JPH01122984A - メタライズ処理した窒化アルミニウム焼結体 - Google Patents
メタライズ処理した窒化アルミニウム焼結体Info
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- JPH01122984A JPH01122984A JP27903087A JP27903087A JPH01122984A JP H01122984 A JPH01122984 A JP H01122984A JP 27903087 A JP27903087 A JP 27903087A JP 27903087 A JP27903087 A JP 27903087A JP H01122984 A JPH01122984 A JP H01122984A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
- C04B41/5183—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ＩＣ絶縁基板をはじめ多くの分野で注目され
ている窟化アルミニウム焼結体に関し、特に金属化面を
有する焼結体に関する。
ている窟化アルミニウム焼結体に関し、特に金属化面を
有する焼結体に関する。
［従来の技術Ｊ
窒化アルミニウム（ＡＩＮ）焼結体は熱伝導性が高く、
機械的強度も優れていることからＩＣ用絶縁基板をはじ
め多くの分野で注目されている。しかし、窒化アルミニ
ウム焼結体は金属との濡れ性が悪く、電力用トランジス
タをはじめ各種のＩＣ用基板等として用いているため表
面に金属層を積層しようとしても満足な接着強度が（り
られないという欠点があった。そこで、各種の方法でＡ
ＩＮ焼結体表面の金属化が試みられていが、まだ満足な
方法は提案されていない。
機械的強度も優れていることからＩＣ用絶縁基板をはじ
め多くの分野で注目されている。しかし、窒化アルミニ
ウム焼結体は金属との濡れ性が悪く、電力用トランジス
タをはじめ各種のＩＣ用基板等として用いているため表
面に金属層を積層しようとしても満足な接着強度が（り
られないという欠点があった。そこで、各種の方法でＡ
ＩＮ焼結体表面の金属化が試みられていが、まだ満足な
方法は提案されていない。
他方、醸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３＞焼結体の金属化
技術として、タングステン又はタングステン−マンガン
のペーストを焼結体表面に塗布し、加湿水素又は加湿〕
ｔ−ミングガス中において１３００℃〜１７００℃の温
度で焼成するテレフンケン法が知られている。
技術として、タングステン又はタングステン−マンガン
のペーストを焼結体表面に塗布し、加湿水素又は加湿〕
ｔ−ミングガス中において１３００℃〜１７００℃の温
度で焼成するテレフンケン法が知られている。
この方法の特徴は加湿雰囲気中においてＡｌ２Ｏを焼結
体中のガラス相が軟化する温度で焼成する点にあり、こ
の焼成によりＷ及びＭｎの表面が酸化されてＷ又はＷ−
Ｍｎペーストの焼結を促進するだけでなく、これらの酸
化物が焼結体のガラス相に溶は込んでガラスの流動性を
良くし、ガラス相は多孔質のＷ又はＷ−Ｍｎ金属化層に
移動する。更に、焼成により生成した酸化物、特にＭｎ
Ｏは焼結体中のＡｌ２Ｏ３及び５ｉ０２と反応して Ｍ
ｎ０−Ａｌ２Ｏ３及びＭｎＯ・ＳｉＯ２を、同じくＷは
一部Ｗが酸化され、酸化タングステンとアルミナが強固
に反応する。
体中のガラス相が軟化する温度で焼成する点にあり、こ
の焼成によりＷ及びＭｎの表面が酸化されてＷ又はＷ−
Ｍｎペーストの焼結を促進するだけでなく、これらの酸
化物が焼結体のガラス相に溶は込んでガラスの流動性を
良くし、ガラス相は多孔質のＷ又はＷ−Ｍｎ金属化層に
