JPS6058582B2 - 半導体素子のパツシベ−シヨン方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はポリイミドシリコーンレジンを用いた半導体素
子のパッシベーション方法に関するものである。

高耐圧大電流の半導体素子とくにサイリスタのパッシベ
ーション膜として、ガラス、シリコーン系レジン、ポリ
イミド、ポリアミドイミド、ポリヒダントインなどが用
いられてきた。

しかし、これらには、次に述べるごとき欠点があり、経
済的な工業生産に適さないものである。＊ 前記ワニス
として（ａ）有機酸二無水物と、 （ｂ）ジアミノシロキサ９５〜５モル％に対し、式（Ｉ
）で示す〕ＮＨ（Ｉ） ガラスは、ガラスや水分を通さないので最も安”定なパ
ッシベーション膜とされているが、５０〜１００μ几以
上厚くすると、半導体素子とガラスの膨張係数が異なる
のでクラックしやすく、薄くすると素子のエッジの部分
で放電がおこりやすくなる。

ところで、シリコーン系レジンには、シラノール基を有
するポリシロキサンを加熱して得られるタイプのもの（
Ｓ−Ｉ）と、脱アルコール反応をおこして縮合するタイ
プのもの（Ｓ−■）と、ビニル基とシランの付加重合に
よるタイプのもの（Ｓ−■）などがある。しカルながら
、５−１タイプにより得られる被膜は、リジッドであり
、ガラスと同様の問題点があり、また、５−■タイプに
は、本発明者等が先に考案したように、大変複雑な作業
工程を必要とし、更に、５−■タイプには、半導体素子
との接着性や、用いる硬化促進触媒（白金系）が電極な
どにふれて触媒としての活性を失い、硬化しにくいなど
の問題点がある。一方、ポリイミド、ポリアミドイミド
、ポリヒダントインには、耐熱性、可撓性があるが、半
導体素子との接着性がよくないこと、吸湿性が大きいこ
となどの問題点がある。これらの問題点のうちとくに半
導体素子との接着性を向上したポリイミドシリコーン共
重合体をパッシベーション膜として用いる発明（特開昭
５２−７２５７８号）がなされた。

この方法によれば雰囲気に対して安定なパッシベーショ
ン膜を得ることができる。ただし、この方法では、４５
Ｃ）０Ｃ±１０００Ｃの熱処理が必要であり、かつ素子
の表面の電荷密度の調整など、はなはだ繁雑な工程を必
要とする。とくに４５０℃の熱処理により、素子の諸特
性が劣化する問題がある。本発明の目的は、素子の電界
制御や電荷の調整のために必要とされている繁雑な高温
加熱処理を必要としないパッシベーション方法を提供す
ることにある。

本発明者らは、ポリアミド酸ポリシロキサン共重合体の
有機溶剤溶液を用いてパッシベーションした素子を不活
性ガス雰囲気中で４５０Ｃ±１００Ｃに加熱処理して素
子の電界の制限をする熱処理時に、揮散するガス成分中
に０．０１重量％の水分の含まれていることを確認した
。

本発明の半導体素子のパッシベーション方法は、半導体
素子のＰ−Ｎ接合部の露出面にポリイミドシリコーンレ
ジンのワニスを塗布し、かつ加熱処理することによりパ
ッシベーションを行なう方法において、ポリイミドシリ
コーンレジンとしてジアミノシロキサン、有機酸二無水
物および次式（１）（式中、Ｘは０．．Ｓ０２、ＣＨ２
、Ｃ（ＣＨ３）２またはＣＯである。

）で示される芳香族ジアミンとから合成されるポリイミ
ドシリコーンレジンを用い、これを再沈殿法により精製
した後、有機溶剤に溶かしてワニスをつくり、該ワニス
を前記Ｐ−Ｎ接合部の露出面に塗布し、かつ１００〜３
００℃に加熱処理して上記ポリイミドシリコーンレジン
の皮膜を形成することによりパッシベーションすること
を特徴とする。本発明において、ポリイミドシリコーン
レジンの原料であるジアミノシロキサンとは、下記構造
式（■）、（式中、ｎは３〜４、Ｒはメチル基またはフ
ェニル基である。

