JPS60686A - 磁気バブルメモリデバイス - Google Patents
磁気バブルメモリデバイスInfo
- Publication number
- JPS60686A JPS60686A JP58107661A JP10766183A JPS60686A JP S60686 A JPS60686 A JP S60686A JP 58107661 A JP58107661 A JP 58107661A JP 10766183 A JP10766183 A JP 10766183A JP S60686 A JPS60686 A JP S60686A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead pin
- soldering
- magnetic bubble
- bubble memory
- width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリデバイス、特に磁気バブルメ
モリチップを樹脂モールドしその端部力)らリードピン
を突出はせた構造を有する5気バブルメモリデバイス(
以下デバイスと称する)の改良に関するものである。
モリチップを樹脂モールドしその端部力)らリードピン
を突出はせた構造を有する5気バブルメモリデバイス(
以下デバイスと称する)の改良に関するものである。
一般にデバイスは、磁気バブルメモリチップを樹脂モー
ルドし、その端部から対向して突出し折り曲げたり−ド
ピンを設けた構造を有している。
ルドし、その端部から対向して突出し折り曲げたり−ド
ピンを設けた構造を有している。
このデバイスとプリント回路基板との実装組立は、第1
図に要部断面図で示すようにデバイス1の折如曲げたリ
ードピン2を、プリント回路基板3のスルホール4へ挿
入し、プリント回路基板3上の配線バッド5と半田6に
よシ半田付は接続さり、でいる。
図に要部断面図で示すようにデバイス1の折如曲げたリ
ードピン2を、プリント回路基板3のスルホール4へ挿
入し、プリント回路基板3上の配線バッド5と半田6に
よシ半田付は接続さり、でいる。
しかしながら、前記構成によるデバイスの実装形態は、
スルホール半田接続による機械的強度。
スルホール半田接続による機械的強度。
半田付高信頼性等の特徴を有しているが、プリント回路
基板3上へのデバイス1の実装高さおよび容積が大きく
なり、磁気バブルメモリシステムの小形化、薄形化を目
的として第2図、@3図に示すようにリードピン2を折
り曲げずにデバイス1をフラットパックICタイプの構
造にしてプリント回路基板3とリードピン2との接続を
スルホールに挿入することなく、配線パッド5に半田6
により面付けする組立て方法が提案されている、しかし
ながら、このような構造を有するデバイスの半田付方法
には次に述べるような間順があった。すなわち、磁気バ
ブルメモリデバイスは、一般の半導体デバイスに比べて
同転磁界発生コイル。
基板3上へのデバイス1の実装高さおよび容積が大きく
なり、磁気バブルメモリシステムの小形化、薄形化を目
的として第2図、@3図に示すようにリードピン2を折
り曲げずにデバイス1をフラットパックICタイプの構
造にしてプリント回路基板3とリードピン2との接続を
スルホールに挿入することなく、配線パッド5に半田6
により面付けする組立て方法が提案されている、しかし
ながら、このような構造を有するデバイスの半田付方法
には次に述べるような間順があった。すなわち、磁気バ
ブルメモリデバイスは、一般の半導体デバイスに比べて
同転磁界発生コイル。
バイアス磁界発生用永久研石ブロックおよびシールドケ
ースなど特有の構成部品が多いので、全体形状が大きく
な多重量も大きくなる。そこで半1接続による機械的強
度を得るために第4図に第2図のI−I’l1M面の拡
大図で示すようにプリント回路基板3上の配j「♀パッ
ド5の幅11とリードピン2の幅12とをほぼ同寸法に
して接続面積を大きくとると、第5図に示すような理想
とする半田ぬれによるフィレット7を形成できず、半田
接続の信頼性が得られない。
ースなど特有の構成部品が多いので、全体形状が大きく
な多重量も大きくなる。そこで半1接続による機械的強
度を得るために第4図に第2図のI−I’l1M面の拡
大図で示すようにプリント回路基板3上の配j「♀パッ
ド5の幅11とリードピン2の幅12とをほぼ同寸法に
して接続面積を大きくとると、第5図に示すような理想
とする半田ぬれによるフィレット7を形成できず、半田
接続の信頼性が得られない。
通常、デバイス1のリードピン2の配列ピ゛ン千は約1
/10インチもしくはそれ以下でアシ、シたがってパッ
ド5の幅11をさらに大きくすると、ノくラド5の相互
