JPS6055476B2 - 窯化珪素焼結体の金属化方法 - Google Patents
窯化珪素焼結体の金属化方法Info
- Publication number
- JPS6055476B2 JPS6055476B2 JP13593581A JP13593581A JPS6055476B2 JP S6055476 B2 JPS6055476 B2 JP S6055476B2 JP 13593581 A JP13593581 A JP 13593581A JP 13593581 A JP13593581 A JP 13593581A JP S6055476 B2 JPS6055476 B2 JP S6055476B2
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- JP
- Japan
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- silicon nitride
- sintered body
- metallizing
- weight
- sintered
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は窒化珪素焼結体表面に対し接合性良く且つガス
および真空気密な結合を形成する金属化方法に関する。
および真空気密な結合を形成する金属化方法に関する。
セラミックスの金属化方法には従来テレフンケン法、ソ
ルダガラス法、活性金属法等がある。これらの内テレフ
ンケン法はＭｏ又はＭｏ−Ｍｎに添加剤を加えた微粉末
を有機バインダーに混合してペースト状にしたものをセ
ラミックス表面に塗布し、加湿又は加湿フォーミングガ
ス（Ｏ／Ｎ２）中において１３００〜１７００℃の温度
で金属化する方法てあり、アルミナ質セラミックスに対
しては有効であるが、他の非酸化物セラミックスに対し
ては全く効果がないという欠点があつた。またソルダガ
ラス法はガラスおよび、その他酸化物をソルダとして用
い、このソルダをセラミックスと金属との間に入れ、加
熱処理して封着する方法であるが、ガラス自体の強度が
小さく、金属との接合性が悪い等の問題があつた。本発
明は上記に鑑みなされたもので、簡単な操作により窒化
珪素焼結体表面を金属化させる方法を提供するものであ
る。
ルダガラス法、活性金属法等がある。これらの内テレフ
ンケン法はＭｏ又はＭｏ−Ｍｎに添加剤を加えた微粉末
を有機バインダーに混合してペースト状にしたものをセ
ラミックス表面に塗布し、加湿又は加湿フォーミングガ
ス（Ｏ／Ｎ２）中において１３００〜１７００℃の温度
で金属化する方法てあり、アルミナ質セラミックスに対
しては有効であるが、他の非酸化物セラミックスに対し
ては全く効果がないという欠点があつた。またソルダガ
ラス法はガラスおよび、その他酸化物をソルダとして用
い、このソルダをセラミックスと金属との間に入れ、加
熱処理して封着する方法であるが、ガラス自体の強度が
小さく、金属との接合性が悪い等の問題があつた。本発
明は上記に鑑みなされたもので、簡単な操作により窒化
珪素焼結体表面を金属化させる方法を提供するものであ
る。
即ち窒化珪素焼結体表面にモリブデン酸（Ｈ、ＭｏＯ。
・ Ｈ２Ｏ）を主成分とし、フッ化ナトリウム、フッ化
カリウム及び水酸化カリウムより選ばれた一種もしくは
数種よりなる窒化珪素焼結体腐食物質を含む水及びエチ
レングリコール分散液を塗布した後、還元雰囲気中８０
０〜１３００℃で焼付けることを特徴とする窒化珪素焼
結体の金属化方法であつて、上記分散液の組成はモリブ
デン酸５０〜６種量％、セラミック腐食物質１〜２重量
％、エチレングリコール１５〜２這量％、水３４〜１這
量％である。本発明の望ましい実施例を採つて説明する
とモリブデン酸、フッ化ナトリウム、エチレングリコー
ルおよび水（重量比５９．６：１．５：１６．６：２２
．３）の混合物を磁製乳鉢中で混練して懸濁液となし、
該・懸濁液をホットプレス焼結窒化珪素板（窒化珪素含
有率８０％以上）に塗布した後空気乾燥し、加湿アーム
ガス（Ｈ２／Ｎ２）中１０４０゜Ｃで処理し、表面上の
非結合Ｍｏ粒子を柔かい布で拭き取る。