移動する。更に、焼成により生成した酸化物、特にＭｎ
Ｏは焼結体中のＡｌ２Ｏ３及び５ｉ０２と反応して Ｍ
ｎ０−Ａｌ２Ｏ３及びＭｎＯ・ＳｉＯ２を、同じくＷは
一部Ｗが酸化され、酸化タングステンとアルミナが強固
に反応する。
このようにしてＷ又はＷ−Ｍｎの金属化層はＡｌ２Ｏ３
焼結体と機械的及び化学的結合により強固に接着され、
その接着強度は 約４〜７ｋｇ／ｍｍ ２程度になる。
焼結体と機械的及び化学的結合により強固に接着され、
その接着強度は 約４〜７ｋｇ／ｍｍ ２程度になる。
かかるテレフンケン法によりＡＩＮ焼結体のメタライズ
を試みても、■ＡＩＮ焼結体中にはＡｌ２Ｏ３焼結体の
ように約１０００〜１５００’Ｃの低温で軟化するガラ
ス相等が存在しないこと、■ＡＩＮとＷ、Ｍｒｌ及びこ
れらの酸化物とは反応性に乏しいこと等の理由により、
得られるＷ又はＷ−Ｍｎの金属化層は接着強度が小さく
気密性も極めて悪かった。
を試みても、■ＡＩＮ焼結体中にはＡｌ２Ｏ３焼結体の
ように約１０００〜１５００’Ｃの低温で軟化するガラ
ス相等が存在しないこと、■ＡＩＮとＷ、Ｍｒｌ及びこ
れらの酸化物とは反応性に乏しいこと等の理由により、
得られるＷ又はＷ−Ｍｎの金属化層は接着強度が小さく
気密性も極めて悪かった。
ＡＩＮ焼結体をＩＣ用基板等として用いる場合、金属化
層の接着強度が小さいと製造工程の熱サイクルで剥離し
やすく、また金属化層の気密性が悪いと強度が劣るだけ
でなく満足な封止性が得られない等の問題がおる。
層の接着強度が小さいと製造工程の熱サイクルで剥離し
やすく、また金属化層の気密性が悪いと強度が劣るだけ
でなく満足な封止性が得られない等の問題がおる。
［発明が解決しようとする問題点コ
本発明は、上記事情に鑑み、△ＩＮ焼結体の表面に強固
に接着しかつ気密性の高いメタライズ面を有するＡＩＮ
焼結体を提供することを目的とする。
に接着しかつ気密性の高いメタライズ面を有するＡＩＮ
焼結体を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明はメタライズ層を有する窒化アルミニウム焼結体
において、該メタライズ層に窒化アルミニウム焼結体の
粒界組成物と同等の組成物が含有されていることを特徴
とするメタライズ処理した窒化アルミニウム焼結体であ
る。
において、該メタライズ層に窒化アルミニウム焼結体の
粒界組成物と同等の組成物が含有されていることを特徴
とするメタライズ処理した窒化アルミニウム焼結体であ
る。
本発明において、高融点金属のＷ、ＭｏおよびＭｎの１
種以上の金属又は合金属とＡＩＮ焼結体を強固に密着す
るためには、ＡＩＮ焼結体の粒界組成物として公知であ
る希土類酸化物とＡｌ２Ｏ３からなる化合物もしくは／
かつアルカリ土類金属酸化物とＡｌ２Ｏ３からなる化合
物をメタライズ層に介在させることによって目的は達せ
られる。すなわち、粒界組成物は、ＡＩＮ焼結体中では
、ＡＩＮ結晶同志を併合せしめるバインダー層として作
用し、それらの組成物は、当然ＡＩＮ焼結体表面を良好
に濡らし、またＡＩＮ粒界層と反応、拡散することによ
って強固に密着せしめる。しかも高融点金属は、酸化物
との濡れ性が良く、組成物との濡れ性は極めて良好であ
ることを確認している。特にＣａ０−Ａｌ２Ｏ３成分の
場合は、Ｗ金属とＣａＯが一部固溶することが知られて
おり、ざらに効果があるものと期待される。これらを介
在せしめる方法はどのような方法でも良く、予め組成物
もしくはメタライズ焼成後組成物とならしめるような化
学種を高融点金属ペースｉ〜に添加して焼成せしめる方
法が特に有効である。
種以上の金属又は合金属とＡＩＮ焼結体を強固に密着す
るためには、ＡＩＮ焼結体の粒界組成物として公知であ
る希土類酸化物とＡｌ２Ｏ３からなる化合物もしくは／
かつアルカリ土類金属酸化物とＡｌ２Ｏ３からなる化合
物をメタライズ層に介在させることによって目的は達せ
