JP2001036004A

JP2001036004A - 電子部品用基板

Info

Publication number: JP2001036004A
Application number: JP20610499A
Authority: JP
Inventors: Hideaki Nagura; 英明名倉; Ryutaro Arakawa; 竜太郎荒川; Hideki Takehara; 秀樹竹原
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-07-21
Filing date: 1999-07-21
Publication date: 2001-02-09
Anticipated expiration: 2019-07-21
Also published as: JP3410685B2

Abstract

(57)【要約】【課題】高電力用半導体素子の放熱特性と絶縁耐量を
改善し、かつ、高出力用半導体装置の動作時のノイズも
大幅に減少させる。【解決手段】高熱伝導樹脂基板領域１と低熱伝導樹脂
基板領域２とを有する。高熱伝導樹脂基板領域１には、
高出力用半導体素子の搭載予定領域を有し、低熱伝導樹
脂基板領域２には、高出力用半導体素子を制御するため
の制御用素子の搭載予定領域を有する。高熱伝導樹脂基
板領域１は、低熱伝導樹脂基板領域２に設けた開口部に
嵌め込まれた構造を有し、その個数が１個または複数個
である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は高出力用（大電力
用）半導体装置、特に、パワー用エレクトロニクス実装
のための電子部品用基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の高性能化、小型化に伴
い、半導体素子の高密度、高機能化がいっそう要求され
ており、それらを実装するため、電子部品用基板（回路
基板もしくはプリント基板）もまた小型高密度なものが
要求されている。その結果、電子部品用基板の放熱を考
慮した設計が重要となってきている。

【０００３】従来の電子部品用基板の多くは、ガラス・
エポキシ樹脂により成形された樹脂基板であり、ガラス
・エポキシ樹脂の熱伝導度が低いため、放熱性が良好と
はいえなかった。

【０００４】ところで、電子部品用基板の放熱性を改良
する技術として、基材としてアルミニウム板などの金属
ベースを使用し、この金属ベースの片面もしくは両面に
絶縁層を介して回路パターンを形成することにより構成
した金属べース基板が知られている。

【０００５】さらに、より高い熱伝導性が要求される電
子部品用基板には、アルミナや窒化アルミニウムなどの
セラミック板に銅板をダイレクトに接合した基板も利用
されている。

【０００６】高出力用半導体素子を含んで構成される高
出力半導体装置に用いられる電子部品用基板としては、
金属べース基板が一般的に利用される。ところが、金属
べース基板を用いた場合、金属ベースと高出力半導体装
置を構成する高出力回路部品とを絶縁するために絶縁層
を介して高出力回路部品を搭載する必要がある。

【０００７】この絶縁層が薄いと金属べースと高出力用
半導体素子との絶縁耐圧が低下するとともに、絶縁層の
容量が大きくなり高出力回路部品、特に制御用ＩＣ等の
制御用素子の動作に悪影響を与え、誤動作の原因となっ
ていた。

【０００８】また、上記絶縁層を厚くした場合、制御用
素子の動作へ与える影響は軽減できるが、高出力用半導
体素子の放熱特性が低下するような、相反する性能が要
求され、その解決方法に課題を残していた。

【０００９】近年、前記課題を解決するため、電子部品
用基板として、上記の金属ベース基板において、高出力
用半導体素子搭載領域の絶縁層を薄くし、制御用ＩＣ等
が搭載される制御用素子搭載領域の絶縁層を厚くするよ
うな複数層構造のものや、高出力用半導体素子搭載部と
制御用素子搭載部を分離したものが提案されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】図２５（ａ）に上記の
ような複数層構造の電子部品用基板の一例の平面図を示
し、図２５（ｂ）に同図（ａ）のＡ−Ａ′線断面図を示
す。図２５（ａ），（ｂ）において、１０１はアルミニ
ウム基板などの金属基板である。１０２は金属基板１０
１の部品搭載面に設けた絶縁層で、高出力用半導体素子
を搭載するための高出力用半導体素子搭載領域１０２ａ
は薄くなっており、制御用素子を搭載するための制御用
素子搭載領域１０２ｂは厚くなっている。１０３は絶縁
層１０２上に形成された銅箔であり、高出力用半導体素
子や制御用素子の配線パターンとして、あるいは高出力
用半導体素子の搭載のためのベースとして用いられる。
１０４は絶縁層１０２上に設けられたボンディングパッ
ドである。

【００１１】図２５に示した電子部品用基板は、図２５
に示すように、金属基板１０１上に絶縁層１０２を介し
て高出力用半導体素子（図示せず）や高出力用半導体素
子を制御するための制御部品（制御用素子）を搭載する
必要がある。この場合、電子部品用基板における高出力
用半導体素子の放熱特性と高出力用半導体素子の絶縁特
性は相反する特性である。そのため、金属基板１０１上
の絶縁層１０２において、高出力用半導体素子を搭載す
るための高出力用半導体素子搭載領域１０２ａは、放熱
特性を向上させるために比較的薄く設定してあり、制御
用素子を搭載するための制御用素子搭載領域１０２ｂ
は、例えば高出力用半導体素子と金属基板１０１との間
で発生したノイズが、制御用素子へ伝搬するのを抑制す
るために高出力用半導体素子搭載領域１０２ａに比べて
厚く設定している。

【００１２】しかしながら、図２５に示した電子部品用
基板では、同一の金属基板１０１上での絶縁層１０２の
厚さが異なるため、絶縁層１０２の形成のためにコスト
アップが生じる。また、完成した複数層の電子部品用基
板に、高出力用半導体素子と、制御用ＩＣ、抵抗、コン
デンサ等の制御用素子を搭載する必要があるが、基板表
面が平坦でないため、実装時の組立工法が複雑になり、
単層基板に比べ大幅なコストアップになっていた。

【００１３】図２６（ａ）に高出力用半導体素子搭載部
と制御用素子搭載部を分離した電子部品用基板の一例の
平面図を示し、図２６（ｂ）に同図（ａ）のＡ−Ａ′線
断面図を示す。図２６（ａ），（ｂ）において、２１０
は高出力用半導体素子搭載基板、２２０は制御用素子搭
載基板である。２１１はアルミニウム基板等の金属基
板、２１２は金属基板２１１上に形成された薄い絶縁
層、２１３は絶縁層２１２の上に形成された銅箔であ
り、高出力用半導体素子の搭載用のベースとしてあるい
は配線パターンとして用いられる。２２１は樹脂基板、
２２２は樹脂基板２２１の上に形成された厚い絶縁層、
２２３は絶縁層２２２上に形成された銅箔であり、制御
用素子の配線パターンとして用いられる。２２４は絶縁
層２２２上に設けられたボンディングパッドである。

【００１４】図２６に示したような高出力用半導体素子
搭載部と制御用素子搭載部を分離した電子部品用基板
は、高出力用半導体素子搭載部と制御用素子搭載部とで
個別に基板設計が可能であり、高出力用半導体素子搭載
基板２１０において高出力用半導体素子と金属基板２１
１との間で発生したノイズが制御用素子搭載基板２２０
上の制御用素子に悪影響を与えることはない。しかしな
がら、高出力用半導体素子搭載部と制御用素子搭載部と
で個別に基板が必要であり、基板作製費用が大幅にコス
トアップする。また、高出力用半導体素子搭載部つまり
高出力用半導体素子搭載基板２１０と、制御用素子搭載
部つまり制御用素子搭載基板２２０との間を電気的に接
続する工程が付加され、複数層の基板の場合と同様に、
実装時の組立工法が複雑になり、単層基板に比べ大幅な
コストアップになっていた。また、基板を分離した場
合、小型軽量化に対して不利になるといった問題点があ
った。

【００１５】本発明は、高出力用半導体素子搭載部と制
御用素子搭載部の絶縁膜厚を変化させるという複雑な工
程を無くし、絶縁膜厚の厚みの違いによる電子部品用基
板上への受・能動素子の実装時の組立の複雑化を解消
し、高出力用半導体素子搭載部と制御用素子搭載部の基
板を分けることなく放熱特性と絶縁耐圧を向上した、同
一基板上での部品実装が可能となる高出力用半導体装
置、特にパワー用エレクトロニクス実装のための電子部
品用基板を提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の電
子部品用基板は、高熱伝導樹脂基板領域と低熱伝導樹脂
基板領域とを有する電子部品用基板であって、高熱伝導
樹脂基板領域の部品搭載面には高出力用半導体素子の搭
載予定領域を有し、低熱伝導樹脂基板領域の部品搭載面
には高出力用半導体素子を制御する制御用素子の搭載予
定領域を有することを特徴とする。

【００１７】この場合において、高熱伝導樹脂基板領域
は、低熱伝導樹脂基板領域に隣接した構造であっても、
また低熱伝導樹脂基板領域に囲まれた構造であっても、
さらに低熱伝導樹脂基板領域の中に嵌め込まれた構造で
あっても、何れでもよく、要は、一つの電子部品用基板
に熱伝導度の高い高熱伝導樹脂基板領域と熱伝導度の低
い低熱伝導樹脂基板領域との両方を有しておればよく、
高熱伝導樹脂基板領域の個数は、任意であり、１個でも
複数個でもよい。

【００１８】この構成によれば、高出力用半導体素子の
搭載予定領域が高熱伝導樹脂基板領域となっているの
で、高出力用半導体素子で発生した熱を例えば外部放熱
板や電子機器のシャーシ等に有効に放散させることがで
きる。また、高出力用半導体素子で発生した熱を放散さ
せる高熱伝導樹脂基板領域は、厚さを十分に大きく設定
することが可能であり、外部装置との分離に必要な絶縁
耐圧も確保することができる。

