JPH06132221A - 分子線結晶成長用基板ホルダ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 結晶欠陥導入の少ないソルダフリー基板ホル
ダに関し，裏面からの揮発性元素の蒸発の防止と共に，
基板の温度分布を均一にすることを目的とする。 【構成】 ＭＢＥ装置内に，ヒータ４の熱輻射により裏
面から加熱される基板１を水平に保持するための基板ホ
ルダにおいて，ＭＢＥ装置内に水平に保持された金属環
板状のブロック５と，ブロック５内に表面を下にして水
平に緩挿された基板１を支持するため，ブロック５の下
面に環内側に突設された爪６と，ヒータ４の熱輻射を透
過する材料からなり，周辺をブロック５に保持され基板
１裏面と平行に近設された蒸発防止板２とを有して構成
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は分子線結晶成長の際の結
晶欠陥導入を防止する基板ホルダに関する。分子線結晶
成長（以下ＭＢＥという。）は，高真空中で金属ソース
を加熱して発生した分子線を加熱された基板表面に照射
して基板表面に結晶を成長する技術であり，衛星放送を
初めとするマイクロ波通信装置に広く使用されているＨ
ＥＭＴ（高電子易動度トランジスタ），及び高速情報処
理装置に使用されつつあるＨＥＭＴ集積回路やＧａＡｓ
集積回路に用いられる化合物半導体の製造に利用されて
いる。 かかる集積回路に使用される化合物半導体は，
集積回路の製造歩留りを向上するために特に小さな欠陥
密度が要求される。

【０００２】しかし，ＭＢＥでは基板ホルダによっては
結晶成長中に，基板の温度分布を生じ，あるいは基板か
らの揮発性元素が昇華して容易に結晶欠陥が導入され
る。このため，結晶欠陥の少ない化合物半導体結晶を成
長できる分子線結晶成長装置用基板ホルダの開発が強く
要請されている。

【０００３】

【従来の技術】通常のＭＢＥ装置では，基板は結晶が成
長する表面を下方にして基板ホルダに保持され，下方に
配設された分子線源から原料ガスの分子線が基板表面へ
照射され結晶が成長する。

【０００４】基板ホルダは，成長時の基板の保持と真空
中での基板搬送のために用いられる。以下従来の基板ホ
ルダについて実施例を参照して説明する。図６は従来の
初期の実施例断面図であり，分子線結晶成長装置用基板
ホルダの断面を表している。

【０００５】図６（ａ）は初期のＩｎソルダを利用した
基板ホルダであって，ＭＢＥ装置内上方に水平に保持さ
れた金属円板状のブロック５の下面に，基板１の裏面を
Ｉｎソルダ９を用いて貼付することにより，基板１は表
面を下方にして水平に保持される。

【０００６】なお，基板１の加熱は，金属のブロック５
の直上に近設するヒータ４によりブロックを加熱し，ブ
ロック５内の熱伝導を通してなされる。この金属ブロッ
ク５への貼付により基板１の均一な温度分布が得られ，
また基板１裏面からの揮発元素の蒸発を防止することが
できる。

【０００７】この基板ホルダは，簡便なため初期のＭＢ
Ｅ装置，及び研究開発用に多用されたが，基板裏面に付
着したＩｎが合金化するため基板に応力を生じ結晶欠陥
が導入されてクロスハッチを生ずるという問題がある。
また，基板裏面に付着したＩｎを除去するために基板裏
面をラップする必要があり，その際，基板の破損及び基
板表面の平坦度の劣化を招来し，製造歩留りが低下す
る。

【０００８】このようなＩｎソルダの付着に関する問題
を回避するために，Ｉｎソルダを使用しないソルダフリ
ー基板ホルダが開発された。図６（ｂ）は初期のソルダ
フリー基板ホルダであり，その主要な構造を表してい
る。

【０００９】基板は，図６（ｂ）を参照して，金属円板
のブロック５下面に止めネジ１１で締着されるピン１０
により例えば基板１周辺部の３〜４カ所で押止され，ブ
ロック５下面に基板１裏面を密接して保持される。

【００１０】しかし，この基板１周辺をピンで押止する
基板ホルダでは，基板１裏面をブロック５下面へ完全に
密着させることができず，一部に非接触面を生ずる。こ
のため，ブロック５から基板１への熱抵抗が部分的に上
昇して基板１面内の温度分布が大きくなるのである。こ
のため，成長の際に結晶欠陥が導入されてしまう。

