JPS6066809A - 半導体装置製造用電気炉 - Google Patents
半導体装置製造用電気炉Info
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- JPS6066809A JPS6066809A JP17661483A JP17661483A JPS6066809A JP S6066809 A JPS6066809 A JP S6066809A JP 17661483 A JP17661483 A JP 17661483A JP 17661483 A JP17661483 A JP 17661483A JP S6066809 A JPS6066809 A JP S6066809A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 239000012494 Quartz wool Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000002595 Solanum tuberosum Nutrition 0.000 description 1
- 244000061456 Solanum tuberosum Species 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000013606 potato chips Nutrition 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は熱拡散、熱酸化、熱窒化、熱アニール等用の
電気炉に関する。
電気炉に関する。
この発明は、半導体基板を林立させる筒状空間を石英管
等により作り、この外側に空間を加熱する発；（’ｊ１
体を配置して、前記基板を加熱する装置であって、この
筒状空間を斜めに配設し、斜め上方端側より気体を導入
し、斜め下端側より排気する手段を有せしめた電気炉に
関する。
等により作り、この外側に空間を加熱する発；（’ｊ１
体を配置して、前記基板を加熱する装置であって、この
筒状空間を斜めに配設し、斜め上方端側より気体を導入
し、斜め下端側より排気する手段を有せしめた電気炉に
関する。
この発明は半導体基板を排気側より挿入し、加熱処理中
に基板を回転せしめ、均熱化せしめることを目的とする
。
に基板を回転せしめ、均熱化せしめることを目的とする
。
従来、半導体装置製造用電気炉は第１図に示すごとく、
横（水平）方向に基板を挿着させる筒状空間（１）を配
設したものである。
横（水平）方向に基板を挿着させる筒状空間（１）を配
設したものである。
図面において、ドーピング系（３０）は流量計（９）、
パルプ（１１）により例えば酸化における酸素（５）、
窒素（６）を供給源（４）を経由して石英製の筒状空間
（１）に供給する。さらにキャップ（８）をばずし、ホ
ルダ（２１）に林立する＆板（３）を挿入する。しかし
この石英キャンプ（８ンをとりばずし基板を挿入する時
および図面に示すごとき基板を取り出す際、即ち石英キ
ャンプ（８）を取り外すと、空間（１）内の気体は発熱
体（２）により５００〜１２００℃特に９００〜１２０
０°Ｃに加熱された高温であるため（１３）より上昇気
流が生し、排気される。そのため石英チューブ（２３）
の下側より低い温度（室温）の大気（１０）が混入して
しまう。この高温、低温気体の出入口での混合により、
基板にとってはこの室温の大気による冷却が下側半分で
起き、９００ ’Ｃ以上の加熱が上半分でおきる。
パルプ（１１）により例えば酸化における酸素（５）、
窒素（６）を供給源（４）を経由して石英製の筒状空間
（１）に供給する。さらにキャップ（８）をばずし、ホ
ルダ（２１）に林立する＆板（３）を挿入する。しかし
この石英キャンプ（８ンをとりばずし基板を挿入する時
および図面に示すごとき基板を取り出す際、即ち石英キ
ャンプ（８）を取り外すと、空間（１）内の気体は発熱
体（２）により５００〜１２００℃特に９００〜１２０
０°Ｃに加熱された高温であるため（１３）より上昇気
流が生し、排気される。そのため石英チューブ（２３）
の下側より低い温度（室温）の大気（１０）が混入して
しまう。この高温、低温気体の出入口での混合により、
基板にとってはこの室温の大気による冷却が下側半分で
起き、９００ ’Ｃ以上の加熱が上半分でおきる。
この大きな温度差により、基板はそり（ポテトチップと
いう）がおきてしまう。このそりは基板の大面積化、微
細加工化の際の大きな支障になっていた。