【００１９】また、低熱伝導樹脂基板領域には、制御用
集積回路、抵抗、コンデンサ等の制御回路を構成する制
御用素子を搭載する。従来、制御用素子搭載部と高出力
用半導体素子搭載部が絶縁層を介して金属基板で接続さ
れ、高出力半導体素子で発生したノイズが金属基板と容
量結合して制御回路の動作に悪影響を及ぼしていたが、
本発明では低熱伝導樹脂基板領域上に配線パターンを形
成し、制御用素子を搭載することで金属基板が排除さ
れ、高出力半導体素子で発生したノイズの悪影響をなく
すことが可能となる。

【００２０】請求項２記載の電子部品用基板は、請求項
１記載の電子部品用基板において、高熱伝導樹脂基板領
域が低熱伝導樹脂基板領域に設けた開口部に嵌め込まれ
ている。

【００２１】この構成によれば、請求項１の電子部品用
基板と同様に作用する。

【００２２】請求項３記載の発明の電子部品用基板は、
請求項１または２記載の電子部品用基板において、高熱
伝導樹脂基板領域の厚さと低熱伝導樹脂基板領域の厚さ
とが同等、もしくは低熱伝導樹脂基板領域の厚さが高熱
伝導樹脂基板領域の厚さより大きいことを特徴とする。

【００２３】この構成によれば、高熱伝導樹脂基板領域
の厚さが低熱伝導樹脂基板領域の厚さと同等もしくは低
熱伝導樹脂基板領域の厚さより小さいので、高熱伝導樹
脂基板領域における放熱性能を高いものとすることがで
きる。

【００２４】請求項４記載の発明の電子部品用基板は、
請求項３記載の電子部品用基板において、高熱伝導樹脂
基板領域の厚さの範囲が５０μｍ〜１．５ｍｍの範囲で
あり、低熱伝導樹脂基板領域の厚さの範囲が５０μｍ〜
５０ｍｍの範囲である。

【００２５】この構成によれば、高熱伝導樹脂基板領域
における放熱性能を高いものとすることができる。

【００２６】請求項５記載の発明の電子部品用基板は、
請求項１または２記載の電子部品用基板において、高熱
伝導樹脂基板領域の部品搭載面と連続した低熱伝導樹脂
基板領域の部品搭載面の一部もしくは全部が高熱伝導樹
脂層で覆われていることを特徴とする。

【００２７】この構成によれば、高熱伝導樹脂基板領域
の部品搭載面と連続した低熱伝導樹脂基板領域の部品搭
載面の一部もしくは全部が高熱伝導樹脂層で覆われてい
るので、高出力用半導体素子から発する熱をいっそう効
率的に放散させることができる。

【００２８】請求項６記載の発明の電子部品用基板は、
請求項１または２記載の電子部品用基板において、高熱
伝導樹脂基板領域の部品非搭載面と連続した低熱伝導樹
脂基板領域の部品非搭載面の一部もしくは全部が高熱伝
導樹脂層で覆われていることを特徴とする。なお、部品
非搭載面というのは、部品搭載面の反対側の面のことで
ある。

【００２９】この構成によれば、高熱伝導樹脂基板領域
の部品非搭載面と連続した低熱伝導樹脂基板領域の部品
非搭載面の一部もしくは全部が高熱伝導樹脂層で覆われ
ているので、高出力用半導体素子から発する熱をいっそ
う効率的に放散させることができる。

【００３０】請求項７記載の発明の電子部品用基板は、
請求項１または２記載の電子部品用基板において、高熱
伝導樹脂基板領域の部品搭載面および部品非搭載面の何
れか一方もしくは両方と低熱伝導樹脂基板領域の部品搭
載面および部品非搭載面の何れか一方もしくは両方とが
平坦になっていることを特徴とする。

【００３１】この構成によれば、高熱伝導樹脂基板領域
と低熱伝導樹脂基板領域の部品搭載面が平坦になってい
ると、高出力用半導体素子および制御用素子の実装時の
組立工法が簡単になり、また高熱伝導樹脂基板領域と低
熱伝導樹脂基板領域の部品非搭載面が平坦になっている
と、放熱板や電子機器のシャーシへの取り付けが容易で
ある。

【００３２】請求項８記載の発明の電子部品用基板は、
請求項１または２記載の電子部品用基板において、少な
くとも高熱伝導樹脂基板領域の部品非搭載面が高出力用
半導体素子から発生した熱を放散するための放熱板もし
くは電子機器のシャーシに直接接触する構造を有し、高
熱伝導樹脂基板領域および低熱伝導樹脂基板領域の部品
搭載面の少なくとも一方が高出力用半導体素子および制
御用素子を搭載するための配線パターンを有することを
特徴とする。

【００３３】この構成によれば、少なくとも高熱伝導樹
脂基板領域の部品非搭載面が放熱板もしくは電子機器の
シャーシに直接接触するので、放熱性能が良好であり、
高熱伝導樹脂基板領域および低熱伝導樹脂基板領域の部
品搭載面の少なくとも一方が高出力用半導体素子および
制御用素子を搭載するための配線パターンを有するの
で、配線作業が不要である。

【００３４】請求項９記載の発明の電子部品用基板は、
請求項１または２記載の電子部品用基板において、高熱
伝導樹脂基板領域の部品非搭載面、もしくは高熱伝導樹
脂基板領域の部品非搭載面と低熱伝導樹脂基板領域の部
品非搭載面の一部もしくは全部に金属膜または金属板を
付加したことを特徴とする。

【００３５】この構成によれば、高熱伝導樹脂基板領域
の部品非搭載面、もしくは高熱伝導樹脂基板領域の部品
非搭載面と低熱伝導樹脂基板領域の部品非搭載面の一部
もしくは全部に金属膜または金属板を付加したことによ
り、放熱性能を向上させることができる。

【００３６】請求項１０記載の発明の電子部品用基板
は、請求項１または２記載の電子部品用基板において、
高熱伝導樹脂基板領域の部品非搭載面が、低熱伝導樹脂
基板領域の部品非搭載面と同じ高さ、もしくは低熱伝導
樹脂基板領域の部品非搭載面より突出していることを特
徴とする。

【００３７】この構成によれば、電子部品用基板を放熱
板もしくは電子機器のシャーシに取り付ける際に、高熱
伝導樹脂基板領域の部品非搭載面が浮いた状態にならず
に放熱板もしくは電子機器のシャーシに接触し、高出力
用半導体素子から発する熱を有効に放熱板もしくは電子
機器のシャーシに放散させることができ、放熱性能を向
上させることができる。

【００３８】請求項１１記載の発明の電子部品用基板
は、請求項１または２記載の電子部品用基板において、
少なくとも高熱伝導樹脂基板領域の部品非搭載面が、高
出力用半導体素子から発生した熱を放散するための放熱
板もしくは電子機器のシャーシに直接接触する構造を有
し、高熱伝導樹脂基板領域の部品搭載面に高出力用半導
体素子を搭載するための金属膜もしくは金属ブロックが
設けられていることを特徴とする。

【００３９】この構成によれば、少なくとも高熱伝導樹
脂基板領域の部品非搭載面が放熱板もしくは電子機器の
シャーシに直接接触するので、放熱性能が良好であり、
高熱伝導樹脂基板領域の部品搭載面に高出力用半導体素
子を搭載するための金属膜もしくは金属ブロックが設け
られているので、さらに放熱性能を高めることができ
る。

【００４０】請求項１２記載の発明の電子部品用基板
は、請求項１または２記載の電子部品用基板において、
高熱伝導樹脂基板領域の部品搭載面に高出力用半導体素
子を搭載するための金属膜もしくは金属ブロックが設け
られ、金属膜もしくは金属ブロックの素子載置面が低熱
伝導樹脂基板領域の部品搭載面と同じ高さ、もしくは低
熱伝導樹脂基板領域の部品搭載面より低くなっているこ
とを特徴とする。

【００４１】この構成によれば、金属膜もしくは金属ブ
ロックの素子載置面が低熱伝導樹脂基板領域の部品搭載
面と同じ高さ、もしくは低熱伝導樹脂基板領域の部品搭
載面より低くなっており、高熱伝導樹脂基板領域が薄く
なっているので、放熱性能を高めることができる。

【００４２】請求項１３記載の発明の電子部品用基板
は、請求項１または２記載の電子部品用基板において、
高熱伝導樹脂基板領域の部品搭載面に高出力用半導体素
子を搭載するための金属膜もしくは金属ブロックが設け
られ、金属膜もしくは金属ブロック上に搭載される高出
力用半導体素子の上面が低熱伝導樹脂基板領域の部品搭
載面より低くなるように、金属膜もしくは金属ブロック
の素子載置面の高さが設定され、高熱伝導樹脂基板領域
の部品搭載面上に高出力用半導体素子を封止する高熱伝
導樹脂もしくは低熱伝導樹脂からなる封止樹脂が設けら
れ、封止樹脂の表面が低熱伝導樹脂基板領域の部品搭載
面と同じ高さ、もしくは低熱伝導樹脂基板領域の部品搭
載面より低くなっていることを特徴とする。