【００１１】図７は従来の実施例構成図であり，改良さ
れた基板ホルダを表している。なお，図７（ａ）は断面
図，図７（ｂ）は下方からみた平面図である。図７に示
す基板ホルダは，上記ピンで押止する方式の基板ホルダ
の温度分布の改善を目的として改良されたもので，金属
のブロック５は環状円板形に形成され，その下面に環状
円板内周に水平に突設する爪６が設けられる。基板１
は，表面を下にしてブロック５の環内に緩挿され，爪６
は，基板１の表面周辺部に当接して基板１を水平に保持
する。

【００１２】さらに赤外線に対して透明な薄い蒸発防止
板２を，ブロック５内周上部と蒸発防止板２上面との間
に嵌挿された止めリング８を用いて基板１裏面に密接す
る。この方法では，基板１は透明な蒸発防止板５を透過
した赤外線により直接加熱されるから加熱は均等になさ
れる。さらに，基板１は金属ブロック５とその周に設け
られた３〜４個の爪６で接触するだけであるから，ブロ
ック５との熱伝導に起因する温度分布は少ない。従っ
て，基板１の温度分布は，当初のピンで押止する方式の
基板ホルダよりも格段に改善される。

【００１３】また，基板１裏面からの揮発性元素の蒸発
は基板１裏面に密接する蒸発防止板２により抑止され
る。しかし，この改良された基板ホルダにおいても，以
下に述べるように欠陥が導入されない程に温度分布を均
一にすることは困難であった。

【００１４】図８は従来例の温度分布発生を説明する図
であり，図７に示す改良された基板ホルダにおける基板
と蒸発防止板との接触の様子を断面で表している。蒸発
防止板２は通常はセラミックス材料，例えばＢＮ等の難
加工性材料で作られるため，精密な平板に加工すること
は困難である。このため，図８を参照して，蒸発防止板
２は完全に基板１裏面に密着することなく一部剥離する
領域が生ずる。その結果，昇降温の際に赤外線の吸収及
び熱容量の相違から生ずる基板１と蒸発防止板２との温
度差のために，接触部分と剥離部分との間に基板１の温
度差を生ずるのである。

【００１５】さらに，基板１周辺が環状の金属ブロック
５に近接するため，裏面に配設されたヒータ４の輻射熱
が遮蔽され，基板１周辺の温度が低下する。従って，基
板１の温度分布が生じ，結晶欠陥が導入されてしまう。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】上述したように，従来
のソルダフリーＭＢＥ装置用基板ホルダーでは，揮発性
元素の蒸発を防止するために基板裏面に密接して設けら
れるべき蒸発防止板を平坦に製作することができないの
で，基板裏面と蒸発防止板とが一部剥離する。このた
め，基板の温度分布を生じ，ＭＢＥで製造された化合物
半導体は結晶欠陥，例えばクロスハッチが導入されると
いう問題がある。

【００１７】また，基板を保持する金属ブロックが基板
周辺へのヒータからの輻射熱を遮蔽するため，基板の温
度分布をより大きくするという欠点がある。本発明は，
蒸発防止板を基板裏面から隙間を設けて基板に触れない
ように配設することで，基板裏面からの揮発性元素の蒸
発を防止すると共に，基板の温度分布を均一にすること
により，結晶欠陥の少ない化合物半導体を製造すること
ができる分子線結晶成長用基板ホルダを提供することを
目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】図２は本発明の第一実施
例構成図であり，分子線結晶成長装置用基板ホルダの構
造を，図２（ａ）は断面図で，図２（ｂ）は下方からみ
た平面図で表している。

【００１９】上記課題を解決するために，図２を参照し
て，本発明の第一の構成は，分子線結晶成長装置内に，
ヒータ４の熱輻射により裏面から加熱される基板１を水
平に保持するための基板ホルダにおいて，該分子線結晶
成長装置内に水平に保持された金属環板状のブロック５
と，該ブロック５の下面又は該下面近傍に設けられ該ブ
ロック５の環内側に突出し，表面を下にして該環内に水
平に緩挿された該基板１を支持するための爪６と，該基
板１の裏面直上に配設された該ヒータ４からの熱輻射を
透過する材料からなり，周辺を該ブロック５に保持され
該基板１裏面と平行に所定の距離をおいて近設された蒸
発防止板２とを有することを特徴として構成する。

