JPS6079758A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6079758A JPS6079758A JP18764483A JP18764483A JPS6079758A JP S6079758 A JPS6079758 A JP S6079758A JP 18764483 A JP18764483 A JP 18764483A JP 18764483 A JP18764483 A JP 18764483A JP S6079758 A JPS6079758 A JP S6079758A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- resin
- metallic substrate
- chip
- cooling body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
- H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は金属からなる冷却体へ絶縁して取付けることが
容易にできる半導体装置に関する。
容易にできる半導体装置に関する。
トランジスタ、ダイオードなどの半導体チップを一つの
電極を兼ねる金属からなる底板上に固定して封止し、半
導体装置を構成することは一般に行われている。このよ
うな半導体装置をチップから発生する熱の放熱のため金
属からなる冷却体上に取り付ける場合、一つの冷却体に
一つの半導体装置を取り付けるならば絶縁する必要がな
いが、複数の半導体装置を取り付ける場合には冷却体と
の間を絶縁する必要が生ずる。例えば第１図に示すよう
なＴＯＢＰ形の外形をもつ半導体装置は、金属基板１上
に固着された半導体チップ２を覆うモールド樹脂体３に
貫通孔４が設けられており、半導体チップ２の上面の電
極は樹脂体３より突出する端子５とリード線６により接
続されている。この半導体装置の冷却体７への固定は、
絶縁板８を介して貫通孔４に挿入される取付けねじ９に
よって行う。この場合金属基板ｌが樹脂体３の側面に露
出しているため、絶縁板８はＡ部のように装置の底面積
より大きな面積を持たねばならず、冷却板７の占有面積
も大きく、全体の装置の小形化が困難になる。第２図に
示すＴＯａ形の外形をもつ半導体装置では、底面が全面
金属基板１であるので、金属基板１の取付は孔１０に挿
入され、冷却板１１を貫通して套面のナツト１２により
止められる取付ねじ９には絶縁ブツシュ１３を嵌めなけ
ればならない。また絶縁板８はＴ０３Ｐの場合と同様半
導体装置の底面より大きいものが必要である。
電極を兼ねる金属からなる底板上に固定して封止し、半
導体装置を構成することは一般に行われている。このよ
うな半導体装置をチップから発生する熱の放熱のため金
属からなる冷却体上に取り付ける場合、一つの冷却体に
一つの半導体装置を取り付けるならば絶縁する必要がな
いが、複数の半導体装置を取り付ける場合には冷却体と
の間を絶縁する必要が生ずる。例えば第１図に示すよう
なＴＯＢＰ形の外形をもつ半導体装置は、金属基板１上
に固着された半導体チップ２を覆うモールド樹脂体３に
貫通孔４が設けられており、半導体チップ２の上面の電
極は樹脂体３より突出する端子５とリード線６により接
続されている。この半導体装置の冷却体７への固定は、
絶縁板８を介して貫通孔４に挿入される取付けねじ９に
よって行う。この場合金属基板ｌが樹脂体３の側面に露
出しているため、絶縁板８はＡ部のように装置の底面積
より大きな面積を持たねばならず、冷却板７の占有面積
も大きく、全体の装置の小形化が困難になる。第２図に
示すＴＯａ形の外形をもつ半導体装置では、底面が全面
金属基板１であるので、金属基板１の取付は孔１０に挿
入され、冷却板１１を貫通して套面のナツト１２により
止められる取付ねじ９には絶縁ブツシュ１３を嵌めなけ
ればならない。また絶縁板８はＴ０３Ｐの場合と同様半
導体装置の底面より大きいものが必要である。
本発明は上記の欠点を除き、冷却体への取付けの際に必
要な絶縁板の面積が小さくてすみ、また絶縁ブッシング
も不要で取付けが簡単にできる経済的な半導体装置を提
供することを目的とする０〔発明の要点〕 本発明によれば半導体装置の半導体チップを支持する金
属基板の底面は半導体チップの上および基板の底面以外
を包囲する樹脂体の底面と同一平面をなし、かつ樹脂体
には底面に垂直な貫通孔が設けられることによって上記
の目的を達成する０特に望ましい構成としては、樹脂体
の底面は方形であり、金属基板の底面は樹脂体の底面の
四辺に平行な辺のほかに斜めの辺を有する多角形で、樹
脂体に設けられた貫通孔がその斜辺と樹脂体底面の相−
る二辺に囲まれた区域に開口している。
要な絶縁板の面積が小さくてすみ、また絶縁ブッシング
も不要で取付けが簡単にできる経済的な半導体装置を提
供することを目的とする０〔発明の要点〕 本発明によれば半導体装置の半導体チップを支持する金
属基板の底面は半導体チップの上および基板の底面以外
を包囲する樹脂体の底面と同一平面をなし、かつ樹脂体
には底面に垂直な貫通孔が設けられることによって上記
の目的を達成する０特に望ましい構成としては、樹脂体
の底面は方形であり、金属基板の底面は樹脂体の底面の
四辺に平行な辺のほかに斜めの辺を有する多角形で、樹
脂体に設けられた貫通孔がその斜辺と樹脂体底面の相−
る二辺に囲まれた区域に開口している。
第３図は本発明の一実施例を示し、半導体チップ２を支
持する金属基板ｌは樹脂成形体で形成される容器１４に
よって囲まれて゛いる。さらに半導体チップ２、それに
接続されるリード線６Ｊリード線６の他側に接続され、
基板１には絶縁体１５を介して固定される端子５０大部
分を囲って樹脂１６が注入され、硬化されてチップ２を
封止する。
持する金属基板ｌは樹脂成形体で形成される容器１４に
よって囲まれて゛いる。さらに半導体チップ２、それに
接続されるリード線６Ｊリード線６の他側に接続され、
基板１には絶縁体１５を介して固定される端子５０大部
分を囲って樹脂１６が注入され、硬化されてチップ２を
封止する。
樹脂容器１４には貫通孔１７が設けられており、この半
導体装置の冷却体７への取付けは、貫通孔１７に挿入さ
れる取付けねじ９によって行われる。