【００４３】この構成によれば、高出力用半導体素子の
上方位置に他の高出力用半導体素子もしくは制御用素子
を搭載することができ、集積度を上げることができる。

【００４４】以上のように、本発明の電子部品用基板
は、高出力用半導体素子で発生した熱を放熱板もしくは
電子機器のシャーシへ有効に放出するために、少なくと
も高熱伝導樹脂基板領域の部品非搭載面を放熱板もしく
は電子機器のシャーシに直接とりつける。また、高熱伝
導樹脂基板領域および低熱伝導樹脂基板領域の少なくと
も一方の部品搭載面には、配線パターン用の金属箔を形
成し、その後、配線パターンを形成する。これによっ
て、高出力用半導体素子および制御用素子を搭載でき、
高出力用半導体素子からの発熱を有効に放熱板もしくは
電子機器のシャーシへ放出することができる電子部品用
基板を提供することができる。

【００４５】

【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態におけ
る電子部品用基板を図１に示す。図１において、この電
子部品用基板は、高熱伝導樹脂基板領域１と低熱伝導樹
脂基板領域２とを有し、高熱伝導樹脂基板領域１の部品
搭載面には高出力用半導体素子（図示せず）の搭載予定
領域を有し、低熱伝導樹脂基板領域２の部品搭載面には
高出力用半導体素子を制御する制御用素子（図示せず）
の搭載予定領域を有する。

【００４６】この場合、高熱伝導樹脂基板領域１は、例
えば低熱伝導樹脂基板領域２に形成された開口部に嵌め
込まれた構造を有し、その個数は例えば２個となってい
る。なお、高熱伝導樹脂基板領域１の個数は１個でも、
あるい３個以上の複数であってもよい。また、高熱伝導
樹脂基板領域１は、低熱伝導樹脂基板領域２に隣接した
構造、もしくは低熱伝導樹脂基板領域２の中に囲まれた
構造であってもよい。また、部品搭載面における高熱伝
導樹脂基板領域１および低熱伝導樹脂基板領域２上に
は、高出力用半導体素子および制御用素子を搭載するた
めの銅箔からなる配線パターン３が形成されている。ま
た、高熱伝導樹脂基板領域１の上に高出力用半導体素子
を搭載するために、例えば銅製の金属箔、金属板または
金属ブロックを設ける場合もある。４はボンディングパ
ッドである。

【００４７】このように構成すると、高出力用半導体素
子が搭載される部分が高熱伝導樹脂基板領域１となって
いるので、高出力用半導体素子で発生した熱を例えば外
部放熱板や電子機器のシャーシ等に有効に放散させるこ
とができる。また、高出力用半導体素子で発生した熱を
放散させる高熱伝導樹脂基板領域１は、厚さを十分に大
きく設定することが可能であり、外部装置との分離に必
要な絶縁耐圧も確保することができる。

【００４８】また、低熱伝導樹脂基板領域２には、制御
用集積回路、抵抗、コンデンサ等の制御回路を構成する
制御用素子を搭載する。従来、制御用素子搭載部と高出
力用半導体素子搭載部が絶縁層を介して金属基板で接続
され、高出力半導体素子で発生したノイズが金属基板と
容量結合して制御回路の動作に悪影響を及ぼしていた
が、本発明では低熱伝導樹脂基板領域２上に配線パター
ン３を形成し、制御用素子を搭載することで金属基板が
排除され、高出力半導体素子で発生したノイズの悪影響
をなくすことが可能となる。

【００４９】この場合、高熱伝導樹脂基板領域１の厚さ
と低熱伝導樹脂基板領域２の厚さとが同等、もしくは低
熱伝導樹脂基板領域２の厚さが高熱伝導樹脂基板領域１
の厚さより大きくなっている。この際、高熱伝導樹脂基
板領域１の厚さの範囲が５０μｍ〜１．５ｍｍの範囲で
あり、低熱伝導樹脂基板領域２の厚さの範囲が５０μｍ
〜５０ｍｍの範囲である。

【００５０】このように、高熱伝導樹脂基板領域１の厚
さを低熱伝導樹脂基板領域２の厚さと同等、もしくは低
熱伝導樹脂基板領域２の厚さより小さくすると、高熱伝
導樹脂基板領域１における放熱性能を高いものとするこ
とができる。

【００５１】なお、高熱伝導樹脂基板領域１の部品搭載
面および部品非搭載面の何れか一方もしくは両方と、低
熱伝導樹脂基板領域２の部品搭載面および部品非搭載面
の何れか一方もしくは両方とを平坦な構造にすると、以
下のような効果が得られる。高熱伝導樹脂基板領域１と
低熱伝導樹脂基板領域２の部品搭載面が平坦になってい
ると、高出力用半導体素子および制御用素子の実装時の
組立工法が簡単になる。また、高熱伝導樹脂基板領域１
と低熱伝導樹脂基板領域２の部品非搭載面が平坦になっ
ていると、放熱板や電子機器のシャーシへの取り付けが
容易である。なお、部品非搭載面というのは、部品搭載
面と反対側の面のことである。

【００５２】また、高熱伝導樹脂基板領域１の部品非搭
載面が、低熱伝導樹脂基板領域２の部品非搭載面と同じ
高さ、もしくは低熱伝導樹脂基板領域２の部品非搭載面
より突出している構成にすると以下のような効果が得ら
れる。すなわち、電子部品用基板を放熱板もしくは電子
機器のシャーシに取り付ける際に、高熱伝導樹脂基板領
域１の部品非搭載面が浮いた状態にならずに放熱板もし
くは電子機器のシャーシに接触し、高出力用半導体素子
から発する熱を有効に放熱板もしくは電子機器のシャー
シに放散させることができ、放熱性能を向上させること
ができる。

【００５３】また、少なくとも高熱伝導樹脂基板領域１
の部品非搭載面が、高出力用半導体素子から発生した熱
を放散するための放熱板もしくは電子機器のシャーシに
直接接触する構造を有し、高熱伝導樹脂基板領域１およ
び低熱伝導樹脂基板領域２の少なくとも一方の部品搭載
面に高出力用半導体素子および制御用素子を搭載するた
めの配線パターンを有する構成にすると、つぎのような
効果が得られる。少なくとも高熱伝導樹脂基板領域１の
部品非搭載面が放熱板もしくは電子機器のシャーシに直
接接触するので、放熱性能が良好である。また、高熱伝
導樹脂基板領域１および低熱伝導樹脂基板領域２の少な
くとも一方の部品搭載面に高出力用半導体素子および制
御用素子を搭載するための配線パターンを有するので、
配線作業が不要である。

【００５４】また、少なくとも高熱伝導樹脂基板領域１
の部品非搭載面が、高出力用半導体素子から発生した熱
を放散するための放熱板もしくは電子機器のシャーシに
直接接触する構造を有し、高熱伝導樹脂基板領域１の部
品搭載面に高出力用半導体素子を搭載するための金属膜
もしくは金属ブロックが設けられている構造にすると、
以下のような効果が得られる。少なくとも高熱伝導樹脂
基板領域１の部品非搭載面が放熱板もしくは電子機器の
シャーシに直接接触するので、放熱性能が良好である。
また、高熱伝導樹脂基板領域１の部品搭載面に高出力用
半導体素子を搭載するための金属膜もしくは金属ブロッ
クが設けられているので、さらに放熱性能を高めること
ができる。

【００５５】なお、この電子部品用基板は、高出力用半
導体素子で発生した熱を放熱板もしくは電子機器のシャ
ーシへ有効に放出するために、少なくとも高熱伝導樹脂
基板領域１の部品非搭載面を放熱板もしくは電子機器の
シャーシに直接取り付ける。また、高熱伝導樹脂基板領
域１および低熱伝導樹脂基板領域２の少なくとも一方の
部品搭載面には、配線パターン用の金属箔を形成し、そ
の後、配線パターンを形成する。これによって、高出力
用半導体素子および制御用素子を搭載でき、高出力用半
導体素子からの発熱を有効に放熱板もしくは電子機器の
シャーシへ放出することができる電子部品用基板を提供
することができる。この点は以下の実施の形態でも同様
である。

【００５６】つぎに、図１の電子部品用基板の製造方法
を図２、図３、図４および図５を参照しながら説明す
る。

【００５７】まず、図２（ａ），（ｂ）に示すように、
４０×２１ｍｍ、厚さ１．０ｍｍの低熱伝導樹脂基板で
あるガラス・エポキシ基板（熱伝導率：０．２Ｗ／ｍ・
Ｋ）１１を準備する。その後、ガラス・エポキシ基板１
１の片面（部品搭載面）に銅箔（厚さ４０μｍ）を積層
する。その後、ホトリソグラフィ法によって、高出力用
半導体素子用と制御用素子用の配線パターン１２を形成
する。ガラス・エポキシ基板１１上において、高出力用
半導体素子搭載予定領域は予め、ガラス・エポキシ層が
露出するような配置に配線パターン１２が設計される。
１９はボンディングパッドである。なお、熱伝導率で
「１Ｗ／ｍ・Ｋ」は１ｍ離れた場所を（１Ｋ（１℃）上
げるのに必要な熱量が１Ｗであることを意味する。つま
り、１ｍの厚さの板の両面に１Ｋ（１℃）の温度差があ
るとき、その板の面積１ｍ²の面を通して１秒の間に流
れる熱量のことである。

【００５８】そして、図３（ａ），（ｂ）に示すよう
に、ガラス・エポキシ基板１１において、高出力用半導
体素子搭載予定領域のガラスエポキシ層を金型を用いて
パンチングし、例えば２個の開口部１３を作製し、所定
の形状を得る。なお、開口部１３は、高出力用半導体素
子搭載予定領域より大きくてもよい。