いう）がおきてしまう。このそりは基板の大面積化、微
細加工化の際の大きな支障になっていた。
さらにこの低温大気（１０）の混入により、空間の温度
分布が不均一になることは、基板が５インチより８〜１
０インチになり、空間（１）が大きくなると、大きなエ
ネルギ損失となってしまった。
分布が不均一になることは、基板が５インチより８〜１
０インチになり、空間（１）が大きくなると、大きなエ
ネルギ損失となってしまった。
本発明はかかる欠点を除去せしめたことを特長とする。
第２図は本発明の電気炉を示す。
図面において、筒状空間（１）は石英チューブ（２３）
により構成せしめ、基板（３）はホルダ（２１）にて固
定され、軸（２２）により駆動装置（１７）により５〜
３０回／分回転させた。発熱体（２）は上端部（１５）
を覆い、石英チューブ（２３）の上方の全てを包み、上
昇気温による熱エネルギの放散を防ぎ、省エネルギ化均
熱化を図った。
により構成せしめ、基板（３）はホルダ（２１）にて固
定され、軸（２２）により駆動装置（１７）により５〜
３０回／分回転させた。発熱体（２）は上端部（１５）
を覆い、石英チューブ（２３）の上方の全てを包み、上
昇気温による熱エネルギの放散を防ぎ、省エネルギ化均
熱化を図った。
この発熱体（２）、＜１５）の外側は真空断熱材（２０
）にて省エネルギ化を図った。ドーピング糸（３０）は
バルブ（１１）、流量計（９）を設け、必要な気体を（
５）、＜ ６ ）より導入した。石英ウール（Ｉ４）を
導入口（４）にて充填し、熱損失を防いだ。
）にて省エネルギ化を図った。ドーピング糸（３０）は
バルブ（１１）、流量計（９）を設け、必要な気体を（
５）、＜ ６ ）より導入した。石英ウール（Ｉ４）を
導入口（４）にて充填し、熱損失を防いだ。
かかる斜め方向にし、排気１コを下方向にしたため、基
板を空間に挿入、または取り出しのためキャンプ（８）
を図面のごとく取り外ず時、チューブ（２３）内の高温
気体は（１２）より下側の空間の量のみが（１３）より
放出され、従来例に示すごとく、全空間の高温気体が放
出されてしまうことを防ぐことができた。このため大気
である室温の気体は（１０）より混入しても（１２）よ
り下側の空間のみにしか入らず、チューブ内部の基板（
３）の表面に接することなく、ウェハをボテ１−チップ
にすることがなかった。
板を空間に挿入、または取り出しのためキャンプ（８）
を図面のごとく取り外ず時、チューブ（２３）内の高温
気体は（１２）より下側の空間の量のみが（１３）より
放出され、従来例に示すごとく、全空間の高温気体が放
出されてしまうことを防ぐことができた。このため大気
である室温の気体は（１０）より混入しても（１２）よ
り下側の空間のみにしか入らず、チューブ内部の基板（
３）の表面に接することなく、ウェハをボテ１−チップ
にすることがなかった。
このことは基板を少しずつ遅い速度で取り出す場合でも
長時間キャップをはずしておくこと力く可能となり、さ
らにポテトチップを防く゛こと力くできた。
長時間キャップをはずしておくこと力く可能となり、さ
らにポテトチップを防く゛こと力くできた。
このため、５〜１０インチと大口径化したシＩＪコン単
結晶つエノ＼（基板）でのミクロレベルのずれがなく
、Ｖｌ、Ｓ［にとって最適であった。
結晶つエノ＼（基板）でのミクロレベルのずれがなく
、Ｖｌ、Ｓ［にとって最適であった。
また、この筒状空間を垂直にすること番よ可Ｍｌである
が、しかしかかる構造にすると基板の出し入れのための
高さ方向の空間を大きく必要とし、天井を高くしなけれ
ばならない。
が、しかしかかる構造にすると基板の出し入れのための
高さ方向の空間を大きく必要とし、天井を高くしなけれ
ばならない。
このため、本発明のごとり１５〜６０° （図面でしょ
３０゛）に水平面より傾けた筒状空間が最も省エネルギ
構造を有し、かつウニ／’ｌにとってそりを姦秀発する
ことがなく、好ましいものであった。さらにこの′１ｈ
気炉を３〜４段積み重ねても、クリーンル−ムの天井を
特に４〜５ｍにまで高くすることを必要と−Ｕず、工業
］二最適であった。
３０゛）に水平面より傾けた筒状空間が最も省エネルギ
構造を有し、かつウニ／’ｌにとってそりを姦秀発する
ことがなく、好ましいものであった。さらにこの′１ｈ
気炉を３〜４段積み重ねても、クリーンル−ムの天井を
特に４〜５ｍにまで高くすることを必要と−Ｕず、工業
］二最適であった。
加えて、このウエノ＼を簡に添って回転させることによ
り、基板に加えられる温度の１句熱イヒな図ることがで