）で示されるものである。具体的には、などがある。

また、前記一般式（１）で示した芳香族ジアミンとして
は例えば、４・４″ジ（ｍ又はｐ−アミノフェノキシ）
ジフェニルエーテル、４●４′ジ（ｍ又はｐ−アミノフ
ェノキシ）ジフェニルメタン、４●４″ジ（ｍ又はｐ−
アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン、４●４″ジ（
ｍ又はｐ−アミノフェノキシ）ジフェニルプロパン、４
●４″−ジ（ｍ又はｐアミノフェノキシ）ベンゾフェノ
ン、などの少なくとも１種が用いられる。

前記ジアミノシロキサンと芳香族ジアミンの配合比は、
モル比で、前者９５〜５に対し、後者５〜９５の範囲が
適当である。

好ましくは、前者７０〜３０に対し、後者３０〜７０の
範囲である。なお、４・４″−ジアミノジフェニルメタ
ン、４●４′−ジアミノジフェニルサルファイド、４●
４″−ジアミノジフェニルスルホンあるいは４●４″−
ジアミノジフェニルエーテルなどの一般の芳”香族ジア
ミンを１０モル％を超えない範囲で併用してもよい。

有機酸二無水物としては例えばピロメリット酸二無水物
、３●３″・４・４″−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸：無水物あるいはジフェニルテトラカルボン酸二無水
物などが用いられる。

また、２●３●６・７−ナフタリンテトラカルボキシニ
無水物、１・２●５・６−ナフタリンテトラカルボキシ
２無水物などを併用することができるが、その量は１０
モル％を超えないことが望ましい。ジアミノシロキサン
と芳香族ジアミンの総量は有機酸無水物と当量前後（±
２〜３モル％）の配合比とするのが望ましい。次に、反
応に珀いる有機溶剤を示すと次のようなものである。

ｍ−クレゾール、トリクレゾール、スルホラン、メチル
スルホラン、を用いることができる。そのほかに、Ｎメ
チルー２−ピロリドン、Ｎ●Ｎジメチルホルムアミド、
ＮＩＮジメチルアセトアミドなどを併用することもでき
るが、２鍾量を越えないのが好ましい。そのほかに、ト
ルエン、キシレンを上記有機溶媒に対して１５〜３唾量
％の範囲で用いることが必要である。

これは、ポリイミドシロキサンを合成する際の水分を系
外に留出させる際に役立つ。また、芳香族性の溶剤を増
加するとシロキサン成分の多く含むポリマの溶解性を増
す傾向がある。ポリイミドシロキサンを合成するときの
ジアミン、ジシロキサン、酸無水物などの原料の濃度は
、１０〜３踵量％にするのがよく、特に１５〜２５重量
％が好ましい。反応は、とくに水分のない乾燥不活性ガ
ス気流下において８０〜１８０℃に加熱しておこなうも
ので、この際、反応により生じた水分を反応の系外に留
去することが必要である。加熱時間は、５〜１Ｃ＠間で
よく、反応温度が低いときには長時間を要す。

反応により得られたポリマは、未反応の原料を含むので
、精製する必要がある。

精製方法は、次に述べる方法によつてなされる。ポリイ
ミドシロキサンの有料溶剤溶液を加剰のアルカリ性不純
物イオンを含まないアセトンある一いはメチルエチルケ
トンなどの有機溶剤溶液に滴下して沈殿物を生成させる
。