【００５９】つぎに、図４（ａ），（ｂ）に示すよう
に、低熱伝導樹脂基板であるガラス・エポキシ基板１１
の開口部１３にガラスエポキシ層より高熱伝導の樹脂
（窒化アルミニウム（無機質フィラー）：エポキシ＝８
５：１５の厚さ１．０ｍｍのエポキシ系樹脂で熱伝導
率：６Ｗ／ｍ・Ｋ）をはめ込み、その後熱圧着（１５０
℃、２０分、５ＭＰａ）で高熱伝導樹脂基板領域１４を
形成する。高熱伝導樹脂基板領域１４の大きさは、開口
部１３の大きさに応じて決まる。

【００６０】このようにして、低熱伝導樹脂基板領域
（元々のガラス・エポキシ基板１１）と高熱伝導樹脂基
板領域１４を持った電子部品用基板を形成する。高熱伝
導樹脂基板領域１４が図１における高熱伝導樹脂基板領
域１に対応し、ガラス・エポキシ基板１１が図１におけ
る低熱伝導樹脂基板領域２に対応する。

【００６１】しかる後、形成した電子部品用基板に高電
力用半導体素子（電力用ＭＯＳトランジスタ、電力用バ
イポーラトランジスタ、絶縁ゲートバイポーラトランジ
スタ、電力用集積回路等）と制御用素子（制御用集積回
路、抵抗、コンデンサ等）を搭載し、大出力端子および
信号端子を配線パターンに各々接続した後、半導体素子
等を保護するためのパッケージングを施すことで、図５
（ａ），（ｂ）に示すような高出力用半導体装置を得る
ことができる。図５において、１５はパッケージ、１６
は封止のためのエポキシ樹脂、１７は大出力端子、１８
は信号端子である。

【００６２】なお、パッケージングに際して、電子部品
用基板の部品非搭載面は露出させていても、また他の樹
脂で覆われていてもどちらでもよい。この電子部品用基
板の場合、半導体装置をアルミフィン等の放熱装置に取
り付けることを想定しており、その場合は、部品非搭載
面を露出させた方が、高出力半導体装置の載った高熱伝
導樹脂領域からの熱伝導（接触している）が容易にな
り、効率もよくなる。しかし、部品非搭載面、つまり電
子部品用基板の裏面が別の樹脂等で覆われていても問題
はない。

【００６３】なお、上記の説明では、成型前の高熱伝導
の樹脂を開口１３にはめ込んだ後、加熱加圧による成形
によって開口１３の形状に合致した形状に変化させた
が、高熱伝導の樹脂をガラスエポキシ基板１１の開口部
１３に合わせた大きさに予め成型しておき、しかる後に
ガラスエポキシ基板１１の開口部１３にはめ込んで一体
化した場合でも同様である。

【００６４】また、銅ブロック等の金属ブロックを高熱
伝導の樹脂と重ねてはめ込み、この状態で加熱加圧成形
をしてもよい。この場合、高熱伝導樹脂の上に金属ブロ
ックがのり、金属ブロック上に高出力半導体素子が載置
されることになる。金属ブロックの代わりに、銅板等の
金属板を用いてもよく、その厚さは任意である。

【００６５】本発明の第２の実施の形態における電子部
品用基板を図６に示す。図６において、この電子部品用
基板は、高熱伝導樹脂基板領域１および低熱伝導樹脂基
板領域２の部品非搭載面の全面にアルミ板等の金属板
（もしくは金属膜）４を設けたもので、それ以外の構成
については、図１のものと同様である。

【００６６】このように構成すると、高熱伝導樹脂基板
領域１および低熱伝導樹脂基板領域２の部品非搭載面の
全面に金属板（もしくは金属膜）４を付加したことによ
り、放熱性能を向上させることができる。

【００６７】なお、金属板（もしくは金属膜）は、高熱
伝導樹脂基板領域１の部品非搭載面のみに設けてもよ
く、高熱伝導樹脂基板領域１の全部と低熱伝導樹脂基板
領域２の一部とに設けてよく、この場合にも放熱性能を
向上させることができる。

【００６８】つぎに、図６の電子部品用基板の製造方法
を図７、図８、図９、図１０および図１１を参照しなが
ら説明する。

【００６９】まず、図７（ａ），（ｂ）に示すように、
４０×２１ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの低熱伝導樹脂基板で
あるガラス・エポキシ基板（熱伝導率：０．２Ｗ／ｍ・
Ｋ）１１を準備する。その後、ガラス・エポキシ基板１
１の片面（部品搭載面）に銅箔（厚さ４０μｍ）を積層
する。その後、ホトリソグラフィ法によって、高出力用
半導体素子用と制御用素子用の配線パターン１２を形成
する。ガラス・エポキシ基板１１上において、高出力用
半導体素子搭載予定領域は予め、ガラス・エポキシ層が
露出するような配置に配線パターン１２が設計される。
１９はボンディングパッドである。

【００７０】そして、図８（ａ），（ｂ）に示すよう
に、ガラス・エポキシ基板１１において、高出力用半導
体素子搭載予定領域のガラスエポキシ層を金型を用いて
パンチングし、例えば２個の開口部１３を作製し、所定
の形状を得る。なお、開口部１３は、高出力用半導体素
子搭載予定領域より大きくてもよい。

【００７１】つぎに、図９（ａ），（ｂ）に示すよう
に、配線パターン１２を形成した反対面、つまり部品非
搭載面にアルミ板等の金属板（ｔ＝０．５ｍｍ）２０を
放熱板として取り付ける。

【００７２】つぎに、図１０（ａ），（ｂ）に示すよう
に、低熱伝導樹脂基板であるガラス・エポキシ基板１１
の開口部１３にガラスエポキシ層より高熱伝導の樹脂
（窒化アルミニウム（無機質フィラー）：エポキシ＝８
５：１５の厚さ０．５ｍｍのエポキシ系樹脂で熱伝導
率：６Ｗ／ｍ・Ｋ）をはめ込み、熱圧着（１５０℃、２
０分、５ＭＰａ）の方法を用いて成型することで、高熱
伝導樹脂基板領域１４を形成する。高熱伝導樹脂基板領
域１４の大きさは、開口部１３の大きさに応じて決ま
る。

【００７３】このようにして、低熱伝導樹脂基板領域
（元々のガラス・エポキシ基板１１）と高熱伝導樹脂基
板領域１４を持った電子部品用基板を形成する。高熱伝
導樹脂基板領域１４が図６における高熱伝導樹脂基板領
域１に対応し、ガラス・エポキシ基板１１が図６におけ
る低熱伝導樹脂基板領域２に対応する。

【００７４】しかる後、形成した放熱板付の電子部品用
基板に高電力用半導体素子（電力用ＭＯＳトランジス
タ、電力用バイポーラトランジスタ、絶縁ゲートバイポ
ーラトランジスタ、電力用集積回路等）と制御用素子
（制御用集積回路、抵抗、コンデンサ等）を搭載し、大
出力端子および信号端子を配線パターンに各々接続した
後、半導体素子等を保護するためのパッケージングを施
すことで、図１１（ａ），（ｂ）に示すような高出力用
半導体装置を得ることができる。図１１において、１５
はパッケージ、１６は封止のためのエポキシ樹脂、１７
は大出力端子、１８は信号端子、２０はアルミ板からな
る放熱板である。

【００７５】なお、アルミ板からなる放熱板２０の大き
さはガラス・エポキシ基板１１と同サイズでも、または
それより小さくてもよく、高熱伝導樹脂で埋められたガ
ラス・エポキシ基板１１の開口部１３と同じ大きさでも
よい。なお、放熱板２０は少なくとも高熱伝導樹脂の領
域に接触させる必要がある。

【００７６】また、本発明の第３の実施の形態における
電子部品用基板およびその製造方法を図１２を参照して
説明する。

【００７７】この電子部品用基板は、高熱伝導樹脂基板
領域１および低熱伝導樹脂基板領域２の部品非搭載面の
全面に高熱伝導樹脂層６を設けたもので、それ以外の構
成は図１のものと同様である。つまり、この実施の形態
では、低熱伝導樹脂基板領域２の部品非搭載面の全部が
高熱伝導樹脂層６で覆われている。このように構成する
と、高出力用半導体素子から発する熱をいっそう効率的
に放散させることができる。

【００７８】なお、低熱伝導樹脂基板領域２の部品非搭
載面の全部を高熱伝導樹脂層６で覆わなくても、高熱伝
導樹脂基板領域１の部品非搭載面と連続した一部分を高
熱伝導樹脂層６で覆うだけでも、高出力用半導体素子か
ら発する熱を効率的に放散させることができる。

【００７９】また、低熱伝導樹脂基板領域２の部品搭載
面の全部もしくは高熱伝導樹脂基板領域１の部品搭載面
と連続した一部分を高熱伝導樹脂層で覆うことによって
も、高出力用半導体素子から発する熱を効率的に放散さ
せることができる。また、高熱伝導樹脂層で覆われた領
域にも高出力半導体素子を搭載することが可能となる。

【００８０】つぎに、この電子部品用基板の製造方法に
ついて説明する。

【００８１】まず４０×２１ｍｍ、厚さ０．８ｍｍの低
熱伝導樹脂基板であるガラス・エポキシ基板（熱伝導
率：０．２Ｗ／ｍ・Ｋ）１１を準備する（図２参照）。

【００８２】その後、ガラス・エポキシ基板１１におい
て、高出力用半導体素子搭載予定領域のガラスエポキシ
層を金型を用いてパンチングし、例えば２個の開口部を
作製し、所定の形状を得る（図３およびその説明参
照）。ただし、配線パターン１３はまだ形成されていな
い。なお、開口部１３は、高出力用半導体素子搭載予定
領域より大きくてもよい。

