JPS60209910A - 多素子薄膜ヘツド - Google Patents
多素子薄膜ヘツドInfo
- Publication number
- JPS60209910A JPS60209910A JP6556384A JP6556384A JPS60209910A JP S60209910 A JPS60209910 A JP S60209910A JP 6556384 A JP6556384 A JP 6556384A JP 6556384 A JP6556384 A JP 6556384A JP S60209910 A JPS60209910 A JP S60209910A
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- JP
- Japan
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- layer
- magnetic
- thin film
- conductor layer
- conductor
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は磁気記録における多素子薄膜へ１ツドに関し、
とくにトラック幅方向に多素子化をＨ↑っだ多素子薄膜
ヘッドで、基板に磁性体を用い、下部磁性体と基板を共
通にし、％素子共通のバイアス電流用導体會有した構造
に関するものである。
とくにトラック幅方向に多素子化をＨ↑っだ多素子薄膜
ヘッドで、基板に磁性体を用い、下部磁性体と基板を共
通にし、％素子共通のバイアス電流用導体會有した構造
に関するものである。
（従米孜＊）
第１図は従来のバイアス電流用導体を有する多素子薄膜
ヘッドの斜視図で、第２図は第１図のＡＡ／線に沿って
切断した断面図である。
ヘッドの斜視図で、第２図は第１図のＡＡ／線に沿って
切断した断面図である。
これらの従来多素子薄膜ヘッドは図に示す如く、磁性基
板１の上に先ずギャップ用の絶縁層２ｆｔスパツタリン
グで一様に被着させる。次に絶縁層２上にトラック幅方
向の長辺にそって直線状にバイアス電流用導体層３と巻
線導体層４とを、蒸着。
板１の上に先ずギャップ用の絶縁層２ｆｔスパツタリン
グで一様に被着させる。次に絶縁層２上にトラック幅方
向の長辺にそって直線状にバイアス電流用導体層３と巻
線導体層４とを、蒸着。
スパッタリング、電着等の手段で付着させホトリソグラ
フィー技術で所望の形状に形成させる。さらにその上面
を榎う絶縁層５として、ホトレジスト、ポリイミド樹脂
、アルミナ、石英等を付層させ、ホトリソグラフィー技
術を用い所望の形状に形成させている。次に絶縁層５上
に上部磁性体層６として、パーマロイ、センダスト等を
蒸層、スパッタリング、電層等の手段で付層させ、ホト
リソグラフィー技術を用いて所望の形状に形成させた後
、最後に付層形成面の抹諌層７としてアルミナ、石英等
を蒸着、またはスパッタリングなどで付層させる。磁性
基板１は下部磁性体層と共通に用いて絶縁層２を貫通さ
せて設けた磁気結合部６ａで上部磁性体層６の端部と結
合されている。また巻線導体層４は磁性基板１上に設け
られた端子引き出し線４ａｉ、４ｂｉで図示省略した外
部回路とワイヤーボンディング等の技術で接続される。
フィー技術で所望の形状に形成させる。さらにその上面
を榎う絶縁層５として、ホトレジスト、ポリイミド樹脂
、アルミナ、石英等を付層させ、ホトリソグラフィー技
術を用い所望の形状に形成させている。次に絶縁層５上
に上部磁性体層６として、パーマロイ、センダスト等を
蒸層、スパッタリング、電層等の手段で付層させ、ホト
リソグラフィー技術を用いて所望の形状に形成させた後
、最後に付層形成面の抹諌層７としてアルミナ、石英等
を蒸着、またはスパッタリングなどで付層させる。磁性
基板１は下部磁性体層と共通に用いて絶縁層２を貫通さ