この際使用される有機溶剤は、ポリマを沈殿させるもの
なら何を用いてもよい。滴下終了後、上澄液をデカンテ
ーシヨンしてすてる。次に、この沈殿物と新たなアセト
ンあるいはメチルエチルケトンなどの有機溶剤とをミキ
サに入れ３〜５分間攪拌し沈殿物を粉砕した。この粉末
を加熱乾燥して溶機溶剤を揮散させる。この際の加熱は
、乾燥しはじめの際は、溶剤が発火しない温度以下でお
こなう必要があり具体的には４０〜６０′Ｃが好ましい
。大半の溶剤が揮散したのちには、６０〜１５０℃の加
熱処理をすることができる。乾燥した粉末を、ｍ−クレ
ゾール、トリクレゾール、スルホラン、メチルスルホラ
ンなどの溶剤と、トルエン、キシレンなどの芳香族性の
溶剤の混合溶剤に溶解させて５〜２唾量％のポリイミド
シロキサンのワニス（有機溶剤溶液）を得る。このワニ
スは、ポリアミド酸−ポリアミド酸・シロキサンの有機
溶剤溶液に比較して、室温（２０〜３（代））での長期
保存安定性が長い。半導体素子のＰ−Ｎ接合部分にワニ
スを塗布したのち、乾燥した窒素を流しながら１３５〜
１５（代）で１５ないし３０分加熱し、さらに同じ雰囲
気中で１７５〜１９５℃で１５ないし６紛間加熱して溶
剤を揮散させる。

次に同一の雰囲気中で２２５〜２３０℃で４〜５時間加
熱する。この加熱のかわりに、１０−２〜１０−３Ｔ！
ＮＨｇの減圧下で熱処理することも可能であるがこの処
理をおこなう場合は１〜３時間でよい。最終的には、乾
燥した窒素中で２２５℃に１〜１紛加熱処理するのが好
ましい。この熱処理により素子とポリイミドシリコーン
との密着性がよくなる。このようにして厚さ１０〜１５
０μｍのパッシベーション膜を作成することができる。
この素子の逆リーク電流を測定する場合は、乾燥窒素中
でおこなうのがよい。低電圧でのリーク電流を測定する
ことは簡単にできるが、数ＫＶの高圧の測定では、放電
するので、その防止をするために２〜３顛の保護膜をコ
ートすることが必要である。放電防止用の膜としては、
通常半導体素子の保護コート材として用いられているシ
リコーン系ゴムが用いられる。好適なシリコーンゴムは
、付加型のものである。本発明を適用するのに最適な半
導体装置は、高耐圧一大電流サイリスタであるが、その
ほかのダイオード、トランジスタにも適用できることは
言うまでもない。

本発明の実施例で用いたサイリスタのジャンクション部
分の形状はシグマ形（Σ）をしているが、本発明の効果
は、その形状によらず、メサ型、ベベル型などのジャン
クションにも適用される。以下、本発明の実施例を示す
。

本発明の実施例では、原料、溶媒中には、ナトリウム、
カリウムなどの不純物イオンからＰ．ｐ．Ｍ．以下のも
のを用いた。

ただし、本発明によれば、ポリマを精製する際に、イオ
ン性不純物が除かれるので１０ｐｐｍ程度含まれていて
もさしつかえない。実施例１ ５スターラ、水分定量受器（脱水反応による水分量を計
るもの）、温度計および、乾燥窒素ガス流入管を取付た
５００ｃｃの四ロフラスコに、４●４−ジ（ｍ−アミノ
フェノキシ）ジフェニルエーテル１．９２ｙと次式のジ
アミノシロキサン２３．５ｆと３・３″●４・４−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物３２．２ｇと、ｍ
−クレゾール２７７ｙとトルエン４８．９ｙを入れたの
ち、乾燥窒素ガスを混合液の上面にふきつけながら、８
５℃に８時間加熱して脱水反応をおこなわせた。

