JPH05243305A - 電子回路装置 - Google Patents

電子回路装置

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JPH05243305A
JPH05243305A JP4243577A JP24357792A JPH05243305A JP H05243305 A JPH05243305 A JP H05243305A JP 4243577 A JP4243577 A JP 4243577A JP 24357792 A JP24357792 A JP 24357792A JP H05243305 A JPH05243305 A JP H05243305A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】基体の所定の面積で、導線の最適なオーム抵抗
と低い電気的インダクタンスとが得られるように、且つ
基体表面を最適に活用して熱が放散されるように電子回
路装置を、特に高性能半導体回路を構成すること。 【構成】導体部分(22,26)は、少なくとも一つの
基体(14)の少なくとも一つの接触面(18)及び少
なくとも一つの半導体要素(16)、または少なくとも
一つの基体(14)の複数の接触面(18)を電気的に
接続させ、且つ外部接続部を有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、少なくとも一つの絶縁
性の基体と、少なくとも一つの金属性の導体部分とを有
し、絶縁性の基体が、その上に設けられる接触面と、該
接触面に設けられる半導体要素とを有し、金属性の導体
部分が、少なくとも一つの基体の基体面の外側に配置さ
れている電子回路装置、特に高性能半導体回路に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】この種の電子回路は公知であり、一つま
たは複数の基体上に、該基体上に接着されている異形の
接触面と、この接触面に設けられた小片状の半導体要素
とを用いて、接続導体が設けられている。接触導体は、
幾何学的に特定された態様で電子回路装置を外部の電流
接続部及び制御接続部に接続させる。基体上の接触面の
幾何学的形状は電子回路装置の幾何学的形状を表してお
り、半導体要素の表面と接触面の表面とは内部の導体
(例えばボンドワイヤー)により接続されている。この
場合、基体表面上での必要な電気的接続はすべて次のよ
うに構成されており、即ち一つの基体上に、外部への接
続のために常にただ一つの特定の接続用導電接触部が存
在するように構成されている。特にかなりの電流密度を
持った高性能半導体回路では、基体表面上において、導
体軌道のオーム抵抗に適合した軌道幅が必要であり、ま
た冷却目的のためにも用いられる基体上での発熱性半導
体要素の最適な熱分布を考慮していない導体構造部とし
ての接触面の幾何学的形状に制限がある。基体表面上で
導体構造部を例えば交差させることは不可能であるの
で、迂回が必要であるが、これは最適な構造とは言い難
い。
【0003】迂回により面積もかなり増大し、基体とこ
れに接続しているケースのコストが増大する。さらに、
基体表面上に配置されている導体部分は、例えば小さな
間隔で上下に配置されている導体部分よりも導電インダ
クタンスが高く、切り換え過程時に高い過電圧が生じ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、基体
の所定の面積で、導線の最適なオーム抵抗と低い電気的
インダクタンスとが得られ、且つ基体表面を最適に活用
して熱が放散されるように、例えば発熱性の半導体要素
を基体表面上に均一に分配させることにより熱が放散さ
れるように発熱性の半導体要素を配置することができる
ように電子的回路装置を、特に高性能半導体回路を構成
することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、導体部分が、少なくとも一つの基体の少な
くとも一つの接触面及び少なくとも一つの半導体要素、
または少なくとも一つの基体の複数の接触面を電気的に
接続させ、且つ外部接続部を有していることを特徴とす
るものである。
【0006】
【実施例】次に、本発明の実施例を添付の図面を用いて
説明する。
【0007】図1は、本発明の基本的な原理を図示した
ものである。電子回路装置10は、冷却板12を有して
いる。冷却板12は、冷却フィンを備えた冷却体として
構成することもできる。冷却板12には、公知の態様
で、電子的に絶縁された基体14が固定されている。電
子回路装置10は、半導体要素16と接触面18によっ
て形成される。この場合内側の接続導体20は、例えば
ボンドワイヤー(Bonddraete)として構成され、半導体要
