)
- （１）真空容器と、この真空容器内に設けられ分子線或
いは蒸発物を放出するソースと、前記真空容器内に上記
ソースに対しその表面が対向配置される基板を保持する
保持具と、上記基板と保持具との接触部が前記ソースに
対しめくらとなるよう上記基板表面に非接触で設けられ
た迩蔽部とを具備し、前記基板表面に蒸着膜或いはエピ
タキシャル膜を形成することを特徴とする膜形成装置。 - （２） 前記値蔽ＳＩｉ、前記保持具と一体成形され
九ものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20568881A JPS58106820A (ja) | 1981-12-19 | 1981-12-19 | 膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20568881A JPS58106820A (ja) | 1981-12-19 | 1981-12-19 | 膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58106820A true JPS58106820A (ja) | 1983-06-25 |
Family
ID=16511054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20568881A Pending JPS58106820A (ja) | 1981-12-19 | 1981-12-19 | 膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58106820A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6081820A (ja) * | 1983-10-11 | 1985-05-09 | Rohm Co Ltd | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ取付装置 |
-
1981
- 1981-12-19 JP JP20568881A patent/JPS58106820A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6081820A (ja) * | 1983-10-11 | 1985-05-09 | Rohm Co Ltd | 分子線エピタキシヤル装置のウエハ取付装置 |
| JPH0136978B2 (ja) * | 1983-10-11 | 1989-08-03 | Rohm Kk |
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