反応終了後、反応液を室温に冷却させた。この反応液を
１′のアセトン中にゆつくりと滴下して沈殿（凝集物）
を得た。滴下終了後、上澄液をデカンテーシヨンしてす
てた。次に、この凝集物をミキサに入れ、２００ｃｃの
アセトンを新たに入れて３分間攪拌して凝集物を粉砕し
た。この粉末を、室温下で風乾して大半のアセトンを揮
散させたのちに、６０℃に２時間、さらに、１５０℃に
２時間加熱した。

加熱後、粉末を室温に冷却した。この粉末５′を、ｍ−
クレゾール８０ｙ１トルエン１５ｙの混合溶媒に溶解し
た。溶解に当り、室温ではｌ時間、８ＣｆＣの温度では
１時間を要した。以上のようにしてポリイミドレジンの
ワニ玄を調製した。一方、半導体素子は次の通り、準備
した。

Ｐ一Ｎ−Ｐ−Ｎ拡散層を有する直径４０Ｔ！Ｇｉｌ、厚
さ１顛のサイリスタの周囲をシグマ形に加工した。この
素子の耐圧は４０００ｋＶに設計されている。該素子の
断面を模式的に第１図に示す。第１図において、１は半
導体基体、２は電極、３は支持電極、ＪはＰ−Ｎ接合部
の露出面であり、４は後述の処理によつて施されたポリ
イミドシリコーンレジンからなるパッシベーション膜で
ある。上記素子のＰ−Ｎ接合部の露出面Ｊを弗酸系のエ
ッチング液でエッチングし、水洗後、アセトンで水切り
をしてから窒素中で乾燥した。次にこの半導体素子のＰ
−Ｎ接合部の露出面に前述のワニスを塗布し、乾燥した
窒素中で、１４０℃に３紛間、１８ＣｆＣで６紛間、坐
５℃に５時間、さらに、２５０′Ｃに５分間加熱処理を
行ない、平均膜厚６μｍのポリイミドシリコーン膜から
なるパッシベーション膜を形成した。

その後、放電防止のために付加型のシリコーンを前記パ
ッシベーション膜の上に塗布し、１５０℃に４時間加熱
して厚さ２ｍの保護膜を形成した。以上にして製作した
半導体素子のＶ−１特性を乾燥窒素中で測定した。

この結果を第２図の曲線１に示す。４００Ｖにおけるリ
ーク電流は０．４ｗ１，Ａであつた。

実施例２ ４●４″ジ（ｍ−アミノフェノキシ）ジフェニルメタン
１．９１ｆＩ，．Ｈ２Ｎ（Ｃ鴇＋−４Ｓｉ（Ｃ凡）２０
Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２＋−，ＮＨ２２４．８ｆｌ４
・４″−ジアミノジフェニルプロパン１．１３ｙ１３●
３″●４●４″−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物
２８ｆ１１●２●５●６−ナフタリンテトラカルボン酸
二無水物１．５４ｙ１トリクレゾール１８３ｆおよびト
ルエン４６ｙを混合し、１００Ｃに７時間加熱する以外
は、実施例１と同様の操作をおこない、ポリイミドシリ
コーンレジンを合成した。

このポリマ溶液を１ｅのメチルエチルケトン中にゆつく
りと滴下する以外は実施例１と同様の操作により粉末を
作成した。この粉末１０′をトリクレゾール７０′とト
ルエン２０ｆの混液に溶解してワニスを作成した。この
ワニスを実施例１で用いたと同様のサイリスタ素子のＰ
−Ｎ接合部の露出面に塗布し、実施例１と同様の操作を
おこないパッシベーション膜を形成した。膜厚は７μｍ
であつた。以下、実施例１と同様の操作をおこない、素
子の■−１特性を測定した。この結果、実施例１と同様
の特性を示した。。４０００Ｖでのリーク電流は０．１
ＴｒＬ，Ａであつた。