せて設けた磁気結合部６ａで上部磁性体層６の端部と結
合されている。また巻線導体層４は磁性基板１上に設け
られた端子引き出し線４ａｉ、４ｂｉで図示省略した外
部回路とワイヤーボンディング等の技術で接続される。
バイアス電流用導体層３０両端も図示省略した外部回路
とワイヤーボンディング等の技術で接続される。
とワイヤーボンディング等の技術で接続される。
このような従来構造の多素子薄膜磁気ヘッドは。
電磁変換部の数だけ端子引き出し線４ａｉ 、 ４ｂｔ
が必要となる。また現在のワイヤーボンディングのパッ
ドピッチの限界１直は、囲えばアルミニウムワイヤーの
超音波ボンディングの場合には、少なくとも１３５ミク
ロンは必要と思われる。このような制約条件によシ多素
子薄膜ヘッドの端子引き出し部の面積は、素子数が多く
なればなる根大きく必貴となる。従って、電磁変換部の
面積に比べ占有率が上昇し、磁性基板１０而槓上昇を招
き、コスト的に高価となる欠点がおる。ｌた端子引き出
しの経路が電磁に換部に比べ格段に長いため、巻線導体
層４の抵抗値の増加が、発熱量の増加となシ、信頼性上
好ましくなかった。
が必要となる。また現在のワイヤーボンディングのパッ
ドピッチの限界１直は、囲えばアルミニウムワイヤーの
超音波ボンディングの場合には、少なくとも１３５ミク
ロンは必要と思われる。このような制約条件によシ多素
子薄膜ヘッドの端子引き出し部の面積は、素子数が多く
なればなる根大きく必貴となる。従って、電磁変換部の
面積に比べ占有率が上昇し、磁性基板１０而槓上昇を招
き、コスト的に高価となる欠点がおる。ｌた端子引き出
しの経路が電磁に換部に比べ格段に長いため、巻線導体
層４の抵抗値の増加が、発熱量の増加となシ、信頼性上
好ましくなかった。
（発明の目的）
本発明の目的はかかる従来欠点を除去した多素子薄膜ヘ
ッドを提供するものである。
ッドを提供するものである。
（発明の構成）
本発明によれば、磁性基板上にギャップ用絶縁層を介し
、絶縁層で被覆しだ１個以上の巻線導体層及び１本以上
のバイアス電流用導体層を形成し、かつ上記巻線導体層
上に磁性体層および保護層を積層形成した薄膜ヘッドを
、複数個並列配置させた多素子薄膜ヘッドにおいて、上
記磁性基板と上記ギヤツブ用ＮＡ縁層との間に共通導体
層を設け。
、絶縁層で被覆しだ１個以上の巻線導体層及び１本以上
のバイアス電流用導体層を形成し、かつ上記巻線導体層
上に磁性体層および保護層を積層形成した薄膜ヘッドを
、複数個並列配置させた多素子薄膜ヘッドにおいて、上
記磁性基板と上記ギヤツブ用ＮＡ縁層との間に共通導体
層を設け。
かつ上記共通導体層と上記各薄膜ヘッドの巻線用導体層
の一端が、互いにｔ４Ａ的に接続され、さらに上記共通
導体層の一部を電気的に分離し、上記バイアス電流用導
体ｍｔ−上記各薄膜ヘッドに並列方向に配置するように
形成した多素子薄膜ヘッドが得られる。
の一端が、互いにｔ４Ａ的に接続され、さらに上記共通
導体層の一部を電気的に分離し、上記バイアス電流用導
体ｍｔ−上記各薄膜ヘッドに並列方向に配置するように
形成した多素子薄膜ヘッドが得られる。
以下１本発明の一実施例を第３図、第４図を用いて説明
する。
する。
（実施例）
第３図は本発明の一実施例でめる多素子薄膜ヘッドの斜
視図で６９、第４図は第３図のＡ−Ａ’に沿って切断し
た断面図である。
視図で６９、第４図は第３図のＡ−Ａ’に沿って切断し
た断面図である。
第４図に示す如く下部磁性体層ｆ：兼用する磁性基板１
の上に導電率と熱伝導率に優れた銅をバイアス電流用導
体層３及び共通導体層１０として１ミクロンの膜厚く一
様にスパッタリング手段で形成する。次に上部磁性体層
６と磁性基板１とを接続する磁気結合部６ａを設けるた
めの貫通孔と、共通導体層ｌＯの一部をバイアス電流用
導体層３として使用するための共通導体層１０の分離部
１２とを、ホトリソグラフィー技術で除去して設ける。