間に半田ブリッジを生じ電気的ショートの発生原因とな
る。また、リードピン20幅12をδらに小囁くすると
、リードピン2自体の機械的強度が小さくなる。
/10インチもしくはそれ以下でアシ、シたがってパッ
ド5の幅11をさらに大きくすると、ノくラド5の相互
間に半田ブリッジを生じ電気的ショートの発生原因とな
る。また、リードピン20幅12をδらに小囁くすると
、リードピン2自体の機械的強度が小さくなる。
以上説明したようにフラットリードデバイスの面付は半
田接続方法では、十分な半田フイレ゛ノド7が形成され
ず、好ましい接続の信頼性が得られなかった。
田接続方法では、十分な半田フイレ゛ノド7が形成され
ず、好ましい接続の信頼性が得られなかった。
したがって本発明は、前述した問題に鑑みて外てれたも
のであり、その目的とするところiJ:、 IJ−ドピ
ンの機械的強度を揶保し、好ましい半田接続信頼性を得
ることを可能にしたリードピン形状を有する磁気バブル
メモリデバイスを提供することにある。
のであり、その目的とするところiJ:、 IJ−ドピ
ンの機械的強度を揶保し、好ましい半田接続信頼性を得
ることを可能にしたリードピン形状を有する磁気バブル
メモリデバイスを提供することにある。
このよ・うな目的を達成するために本発明は、1ノード
ピンに切り欠き部を設けてプリント回路基板との面付け
の際に半田フィレットの形成を容易に可能にしたもので
ある。
ピンに切り欠き部を設けてプリント回路基板との面付け
の際に半田フィレットの形成を容易に可能にしたもので
ある。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳イ(11に説、明
する。
する。
第6図は本発明による磁気バブルメモリプツシイスの一
実施例を示す要部平面構成図であり、Qi、、;、lj
O図と同一部分または相当する部分には同一符号を付す
。同図において、デバイス1の各リードピンン2には、
図示しない配線バッド5(第4図、第5図参照)と半田
接続する部分に幅方向の両端側からリードピン2の幅A
sを局部的に小ぜくδせてピン幅A!a(/a(A?2
)を有する円弧状の切シ欠き部8が設けられている。つ
まり、リードピン2の半田接続する部分がリードピン幅
12に対して局部的にリード27幅78(/8<72)
を小さく場せた切シ欠き部8を設けたものである。
実施例を示す要部平面構成図であり、Qi、、;、lj
O図と同一部分または相当する部分には同一符号を付す
。同図において、デバイス1の各リードピンン2には、
図示しない配線バッド5(第4図、第5図参照)と半田
接続する部分に幅方向の両端側からリードピン2の幅A
sを局部的に小ぜくδせてピン幅A!a(/a(A?2
)を有する円弧状の切シ欠き部8が設けられている。つ
まり、リードピン2の半田接続する部分がリードピン幅
12に対して局部的にリード27幅78(/8<72)
を小さく場せた切シ欠き部8を設けたものである。
このような構成によれば、リードピン20半田接続部を
幅小としたことにより、第7図に第6図のu−n’断面
の拡大図で示すように配線バッド5のパッド幅llを変
えることなく、半田6による半田付けに対して半田フィ
レット7の形成が可能となるので、フラットリードタイ
プの磁気バブルメモリデバイスの好ましい半田接続の信
頼性が得られる。
幅小としたことにより、第7図に第6図のu−n’断面
の拡大図で示すように配線バッド5のパッド幅llを変
えることなく、半田6による半田付けに対して半田フィ
レット7の形成が可能となるので、フラットリードタイ
プの磁気バブルメモリデバイスの好ましい半田接続の信
頼性が得られる。
第8図は本発明による磁気バブルメモリデバイスの他の
実施例を示す要部乎面楢成図であり、前述の図と同一部
分または相当部分には同一符号を付す。同図において、
m155図と異なる点は、リードピン2の半田接続する
部分の一辺に切り欠き部8を設けたものである。
実施例を示す要部乎面楢成図であり、前述の図と同一部
分または相当部分には同一符号を付す。同図において、
m155図と異なる点は、リードピン2の半田接続する
部分の一辺に切り欠き部8を設けたものである。
この上/)なtti成にi;いでも半III付けに対し
て一方側に第゛7図に示すような半田フィレット7が形
成されるので前述と同様の効果が得られる。
て一方側に第゛7図に示すような半田フィレット7が形
成されるので前述と同様の効果が得られる。
以上説明したように本発明によるリードピン形状を有す
る磁気バブルメモリデバイスによれば、リードピンをプ
リント配線基板のスルポールに挿入することなく、機械
的強度を確保して信頼性の高い半田接続ができるため、
磁気バブルメモリデバイスの小形化、薄形化のデバイス