実施例３４●４″−ジ（ｍ−アミノフェノキシ）ジフェ
ニルスルホン４．３２ｙ，．Ｈ２Ｎ（ＣＨ２＞−，Ｓｉ
（Ｃ６Ｈ，）２０Ｓｉ（Ｃ６Ｈ５）２→ＣＨ２＞−，Ｎ
Ｈ２３９．７ｆｌ４・４″−ジアミノジフェニルメタン
１．９８′、３・３・４・４″ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物２２．５Ｖ１ピロメリット酸二無水物
４．３６ｆ１１・２●５●６−ナフタリンテトラカルボ
ン酸二無水物３．０８９、スルホラン１７０ｆおよびキ
シレン５７ｙを混合し、１２００Ｃに６時間加熱した以
外は、実施例１と同様の操作をおこない、ポリイミドシ
リコーンレジンを合成した。

次に、実施例１と同様の操作により、ポリイミドシリコ
ーンレジンの粉末を作成した。この粉末１５ｆを、スル
ホラン６５′キシレン２０ｙとに溶解させてワニスを作
成した。以下実施例１と同様の操作をおこなつた。得ら
れたサイリスタ素子の４０００Ｖのリーク電流は０．２
Ｔｒｔ，Ａであつた。実施例４４●４″ジ（ｍ−アミノ
フェノキシ）ジフェニルプロパン１２．３Ｖ．．Ｈ２Ｎ
−＋．ＣＨ２），Ｓｉ（Ｃ６Ｈ５）２０Ｓｉ（Ｃ６Ｈ５
）２（ＣＨ２）−４ＮＨ２３６．６ｆ１３・３″・４・
４″−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物３０．
５ｙ１２・３●６●７−ナフタリンテトラカルボン酸二
無水物１．５４ｙ１メチルスルホラン２２６ｙおよびキ
シレン９７１１を混合し、１５０℃に５時間加熱した以
外は、実施例１と同様の操作によりポリイミドシリコー
ンレジンを合成した。

次に、このポリマ溶液を１ｅのメチルエチルケトンに滴
下する以外は実施例１と同様の操作をおこない、粉末を
作成した．，この粉末１８ｆ１をメチルスルホラン５８
ｇとキシＶ，″２４ｙに溶解してワニスを作成した。以
下、実施例１と同様の操作をおこなつた。得られたサイ
リスタ素子のＶ−１特性を第２図の曲線２に示す。４０
００■でのリーク電流は０．０７ｍＡであつた。

実施例５ ４●４″ジー（ｍ−アミノフェノキシ）ベンゾフェノン
１３．５ｙ．．Ｈ２Ｎ−＋．ＣＨ２ト。

Ｓｉ（Ｃ凡）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２−＜ＣＨ２）＋３Ｎ
Ｈ２１４．８ｆ１４・４″−ジアミノジフェニルチオエ
ーテル０．６５Ｖ１３●３″●４●４−ジフェニルテト
ラカルボン酸二無水物２６．４ｙ１２●３●６・７−ナ
フタリンテトラカルボン酸二無水物３．１９、ｍ−クレ
ゾール１７５ｙ．．Ｎ−メチル２ピロリドン２３ｙおよ
びトルエン３５ｙを混合し、１８０℃に４時間加熱した
以外は実施例１と同一様の操作をおこないポリイミドシ
リコーンレジンを合成した。以下、粉末５′を溶解する
のに、ｍ−クレゾール７５ｆ．．Ｎ−メチルー２−ピロ
リドン１０Ｖおよびトルエン１０ｆとを用いた以外は実
施例１と同様の操作をおこなつた。得られたサイリス・
夕素子の４０００Ｖでのリーク電流は０．４７ＴＬＡで
あつた。実施例６ ４●４″ジ（ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニルエーテ
ル１６．８ｆ１１Ｈ２Ｎ−（．ＣＨ２）４Ｓｉ（ＣＨ３
）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２＋−４ＮＨ２１３．
８ｆ１４・４″ジアミノジフェニルスルホン１．４８ｆ
１３●３′●４●４−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物１６．１ｙ１ピロメリット酸二無水物４．３６
ｆＩ１トリクレゾール１１０ｙ．．Ｎ−Ｎジメチルアセ
トアミド１５．７ｙおよびキシレン３１ｙを混合し、９
ＣｆＣで８時間加熱した以外は、実施例１と同様の操作
をおこないポリイミドシリコーンレジンを合成した。

