JP3123917B2 - 混成集積回路装置 - Google Patents

混成集積回路装置

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JP3123917B2 JP08016115A JP1611596A JP3123917B2 JP 3123917 B2 JP3123917 B2 JP 3123917B2 JP 08016115 A JP08016115 A JP 08016115A JP 1611596 A JP1611596 A JP 1611596A JP 3123917 B2 JP3123917 B2 JP 3123917B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、混成集積回路装置
に関し、特にネジ止め周辺のケース材強度を向上させる
構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、混成集積回路装置は、半導体素
子等が固着され所定の回路を達成した基板と、この基板
と箱状を成すケース材とを有し、この箱を成す空間に
は、樹脂が注入されている。例えば特願平5−2825
06号等がその一例であり、図3および図4は、その平
面図および断面図でありる。
【0003】まず半導体チップ等の能動素子や抵抗等の
受動素子が固着されて成る領域10、リードが固着され
ている領域11,12の2領域に樹脂を充填するため
に、注入領域は、3つ形成されている。またリードは一
側辺にのみ設けられても良くその場合は、領域11また
は12のいずれかが領域10となり、注入領域は2つと
なる。
【0004】図5は、ケース材13と混成集積回路基板
との当接構造を説明するものであり、通常2枚基板と言
われる。前記回路素子が実装された第1の基板14の下
に、表面に絶縁樹脂が被着された第2の基板15が当接
され、図5のように当接固着されている。これは第2の
基板と当接するシャーシーや放熱手段と混成集積回路基
板との絶縁性を高めるために設けられている。図6およ
び図7も当接構造を説明するものであるがここでは説明
を省略する。
【0005】図3に戻ると、符号10,11,12で示
したところが注入領域で、前記ケース材13は、第1の
基板14を横断する区画壁20,21と、基板の周辺と
当接する22,23,24および25で3つの樹脂注入
領域を作っている。具体的には、リードの配置領域に該
当する2つの注入領域は、区画壁20,22,24,2
5および21,23,24,25で成り、能動素子や受
動素子の配置領域に該当する注入領域は、区画壁20,
21,24,25で成る。
【0006】そしてこれらの区画壁および混成集積回路
基板14,15で成る樹脂注入空間には、歪みが半導体
素子等に加わらないようにシリコーンゲルが必要により
充填され、その上にハッチングしたエポキシ樹脂が充填
されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】図4に示した部分は、
図3のA−A線の断面図であり、ネジ止め穴30の部分
を説明したものである。図からも明らかなように肉厚部
31,31を有し、あたかもネジ穴を有した円柱形状の
もので、符号32で示した所のケースの厚みに比べ、厚
く形成されている。一般的にはこの所をボスと称してい
る。
【0008】つまり図4のボス33の横および縦方向に
厚みのあるものである。従って金型でモールド成型し、
固化した場合、樹脂の収縮により記号Sで示すようなヒ
ケが発生する。図3では、×印で示した領域である。こ
のヒケのある面にスペーサ等を介してプリント基板等が
ネジで堅く固定されるため、ヒケの部分だけ接触面積が
少なくなる分、この面に加わる圧力は大きくなる。更に
は図3のメッシュで示した部分は、ウェルドと称する樹
脂流れの合流点で、この合流点が固まって形成される接
合部は、機械的強度が弱く、ネジ止め等の外部圧力が加
わると、クラックが発生しやすい問題があった。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題に鑑
みて成され、第1に、一方の面に於けるネジ穴肉厚部に
対応する面には、ネジ穴を囲むように実質90度に落ち
る凹み部を有することで解決するものである。ヒケは、
モールド条件等でその大小が異なり、外観的にも問題が
あったが、ヒケを発生する部分に凹み部を設けているた