実装置1?C極kz〕で優れた効果が得られる。
る磁気バブルメモリデバイスによれば、リードピンをプ
リント配線基板のスルポールに挿入することなく、機械
的強度を確保して信頼性の高い半田接続ができるため、
磁気バブルメモリデバイスの小形化、薄形化のデバイス
実装置1?C極kz〕で優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の磁気バブルメモリデバイスをプリント回
路基板にスルホール実装した曹部断面図、第2図、第3
図および第4図は現在提案さJlているフラットリード
タイプの磁気バブルメモリデバイスをプリント回路基板
に面付は実装した要部平面図、その要部断面図および棺
2回の1−ビトj〒面拡大図、第5図は理想とする半田
フィレットの一例を示す要部拡大断面図、第6図、第7
図は本発明による磁気バブルメモリデバイスの一実施例
を示す要部平面図、そQH−H’断面砿大図、第8図は
本発明による磁気バブルメモリデバイスの他の実施例を
示す要部平面図でるる。 1#0・譬磁気バブルメモリデバイス(デバイス)、2
aam−リードピン、3・・・・プリント回路基板、4
−−・9スルホール、5・II拳e配腺パッド、6・・
・争半田、7・Φ・・半田フィレット、8・・・拳切り
欠き部。 第1図 @2図 第6図
路基板にスルホール実装した曹部断面図、第2図、第3
図および第4図は現在提案さJlているフラットリード
タイプの磁気バブルメモリデバイスをプリント回路基板
に面付は実装した要部平面図、その要部断面図および棺
2回の1−ビトj〒面拡大図、第5図は理想とする半田
フィレットの一例を示す要部拡大断面図、第6図、第7
図は本発明による磁気バブルメモリデバイスの一実施例
を示す要部平面図、そQH−H’断面砿大図、第8図は
本発明による磁気バブルメモリデバイスの他の実施例を
示す要部平面図でるる。 1#0・譬磁気バブルメモリデバイス(デバイス)、2
aam−リードピン、3・・・・プリント回路基板、4
−−・9スルホール、5・II拳e配腺パッド、6・・
・争半田、7・Φ・・半田フィレット、8・・・拳切り
欠き部。 第1図 @2図 第6図
Claims (1)
- 磁気バブルメモリチップを樹脂モールドし、該樹脂モー
ルド体の端部から水平方向に突出させたリードピンの半
田接続部分に、該ピン幅を狭小させる切シ欠き部を設け
たことを特徴とする磁気バブルメモリデバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58107661A JPS60686A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 磁気バブルメモリデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58107661A JPS60686A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 磁気バブルメモリデバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60686A true JPS60686A (ja) | 1985-01-05 |
Family
ID=14464809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58107661A Pending JPS60686A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 磁気バブルメモリデバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60686A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0360100A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-03-15 | Nec Corp | 表面実装用部品 |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP58107661A patent/JPS60686A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0360100A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-03-15 | Nec Corp | 表面実装用部品 |
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