以下、粉末１０ｙを）トリクレゾール６０９、ＮＩＮジ
メチルアセトアミド１０ｆおよびキシレン２０ｆの混液
に溶解してワニスを作成した。このワニスを用い実施例
１と同様の操作をおこない、サイリスタ素子をパッシベ
ーションした。得られた素子の４０００■でのリーク電
・流は０．４７ＴＬＡであつた。実施例７ ４●４′ジー（ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニルメタ
ン１９．４ｆ，．ＮＨ２−＋．ＣＨ２）？ｉ（ＣＨ３）
２０Ｓｉ（ＣＨ，）−２ （ＣＨ２＋−３ＮＨ２１９．
８ｙ１４・４−ジアミノジフェニルエーテル１．８ｆと
、３●３″●４●４″一ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物３０．５ｙ１１●２●５●６−ナフタリンテ
トラカルボン酸二無水物１．５ｆ１１スルホラン２６．
８ｙ．．Ｎ●Ｎジメチルホルムアミド４１ｙおよびトル
エン１０３ｆを混合し、１００℃に７時間反応させて、
ポリイミドシリコーンレジンを合成した。

以下、実施例１に従つて粉末を作成した。この粉末１５
ｙをスルホラン６０ｙ，．ＮＩＮジメチルホルムアミド
５ｆおよび、トルエン２０ｙの混液に溶解させてワニス
を作成した。このワニスを用い、実施例１と同様の操作
をおこない、サイリスタ素子をパッシベーションした。
得られた素子の４０００■でのリーク電流は０．４７ｎ
Ａであつた。実施例８４●４′ジ（ｐ−アミノフェノキ
シ）ジフェニルスルホン３８．２ｆとＨ２Ｎ（ＣＨ２＋
．４Ｓｉ０（Ｃ６Ｈ５）２Ｓｉ（Ｃ６Ｈ５）２（ＣＨ２
＋−４ＮＨ２１５．７ｙと３・３″・４・４″一ジフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物２６．４Ｖと１●２●５
●６−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物３．０８ｙ
１メチルスルホラン２よＬおよびキシレン１０９ｆとを
混合して１２０℃に６時間加熱してポリイミドシリコー
ンを合成した。

以下実施例１に従つて粉末を作成した。この粉末１８Ｖ
をメチルスルホラン６０ｙおよびキシレン２０ｇ混合液
に溶解させてワニスを作成した。このワニスを用いて、
実施例１と同様の操作をおこない、サイリスタ素子をパ
ッシベーションした。４０００Ｖでのリーク電流は０．
５ＴｒＬＡであつた。

実施例９４●４″ジ（ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニ
ルプロパン３１．１ｙ．（５１（２Ｎ（Ｃ１（２）−３
Ｓｉ（ＣＨ３）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２＋３Ｎ
Ｈ２４．９６ｆ１４・４″ジアミノジフェニルプロパン
１ｙ１３●３″●４●４″−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物９．７ｙ１ピロメリット酸二無水物６．
５ｙ，．ｍ−クレゾール８０ｙ１Ｎ−メチルー２−ピロ
リドン３２ｙおよびトルエン４８ｙの混合物を１５０℃
に７時間加熱してポリイミドシリコーンを．合成した。

以下実施例１に従つて、粉末を作成した。この粉末５ｆ
１をｍ−クレゾール４０ｇとＮ−メチルー２−ピロリド
ン２０ｙおよびトルエン３０１１混合液に溶解させてワ
ニスを作成した。このワニスを用い、実施例１と同様の
操作をおこないサイリスタ素子をパッシベーションした
。