きる。この基板の回転は電気炉力く垂直または水平方式
ではウェハの軸面と気体の均熱面とが平行または垂直と
なってしまい、結果とし７てＪＪＩ＋熱気体のウェハに
よる混合をさせること力くできＪ゛、大きな効果を有さ
なかった。
り、基板に加えられる温度の１句熱イヒな図ることがで
きる。この基板の回転は電気炉力く垂直または水平方式
ではウェハの軸面と気体の均熱面とが平行または垂直と
なってしまい、結果とし７てＪＪＩ＋熱気体のウェハに
よる混合をさせること力くできＪ゛、大きな効果を有さ
なかった。
しかし本発明の斜め構造の電気炉において・均熱面は（
工２）に示すごとく水平であり、基板（３）は斜めであ
るため、このウエノ＼を回転させることにより気体の混
合が可能となる。
工２）に示すごとく水平であり、基板（３）は斜めであ
るため、このウエノ＼を回転させることにより気体の混
合が可能となる。
そのため、大口径化をしてもこのチューブ内に存在する
上昇気流による不均熱化を防ぐことができた。また、も
ちろん本発明におし１て発熱体（２）。
上昇気流による不均熱化を防ぐことができた。また、も
ちろん本発明におし１て発熱体（２）。
（１５）をさらに数プロ・ツクに分け、マイク１ノ・コ
ンピュータにて独立制御して均熱化を図るこｕｌよ有効
である。
ンピュータにて独立制御して均熱化を図るこｕｌよ有効
である。
以上の説明のごとく、本発明は半導体エレクトロニクス
における加熱炉において、省エネルギ化！化、均熱化、
さらに基板の出し入れの際のチューフ′内が冷却の防止
ができ、その工業上の効果器１人きし）。
における加熱炉において、省エネルギ化！化、均熱化、
さらに基板の出し入れの際のチューフ′内が冷却の防止
ができ、その工業上の効果器１人きし）。
第１図は従来の電気炉の概要を示す。
第２図は本発明の電気炉の概要を示す。
特許出願人
９
第１１コ
′口 １
ろ２（の
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板が挿着される筒状の空間を有し、該空間
を外側の発熱体より前記半導体基板を加熱する装置であ
って、前記筒状空間が斜めに配設され、斜め上端側より
気体を導入し、斜め下端側より排気する手段を存するこ
とを特徴とする半導体装置製造用電気炉。 ２、特許請求の範囲第１項において、半導体基板は排気
手段側より挿入し、加熱処理中は前記基板を回転せしめ
ることを特徴とする半導体装置製造用電気炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17661483A JPS6066809A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 半導体装置製造用電気炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17661483A JPS6066809A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 半導体装置製造用電気炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066809A true JPS6066809A (ja) | 1985-04-17 |
Family
ID=16016642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17661483A Pending JPS6066809A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 半導体装置製造用電気炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066809A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4327085Y1 (ja) * | 1966-09-30 | 1968-11-09 |
-
1983
- 1983-09-24 JP JP17661483A patent/JPS6066809A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4327085Y1 (ja) * | 1966-09-30 | 1968-11-09 |
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