・ Ｈ２Ｏ）を主成分とし、フッ化ナトリウム、フッ化
カリウム及び水酸化カリウムより選ばれた一種もしくは
数種よりなる窒化珪素焼結体腐食物質を含む水及びエチ
レングリコール分散液を塗布した後、還元雰囲気中８０
０〜１３００℃で焼付けることを特徴とする窒化珪素焼
結体の金属化方法であつて、上記分散液の組成はモリブ
デン酸５０〜６種量％、セラミック腐食物質１〜２重量
％、エチレングリコール１５〜２這量％、水３４〜１這
量％である。本発明の望ましい実施例を採つて説明する
とモリブデン酸、フッ化ナトリウム、エチレングリコー
ルおよび水（重量比５９．６：１．５：１６．６：２２
．３）の混合物を磁製乳鉢中で混練して懸濁液となし、
該・懸濁液をホットプレス焼結窒化珪素板（窒化珪素含
有率８０％以上）に塗布した後空気乾燥し、加湿アーム
ガス（Ｈ２／Ｎ２）中１０４０゜Ｃで処理し、表面上の
非結合Ｍｏ粒子を柔かい布で拭き取る。
このようにして得られた表面を金属化された窒化珪素焼
；結体に電額Ｎｉメッキを施し、コバー製持具をろう付
けして接合強度を測定した結果３００に９／ｄであつた
。メタライズ焼付時に磁器表面層がＮａＦによりエッチ
ングされバルクが露出すると同時にそこにモリブデン酸
が還元分解されることによつて生じたＭＯ，ＭＯＯ２が
析出する。この時一郁のＭＯはＮａＦを介しで磁器表面
５３Ｎ４ど反応しＪＭＯＳｉ２を生成する。メタライズ
ペーストは過剰に塗布しているためメタライズ反応層の
上には多量の未反応ＭＯが析出しており、これを除けば
接合性の良好なＭＯ金属化面が得られる。分散液にモリ
ブデン酸と共に自されるフッ化ナトリウムはセラミック
腐食物質そあつて、窒化珪素焼結体ど金属化層の接合強
度養高める効果があり、フッ化カリウムあるいは水酸化
カリウムであつてもよい。また焼付け温度はＭＯＯ３が
効果的に還元される為に８００〜１３００℃、最適には
１０４０℃に維持されることが必要で１３００′Ｃを超
えると窒化珪素焼結体表面が酸化されてガラス質となり
、溶融ＭＯＯ３が該窒化珪素表面に一様に拡散せず均一
な金属化面が得られなくなる。上記のような条件で得ら
れた金属ＭＯ被覆窒化珪素板に電削Ｎｉメッキを施しコ
バー製持具をろう付けして接合論度を測定しだ結果は上
記の通り３００ｋ９／Ｃｆｌである。これは窒化珪素焼
結体表面に釜属ＭＯの微細粒子力休ＢＯ２，Ｍ６ｊ？−
介して高密度に結合されて胎り、そのオ嶺化層の結合は
強固なものとなつている。モリブデン酸は水には難溶桂
であり、ペースト化したとき懸濁液となり、窒化珪素焼
結体上に塗布した時にはじかれず、このことが均一な金
属ＭＯ面を構成するのに効果がある。ぢなみに水溶性の
モリブデン酸アンモニウム〔〆ＨＯ６ＭＯ７Ｏ２，・４
Ｈ２０〕を同様に窒化珪素焼結体上に塗布すると面上で
はじかれ、焼付け後も均二な釡罵化面が得られない。尚
、本尭明（ハ）金属Ｍ６が金嵐化された窒化珪素焼結体
のＸ線回折図形には金属ＭＯ，ＭＯＯ．，ＭＯＳｉ２の
ピークが観測されＭＯ−Ｓｉ間の反応が確認された。
；結体に電額Ｎｉメッキを施し、コバー製持具をろう付
けして接合強度を測定した結果３００に９／ｄであつた
。メタライズ焼付時に磁器表面層がＮａＦによりエッチ
ングされバルクが露出すると同時にそこにモリブデン酸
が還元分解されることによつて生じたＭＯ，ＭＯＯ２が
析出する。この時一郁のＭＯはＮａＦを介しで磁器表面
５３Ｎ４ど反応しＪＭＯＳｉ２を生成する。メタライズ
ペーストは過剰に塗布しているためメタライズ反応層の
上には多量の未反応ＭＯが析出しており、これを除けば
接合性の良好なＭＯ金属化面が得られる。分散液にモリ
ブデン酸と共に自されるフッ化ナトリウムはセラミック
腐食物質そあつて、窒化珪素焼結体ど金属化層の接合強
度養高める効果があり、フッ化カリウムあるいは水酸化
カリウムであつてもよい。また焼付け温度はＭＯＯ３が
効果的に還元される為に８００〜１３００℃、最適には
１０４０℃に維持されることが必要で１３００′Ｃを超
えると窒化珪素焼結体表面が酸化されてガラス質となり
、溶融ＭＯＯ３が該窒化珪素表面に一様に拡散せず均一
な金属化面が得られなくなる。上記のような条件で得ら
れた金属ＭＯ被覆窒化珪素板に電削Ｎｉメッキを施しコ