素16と、基体14の表面に固持された接触面18とを
接続させている。
【0008】本発明によれば、電子回路装置10は、基
体14の外側に延びている他の接続導体22,26を有
している。これらの接続導体22,26の機能は以下の
とおりである。
【0009】a)分離して配置されている接触面18の
接続、または接触面18と半導体要素16の間の接続。
【0010】b)電子回路装置を制御回路等の回路に接
続させるため、外側の接続部24により、外部への接続
を可能にする。
【0011】接続導体22,26を基体14上方に配置
することにより、基体14の表面上での導線の案内が避
けられる。図示した実施例の電流経路の場合、基体14
の表面上で導線を案内すると、基体14上で導線が占め
る面積が増大する。本発明にしたがって接続導体22,
26を基体14上方に配置することにより、接続導体2
2,26の多層構造によって接続導体22,26を交差
させることができ、さらに、電流を案内している接触面
18にたいする接続導体22,26の間隔がわずかであ
ることにより、接続導体22,26のインダクタンスの
値が低くなる。また、接続導体22,26の強度を適当
に選定することにより、基体14上で制限的な層強度し
か得られない、接触面18の導体層の場合よりも、接続
導体22,26をコンパクトに構成することができる。
【0012】本発明による接続導体22,26は一体に
構成することができるが、多体に構成して接続させても
よい。
【0013】接続導体22,26と接触面18との接
続、または接続導体22,26と半導体要素16との接
続は、蝋付け、溶接、ボンドによる接続によって密に行
なうことができ、もしくは圧力接触によって引き離し可
能に行なうことができる。
【0014】接続導体22,26に適当な幾何学的形状
を付与することにより、基体14または冷却板12の各
外周位置における外側の接続部24の位置を、整流器回
路の構造的条件に応じて選択的に固定することができ
る。
【0015】図2に図示した電子回路装置が図1に図示
した構成と異なる点は、接続導体22,26の面が基体
14の接触面18の面にたいして一定の角度(例えば9
0°)を取っていること、接続導体22,26を互いに
近接させて案内でき、このことは特定の整流器回路では
非常にコンパクトな構成をもたらし、導体案内のインダ
クタンスを低くさせる。さらにこの実施例では、接続導
体22,26により複数の基体を請求の範囲に記載の構
成に基づいて接続させることができる。
【0016】次に、本発明の有利な構成を列記してお
く。
【0017】(1)接触面(18)または半導体要素
(16)と導体部分(22,26)との接続が、材料結
合性接触によって形成されることを特徴とする電子回路
装置。
【0018】(2)接触面(18)または半導体要素
(16)と導体部分(22,26)との接続が、切り離
し可能な接触によって形成されることを特徴とする電子
回路装置。
【0019】(3)少なくとも一つの導体部分(22,
26)が、主要な部分において、基体表面に平行に延び
ていることを特徴とする電子回路装置。
【0020】(4)導体部分(22,26)が、互いに
小さな間隔で延び、または少なくとも一つの基体(1
4)の接触面(18)にたいして小さな間隔を持って延
びていることを特徴とする電子回路装置。
【0021】(5)導体部分(22,26)が、互いに
電気的に分離され、または薄い絶縁体により接触面(1
8)にたいして電気的に分離されていることを特徴とす
る、上記第4項に記載の電子回路装置。
【0022】(6)導体部分(22,26)が、互いに
接続されている複数の導電性部分から成っていることを
特徴とする電子回路装置。
【0023】(7)導体部分(22,26)が、複数の
半導体要素(16)の同一の電極を接続させていること
を特徴とする電子回路装置。
【0024】
【発明の効果】本発明によれば、コンパクトで安価な構
成の電子回路装置が得られる。この構成は、所定の基面
上での高い電流密度を可能にし、接続導体をフレキシブ
ルに配置することにより、例えば整流器回路の構造的、
電気的条件に適合可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子回路装置の第1実施例の斜視図で
ある。
【図2】本発明の電子回路装置の第2実施例の一部分の
斜視図である。
【符号の説明】
10 電子回路装置 14 基体 22,26 導体部分
フロントページの続き (72)発明者 ハインリヒ ハイルブロンナー ドイツ連邦共和国 ヴェー・8504 シュタ イン ビルケンヴェーク 6 (72)発明者 ヴェルナー トゥルスキー ドイツ連邦共和国 ヴェー・8540 シュヴ ァーバッハ ゲオルク・クラフト・シュト ラーセ 7