【００８３】つぎに、低熱伝導樹脂基板であるガラス・
エポキシ基板１１の開口部１３にガラスエポキシ層より
高熱伝導の樹脂（窒化アルミニウム（無機質フィラ
ー）：エポキシ＝８５：１５のエポキシ系樹脂で熱伝導
率：６Ｗ／ｍ・Ｋ）をはめ込み、その後成型することに
より高熱伝導樹脂基板領域１４を形成する（図４参
照）。

【００８４】このようにして、高熱伝導樹脂層を基板開
口部および基板下面の低熱伝導樹脂基板領域全面に形成
することで、基板下面は全面が高熱伝導樹脂層で覆わ
れ、低熱伝導樹脂基板領域と高熱伝導樹脂基板領域を持
つた電子部品用基板が形成される。

【００８５】その後、前記、低熱伝導樹脂基板領域と高
熱伝導樹脂基板領域を持った電子部品用基板の上面（部
品搭載面）に銅箔３（厚さ０．１ｍｍ）を積層する。そ
の後、ホトリソグラフィ法によって、高出力用半導体素
子用と制御用素子用の配線パターンを形成することで、
高出力用半導体装置に用いる電子部品用基板を得ること
ができる（図１２参照）。

【００８６】また、本発明の第４の実施の形態における
電子部品用基板およびその製造方法を図１３を参照して
説明する。

【００８７】この電子部品用基板は、高熱伝導樹脂基板
領域および低熱伝導樹脂基板領域の部品非搭載面の全面
の高熱伝導樹脂層６の上に、アルミ板からなる放熱板７
を付加したもので、それ以外の構成は図１２のものと同
様である。つまり、この実施の形態では、低熱伝導樹脂
基板領域２の部品非搭載面の全部が高熱伝導樹脂層６で
覆われ、さらに放熱板７で覆われている。このように構
成すると、高出力用半導体素子から発する熱をさらにい
っそう効率的に放散させることができる。

【００８８】つぎに、この電子部品用基板の製造方法に
ついて説明する。

【００８９】まず４０×２１ｍｍ、厚さ１．０ｍｍの低
熱伝導樹脂基板であるガラス・エポキシ基板（熱伝導
率：０．２Ｗ／ｍ・Ｋ）１１を準備する（図７参照）。

【００９０】その後、ガラス・エポキシ基板１１におい
て、高出力用半導体素子搭載予定領域のガラスエポキシ
層を金型を用いてパンチングし、例えば２個の開口部１
３を作製し、所定の形状を得る（図８参照）。ただし、
金属板と配線パターンはまだ付加されていない。なお、
開口部１３は、高出力用半導体素子搭載予定領域より大
きくてもよい。

【００９１】つぎに、低熱伝導樹脂基板であるガラス・
エポキシ基板１１の開口部１３にガラスエポキシ層より
高熱伝導の樹脂（アルミナ（無機質フィラー）：エポキ
シ＝８５：１５のエポキシ系樹脂で熱伝導率：５．５Ｗ
／ｍ・Ｋ）をはめ込み、その後成型することにより高熱
伝導樹脂基板領域１４を形成する（図９参照）。

【００９２】このようにして、高熱伝導樹脂層を基板開
口部および基板下面の低熱伝導樹脂基板領域全面に形成
することで、高熱伝導樹脂層を基板開口部および基板下
面の低熱伝導樹脂基板領域全面に形成することで、基板
下面は全面が高熱伝導樹脂層で覆われ、低熱伝導樹脂基
板領域と高熱伝導樹脂基板領域を持つた電子部品用基板
が形成される。

【００９３】その後、電子部品用基板の下面、つまり高
熱伝導樹脂基板領域および低熱伝導樹脂基板領域の部品
非搭載面に全面にアルミ板からなる放熱板（ｔ＝０．５
ｍｍ）を積層し、部品搭載面に銅箔（厚さ５０μｍ）を
積層する。その後、ホトリソグラフィ法によって、前記
銅箔をエッチングし、高出力用半導体素子用と制御用素
子用の配線パターンを形成することで、低熱伝導樹脂基
板領域２と高熱伝導樹脂基板領域１を持った高出力用半
導体装置に用いる電子部品用基板を得ることができる
（図１３参照）。

【００９４】また、本発明の第５の実施の形態における
電子部品用基板およびその製造方法を図１４を参照して
説明する。

【００９５】この電子部品用基板は、高熱伝導樹脂基板
領域１の上に金属ブロック８、例えば銅ブロックを載せ
たもので、金属ブロック８の上面が低熱伝導樹脂基板領
域２の部品搭載面と同じ高さにしたものである。その他
の構成は図１と同様である。

【００９６】この構成によれば、高熱伝導樹脂基板領域
１が薄くなっていて、代わり熱伝導度の大きい金属ブロ
ック８が設けられているので、放熱性能を高めることが
できる。

【００９７】なお、金属ブロック８の上面は、低熱伝導
樹脂基板領域２の部品搭載面より低くしてもよく、この
場合も上記と同様の効果が得られる。

【００９８】つぎに、この電子部品用基板の製造方法に
ついて説明する。

【００９９】まず４０×２１ｍｍ、厚さ３．０ｍｍの低
熱伝導樹脂基板であるガラス・エポキシ基板（熱伝導
率：０．２Ｗ／ｍ・Ｋ）１１を準備する。その後、ガラ
ス・エポキシ基板１１の片面（部品搭載面）に銅箔（厚
さ５０μｍ）を積層する。その後、ホトリソグラフィ法
によって、高出力用半導体素子用と制御用素子用の配線
パターンを形成する。ガラス・エポキシ基板１１上にお
いて、高出力用半導体素子搭載予定領域は予め、ガラス
・エポキシ層が露出するような配置に配線パターンが設
計される（図２参照）。

【０１００】そして、ガラス・エポキシ基板１１におい
て、高出力用半導体素子搭載予定領域のガラスエポキシ
層を金型を用いてパンチングし、例えば２個の開口部１
３を作製し、所定の形状を得る（図３参照）。なお、開
口部１３は、高出力用半導体素子搭載予定領域より大き
くてもよい。

【０１０１】つぎに、低熱伝導樹脂基板であるガラス・
エポキシ基板１１の開口部１３にガラスエポキシ層より
高熱伝導の樹脂（窒化アルミニウム：エポキシ＝８５：
１５のエポキシ樹脂で熱伝導率：６Ｗ／ｍ・Ｋ）と銅ブ
ロック（１０×１０ｍｍ、ｔ＝２．５ｍｍ）をはめ込
み、高熱伝導樹脂層の厚さを０．５ｍｍに成型する。

【０１０２】このようにして低熱伝導樹脂基板領域２と
高熱伝導樹脂基板領域２を持ち、かつ、高熱伝導樹脂基
板領域１上には半導体素子搭載用の金属ブロック８を持
った高出力用半導体装置用の電子部品用基板を得ること
ができる。

【０１０３】なお、銅ブロックと高熱伝導樹脂をガラス
・エポキシ基板の開口部に合わせた大きさに予め成型し
ておき、しかる後にガラス・エポキシ基板の開口部には
め込んだ場合でも同様の効果が得られる。なお、銅ブロ
ックと高熱伝導樹脂を所定の大きさに成型する際に、高
熱伝導樹脂層の下面にアルミ板等の金属板を放熱のため
に固定しておいてもよい。

【０１０４】また、本発明の第６の実施の形態における
電子部品用基板およびその製造方法を図１５を参照して
説明する。

【０１０５】この電子部品用基板は、高熱伝導樹脂基板
領域１の部品搭載面に高出力用半導体素子９を搭載する
ための金属ブロック（金属膜でもよい）８、例えば銅ブ
ロックが設けられ、金属ブロック８上に搭載される高出
力用半導体素子９の上面が低熱伝導樹脂基板領域２の部
品搭載面より低くなるように、金属ブロック８の素子載
置面の高さが設定され、高熱伝導樹脂基板領域１の部品
搭載面上に高出力用半導体素子９を封止する高熱伝導樹
脂もしくは低熱伝導樹脂からなる封止樹脂１０が設けら
れ、高熱伝導樹脂もしくは低熱伝導樹脂からなる封止樹
脂１０の表面が低熱伝導樹脂基板領域２の部品搭載面と
同じ高さになっている。なお、封止樹脂１０の表面が低
熱伝導樹脂基板領域の部品搭載面より低くなっていても
よい。

【０１０６】この構成によれば、高出力用半導体素子９
の上方位置に他の高出力用半導体素子もしくは制御用素
子を搭載することができ、集積度を上げることができ
る。

【０１０７】つぎに、この電子部品用基板の製造方法に
ついて説明する。

【０１０８】まず４０×２１ｍｍ、厚さ４．０ｍｍの低
熱伝導樹脂基板であるガラス・エポキシ基板（熱伝導
率：０．２Ｗ／ｍ・Ｋ）１１を準備する（図２参照）。

【０１０９】その後、高出力用半導体素子搭載予定領域
のガラスエポキシ層を金型を用いてパンチングして開口
部１３を作製し、所定の形状を得る。なお、開口部１３
は、高出力用半導体素子搭載予定領域より大きくてもよ
い。