バー製持具をろう付けして接合論度を測定しだ結果は上
記の通り３００ｋ９／Ｃｆｌである。これは窒化珪素焼
結体表面に釜属ＭＯの微細粒子力休ＢＯ２，Ｍ６ｊ？−
介して高密度に結合されて胎り、そのオ嶺化層の結合は
強固なものとなつている。モリブデン酸は水には難溶桂
であり、ペースト化したとき懸濁液となり、窒化珪素焼
結体上に塗布した時にはじかれず、このことが均一な金
属ＭＯ面を構成するのに効果がある。ぢなみに水溶性の
モリブデン酸アンモニウム〔〆ＨＯ６ＭＯ７Ｏ２，・４
Ｈ２０〕を同様に窒化珪素焼結体上に塗布すると面上で
はじかれ、焼付け後も均二な釡罵化面が得られない。尚
、本尭明（ハ）金属Ｍ６が金嵐化された窒化珪素焼結体
のＸ線回折図形には金属ＭＯ，ＭＯＯ．，ＭＯＳｉ２の
ピークが観測されＭＯ−Ｓｉ間の反応が確認された。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 窒化珪素焼結体表面にモリブデン酸 （Ｈ＿２ＭｏＯ＿４・Ｈ＿２Ｏ）を主成分としてフッ化
ナトリウム、フッ化カリウム及び水酸化カリウムより選
ばれた一種もしくは数種よりなるセラミック腐食物質を
含む水及びエチレングリコール分散液を塗布した後還元
雰囲気中８００〜１３００℃で焼付けることを特徴とす
る窒化珪素焼結体の金属化方法。 ２ 上記分散液の組成はモリブデン酸５０〜６０重量％
、セラミック腐食物質１〜２重量％、エチレングリコー
ル１５〜２０重量％、水３４〜１８重量％である特許請
求の範囲第１項記載の金属化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13593581A JPS6055476B2 (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 窯化珪素焼結体の金属化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13593581A JPS6055476B2 (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 窯化珪素焼結体の金属化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5849677A JPS5849677A (ja) | 1983-03-23 |
| JPS6055476B2 true JPS6055476B2 (ja) | 1985-12-05 |
Family
ID=15163276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13593581A Expired JPS6055476B2 (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 窯化珪素焼結体の金属化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055476B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59203784A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-17 | 株式会社東芝 | 非酸化物系セラミックス焼結体のモリブデンシリサイド被膜の形成方法 |
| JPS6260585A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-17 | 三菱電機株式会社 | ミシンによる穴かがり方法 |
| JPS6443126U (ja) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP13593581A patent/JPS6055476B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5849677A (ja) | 1983-03-23 |
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