の上に導電率と熱伝導率に優れた銅をバイアス電流用導
体層３及び共通導体層１０として１ミクロンの膜厚く一
様にスパッタリング手段で形成する。次に上部磁性体層
６と磁性基板１とを接続する磁気結合部６ａを設けるた
めの貫通孔と、共通導体層ｌＯの一部をバイアス電流用
導体層３として使用するための共通導体層１０の分離部
１２とを、ホトリソグラフィー技術で除去して設ける。
この同一平面上に並列するバイアス電流用導体層３と、
共通導体層１０との上に磁気ギャップ部１９を形成する
ために、絶縁層２としてアルミナをスパッタリング手段
で付層させ、形成する。次に上部磁性体）＠６と磁性基
板１とを接続するため絶縁層２の一部、すなわち磁気結
合部６ａの貫通孔と導体接続部１１の穴の部分てけホト
リソグラフィー技術で除去する。仄にこの上に巻線導体
層４として銅をスパッタリング手段により数ミクロンの
膜厚に一様に形成した後、ホトリソグラフィー技術を用
いて所塞の形状に形成する。この時巻線用導体層４の一
方の端子引き出し［４ｂｉは、導体接続部１１で共通導
体層１０と電気的に接続される。
共通導体層１０との上に磁気ギャップ部１９を形成する
ために、絶縁層２としてアルミナをスパッタリング手段
で付層させ、形成する。次に上部磁性体）＠６と磁性基
板１とを接続するため絶縁層２の一部、すなわち磁気結
合部６ａの貫通孔と導体接続部１１の穴の部分てけホト
リソグラフィー技術で除去する。仄にこの上に巻線導体
層４として銅をスパッタリング手段により数ミクロンの
膜厚に一様に形成した後、ホトリソグラフィー技術を用
いて所塞の形状に形成する。この時巻線用導体層４の一
方の端子引き出し［４ｂｉは、導体接続部１１で共通導
体層１０と電気的に接続される。
次にこの上に絶縁層５として、ホトレジストをホトリソ
グラフィー技術を用いて所定の形状に形成する。次に上
部磁性体層６として、パーマロイをスパッタリング手段
で数ミクロンの膜厚に積層し、ホトリソグラフィー技術
で所定のトラック幅に形成する。この時、上部４１ａ性
体層６は磁気結合部６ａで磁気的に磁性基板１と結合さ
せる。さらに保護膜７としてアルミナをスパッタリング
手段で数十ミクロン形成する。この様な薄膜ヘッド１３
を同一磁性基板上にトラック幅方向に同時に多数配置し
て本発明多素子薄膜磁気ヘッドを形成する。
グラフィー技術を用いて所定の形状に形成する。次に上
部磁性体層６として、パーマロイをスパッタリング手段
で数ミクロンの膜厚に積層し、ホトリソグラフィー技術
で所定のトラック幅に形成する。この時、上部４１ａ性
体層６は磁気結合部６ａで磁気的に磁性基板１と結合さ
せる。さらに保護膜７としてアルミナをスパッタリング
手段で数十ミクロン形成する。この様な薄膜ヘッド１３
を同一磁性基板上にトラック幅方向に同時に多数配置し
て本発明多素子薄膜磁気ヘッドを形成する。
（発明の効果）
以上、本発明では共通導体層を設けることにより、次の
キうな効果かめる。
キうな効果かめる。
（１）一対の端子引き出し線の片側を共通導体ｌ−とし
て用いるので、抵抗値を低減させ発熱量ｔ−減少するこ
とができる。
て用いるので、抵抗値を低減させ発熱量ｔ−減少するこ
とができる。
（ＩＩ）共通導体層として熱伝導の良い導体を一様に設
けることによシ、導電部の熱放散性が同上するので、電
磁変換部の温度上昇を押さえることができる。
けることによシ、導電部の熱放散性が同上するので、電
磁変換部の温度上昇を押さえることができる。
（ｉｉ＋） 端子引き出し線の数が半減できるので、磁
性基板の寸法を小さくでき経済的に有利である。
性基板の寸法を小さくでき経済的に有利である。
ＧＶ） バイアス電流用導体層を共通導体Ｊ−と同時に
成形ができる。
成形ができる。
なお、本実施例では巻線用導体層として１ターンの構造
を、バイアス電流用導体を１本としたが、複数としても
良いことは勿論である。またトラック数は１２トラツク