【０１１０】つぎに、ガラス・エポキシ基板１１の開口
部１３にガラスエポキシより高熱伝導の樹脂（アルミ
ナ：エポキシ＝８５：１５のエポキシ樹脂で熱伝導率：
５．５Ｗ／ｍ・Ｋ）と銅ブロック（１０×１０ｍｍ、ｔ
＝１．０ｍｍ）をはめ込み、高熱伝導樹脂基板領域の厚
みを０．５ｍｍに成型することにより、図１５のような
状態にする。

【０１１１】その後、図１５に示すように、銅ブロック
８上に高出力用半導体素子９を載置した後、高出力用半
導体素子搭載予定領域である高熱伝導樹脂基板領域１上
の空間を高熱伝導樹脂（アルミナ：エポキシ＝８５：１
５のエポキシ樹脂で熱伝導率：５．５Ｗ／ｍ・Ｋ）から
なる封止樹脂１０で埋めて、高熱伝導樹脂基板領域１の
表面と低熱伝導樹脂基板領域２の表面が平坦になるよう
形成する（図１５参照）。なお、封止樹脂は、低熱伝導
樹脂の場合もある。

【０１１２】その後、高熱伝導樹脂基板領域１と低熱伝
導樹脂基板領域２の上面（部品搭載面）に銅箔３（厚さ
１００μｍ）を積層する。しかるのち、ホトリソグラフ
ィ法によって、高出力用半導体素子用と制御用素子用の
配線パターンを形成することで、高出力用半導体装置の
電子部品用基板を得ることができる。

【０１１３】なお、銅ブロックと高熱伝導樹脂をガラス
・エポキシ基板の開口部に合わせた大きさに予め成型し
ておき、しかる後にガラス・エポキシ基板の開口部には
め込む方法で電子部品用基板を形成した場合でも同様の
効果が得られる。ここで、本発明の各実施の形態の構成
による効果について、図面を用いて詳しく説明する。

【０１１４】本発明の第１および第２の実施の形態（図
１、図６）で説明した低熱伝導樹脂基板領域と高熱伝導
樹脂基板領域とを有する電子部品用基板を用いて高出力
用半導体装置を形成した場合、図１６、図１７、図１８
および図１９に示すように、ノイズ電圧の小さい、絶縁
耐圧の大きな、また放熱特性の良好な高出力用半導体装
置を提供することができた。

【０１１５】図１６は図１および図６の構造を有する電
子部品用基板と従来例の図２５および図２６の構造を有
する電子部品用基板における制御回路部の端子電圧の変
化（ノイズ電圧に関連する）の測定結果を示すものであ
る。図１および図６の構造を有する電子部品用基板と従
来例の図２５および図２６の構造を有する電子部品用基
板について、各１０個のサンプルを作成し、それについ
て測定している。黒丸印は各サンプルを示し、その縦方
向位置は端子電圧の変化の概略値を示し、横方向位置は
サンプルの種類を示し、図１および図６の構造を有する
電子部品用基板は０．１Ｖレベルである。この図から、
図１および図６の構造を有する電子部品用基板が従来例
の電子部品用基板に比べて端子電圧の変化が小さいこと
が明らかである。

【０１１６】図１７は図１および図６の構造を有する電
子部品用基板と従来例の図２５および図２６の構造を有
する電子部品用基板における高出力回路部から制御回路
部への漏れ電流（ノイズ電圧に関連する）の測定結果を
示すものである。図１および図６の構造を有する電子部
品用基板と従来例の図２５および図２６の構造を有する
電子部品用基板について、各１０個のサンプルを作成
し、それについて測定している。黒丸印は各サンプルを
示し、その縦方向位置は漏れ電流の概略値を示し、横方
向位置はサンプルの種類を示し、図１および図６の構造
を有する電子部品用基板は０．１ｍＡレベルである。こ
の図から、図１および図６の構造を有する電子部品用基
板が従来例の電子部品用基板に比べて漏れ電流が小さい
ことが明らかである。

【０１１７】図１８は図１および図６の構造を有する電
子部品用基板と従来例の図２５および図２６の構造を有
する電子部品用基板の熱伝導率（放熱特性）の測定結果
を示すものである。図１および図６の構造を有する電子
部品用基板と従来例の図２５および図２６の構造を有す
る電子部品用基板について、各１０個のサンプルを作成
し、それについて測定している。黒丸印は各サンプルを
示し、その縦方向位置は熱伝導率の概略値を示し、横方
向位置はサンプルの種類を示している。この図から、図
１および図６の構造を有する電子部品用基板が従来例の
電子部品用基板に比べて熱伝導率が大きいことが明らか
である。

【０１１８】図１９は図１および図６の構造を有する電
子部品用基板と従来例の図２５および図２６の構造を有
する電子部品用基板の絶縁耐圧（絶縁特性）の測定結果
を示すものである。図１および図６の構造を有する電子
部品用基板と従来例の図２５および図２６の構造を有す
る電子部品用基板について、各１０個のサンプルを作成
し、それについて測定している。黒丸印は各サンプルを
示し、その縦方向位置は絶縁耐圧の概略値を示し、横方
向位置はサンプルの種類を示している。この図から、図
１および図６の構造を有する電子部品用基板が従来例の
電子部品用基板に比べて絶縁耐圧が大きいことが明らか
である。

【０１１９】ここで、図１および図６の構造を有する電
子部品用基板を用いると、ノイズ電圧が低く抑えられる
点について詳細に説明する。

【０１２０】高出力用半導体装置は、例えば図２０のよ
うなブリッジ回路が用いられている。図２０において、
Ｑ１，Ｑ２はそれぞれ高出力用半導体素子、ＬＤは負
荷、ＩＣ１，ＩＣ２はそれぞれ入力信号Ｖｉｎ１，Ｖｉ
ｎ２に応じて高出力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２のオンオフ
を制御する制御用集積回路、Ｒ１，Ｒ２はそれぞれ抵
抗、ＰＳは電圧Ｖ１の直流電源である。Ｐｉｎ１は制御
用集積回路ＩＣ１の端子、Ｐｉｎ２は制御用集積回路Ｉ
Ｃ２の端子である。ＨＧは温度保護、出力電圧異常等の
保護を行う保護回路ブロックで、端子Ｐｉｎ２の電圧Ｖ
Ｐｉｎ２が制御用集積回路ＩＣ２のしきい値を超える
と、高出力用半導体素子Ｑ２への出力を停止する。

【０１２１】以上のような構成の回路において、制御用
集積回路ＩＣ１，ＩＣ２の出力に従って、高出力用半導
体素子Ｑ１，Ｑ２が交互にオン動作をした時、負荷ＬＤ
につながるＡ点の電位ＶＬＯＡＤは、図２１（ａ）に示
すように変化する。

【０１２２】一方、従来例では、電子部品用基板は図２
２に示すような構造になっている。図２２において、３
０１はアルミベース基板、３０２は絶縁層、３０３は銅
箔からなる配線パターン、３０４は銅ブロック、Ｑ１は
高出力半導体素子、ＩＣ１は制御用集積回路、Ｐｉｎ１
は制御用集積回路ＩＣ１の端子である。３０５，３０６
は高出力半導体素子Ｑ１と配線パターン３０３との間の
配線、特に配線３０５は高出力半導体素子Ｑ１とＡ点と
を接続している。

【０１２３】以上のような構成の電子部品用基板におい
て、特に問題となるＡ点および制御用集積回路ＩＣ１の
搭載部分は、配線パターン３０３、絶縁層３０２および
アルミベース基板３０１の３層構造を有するため、アル
ミべース基板３０１と配線パターン３０３との間に容量
Ｃａが必然的に形成される。その結果、高出力用半導体
素子Ｑ１，Ｑ２が交互に動作した時、Ａ点の電位ＶＬＯ
ＡＤが高速で変化すると、アルミベース基板３０１と配
線パターン３０３と絶縁層３０２で形成される容量Ｃａ
に電流Ｉｓ（＝Ｃａ×ｄｖ／ｄｔ）が漏れ電流として電
子機器のシャーシ等に流れる。ただし、ｄｖ／ｄｔはＡ
点の電位ＶＬＯＡＤの変化勾配を示している。この電流
Ｉｓはアルミベース基板３０１を通し電子部品用基板に
搭載した各制御用素子に流れ込む。当然、制御用集積回
路ＩＣ１，ＩＣ２の端子Ｐｉｎ１，Ｐｉｎ２にも、電流
Ｉｓの一部は流れ、端子Ｐｉｎ１，Ｐｉｎ２の電圧波形
は、図２１（ｂ）に示すように、Ａ点の電位ＶＬＯＡＤ
が変化するのに合わせて大きく変動する。この電圧変動
成分がノイズ信号となる。なお、図２１（ｂ）におい
て、一定レベルの信号は、正規の信号、つまり本来制御
用集積回路ＩＣ１から出力される信号である。そして、
このノイズ信号が制御用集積回路ＩＣ１，ＩＣ２の誤動
作の原因となっていた。

【０１２４】一方、図１の実施の形態の電子部品用基板
は、図２３のような構造になっている。図２３におい
て、４０１は高熱伝導樹脂基板領域、４０２は低熱伝導
樹脂基板領域、４０３は銅箔からなる配線パターン、４
０４は銅ブロック、Ｑ１は高出力半導体素子、ＩＣ１は
制御用集積回路、Ｐｉｎ１は制御用集積回路ＩＣ１の端
子である。４０５，４０６は高出力半導体素子Ｑ１と配
線パターン４０３との間の配線、特に配線４０５は高出
力半導体素子Ｑ１とＡ点とを接続している。