４０００■でのリーク電流は０．５ｍＡであつた。

実施例１０４●４″ジ（ｐ−アミノフェノキシ）ベンゾ
フェノン２９．８ｙとＨ２Ｎ（ＣＨ２＋４Ｓｉ（ＣＨ３
）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）４ＮＨ２２．７６ｙ
１４・４″ジアミノジフェニルメタン１．５８Ｖ１３●
３″●４●４″ジフェニルテトラカルボン酸二無水物２
０．７ｙ１２・３・６・７−ナフタリンテトラカルボン
酸二無水物１．５４′、トリクレゾール２０７ｙ．ｓＮ
−Ｎジメチルアセトアミド６４′およびキシレン４８ｙ
混合物を１８００Ｃに５時間加熱した以外は実施例１と
同様の操作をおこないポリイミド粉末を作成した。

この粉末１０９をトリクレゾール６０ｙ．．Ｎ−Ｎジメ
チルアセトアミド１５ｙおよびキシレン１５ｙ混合液に
溶解してワニスを作成した。以下実施例１と同様の操作
をおこない、サイリスタ素子をパッシベーションした。
４０００Ｖでのリーク電流は、０．５ｍ，Ａであつた。

実施例１１４●４″ジ（ｐ−アミノフェノキシ）ジフェ
ニルエーテル３６．１ｙ＜５Ｈ２Ｎ（ＣＨ２＞−３Ｓｉ
０（Ｃ６Ｈ５）２Ｓｉ（Ｃ６Ｈ５）２（ＣＨ２＞−３Ｎ
Ｈ２２４．８ｇ、３・３″・４・４゛−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物２９ｆＩ１２●３●６・７−
ナフタリンテトラカルボン酸二無水物３１′、スルホラ
ン２２３′、Ｎ−Ｎジメチルホルムアミド７４ｙ１およ
びトルエン７４ｙの混合物を８５℃に８時間加熱した以
外は実施例１と同様の操作をおこないポリイミドワニス
の粉末を作成した。

この粉末１５ｙをスルホラン５０ｙ＜５Ｎ−Ｎジメチル
アセトアミド１５ｙおよびトルエン１５ｙの混合液に溶
解してワニスを作成した。このワニスを用い、以下実施
例１に示した操作をおこない、サイリスタ素子をパッシ
ベーションした。４０００Ｖでのリーク電流は、０．５
ｍＡであつた。

比較例１〜１１ 実施例１〜１１において、合成したポリイミドシリコー
ンを溶媒による再沈澱処理を行なわずそのまま実施例１
で用いた半導体素子のパッシベーション膜として用い、
実施例１〜１１と同じ操作をおこなつた。

それぞれの比較例の番号は実施例の番号に対応しており
、４０００Ｖでのリーク電流は、表１に示すように１１
〜１５ｍ．Ａであつた。従来例１〜１１比較例１〜１１
において、さらに素子の表面状態を調整するために、水
分を体積で１％含む窒素を用い、４５ＣｆＣに３紛加熱
処理をおこなつた。

これらの素子の４０００Ｖでのリーク電流は、表１に示
すように２〜５ｍ，Ａであつた。従来例の番号はそれぞ
れ比較例の番号に対応する。以上のように、本発明は、
リーク電流が１桁少ない、すぐれたパッシベーション方
法であると言える。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体素子のＰ−Ｎ接合部の露出面にポリイミドシ
   リコーンレジンワニスを塗布し、かつ加熱処理するパッ
   シベーション方法において、▲数式、化学式、表等があ
   ります▼ （式中ＸはＯ、ＳＯ＿２、ＣＨ＿２、Ｃ（ＣＨ＿３）＿
   ２、ＣＯ＿２）芳香族ジアミン５〜９５モル％の混合物 を反応させて得たポリイミドシリコーンレジンを再沈澱
   法により精製し、有機溶剤に溶解したワニスを用い、１
   ００〜３００℃で加熱処理することを特徴とする半導体
   素子のパッシベーション方法。