【００２０】図３は本発明の第二実施例断面図，図４は
本発明の第三実施例断面図であり，分子線結晶成長装置
用基板ホルダの構造を表している。本発明の第二の構成
は，図４を参照して，前記蒸発防止板２は，下面が該基
板１中央で凹面を形成して該基板１裏面との間に隙間３
を保持し，周辺で該基板１裏面の周辺部と接触して支持
されることを特徴とする請求項１記載の分子線結晶成長
用基板ホルダとして構成し，及び，本発明の第三の構成
は，図３を参照して，前記蒸発防止板２は，周辺が該基
板１裏面上周辺に設けられたリング状スペーサ１４上で
保持され，該基板１裏面と平行に近設して保持されるこ
とを特徴とする請求項１記載の分子線結晶成長用基板ホ
ルダとして構成する。

【００２１】図５は本発明の第四実施例構成図であり，
分子線結晶成長装置用基板ホルダの構造を，図５（ａ）
は断面図で，図５（ｂ）は下方からみた平面図で表して
いる。

【００２２】本発明の第四の構成は，図５を参照して，
分子線結晶成長装置内に，ヒータ４の熱輻射により裏面
から加熱される基板１を水平に保持するための基板ホル
ダにおいて，該分子線結晶成長装置内に水平に保持され
た金属環板状のブロック５であって，該ブロック５と該
ブロック５の環内に置かれた該基板１との間に形成され
る環状の隙間７に分子線が到達するに十分な大きさの内
径を有するものと，該ブロック５の下面又は該下面近傍
に設けられ該ブロック５の環内側に突出し，表面を下に
して該環内に水平に置かれた該基板１を支持するための
爪６と，該基板１の裏面直上に配設された該ヒータ４か
らの熱輻射を透過する材料からなり，周辺が該ブロック
５に保持されて該ブロック５の環内を蓋するように覆
い，該基板１裏面と平行に所定の距離をおいて近設され
た蒸発防止板２とを有することを特徴とする分子線結晶
成長用基板ホルダとして構成する。

【００２３】

【作用】図１は本発明の原理説明図であり，図１（ａ）
は第一〜第三の構成の基板ホルダの構成と作用の原理を
断面で表している。

【００２４】本発明の第一〜第三の構成では，図１
（ａ）を参照して，基板１の裏面に周囲が封じられた僅
かな隙間３を形成するように蒸発防止板２が設けられ
る。従って，基板１と蒸発防止板２とが基板の中央部で
接触することはないから，熱伝導に起因する基板の温度
分布を減少することができる。

【００２５】また，基板１裏面に形成される隙間３は狭
いから，容易に揮発性元素の蒸気圧が高くなり，基板裏
面からの揮発性元素の蒸発は押さえられる。即ち，本構
成により，均一な基板温度と揮発性元素の蒸発防止がな
され，結晶欠陥の少ない化合物半導体を製造することが
できる。

【００２６】以下，第一〜第三の具体的構成と作用につ
いて詳細に説明する。本発明の第一の構成では，図２を
参照して，基板１は，装置内で水平に保持された環板状
のブロック５の中に僅かな隙間７を有して嵌挿され，ブ
ロック５下面に設けられた中心方向に突出する爪６によ
り支持される。さらに，蒸発防止板２は，周辺をブロッ
ク５に支持され，基板１裏面との間に僅かの隙間３を有
して略平行に置かれる。

【００２７】かかる構成では，蒸発防止板２と基板とが
接触することは完全になく，これらの間に熱伝導を生ず
ることはない。従って，基板と蒸発防止板との不完全な
接触から生ずる基板の温度分布の発生を防止できるか
ら，基板の温度分布を均一にすることができる。

【００２８】他方，基板１裏面と蒸発防止板２との間の
隙間３は小さく，かつ外部とは基板１周壁面とブロック
５内壁面との狭い隙間７でのみ通気するから，隙間３は
外気との換気が遅い。このため，基板裏面から微量の揮
発性元素が蒸発しただけで蒸気圧が高くなり，以後の揮
発性元素の蒸発は抑制される。従って，従来の基板ホル
ダのように基板裏面と蒸発防止板とを密着しなくても基
板裏面からの揮発性元素の蒸発を阻止することができ
る。