【０１２５】以上のような構成の本発明の電子部品用基
板、特に、Ａ点および制御用集積回路搭載部分は、配線
パターン４０３、低熱伝導樹脂基板領域４０２の構造を
有するため、従来、アルミべース基板３０１と配線パタ
ーン３０３間の絶縁層３０２で必然的に形成されていた
容量は激減し、高出力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２が交互に
動作した時に図２２のような電流Ｉｓは流れず、制御用
集積回路ＩＣ１，ＩＣ２の誤動作はなくなる。図２４
（ａ）には、Ａ点の電位ＶＬＯＡＤを示し、同図（ｂ）
に制御用集積回路ＩＣ１の端子Ｐｉｎ１の電圧ＶＰｉｎ
１を示している。図２４（ｂ）において、一定レベルの
信号は、正規の信号、つまり本来制御用集積回路ＩＣ１
から出力される信号であり、Ａ点の電位ＶＬＯＡＤのレ
ベルの変化毎に現れている変動成分はノイズ成分である
が、そのレベルは、図２１（ｂ）に比べて格段に小さい
ものである。

【０１２６】本発明の実施の形態の電子部品用基板の構
造についてさらに説明する。本発明の実施の形態におけ
る電子部品用基板における低熱伝導樹脂基板領域および
高熱伝導樹脂基板領域の下面、つまり部品非搭載面、お
よび、従来法で使用しているアルミベース基板の下面
は、放熱板もしくは電子機器のシャーシに直接取り付け
られ、システム製品のシャーシと同電位となる。

【０１２７】従来例では、アルミべース基板３０１と配
線パターン３０３間に発生する容量Ｃａに高出力用半導
体素子Ｑ１，Ｑ２が交互に動作した時、Ｃａ×ｄｖ／ｄ
ｔの電流Ｉｓが発生し、回路システムの漏れ電流として
追加される。システムの漏れ電流は、人体に悪影響の無
い電流値に抑える必要があり、従来法では、システムの
漏れ電流を抑制するため、高出力用半導体素子搭載部や
制御用素子搭載部の配線間にコンデンサやノイズフイル
タを付加し、漏れ電流の低減を図っていたが、本発明で
は、金属べースが存在しないため、漏れ電流が大幅に削
減される。その結果、コンデンサやノイズフイルタを省
くことが可能となる。

【０１２８】また、高出力用半導体素子に要求される、
放熱特性や絶縁耐圧についても、従来の金属ベース基板
の上に絶縁膜（１００μｍ）を形成し、その上に銅箔を
積層したものに比べ、高熱伝導樹脂に直接銅箔を接着す
ることで、従来の絶縁膜より、放熱特性と絶縁耐圧の相
反する性能が大幅に改善できる（図１８，図１９参照）以上、本発明の実施の形態の電子部品用基板と従来例の
電子部品用基板との効果の対比をしてきたが、以下で
は、実施の形態どうしの効果の対比をする。本発明の実
施の形態における電子部品用基板は、低熱伝導樹脂基板
領域と高熱伝導樹脂基板領域を有する構造に特徴を有
し、これによって放熱性、絶縁性を向上させ、さらにノ
イズを抑えるようにしたものであるが、図１の実施の形
態に比べ、図６の実施の形態では、高出力用半導体素子
で発生した熱を放散するための放熱板としての金属板５
を付加することで、さらに放熱特性をよくした構造を提
供するものである。

【０１２９】また、図１２の実施の形態の電子部品用基
板は、部品非搭載面の全面を高熱伝導樹脂層で覆うこと
で、図１の実施の形態に比べ、高出力用半導体素子で発
生した熱の放散効果をより高めることができる。

【０１３０】さらに、基板下面の表面に高熱伝導樹脂層
で覆うことで、基板表面に形成した制御用素子のノイズ
特性や漏れ電流をシステムのシャーシと分離することで
さらに少なくすることが可能となる。その理由は、以下
のとおりである。すなわち、放熱効果の向上で、金属の
ヒートシンクが不要となると、高出力用半導体素子と金
属ヒートシンクの間の容量結合がなくなり、高出力用半
導体素子のスイッチングによるノイズのとびこみがほと
んどなくなり、ノイズ特性が向上する。また、基板の裏
面（部品非搭載面）の全体を樹脂で覆うことで、樹脂の
絶縁層の厚みが大きくなる。したがって、放熱板に取り
付けたとき、放熱板との容量値は小さくなり、ノイズ特
性、漏れ電流が減少する。

【０１３１】また、図１３の実施の形態の電子部品用基
板は、図１２の実施の形態の電子部品用基板と同等の効
果に加え、高出力用半導体素子の熱放散をさらによくす
ることが可能となる。

【０１３２】また、図１４の実施の形態の電子部品用基
板は、高熱伝導樹脂基板領域を薄くすることでより放熱
効果を上げるとともに、高出力用半導体素子を搭載する
ための金属ブロックを付加することで、さらに放熱特性
をあげることができる。

【０１３３】また、図１５の実施の形態の電子部品用基
板は、図１４の実施の形態の電子部品用基板と同様の効
果をあげるとともに、高出力半導体素子を電子部品用基
板の厚み内に収納することで、高出力用半導体搭載部の
表面に、他の半導体素子や制御用素子を搭載することが
可能となり、より集積度を上げることが可能となる。

【０１３４】また、上記では、図１から図１５までの図
面を用いて、本発明の実施の形態を第１から第６までの
６つの実施の形態について説明したが、各実施の形態の
主要部の組合せを変更した他の実施の形態も容易に考え
ることができ、この場合に、その組合せに応じて各々実
施の形態で述べた効果を引き出すことは可能である。

【０１３５】

【発明の効果】請求項１記載の電子部品用基板によれ
ば、高出力用半導体素子の搭載予定領域が高熱伝導樹脂
基板領域となっているので、高出力用半導体素子で発生
した熱を例えば外部放熱板や電子機器のシャーシ等に有
効に放散させることができる。また、高出力用半導体素
子で発生した熱を放散させる高熱伝導樹脂基板領域は、
厚さを十分に大きく設定することが可能であり、外部装
置との分離に必要な絶縁耐圧も確保することができる。

【０１３６】また、低熱伝導樹脂基板領域には、制御用
集積回路、抵抗、コンデンサ等の制御回路を構成する制
御用素子を搭載する。従来、制御用素子搭載部と高出力
用半導体素子搭載部が絶縁層を介して金属基板で接続さ
れ、高出力半導体素子で発生したノイズが金属基板と容
量結合して制御回路の動作に悪影響を及ぼしていたが、
本発明では低熱伝導樹脂基板領域上に配線パターンを形
成し、制御用素子を搭載することで金属基板が排除さ
れ、高出力半導体素子で発生したノイズの悪影響をなく
すことが可能となる。

【０１３７】請求項２記載の電子部品用基板によれば、
請求項１記載の電子部品用基板と同様の効果を奏する。

【０１３８】請求項３記載の電子部品用基板によれば、
高熱伝導樹脂基板領域の厚さが低熱伝導樹脂基板領域の
厚さと同等もしくは高熱伝導樹脂基板領域の厚さより小
さいので、高熱伝導樹脂基板領域における放熱性能を高
いものとすることができる。

【０１３９】請求項４記載の電子部品用基板によれば、
請求項２と同様に高熱伝導樹脂基板領域における放熱性
能を高いものとすることができる。

【０１４０】請求項５記載の電子部品用基板によれば、
高熱伝導樹脂基板領域の部品搭載面と連続した低熱伝導
樹脂基板領域の部品搭載面の一部もしくは全部が高熱伝
導樹脂層で覆われているので、高出力用半導体素子から
発する熱をいっそう効率的に放散させることができる。

【０１４１】請求項６記載の電子部品用基板によれば、
高熱伝導樹脂基板領域の部品非搭載面と連続した低熱伝
導樹脂基板領域の部品非搭載面の一部もしくは全部が高
熱伝導樹脂層で覆われているので、高出力用半導体素子
から発する熱をいっそう効率的に放散させることができ
る。

【０１４２】請求項７記載の電子部品用基板によれば、
高熱伝導樹脂基板領域と低熱伝導樹脂基板領域の部品搭
載面が平坦になっていると、高出力用半導体素子および
制御用素子の実装時の組立工法が簡単になり、また高熱
伝導樹脂基板領域と低熱伝導樹脂基板領域の部品非搭載
面が平坦になっていると、放熱板や電子機器のシャーシ
への取り付けが容易である。

【０１４３】請求項８記載の電子部品用基板によれば、
少なくとも高熱伝導樹脂基板領域の部品非搭載面が放熱
板もしくは電子機器のシャーシに直接接触するので、放
熱性能が良好であり、高熱伝導樹脂基板領域および低熱
伝導樹脂基板領域の部品搭載面の少なくとも一方が高出
力用半導体素子および制御用素子を搭載するための配線
パターンを有するので、配線作業が不要である。

【０１４４】請求項９記載の電子部品用基板によれば、
高熱伝導樹脂基板領域の部品非搭載面、もしくは高熱伝
導樹脂基板領域の部品非搭載面と低熱伝導樹脂基板領域
の部品非搭載面の一部もしくは全部に金属膜または金属
板を付加したことにより、放熱性能を向上させることが
できる。

【０１４５】請求項１０記載の電子部品用基板によれ
ば、電子部品用基板を放熱板もしくは電子機器のシャー
シに取り付ける際に、高熱伝導樹脂基板領域の部品非搭
載面が浮いた状態にならずに放熱板もしくは電子機器の
シャーシに接触し、高出力用半導体素子から発する熱を
有効に放熱板もしくは電子機器のシャーシに放散させる
ことができ、放熱性能を向上させることができる。

