JPS60610A - 多素子薄膜ヘツド - Google Patents
多素子薄膜ヘツドInfo
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- JPS60610A JPS60610A JP10698283A JP10698283A JPS60610A JP S60610 A JPS60610 A JP S60610A JP 10698283 A JP10698283 A JP 10698283A JP 10698283 A JP10698283 A JP 10698283A JP S60610 A JPS60610 A JP S60610A
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 31
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- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気、記録における多素子薄膜ヘッドに関する
ものである。
ものである。
一般に並列方向に多素子化を計った多素子薄膜ヘッドで
、基板に磁性体を用い、下部磁性体と基板を共通にした
構造について説明する。
、基板に磁性体を用い、下部磁性体と基板を共通にした
構造について説明する。
第１図は従来の多素子薄膜ヘッドの平面図で、第２図は
その電磁変換部の拡大平面図である。第３図紘詑２図の
Ａ−に線に沿って切断した断面図である。
その電磁変換部の拡大平面図である。第３図紘詑２図の
Ａ−に線に沿って切断した断面図である。
これらの図において磁性基板ｌの上にギャップ用の絶縁
層２、巻線用の導体層３、絶縁層４、上部磁性体層は、
磁性基板１と共通になっておシ、上部磁性層５とはその
端部、ずなわち絶縁層２を貫通させて設けた磁気結合部
５ａで結合されている。
層２、巻線用の導体層３、絶縁層４、上部磁性体層は、
磁性基板１と共通になっておシ、上部磁性層５とはその
端部、ずなわち絶縁層２を貫通させて設けた磁気結合部
５ａで結合されている。
また、導体層３ｉｉ磁性基板ｌ上に設けられた端子引き
出し線１０ａ＋ ＋ １０ｂ＋＋ １０ａｓ＋ １０ｂ
＊ −−−１０ａｎ、１０ｂｎで図示省略した外部回路
とワイヤーボンディング等の技術で接続される。
出し線１０ａ＋ ＋ １０ｂ＋＋ １０ａｓ＋ １０ｂ
＊ −−−１０ａｎ、１０ｂｎで図示省略した外部回路
とワイヤーボンディング等の技術で接続される。
このような従来の構造の多素子ｉ膜ヘッドでは、電磁変
換部の数だけ端子引き出し線１０ ａｎ・１０ ｂｎが
必要となる。また現在のワイヤーポンディングのバッド
ピッチの限界値唸、例えにアルミニウムワイヤーの超音
波ボンディングの場合には、少なくとも１３５ミクロン
は必要と思われる。この様な制約榮件によシ多素子薄膜
ヘッドの端子引き出し部の面積は、素子数が多くガれば
なる程大きく必要となる。従って電磁変換部の面積に比
べ占有率が上昇し、磁性基板１の面積上昇を招き、コス
ト的に高価となる欠点がある。また端子引き出しの経路
が電磁変換部に比べ格段に長いため、導体層３の抵抗値
の増加が、発熱量の増加となシ、信頼性上好ましくなか
った。
換部の数だけ端子引き出し線１０ ａｎ・１０ ｂｎが
必要となる。また現在のワイヤーポンディングのバッド
ピッチの限界値唸、例えにアルミニウムワイヤーの超音
波ボンディングの場合には、少なくとも１３５ミクロン
は必要と思われる。この様な制約榮件によシ多素子薄膜
ヘッドの端子引き出し部の面積は、素子数が多くガれば
なる程大きく必要となる。従って電磁変換部の面積に比
べ占有率が上昇し、磁性基板１の面積上昇を招き、コス
ト的に高価となる欠点がある。また端子引き出しの経路
が電磁変換部に比べ格段に長いため、導体層３の抵抗値
の増加が、発熱量の増加となシ、信頼性上好ましくなか
った。
本発明はかかる従来欠点を除去した多素子薄膜ヘッドを
提供するものである。
提供するものである。
本発明によれば、磁性基板上にギャップ用絶縁層を介し
、絶縁層で被服した１個以上の巻線導体層を形成し、か
つこの巻線導体層上に磁性体層および保護層を積層形成
した薄膜ヘッドを、複数個並列配置させた多素子薄膜ヘ
ッドにおいて、磁性基板とギャップ用絶縁層との間に共
通導体層を設け、かつこの共通導体層と上記各薄膜ヘッ
ドの巻線用導体層の一端が、互いに電気的に接続された
ことを特徴とする多素子薄膜磁気ヘッドが得られる。
、絶縁層で被服した１個以上の巻線導体層を形成し、か
つこの巻線導体層上に磁性体層および保護層を積層形成
した薄膜ヘッドを、複数個並列配置させた多素子薄膜ヘ
ッドにおいて、磁性基板とギャップ用絶縁層との間に共
通導体層を設け、かつこの共通導体層と上記各薄膜ヘッ
ドの巻線用導体層の一端が、互いに電気的に接続された
ことを特徴とする多素子薄膜磁気ヘッドが得られる。
以下に、本発明の一実施例を第４図、第５図、および第
６図を用いて説明する。
６図を用いて説明する。
第４図は本発明の一実施例である多素子薄膜ヘッドの平
面図であシ、第５図れ電磁変換部の拡大平面図、第６図
は第５図のＡ−Ａ’線に沿って切断した断面図である。
面図であシ、第５図れ電磁変換部の拡大平面図、第６図
は第５図のＡ−Ａ’線に沿って切断した断面図である。
第６図に示す如く磁性基板１の上に共通導体層８として