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも一つの絶縁性の基体(14)
    と、少なくとも一つの金属性の導体部分(22,26)
    とを有し、絶縁性の基体(14)が、その上に設けられ
    る接触面(18)と、該接触面(18)に設けられる半
    導体要素(16)とを有し、金属性の導体部分(22,
    26)が、少なくとも一つの基体(14)の基体面の外
    側に配置されている電子回路装置において、 導体部分(22,26)が、少なくとも一つの基体(1
    4)の少なくとも一つの接触面(18)及び少なくとも
    一つの半導体要素(16)、または少なくとも一つの基
    体(14)の複数の接触面(18)を電気的に接続さ
    せ、且つ外部接続部を有していることを特徴とする電子
    回路装置。
JP24357792A 1991-09-11 1992-09-11 電子回路装置 Expired - Lifetime JP3164658B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

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DE4130160.9 1991-09-11
DE4130160A DE4130160A1 (de) 1991-09-11 1991-09-11 Elektronische schaltung

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JPH05243305A true JPH05243305A (ja) 1993-09-21
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19523822C2 (de) * 1994-06-30 2000-08-10 Mitsubishi Electric Corp Elektrische Servolenkungsschaltung
JP2003031765A (ja) * 2001-07-17 2003-01-31 Hitachi Ltd パワーモジュールおよびインバータ
JP2008098585A (ja) * 2006-10-16 2008-04-24 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
CN100397769C (zh) * 2000-08-01 2008-06-25 塞米克朗电子有限公司 小电感的电路结构

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5705848A (en) * 1995-11-24 1998-01-06 Asea Brown Boveri Ag Power semiconductor module having a plurality of submodules
DE19543920C2 (de) * 1995-11-24 2000-11-16 Eupec Gmbh & Co Kg Leistungshalbleiter-Modul
US5777849A (en) * 1996-02-06 1998-07-07 Asea Brown Boveri Ag Power semiconductor module having elongate plug contacts
DE10144324A1 (de) * 2001-09-10 2003-03-27 Delphi Tech Inc Elektrisches Modul
DE10157362B4 (de) * 2001-11-23 2006-11-16 Infineon Technologies Ag Leistungsmodul und Verfahren zu seiner Herstellung
GB2433354A (en) * 2005-12-14 2007-06-20 Goodrich Control Sys Ltd Electrical contact arrangement
DE102006004322A1 (de) * 2006-01-31 2007-08-16 Häusermann GmbH Leiterplatte mit zusätzlichen funktionalen Elementen sowie Herstellverfahren und Anwendung
DE102011008261A1 (de) * 2011-01-11 2012-07-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Schiene für die elektrische Kontaktierung eines elektrisch leitfähigen Substrates
DE102012201889A1 (de) * 2012-02-09 2012-10-04 Conti Temic Microelectronic Gmbh Elektrisches Leistungsmodul und Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines elektrischen Leistungsmoduls
JP6305302B2 (ja) 2014-10-02 2018-04-04 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
DE102015216083A1 (de) * 2015-08-24 2017-03-02 Siemens Aktiengesellschaft Modulanordnung zum induktivitätsarmen Betrieb eines Leistungshalbleitermoduls an einem Gleichspannungskreis
DE202018102765U1 (de) 2018-03-28 2018-06-12 DEHN + SÖHNE GmbH + Co. KG. Oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement mit mindestens zwei elektrischen Anschlusselementen

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2819327C2 (de) * 1978-05-03 1984-10-31 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Halbleiterbaueinheit
IT1212708B (it) * 1983-02-28 1989-11-30 Ates Componenti Elettron Dispositivo di potenza a semiconduttore costituito da una molteplicita' di elementi attivi uguali collegati in parallelo.
EP0138048B1 (en) * 1983-09-29 1993-12-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Press-packed semiconductor device
US4819042A (en) * 1983-10-31 1989-04-04 Kaufman Lance R Isolated package for multiple semiconductor power components
JPS60239051A (ja) * 1984-05-11 1985-11-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS6393126A (ja) * 1986-10-08 1988-04-23 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
DE3839383A1 (de) * 1988-11-22 1990-05-23 Semikron Elektronik Gmbh Verfahren zum herstellen einer halbleiterbaueinheit und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
JPH02222565A (ja) * 1989-02-23 1990-09-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
DE3937045A1 (de) * 1989-11-07 1991-05-08 Abb Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleitermodul
DE9017041U1 (ja) * 1990-12-18 1991-03-07 Akyuerek, Altan, Dipl.-Ing., 8560 Lauf, De

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19523822C2 (de) * 1994-06-30 2000-08-10 Mitsubishi Electric Corp Elektrische Servolenkungsschaltung
CN100397769C (zh) * 2000-08-01 2008-06-25 塞米克朗电子有限公司 小电感的电路结构
JP2003031765A (ja) * 2001-07-17 2003-01-31 Hitachi Ltd パワーモジュールおよびインバータ
JP2008098585A (ja) * 2006-10-16 2008-04-24 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法

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Publication number Publication date
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