めに、従来によるヒケは発生しなくなる。また課題の欄
で説明したヒケは、周囲からその中央部に向かってなだ
らかに凹んでおり、本発明は実質90度に落ちる凹み部
を形成している。原理は明確に解明されていないが、例
えば、鉛筆を直角に立てて上から圧力を加えるものと、
鉛筆を斜めに立てて上から圧力を加えるものでは、直角
に立てた方がその強度があるのと同じ様な原理ではない
かと推察する。つまり直角に落ちている方が、その面に
加わる圧力に対する強度は向上し、ヒケの強度の弱い部
分に加わりにくいため、クラックの発生を防止できる。
【0010】第2に、ケース材の平面を、実質方形形状
と、中にネジ穴を有した円柱状のボスが、前記ケース材
の相対向する側辺にそれぞれ設けられることで解決する
もので、ケース材の両端でネジ止めが可能であり、しか
もケース材にヒケのない強度のあるものが実現でき、締
め付け強度を上げたネジ止めが可能となる。第3に、一
方の面に於けるネジ穴肉厚部に対応する面において、ケ
ース材をモールド加工の際にネジ穴周囲に生じるウェル
ドの発生箇所に凹み部を設けることで解決するものであ
る。
【0011】ウェルドの発生箇所は、機械的に弱いた
め、ネジ止めの際にこの部分に圧力が集中すれば、クラ
ックが発生しやすい。しかし、この部分(特に集中する
表面)を凹ませることで、ネジ止めの際にスペーサ等と
接触しないため、ネジ止めで加わる圧力が加わりにくく
なる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図1
および図2を参照しながら説明する。また図5乃至図7
は、ケース材と混成集積回路基板の当接関係を示すもの
である。まず混成集積回路基板について説明する。つま
り絶縁処理した第1の基板14は、表面に導電手段が形
成され、この導電手段には、配線パターン、ランド、パ
ッドおよびボンデンィングエリア等が考えられる。この
ランドには、半導体チップや半導体ICが半田付けさ
れ、配線パターンには、抵抗等が印刷により、また部品
であってはチップ抵抗やチップコンデンサが半田で固着
されている。ここでは図面の都合上、省略した。
【0013】前述の第1の基板14は、セラミック基
板、絶縁樹脂基板例えばプリント基板、表面を絶縁処理
した金属基板あるいはガラス基板等でもよい。ここでは
表面を陽極酸化し酸化アルミニウムが被着されたAl金
属基板14を採用し、導電手段は、ポリイミド等の接着
用樹脂層を介してホットプレスにより被着されている。
当然前記半導体素子は、ベアチップが主で、ダイオード
チップ,トランジスタチップおよびLSIチップ等であ
り、その他に抵抗、トランスやコンデンサ等の部品も必
要により混成集積回路基板に実装される。
【0014】チップと導電路(ボンデイングエリア)
は、必要によっては金属細線がワイヤーボンドされ所定
の回路が達成されている。またこの第1の基板14の少
なくとも一側辺には、前記回路から延在されたリード接
続用パッドが複数個配列され、これらとリードが電気的
に接続されている。ここでは図1からも判るように、リ
ードの顔が出る領域として11,12が該当し、相対向
する側辺にリードが接続されている。このリードは、ほ
ぼL字型になっていている。
【0015】また絶縁性の前記第1の基板14の下層
に、放熱性やシャーシーとの取りつけによる絶縁破壊を
考慮して、第2の基板15が接着されていている。つま
り回路によっては、半導体チップに大電流が流れ、これ
により発生する熱を外部に放出するために金属基板を採
用している。また基板14に直接シャーシーを取りつけ
た際、基板14を介して大電圧が印加されて内部の半導
体チップ等が破壊する問題があり、そのため本願は、A
l基板を陽極酸化して絶縁処理し、第1の基板同様にポ
リイミド樹脂を被着したものを第2の基板15としてい
る。これは、第1の基板14のアース配線と第1の基板
14の間に絶縁膜がサンドイッチされており、エッチン
グ等でAl基板を露出させ、基板とアース配線を同電位
として容量を無くしているが、シャーシにノイズが加わ
ると基板14、アース配線を介して半導体チップ等にノ
イズがのるためである。
【0016】この破壊を考えなければ、図6や図7のよ
うな混成集積回路基板14の配置でも良い。図2のボス
33を見ても判るように、基板の裏面まで延在されてい
る。つまり図5の第2の基板15や図6の第1の基板1
4は、このボスの部分がくり抜かれ、このくりぬき部分