導体装置の冷却体７への取付けは、貫通孔１７に挿入さ
れる取付けねじ９によって行われる。
しかしこの場合金属基板は容器１４の側面に露出してい
ないので、冷却体７との間に挿入される絶縁板８は半導
体装置の底面と同じ大きさであるかあるいはそれより小
さくてもよい。従って冷却体上に半導体装置を密接して
配置することができ、装置全体を小形化することができ
る。なお金属基板１の端部が第３図に示すような容器１
４の底面に囲まれているので、取付けねじ９の締付けに
より基板１の冷却体７への抑圧が十分に行われ、良好な
熱伝達が得られる。
ないので、冷却体７との間に挿入される絶縁板８は半導
体装置の底面と同じ大きさであるかあるいはそれより小
さくてもよい。従って冷却体上に半導体装置を密接して
配置することができ、装置全体を小形化することができ
る。なお金属基板１の端部が第３図に示すような容器１
４の底面に囲まれているので、取付けねじ９の締付けに
より基板１の冷却体７への抑圧が十分に行われ、良好な
熱伝達が得られる。
第４図は別の実施例の下面図で、樹脂容器１４は正方形
の輪郭を有するが、金属基板１は六角形であり、二つの
斜辺１Ｂを有する。従って斜辺１８の外側には樹脂成形
体の広い区域が形成され、貫通孔１７はこの区域に開口
している。このように形成することｌこより半導体装置
の底面の大きさは小形化でき、占有面積はさらに小さく
なる。
の輪郭を有するが、金属基板１は六角形であり、二つの
斜辺１Ｂを有する。従って斜辺１８の外側には樹脂成形
体の広い区域が形成され、貫通孔１７はこの区域に開口
している。このように形成することｌこより半導体装置
の底面の大きさは小形化でき、占有面積はさらに小さく
なる。
本発明による半導体装置の金属基板、半導体チップ等を
包囲する樹脂体を上の実施例のように樹脂容器とそれに
注入される樹脂により形成する代りに、トランスファ成
形によって形成することもできる。
包囲する樹脂体を上の実施例のように樹脂容器とそれに
注入される樹脂により形成する代りに、トランスファ成
形によって形成することもできる。
本発明は、半導体装置の半導体チップを支持する金属基
板の側面も包囲する樹脂体によって封止するもので、こ
の樹脂体に設けられた貫通孔を利用して絶縁板を介して
冷却体上に固定する場合固定用のねじに対する絶縁ブッ
シングが不要であり、また絶縁板も半導体装置の底面よ
りはみ出させる必要もなく、構造簡単で実装の容易な半
導体装置として極めて有効に使用できる。また、同一金
属基板上に一つの半導体チップが支持される場合に限ら
ず、複数のチップが導電的あるいは絶縁して固定される
場合にも適用できる。
板の側面も包囲する樹脂体によって封止するもので、こ
の樹脂体に設けられた貫通孔を利用して絶縁板を介して
冷却体上に固定する場合固定用のねじに対する絶縁ブッ
シングが不要であり、また絶縁板も半導体装置の底面よ
りはみ出させる必要もなく、構造簡単で実装の容易な半
導体装置として極めて有効に使用できる。また、同一金
属基板上に一つの半導体チップが支持される場合に限ら
ず、複数のチップが導電的あるいは絶縁して固定される
場合にも適用できる。
第１図、第２図は従来の半導体装置の冷却体への取付は
状態を示し、第１図は断面図、第２図は一部破砕断面図
、第３図は本発明の一実施例の半導体装置の冷却体への
取付は状態を示す断面図。 第４図は別の実施例の半導体装置の下面図である。 １・・・金属基板、２・・・半導体チップ、１４・・・
樹脂容器、１６・・・注入樹脂、１７・・・貫通孔。
状態を示し、第１図は断面図、第２図は一部破砕断面図
、第３図は本発明の一実施例の半導体装置の冷却体への
取付は状態を示す断面図。 第４図は別の実施例の半導体装置の下面図である。 １・・・金属基板、２・・・半導体チップ、１４・・・
樹脂容器、１６・・・注入樹脂、１７・・・貫通孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体チップを支持する金属基板の底面が、半導体
チップの上および金属卆板の底面以外を包囲する樹脂体
の底面と同一平面をなし、かつ樹脂体に底面に垂直な貫
通孔が設けられたことを特徴とする半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の装置において、樹脂体
の底面が方形であり、金属基板の底面は樹脂体の底面の
四辺に平行な辺のほかに斜めの辺を有する多角形で、貫
通孔は基板底面の斜めの辺と樹脂体底面の相隣る二辺に
囲まれた区域に開口したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18764483A JPS6079758A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18764483A JPS6079758A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6079758A true JPS6079758A (ja) | 1985-05-07 |
Family
ID=16209719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18764483A Pending JPS6079758A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6079758A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009135745A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の圧電デバイス |
-
1983
- 1983-10-06 JP JP18764483A patent/JPS6079758A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009135745A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の圧電デバイス |
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