【００２９】上記のように本構成によれば，揮発性元素
の蒸発を阻止し，かつ基板の温度分布を均一にすること
ができるから，結晶欠陥の少ない化合物半導体を製造す
ることができる。

【００３０】本発明の第二の構成では，図３を参照し
て，下面周辺に突出したリング状スペーサ１４が設けら
れた蒸発防止板２が，基板裏面上にスペーサ１４が基板
１裏面の周辺部に当接するように置かれる。他の構成は
第一の構成と同様である。

【００３１】なお，スペーサ１４は蒸発防止板２と一体
として製作することもできる。本構成では，隙間３の周
辺はスペーサ１４により気密に保持されるから，第一の
構成よりも揮発性元素の蒸発が少ない。また，ブロック
５と基板１との間隔は気密保持と関係がないため広くす
ることができるので，ブロック５による熱遮蔽を小さく
して，基板の温度分布を均一にできる。

【００３２】本発明の第三の構成では，図４を参照し
て，上に凸に形成された蒸発防止板２を，基板裏面上に
その周辺が基板１裏面の周辺部に当接するように置かれ
る。本構成の作用は第二の構成と同様であるが，さらに
本構成に係る蒸発防止板２は製造が容易であるという利
点を有する。

【００３３】本発明の第四実施例では，図５を参照し
て，環状のブロック５に保持された蒸発防止板２の直下
に，蒸発防止板２より小径の基板１が僅かの隙間３を設
けて略平行に支持される。

【００３４】かかる構成では，基板１と蒸発防止板２と
は接触しないから，基板の温度分布の均一性がよい。ま
た，基板１はブロック５の内径よりも小さく，ブロック
５と基板１の間に十分大きな隙間７を設けることができ
るため，ヒータの輻射がブロック５により遮蔽されな
い。このため，基板１周辺の温度低下がなく，基板の温
度分布の均一性が向上する。

【００３５】従って，第一実施例よりも基板の温度分布
が小さく，結晶欠陥の少ない化合物半導体を製造するこ
とができる。次に，第四実施例において揮発性元素の蒸
発が防止される原理を説明する。

【００３６】図１（ｂ）はＭＢＥ装置構成断面図であ
り，本発明の第四の構成にかかる基板ホルダを用いたと
きの主要な構成部分の位置関係を表し，図１（ｃ）は図
１（ｂ）の一部拡大図であり，基板周辺における揮発性
元素の運動を表している。

【００３７】図１（ｂ）を参照して，基板１は，基板１
よりも大きな直径の蒸発防止板２の直下に僅かの隙間３
を設けて配置される。この隙間３は極狭いので中央部分
で蒸発した揮発性元素はこの隙間３に滞留し，蒸気圧を
高めるため，それ以上の蒸発が抑制される。

【００３８】他方，基板１には，その下方に設置された
原料を入れたるつぼ１２から分子線１３が照射されてい
る。図１（ｃ）を参照して，下面になる基板１の表面
（結晶成長面）には，分子線１３として揮発性元素の入
射分子１３ａが照射され，高い蒸気圧を生ずるため基板
表面の揮発性元素の蒸発は抑えられている。

【００３９】同様に，基板１周辺外側の蒸発防止板２表
面には，揮発性元素の入射分子１３ａが照射されるため
揮発性元素の蒸気圧は高い。従って，基板１裏面から隙
間３内に蒸発した揮発性元素の蒸発分子１３ｂは，隙間
３の周辺の高い蒸気圧のために拡散して周辺から逃散す
ることがない。このため，基板１裏面の蒸気圧は高く維
持され，揮発性元素の蒸発を抑制することができるので
ある。

【００４０】

【実施例】本発明を実施例を参照して説明する。本発明
の第一実施例は，ＧａＡｓ基板上にＧａＡｓを堆積する
ＭＢＥに関する。

【００４１】図２を参照して，ブロック５は環状のＭｏ
板からなり，内壁に蒸発防止板２を載置するための段を
付け，内径下部は基板直径よりも１mm大きく形成され
る。また，ブロック５下面の周を４等分割する位置に内
径中心に向かって突出する４個の爪を設ける。