を介して基板裏面と面位置に顔を出している。次に図1
と図2を参照してケース材13を説明する。ここでは図
5の構成で説明する。主に半導体チップや回路素子が搭
載されている領域、リードが固着されている領域の3領
域に樹脂を充填するために、前記ケース材13は、第1
の基板14を横断する区画壁20,21、第1の基板1
4の上下側辺と当接する区画壁22,23、および第2
の基板15の左右側辺と当接する区画壁24,25で樹
脂の箱状注入空間を作っている。まず区画壁20,21
は、半導体チップの搭載領域とリードの固着領域を分離
するものであり、リードが左右の側辺に延在されている
ために2つの区画壁が設けられている。しかし、仮にリ
ードが一側辺にしか無い場合は、どちらか一方の区画壁
が省略される。またシリコーンゲルが充填されない場合
は、エポキシ樹脂が全体に注入されるために、必ずしも
3または2領域と限らず、区画壁20,21が省かれ1
領域となる場合もある。
【0017】また上下の側面にリードが延在される場合
は、11,12が塞がれ、そのかわりリードの顔を出す
領域である区画壁22,23の一部がくり抜かれてい
る。従って半導体チップの搭載領域上の箱状樹脂注入空
間は、区画壁20,22,24,25で成り、別のリー
ドの箱状樹脂注入空間は、区画壁21,23,24,2
5で成っている。半導体チップ搭載上の空間は、素子へ
の歪みや金属細線への歪みを考えて、シリコンゲルが紙
面に対して手前から注入され、続いてポリイミド等の固
化される樹脂が注入されている。またリードの樹脂注入
空間は、シリコーンゲルが省略されてエポキシ樹脂のみ
注入されている。前述のように、シリコーンゲルは、半
導体チップ等に接続されている金属細線等への歪みを防
止するものであり、必ず注入しなければならないもので
はない。
【0018】また本装置は、プリント基板等の外部基板
に実装されるため、リードは、L字型をしており注入樹
脂から露出している。このリードとプリント基板に設け
られた電極とが、区画壁24,25にあるネジ止め穴を
介して強固に取り付けられている。ここでは放熱を考慮
して第2の基板に放熱板やシャーシーが取り付けられる
こともある。
【0019】図2に示した部分は、図1のA−A線の断
面図であり、ネジ止め穴30の部分を説明したものであ
る。図からも明らかなように肉厚部31,31を有し、
あたかもネジ穴を有した円柱形状のもので、符号32で
示した所のケースの厚みに比べ、厚く形成されている。
一般的にはこの所をボス33と称している。つまり図2
のボス33は、横および縦方向に厚みのあるものであ
る。従って金型でモールド成型し、固化した場合、樹脂
の収縮により図4の記号Sで示すようなヒケが発生す
る。
【0020】本発明は、このヒケを防止するもので、ス
ペーサが当接される面の肉厚部分に凹み部Hを設けるこ
とにある。図1のネジ穴を示す実線30の円とこの周り
を囲む点線の円の間が肉厚部31であり、これがボス3
3である。このちょうど肉厚部の中央に、ネジ穴を囲む
ように設けられ、実質90度に落ちた凹み部が設けられ
ている。この凹み部Hは、右と左で形状が異なるが、一
度に2種類を図示したいために書いただけで、実際は左
右共に同じものである。また凹み部は、全てを囲んでも
良い。
【0021】つまり、ヒケを発生する部分に凹み部を設
けているために、従来によるヒケは発生しなくなる。ま
た課題の欄で説明したヒケは、周囲からその中央部に向
かってなだらかに凹んでおり、本発明は実質90度に落
ちる凹み部を形成している。例えば、鉛筆を直角に立て
て上から圧力を加えるものと、鉛筆を斜めに立てて上か
ら圧力を加えるものでは、直角に立てた方がその強度が
あるのと同じ様な原理ではないかと推察する。つまり直
角に落ちている方が、その面に加わる圧力に対する強度
は向上し、クラックの発生を防止できる。
【0022】ここでボスの位置は、左右に2つ有るが、
特にこだわらない。例えば基板の中央に1個でも良い
し、左右どちらかでも良いし、その数もこだわらない。
しかし一般的には、混成集積回路装置の回転移動等の防
止のために左右2個または左右2個ずつ4個である。更
には次の特徴も有する。金型成型を考えた際、例えば樹
脂注入口は図1の右側面(紙面に対して垂直な面)のほ
ぼ中央に1ヶ所以上、ここでは2ヶ所(Eで示した位
置)に設けられている。従って樹脂の流れは、矢印のよ
うに左のボスを回り込み、記号Hの引き出し線の付け根