導電率と熱伝導率に優れた銅を１ミクロンの膜厚に一様
にスパッタリング手段で形成する。
導電率と熱伝導率に優れた銅を１ミクロンの膜厚に一様
にスパッタリング手段で形成する。
次に上部磁性体層５と下部磁性体層を兼用する磁性基板
１とを接続するために、共通導体層８の一部すなわち磁
気結合部５ａを設ける部分のみを、ホトリングラフイー
技術で除する。この共通導体層８上に磁気ギャップ２ａ
を形成するために、絶縁Ｎ２としてアルミナをスパッタ
リング手段で付着させ、形成する。次に上部磁性体層５
と磁性基板１とを接続するため絶縁層２の一部、すなわ
ち磁気結合部５ａの貫通孔と導体接地ギャップ部９の穴
部の部分だけホトリングラフイー技術て除する。次に仁
の上に巻線用の導体層３として銅をスパッタリング手段
によシ数ミクロンの膜厚に一様に形成した後、ホトリン
グラフイー技術を用いて所望の形状に形成する。この時
導体層３の一部、すなわち片側の端子引き出し線１１ｂ
ｎは、導体接続ギャップ部９で共通導体Ｍ８と電気的に
接続される。
１とを接続するために、共通導体層８の一部すなわち磁
気結合部５ａを設ける部分のみを、ホトリングラフイー
技術で除する。この共通導体層８上に磁気ギャップ２ａ
を形成するために、絶縁Ｎ２としてアルミナをスパッタ
リング手段で付着させ、形成する。次に上部磁性体層５
と磁性基板１とを接続するため絶縁層２の一部、すなわ
ち磁気結合部５ａの貫通孔と導体接地ギャップ部９の穴
部の部分だけホトリングラフイー技術て除する。次に仁
の上に巻線用の導体層３として銅をスパッタリング手段
によシ数ミクロンの膜厚に一様に形成した後、ホトリン
グラフイー技術を用いて所望の形状に形成する。この時
導体層３の一部、すなわち片側の端子引き出し線１１ｂ
ｎは、導体接続ギャップ部９で共通導体Ｍ８と電気的に
接続される。
次にこの上に絶縁層４として、ホトレジストをホトリン
グラフイー技術を用いて所定の形状に形成する。次に上
部磁性体層５として、パーマロイをスパッタリング手段
で数ミクロンの膜厚に積層し、ホトリングラフイー技術
で所定のトラック幅に形成する。この時、上部磁性体層
５は磁気結合部５ａで磁気的に磁性基板ｌと結合させる
。さらに保護膜６としてアルミナをスパッタリング手段
で数十ミクロン形成する。この様な薄膜ヘッド７を同一
磁性基板上にトラック幅方向に同時に多数配置して本発
明多素子薄膜ヘッドを形成する。
グラフイー技術を用いて所定の形状に形成する。次に上
部磁性体層５として、パーマロイをスパッタリング手段
で数ミクロンの膜厚に積層し、ホトリングラフイー技術
で所定のトラック幅に形成する。この時、上部磁性体層
５は磁気結合部５ａで磁気的に磁性基板ｌと結合させる
。さらに保護膜６としてアルミナをスパッタリング手段
で数十ミクロン形成する。この様な薄膜ヘッド７を同一
磁性基板上にトラック幅方向に同時に多数配置して本発
明多素子薄膜ヘッドを形成する。
以上本発明では共通導体層を設けることにょシ、次のよ
うな効果がある。
うな効果がある。
１）一対の端子引き出し線の片側を共通導体層として用
いるので、抵抗値を低減させ発ＰＡＪ４゛を減少するこ
とができる。
いるので、抵抗値を低減させ発ＰＡＪ４゛を減少するこ
とができる。
１１）共通導体層として熱伝導の良い導体を一様に設け
ることにより、導電部の熱放散性が向上するので電磁変
換部の温度上昇を押さえることができる。
ることにより、導電部の熱放散性が向上するので電磁変
換部の温度上昇を押さえることができる。
１１：）端子引き出し線の数が半減できるので、磁性基
板寸法を小さくでき経済的に利点がおる。
板寸法を小さくでき経済的に利点がおる。
なお本実施例では巻線用導体層として１ターンの構造を
例示したが、複数としても良いことは勿論である。また
トラック数は１２トラツクに限定されないことは言うま
でもない。
例示したが、複数としても良いことは勿論である。また
トラック数は１２トラツクに限定されないことは言うま
でもない。
磁性基板に導電率の高い磁性体の使用例を示しているが
、導電率の低い基板を使用した場合、磁性基板１上に石
英、アルミナ等の絶縁層を一様に形成し、共通導体層９
を磁性基板１から電気的に絶縁し使用しうる小は明らか
である。
、導電率の低い基板を使用した場合、磁性基板１上に石
英、アルミナ等の絶縁層を一様に形成し、共通導体層９
を磁性基板１から電気的に絶縁し使用しうる小は明らか
である。
第１図は従来の多素子薄膜ヘッドの平面図、第２図は第
１図の電磁変換部の拡大平面図、第３図紘第２図の線Ａ
−にの断面図である。第４図は本発明による実施例の平
面図、第５図祉第４図の電磁変換部の拡大図、第６図は
第４図の線Ａ−Ｎの断面図である。 １・・・・・・磁性基板、２・・・・・・絶縁層、２ａ
・・・・・・磁気ギャップ部、３・・・・・・導体層、
４・・・・・・絶縁層、５・・・・・・上部磁性体層、
５ａ・・・・・・磁気結合部、６・・・・・・保護膜、
７・・・・・・薄膜ヘッド、８・・・・・・共通導体層
、９・・・・・・導体接続ギャップ部、ＩＱａｎ、１Ｑ
ｂｎ・・・・・・端子第１図 ５ 第２図 １５フ
１図の電磁変換部の拡大平面図、第３図紘第２図の線Ａ
−にの断面図である。第４図は本発明による実施例の平
面図、第５図祉第４図の電磁変換部の拡大図、第６図は
第４図の線Ａ−Ｎの断面図である。 １・・・・・・磁性基板、２・・・・・・絶縁層、２ａ