【００４２】ＧａＡｓ基板１は，ブロック５内壁に触れ
ないように爪の上に置かれる。蒸発防止板２は，厚さ
０．２mmの気相成長された窒化硼素（ＰＢＮ）からな
り，ブロック５内壁に設けられた段に載置することによ
り，基板１裏面から０．５mmの隙間３を維持して保持さ
れる。さらに，止めリング８を用いて蒸発防止板２をブ
ロック５に固定する。

【００４３】かかる分子線結晶成長装置用基板ホルダを
用いて，直径３インチ厚さ０．６mmのＧａＡｓ基板上に
基板温度６５０℃で厚さ１μｍのＧａＡｓエピタキシャ
ル層をＭＢＥにより成長した結果，クロスハッチの発生
は認められなかった。

【００４４】また，基板裏面の揮発性元素であるＡｓの
蒸発による裏面の荒れも観測されなかった。本発明の第
二実施例は，図３を参照して，基板１と同径の厚さ０．
２mmの蒸発防止板２を用い，基板と蒸発防止板との間に
厚さ０．５mmのリング状スペーサ１４を挟み，止めリン
グ８により基板１上に固定する。なお，蒸発防止板２及
びスペーサ１４はＰＢＮからなる。

【００４５】本実施例では，第一実施例と同様の結果で
あり，クロスハッチ及び裏面の荒れは観測されなかっ
た。さらに，第二実施例の変形として，蒸発防止板２と
一体となった上記スペーサ１４を用いた。その結果，ク
ロスハッチの発生は基板１中央部には観測されなかった
が，周辺部に発生する場合があった。この周辺部にクロ
スハッチを生ずるのは，周辺部で蒸発防止板と基板とが
密着して気密を維持しているため，熱伝導による温度分
布を生ずるためである。

【００４６】なお，揮発性元素の蒸発による裏面の荒れ
は観測されなかった。本発明の第三実施例は，図４を参
照して，蒸発防止板２を凹レンズ状に形成して基板１に
載せるもので，蒸発防止板２は基板の周辺部でのみ接触
する。

【００４７】蒸発防止板はＰＢＮの球冠状の薄板からな
り，中央の凹みは０．５mm，厚さ０．２とした。かかる
形状のＰＢＮ薄板は容易に製造することができ，またス
ペーサを用いるよりも取扱に便利である。

【００４８】本実施例の結果は，前記の第二実施例の変
形例と同様であった。本発明の第四実施例は，図５を参
照して，内径が基板の直径より２０mm大きな環板状のブ
ロック５の下面，周辺を４等分する位置に中心方向に突
出する段付の爪６を設ける。通常，このブロック５及び
爪６は金属例えばＭｏからなる。

【００４９】直径３インチ，厚さ０．６mmのＧａＡｓ基
板を爪６の下段の突起に載せ，ブロック５の内周に緩嵌
する厚さ０．２mmのＰＢＮ板からなる蒸発防止板２を爪
６の上段に載せる。このとき基板１裏面と蒸発防止板２
とは平行に１．０mmの隙間を保ち保持される。なお，蒸
発防止板２を止めリング８を用いてブロッツ５に固定し
てもよい。

【００５０】本実施例では，基板１とブロック５間の１
０mmの隙間７には蒸発防止板２が表出して，下方から照
射される分子ビームは基板１表面とこの隙間７に表出す
る蒸発防止板２表面に衝突する。

【００５１】本実施例に係る基板ホルダを使用してＭＢ
Ｅ中の基板温度を測定した結果，基板１中心が６５０℃
のとき，基板１周辺部の温度は６４０℃であり，温度分
布は１０℃であった。これは図７に示す従来のソルダフ
リー基板ホルダを用いたときの温度分布３０℃の１／３
であり，温度分布の改善がされている。

【００５２】また，本実施例に係る基板ホルダを使用し
て，厚さ１μｍのＧａＡｓを成長した結果，クロスハッ
チは全く観測されなかった。さらに，基板裏面の揮発性
元素の蒸発による荒れは観測されず，このことから揮発
性元素の蒸発は十分抑制されていることが明らかであ
る。