られる。すなわち、粒界組成物は、ＡＩＮ焼結体中では
、ＡＩＮ結晶同志を併合せしめるバインダー層として作
用し、それらの組成物は、当然ＡＩＮ焼結体表面を良好
に濡らし、またＡＩＮ粒界層と反応、拡散することによ
って強固に密着せしめる。しかも高融点金属は、酸化物
との濡れ性が良く、組成物との濡れ性は極めて良好であ
ることを確認している。特にＣａ０−Ａｌ２Ｏ３成分の
場合は、Ｗ金属とＣａＯが一部固溶することが知られて
おり、ざらに効果があるものと期待される。これらを介
在せしめる方法はどのような方法でも良く、予め組成物
もしくはメタライズ焼成後組成物とならしめるような化
学種を高融点金属ペースｉ〜に添加して焼成せしめる方
法が特に有効である。
また、ＡＩＮ焼結体の粒界組成物を構成している化学種
と、メタライズに介在せしめる組成物を構成している化
学種が、必ずしも同一のものに制限されることはない。
と、メタライズに介在せしめる組成物を構成している化
学種が、必ずしも同一のものに制限されることはない。
つまり公知の組成物がメタライズ層に介在すれば、母材
の粒界組成物が異なっても、作用に変わりはない。例え
ば粒界層がＹ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系の化合物であるＡＩ
Ｎ焼結体表面にＣａ０−Ａｌ２Ｏ３系の化合物層を介在
したメタライズ層でも良い。
の粒界組成物が異なっても、作用に変わりはない。例え
ば粒界層がＹ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系の化合物であるＡＩ
Ｎ焼結体表面にＣａ０−Ａｌ２Ｏ３系の化合物層を介在
したメタライズ層でも良い。
このようにして得られたメタライズ処理したＡＩＮ焼結
体のメタライズ表面にＮｉメツキを施した後の、メタラ
イズ強度は、引張強度で５ｋｇ／ｍｍ’以上でＡＩＮ内
部で破壊していた。また気密性はＨｃリーク法で１０＋
４ ａｔｍｃｃ／Ｓｅｅ以下と極めて良好でめった。
体のメタライズ表面にＮｉメツキを施した後の、メタラ
イズ強度は、引張強度で５ｋｇ／ｍｍ’以上でＡＩＮ内
部で破壊していた。また気密性はＨｃリーク法で１０＋
４ ａｔｍｃｃ／Ｓｅｅ以下と極めて良好でめった。
［実施例］
゛実施例１
ＣａＯもしくはＳｒＯとＡｌｚＯｘの混合物あるいはＹ
２Ｏ３、Ｇｄ２ｏ３ もシクハＣｌＯ２とＡｌ２Ｏ３と
の混合物を、Ｗ、ＭｏｌＷ−Ｍｎ、Ｍｏ−Ｍｎペースト
にそれぞれ添加混練し、スクリーン印刷法で粒界組成物
がＣａ０−Ａｌ２Ｏ３系、Ｙ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系、
Ｑｄ２Ｑ３−Ａｌ２Ｏ３系、 Ｃｅ０３−Ａｌ２Ｏ３系
、Ｃａｏ−Ｙ２０ｚ −Ａ Ｉ ２０３系、Ｃａｏ−Ｇ
ｄ２０３−Ａｌ２Ｏ３系、Ｃａｏ−Ｃｅ０２−ＡＩ ２
０：ｌ系のそれぞれのＡＩＮ焼結体表面に塗布した後、
１４５０〜１９５０℃で焼成した。焼成したメタライズ
表面をＮｉメツキ２ 厚ざで処理した後、１）ｄ−３ｎ
ハンダメツキした鉄線とハンダ付して引゛張強度を測定
した。
２Ｏ３、Ｇｄ２ｏ３ もシクハＣｌＯ２とＡｌ２Ｏ３と
の混合物を、Ｗ、ＭｏｌＷ−Ｍｎ、Ｍｏ−Ｍｎペースト
にそれぞれ添加混練し、スクリーン印刷法で粒界組成物
がＣａ０−Ａｌ２Ｏ３系、Ｙ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系、
Ｑｄ２Ｑ３−Ａｌ２Ｏ３系、 Ｃｅ０３−Ａｌ２Ｏ３系
、Ｃａｏ−Ｙ２０ｚ −Ａ Ｉ ２０３系、Ｃａｏ−Ｇ
ｄ２０３−Ａｌ２Ｏ３系、Ｃａｏ−Ｃｅ０２−ＡＩ ２
０：ｌ系のそれぞれのＡＩＮ焼結体表面に塗布した後、
１４５０〜１９５０℃で焼成した。焼成したメタライズ
表面をＮｉメツキ２ 厚ざで処理した後、１）ｄ−３ｎ
ハンダメツキした鉄線とハンダ付して引゛張強度を測定