に限定されないことはどうまでもない。
を、バイアス電流用導体を１本としたが、複数としても
良いことは勿論である。またトラック数は１２トラツク
に限定されないことはどうまでもない。
第１図は従来の多素子薄哄ヘッドの斜視図、第２図は第
１図の線Ａ−Ａ’の断面図でめる。第３図は本発明によ
る一笑歴例の斜視図、第４図は第３図の線Ａ−Ａ／の断
面図である。 １・・・・・・磁性基板、２・・・・・・ギャップ用絶
縁層、３・・・・・・バイアス電流用導体層、４・・・
・・・巻線導体層、４ａｉ、４ｂｉ・・・・・・端子引
き出し線、５・・・・・・ｉＩＡ縁層、６・・・・・・
上部磁性体層、５ａ・・・・・・磁気結合部、７・・・
・・・保護膜、１０・・・・・・共通導体層、１１・・
川・導体接続部、１２・・・・・・バイアス電流用導体
分離部、１３・・・・・・薄膜ヘッド、１９・・・・・
・磁気ギャップ部。 第２図 捲４閏
１図の線Ａ−Ａ’の断面図でめる。第３図は本発明によ
る一笑歴例の斜視図、第４図は第３図の線Ａ−Ａ／の断
面図である。 １・・・・・・磁性基板、２・・・・・・ギャップ用絶
縁層、３・・・・・・バイアス電流用導体層、４・・・
・・・巻線導体層、４ａｉ、４ｂｉ・・・・・・端子引
き出し線、５・・・・・・ｉＩＡ縁層、６・・・・・・
上部磁性体層、５ａ・・・・・・磁気結合部、７・・・
・・・保護膜、１０・・・・・・共通導体層、１１・・
川・導体接続部、１２・・・・・・バイアス電流用導体
分離部、１３・・・・・・薄膜ヘッド、１９・・・・・
・磁気ギャップ部。 第２図 捲４閏
Claims (1)
- 磁性基板上に、ギャップ用絶縁層を介し、絶縁層で被覆
した１個以上の巻線導体層及び１本以上のバイアス電流
用導体層を形成し、かつ上記巻線導体層上に磁性体層お
よび保護層を積層形成した薄膜ヘッドｉ、ａａ個並列配
置させた多素子薄膜ヘッドにおいて、上記磁性基板と上
記ギャップ用絶縁層との間に共通導体層を設け、かつ上
記共通導体層と上記各薄膜ヘッドの巻線用導体層の一端
が、互いに電気的に接続され、さらに上記共通導体層の
一部を電気的に分離し、上記バイアス電流用導体層を上
記各薄膜ヘッドに並列方間に配置するように形成した多
素子薄膜ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6556384A JPS60209910A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | 多素子薄膜ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6556384A JPS60209910A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | 多素子薄膜ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60209910A true JPS60209910A (ja) | 1985-10-22 |
Family
ID=13290602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6556384A Pending JPS60209910A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | 多素子薄膜ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60209910A (ja) |
-
1984
- 1984-04-02 JP JP6556384A patent/JPS60209910A/ja active Pending
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