【００５３】以上述べた４実施例において，ＧａＡｓ基
板上にＧａＡｓ結晶を成長したのに代えて，揮発性元素
を含む基板，例えばＩｎＰ，ＧａＳｂ上に，揮発性元素
例えばＧａ，Ｐ，Ｓｂを含む化合物結晶を成長するため
に本発明を適用することができる。

【００５４】また，本実施例は基板ホルダに一枚の基板
を搭載するものに本発明を適用した例であるが，本発明
を，一つの基板ホルダに２以上の基板を搭載するいわゆ
るマルチウェハ型基板ホルダにも適用することがでの
る。

【００５５】

【発明の効果】上述したように本発明によれば，基板裏
面からの揮発性元素の蒸発が防止される共に，基板と蒸
発防止板との接触部分を制限し及びヒータの輻射を均一
にすることができるので，基板の温度分布を均一にする
ことができ，結晶欠陥の少ない化合物半導体を製造する
ことができる分子線結晶成長用基板ホルダを実現するこ
とができるから，半導体装置の性能向上に寄与するとこ
ろが大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の原理説明図

【図２】 本発明の第一実施例構成図

【図３】 本発明の第二実施例断面図

【図４】 本発明の第三実施例断面図

【図５】 本発明の第四実施例構成図

【図６】 従来の初期の実施例断面図

【図７】 従来の実施例構成図

【図８】 従来例の温度分布発生を説明する図

【符号の説明】

１ 基板 ２ 蒸発防止板 ３，７ 隙間 ４ ヒータ ５ ブロック ６ 爪 ８ 止めリング ９ ソルダ １０ ピン １１ 止めネジ １２ るつぼ １３ 分子線 １３ａ 入射分子 １３ｂ 蒸発分子 １４ スペーサ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 分子線結晶成長装置内に，ヒータ（４）
   の熱輻射により裏面から加熱される基板（１）を水平に
   保持するための基板ホルダにおいて， 該分子線結晶成長装置内に水平に保持された金属環板状
   のブロック（５）と， 該ブロック（５）の下面又は該下面近傍に設けられ該ブ
   ロック（５）の環内側に突出し，表面を下にして該環内
   に水平に緩挿された該基板（１）を支持するための爪
   （６）と， 該基板（１）の裏面直上に配設された該ヒータ（４）か
   らの熱輻射を透過する材料からなり，周辺を該ブロック
   （５）に保持され該基板（１）裏面と平行に所定の距離
   をおいて近設された蒸発防止板（２）とを有することを
   特徴とする分子線結晶成長用基板ホルダ。
2. 【請求項２】 前記蒸発防止板（２）は，下面が該基板
   （１）中央で凹面を形成して該基板（１）裏面との間に
   隙間（３）を保持し，周辺で該基板（１）裏面の周辺部
   と接触して支持されることを特徴とする請求項１記載の
   分子線結晶成長用基板ホルダ。
3. 【請求項３】 前記蒸発防止板（２）は，周辺が該基板
   （１）裏面上周辺に設けられたリング状スペーサ（１
   ４）上で保持され，該基板（１）裏面と平行に近設して
   保持されることを特徴とする請求項１記載の分子線結晶
   成長用基板ホルダ。
4. 【請求項４】 分子線結晶成長装置内に，ヒータ（４）
   の熱輻射により裏面から加熱される基板（１）を水平に
   保持するための基板ホルダにおいて， 該分子線結晶成長装置内に水平に保持された金属環板状
   のブロック（５）であって，該ブロック（５）と該ブロ
   ック（５）の環内に置かれた該基板（１）との間に形成
   される環状の隙間（７）に分子線が到達するに十分な大
   きさの内径を有するものと， 該ブロック（５）の下面又は該下面近傍に設けられ該ブ
   ロック（５）の環内側に突出し，表面を下にして該環内
   に水平に置かれた該基板（１）を支持するための爪
   （６）と， 該基板（１）の裏面直上に配設された該ヒータ（４）か
   らの熱輻射を透過する材料からなり，周辺が該ブロック
   （５）に保持されて該ブロック（５）の環内を蓋するよ
   うに覆い，該基板（１）裏面と平行に所定の距離をおい
   て近設された蒸発防止板（２）とを有することを特徴と
   する分子線結晶成長用基板ホルダ。