【０１４６】請求項１１記載の電子部品用基板によれ
ば、少なくとも高熱伝導樹脂基板領域の部品非搭載面が
放熱板もしくは電子機器のシャーシに直接接触するの
で、放熱性能が良好であり、高熱伝導樹脂基板領域の部
品搭載面に高出力用半導体素子を搭載するための金属膜
もしくは金属ブロックが設けられているので、さらに放
熱性能を高めることができる。

【０１４７】請求項１２記載の電子部品用基板によれ
ば、金属膜もしくは金属ブロックの素子載置面が低熱伝
導樹脂基板領域の部品搭載面と同じ高さ、もしくは低熱
伝導樹脂基板領域の部品搭載面より低くなっており、高
熱伝導樹脂基板領域が薄くなっているので、放熱性能を
高めることができる。

【０１４８】請求項１３記載の電子部品用基板によれ
ば、高出力用半導体素子の上方位置に他の高出力用半導
体素子もしくは制御用素子を搭載することができ、集積
度を上げることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の第１の実施の形態の電子部品
用基板の構成を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’
線断面図である。

【図２】（ａ）は本発明の第１の実施の形態の電子部品
用基板の製造方法の第１工程を示す平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。

【図３】（ａ）は本発明の第１の実施の形態の電子部品
用基板の製造方法の第２工程を示す平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。

【図４】（ａ）は本発明の第１の実施の形態の電子部品
用基板の製造方法の第３工程を示す平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。

【図５】（ａ）は本発明の第１の実施の形態の電子部品
用基板の製造方法の第４工程を示す平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。

【図６】（ａ）は本発明の第２の実施の形態の電子部品
用基板の構成を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’
線断面図である。

【図７】（ａ）は本発明の第２の実施の形態の電子部品
用基板の製造方法の第１工程を示す平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。

【図８】（ａ）は本発明の第２の実施の形態の電子部品
用基板の製造方法の第２工程を示す平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。

【図９】（ａ）は本発明の第２の実施の形態の電子部品
用基板の製造方法の第３工程を示す平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。

【図１０】（ａ）は本発明の第２の実施の形態の電子部
品用基板の製造方法の第４工程を示す平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。

【図１１】（ａ）は本発明の第２の実施の形態の電子部
品用基板の製造方法の第５工程を示す平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。

【図１２】（ａ）は本発明の第３の実施の形態の電子部
品用基板の構成を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ’線断面図である。

【図１３】（ａ）は本発明の第４の実施の形態の電子部
品用基板の構成を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ’線断面図である。

【図１４】（ａ）は本発明の第５の実施の形態の電子部
品用基板の構成を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ’線断面図である。

【図１５】（ａ）は本発明の第６の実施の形態の電子部
品用基板の構成を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ’線断面図である。

【図１６】本発明の実施の形態と従来例の電子部品用基
板における端子電圧の変化の測定結果を示す模式図であ
る。

【図１７】本発明の実施の形態と従来例の電子部品用基
板における漏れ電流の測定結果を示す模式図である。

【図１８】本発明の実施の形態と従来例の電子部品用基
板における熱伝導率の測定結果を示す模式図である。

【図１９】本発明の実施の形態と従来例の電子部品用基
板における絶縁耐圧の測定結果を示す模式図である。

【図２０】電子部品用基板上に形成される回路の一例を
示す回路図である。

【図２１】従来例の電子部品用基板上に回路形成した場
合の各部の信号波形図である。

【図２２】従来例の電子部品用基板の構造を示す概略図
である。

【図２３】本発明の実施の形態の電子部品用基板の構造
を示す概略図である。

【図２４】本発明の実施の形態の電子部品用基板上に回
路形成した場合の各部の信号波形図である。

【図２５】（ａ）は第１の従来例の電子部品用基板の構
成を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図で
ある。

【図２６】（ａ）は第２の従来例の電子部品用基板の構
成を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図で
ある。

【符号の説明】

１高熱伝導樹脂基板領域２低熱伝導樹脂基板領域３配線パターン５金属板６高熱伝導樹脂層７金属板８銅ブロック９高出力半導体素子１０封止樹脂１１ガラス・エポキシ基板１２配線パターン１３開口部１４高熱伝導樹脂層２０金属板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 1/05 (72)発明者竹原秀樹大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5E315 AA02 AA03 AA10 AA13 BB01 BB14 DD25 DD27 GG01 5E338 AA01 AA16 BB03 BB05 BB19 BB61 BB63 BB71 BB75 CC01 CD11 EE02 EE13 5F036 AA01 BB08 BD01 BD22

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】高熱伝導樹脂基板領域と低熱伝導樹脂基
板領域とを有する電子部品用基板であって、前記高熱伝
導樹脂基板領域の部品搭載面には高出力用半導体素子の
搭載予定領域を有し、前記低熱伝導樹脂基板領域の部品
搭載面には前記高出力用半導体素子を制御する制御用素
子の搭載予定領域を有することを特徴とする電子部品用
基板。
【請求項２】高熱伝導樹脂基板領域が低熱伝導樹脂基
板領域に設けた開口部に嵌め込まれている請求項１記載
の電子部品用基板。
【請求項３】高熱伝導樹脂基板領域の厚さと低熱伝導
樹脂基板領域の厚さとが同等、もしくは前記低熱伝導樹
脂基板領域の厚さが前記高熱伝導樹脂基板領域の厚さよ
り大きいことを特徴とする請求項１または２記載の電子
部品用基板。
【請求項４】高熱伝導樹脂基板領域の厚さの範囲が５
０μｍ〜１．５ｍｍの範囲であり、低熱伝導樹脂基板領
域の厚さの範囲が５０μｍ〜５０ｍｍの範囲である請求
項３記載の電子部品用基板。
【請求項５】高熱伝導樹脂基板領域の部品搭載面と連
続した低熱伝導樹脂基板領域の部品搭載面の一部もしく
は全部が高熱伝導樹脂層で覆われていることを特徴とす
る請求項１または２記載の電子部品用基板。
【請求項６】高熱伝導樹脂基板領域の部品非搭載面と
連続した低熱伝導樹脂基板領域の部品非搭載面の一部も
しくは全部が高熱伝導樹脂層で覆われていることを特徴
とする請求項１または２記載の電子部品用基板。
【請求項７】高熱伝導樹脂基板領域の部品搭載面およ
び部品非搭載面の何れか一方もしくは両方と低熱伝導樹
脂基板領域の部品搭載面および部品非搭載面の何れか一
方もしくは両方とが平坦になっていることを特徴とする
請求項１または２記載の電子部品用基板。
【請求項８】少なくとも高熱伝導樹脂基板領域の部品
非搭載面が高出力用半導体素子から発生した熱を放散す
るための放熱板もしくは電子機器のシャーシに直接接触
する構造を有し、前記高熱伝導樹脂基板領域および低熱
伝導樹脂基板領域の部品搭載面の少なくとも一方が前記
高出力用半導体素子および制御用素子を搭載するための
配線パターンを有することを特徴とする請求項１または
２記載の電子部品用基板。
【請求項９】高熱伝導樹脂基板領域の部品非搭載面、
もしくは前記高熱伝導樹脂基板領域の部品非搭載面と前
記低熱伝導樹脂基板領域の部品非搭載面の一部もしくは
全部に金属膜または金属板を付加したことを特徴とする
請求項１または２記載の電子部品用基板。
【請求項１０】高熱伝導樹脂基板領域の部品非搭載面
が、低熱伝導樹脂基板領域の部品非搭載面と同じ高さ、
もしくは前記低熱伝導樹脂基板領域の部品非搭載面より
突出していることを特徴とする請求項１または２記載の
電子部品用基板。
【請求項１１】少なくとも高熱伝導樹脂基板領域の部
品非搭載面が、高出力用半導体素子から発生した熱を放
散するための放熱板もしくは電子機器のシャーシに直接
接触する構造を有し、前記高熱伝導樹脂基板領域の部品
搭載面に高出力用半導体素子を搭載するための金属膜も
しくは金属ブロックが設けられていることを特徴とする
請求項１または２記載の電子部品用基板。
【請求項１２】高熱伝導樹脂基板領域の部品搭載面に
高出力用半導体素子を搭載するための金属膜もしくは金
属ブロックが設けられ、前記金属膜もしくは金属ブロッ
クの素子載置面が低熱伝導樹脂基板領域の部品搭載面と
同じ高さ、もしくは前記低熱伝導樹脂基板領域の部品搭
載面より低くなっていることを特徴とする請求項１また
は２記載の電子部品用基板。
【請求項１３】高熱伝導樹脂基板領域の部品搭載面に
高出力用半導体素子を搭載するための金属膜もしくは金
属ブロックが設けられ、前記金属膜もしくは金属ブロッ
ク上に搭載される前記高出力用半導体素子の上面が低熱
伝導樹脂基板領域の部品搭載面より低くなるように、前
記金属膜もしくは金属ブロックの素子載置面の高さが設
定され、前記高熱伝導樹脂基板領域の部品搭載面上に前
記高出力用半導体素子を封止する高熱伝導樹脂もしくは
低熱伝導樹脂からなる封止樹脂が設けられ、前記封止樹
脂の表面が前記低熱伝導樹脂基板領域の部品搭載面と同
じ高さ、もしくは前記低熱伝導樹脂基板領域の部品搭載
面より低くなっていることを特徴とする請求項１または
２記載の電子部品用基板。