近傍に、流れがぶつかった部分、ウェルドを生ずる。こ
のウェルドの部分は、この凹みにより、ウェルド部分の
一表面が図2のように凹むため、直接力が加わらなくな
る。従ってヒケの発生する部分と共にウェルドの部分が
表面部分で取り除け、スペーサはケースとフラットに接
続できると共に、ネジ止めの際に加わる圧力も、この凹
み部分には加わらないため、クラックが防止できる。
【0023】更に本発明は、ヒケの部分を全く考えず、
ウェルドの発生する表面に凹み部を設けても効果があ
る。図3のメッシュで示した所を実質取り除くか、一部
分を取り除くように凹み部を設けても良い。ウェルドの
発生箇所は、ネジ止めの際にこの部分に圧力が集中すれ
ば、クラックが発生しやすい。しかし、この部分を凹ま
せることで、ネジ止めの際にスペーサ等と接触しないた
め、ネジ止めで加わる圧力が加わりにくくなる。
【0024】以上で本混成集積回路装置は、プリント基
板の電極や実装相手の端子と当接され、しかもプリント
基板のスルーホールにリードを挿入する。リードは半田
により固定されるが、ネジ穴とプリント基板のネジ穴を
一致させ、このネジ孔を介してネジが取り付けられる。
【0025】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、第1
に、一方の面に於けるネジ穴肉厚部に対応する面に、ネ
ジ穴を囲むように実質90度に落ちる凹み部設けると、
ヒケが発生する部分に凹み部を設けているために、従来
によるヒケの発生は抑制できる。しかも凹みは、実質9
0度に落ちるているので、その面に加わる圧力に対する
強度は向上し、強度の弱いヒケの部分に加わりにくいた
め、クラックの発生を防止できる。
【0026】第2に、ケース材の平面を、実質方形形状
とし、中にネジ穴を有した円柱状のボスが、前記ケース
材の相対向する側辺にそれぞれ設けられると、ケース材
の両端でネジ止めが可能であり、しかもケース材にヒケ
のない強度のあるものが実現でき、締め付け強度を上げ
たネジ止めが可能となる。第3に、一方の面(記号Hが
示されている面)に於いて、ネジ穴肉厚部に対応する面
において、ケース材をモールド加工の際に生じるウェル
ドの発生箇所に凹み部を設けることで、ネジ止めの際に
スペーサ等と接触しないため、ネジ止めで加わる圧力が
加わりにくくなる。従ってウェルド表面に発生するクラ
ックを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態であるケース材を説明した
平面図である。
【図2】図1のA−A線の断面図である。
【図3】従来のケース材を説明した平面図である。
【図4】図3のA−A線の断面図である。
【図5】混成集積回路基板とケース材の当接関係を説明
する図である。
【図6】混成集積回路基板とケース材の当接関係を説明
する図である。
【図7】混成集積回路基板とケース材の当接関係を説明
する図である。
【符号の説明】
13 ケース材 14 第1の基板 15 第2の基板 30 ネジ穴 31 肉厚部 33 ボス H 凹み部

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくともその表面が絶縁性を有する混
    成集積回路基板と、この混成集積回路基板に設けられた
    導電パターンと、この導電パターンと電気的に接続され
    た受動素子または能動素子から成る回路素子と、前記混
    成集積回路基板の一側辺に延在された導電パターンと電
    気的に接続されたリードと、この回路素子が実装された
    混成集積回路基板周囲と当接固着されるケース材とを有
    する混成集積回路装置に於いて、前記ケース材は、一方の面から混成集積回路基板が当接
    する他方の面に渡りネジ穴を有し、このネジ穴周囲に渡
    り肉厚を有して成るボスが一体で形成され、前記一方の
    面に於けるネジ穴肉厚部に対応する面において、前記ケ
    ース材をモールド加工の際にネジ穴周囲に生じるウェル
    ドの発生箇所に実質90度に落ちる凹み部を設けたこと
    を特徴とする混成集積回路装置。
  2. 【請求項2】前記凹み部は前記ウェルドの発生箇所を含
    むヒケの発生箇所に設けられることを特徴とする請求項
    1に記載の混成集積回路装置。
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