・・・・・・磁気ギャップ部、３・・・・・・導体層、
４・・・・・・絶縁層、５・・・・・・上部磁性体層、
５ａ・・・・・・磁気結合部、６・・・・・・保護膜、
７・・・・・・薄膜ヘッド、８・・・・・・共通導体層
、９・・・・・・導体接続ギャップ部、ＩＱａｎ、１Ｑ
ｂｎ・・・・・・端子第１図 ５ 第２図 １５フ
Claims (1)
- 磁性基板上に、ギャップ用絶縁層を介し絶縁層で被服し
た１個以上の巻線導体層を形成し、かつ前記巻線導体層
上に磁性体層および保護層を積層形成した薄膜ヘッドを
、複数個並列配置させた多素子薄膜ヘッドにおいて、前
記磁性基板と前記ギヤツブ用絶り層との間に共通導体層
を設け、かつ前記共通導体層と前記各薄膜ヘッドの巻線
用導体層の一端を互いに電気的に接続させたことを特徴
とする多素子薄膜ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10698283A JPS60610A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 多素子薄膜ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10698283A JPS60610A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 多素子薄膜ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60610A true JPS60610A (ja) | 1985-01-05 |
| JPH0241802B2 JPH0241802B2 (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=14447467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10698283A Granted JPS60610A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 多素子薄膜ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60610A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6167272A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-07 | Matsushita Electronics Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
| US6316535B1 (en) | 1999-05-18 | 2001-11-13 | Armstrong World Industries, Inc. | Coating system and method of applying the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5156213A (en) * | 1974-11-12 | 1976-05-17 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Jikihetsudo |
| JPS57203217A (en) * | 1981-06-08 | 1982-12-13 | Alps Electric Co Ltd | Thin film magnetic head |
-
1983
- 1983-06-15 JP JP10698283A patent/JPS60610A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5156213A (en) * | 1974-11-12 | 1976-05-17 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Jikihetsudo |
| JPS57203217A (en) * | 1981-06-08 | 1982-12-13 | Alps Electric Co Ltd | Thin film magnetic head |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6167272A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-07 | Matsushita Electronics Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
| US6316535B1 (en) | 1999-05-18 | 2001-11-13 | Armstrong World Industries, Inc. | Coating system and method of applying the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0241802B2 (ja) | 1990-09-19 |
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