した。
引張強度ハ５．１ｋｇ／ｍｍ ’以上あり、ＡＩＮ母材
の内部から破壊していたため、メタライズ強度は充分実
用性に絶える高い値であった。気密性は〜１０４１８１
ｍＣＣ／ＳｅＣ以下と良好であった。
の内部から破壊していたため、メタライズ強度は充分実
用性に絶える高い値であった。気密性は〜１０４１８１
ｍＣＣ／ＳｅＣ以下と良好であった。
（Ｈｃリーク法）
比較例
市販のＷ、Ｍｏ、Ｗ−Ｍｎ、Ｍｏ−Ｍｎペースト（主成
分は５ｉＯｚ）を用いて上記の如くメタライズ強度を評
価したところ、せいぜい１〜２ｋＱ／ｍｍ２ Ｌ／か得
られず、実用性には耐えられなかった。
分は５ｉＯｚ）を用いて上記の如くメタライズ強度を評
価したところ、せいぜい１〜２ｋＱ／ｍｍ２ Ｌ／か得
られず、実用性には耐えられなかった。
実施例２
実施例１のペーストをＣａＯ１Ｙ２０３、Ｇｄ２０ｘ、
ＣｅＯ２、Ｃａ０−Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ−Ｇｄ２Ｏ３また
はｃａｏ−ＣｅＯｚ系の焼結助剤を含有したＡＩＮグリ
ーンシート表面に、スクリーン印刷法で塗布した後、１
７００〜２１００℃で同時焼成を行った。実施例１と同
様にメタライズ強度を評価したところ５．８ｋｇ／ｍｍ
２と十分高く、気密性も〜１Ｏ−ＩＩ ａｔｍＣＣ／
Ｓｅｃ以下と良好であった。
ＣｅＯ２、Ｃａ０−Ｙ２Ｏ３、ＣａＯ−Ｇｄ２Ｏ３また
はｃａｏ−ＣｅＯｚ系の焼結助剤を含有したＡＩＮグリ
ーンシート表面に、スクリーン印刷法で塗布した後、１
７００〜２１００℃で同時焼成を行った。実施例１と同
様にメタライズ強度を評価したところ５．８ｋｇ／ｍｍ
２と十分高く、気密性も〜１Ｏ−ＩＩ ａｔｍＣＣ／
Ｓｅｃ以下と良好であった。
［発明の効果］
本発明によれば、メタライズ層に、ＡＩＮ焼結体の粒界
組成物と同等の組成物を含有せしめることで、ＡＩＮ焼
結体と強固に接着した気密性の高いメタライズ面を得る
ことができた。
組成物と同等の組成物を含有せしめることで、ＡＩＮ焼
結体と強固に接着した気密性の高いメタライズ面を得る
ことができた。
特許出願人 住友電気工業株式会社
代理人 弁理士 小 松 秀 岳
代理人 弁理士 旭 宏
代理人 弁理士 加 々 美紀雄
Claims (3)
- （１）メタライズ層を有する窒化アルミニウム焼結体に
おいて、該メタライズ層に窒化アルミニウム焼結体の粒
界組成物と同等の組成物が含有されていることを特徴と
するメタライズ処理した窒化アルミニウム焼結体。 - （２）メタライズ層の主たる金属成分はＷ、Ｍｏおよび
Ｍｎの１種以上である特許請求の範囲第（１）項記載の
メタライズ処理した窒化アルミニウム焼結体。 - （３）組成物が希土類酸化物とＡｌ＿２Ｏ＿３からなる
化合物もしくは／かつアルカリ土類金属酸化物とＡｌ＿
２Ｏ＿３からなる化合物である特許請求の範囲第（１）
項記載のメタライズ処理した窒化アルミニウム焼結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27903087A JPH01122984A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | メタライズ処理した窒化アルミニウム焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27903087A JPH01122984A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | メタライズ処理した窒化アルミニウム焼結体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01122984A true JPH01122984A (ja) | 1989-05-16 |
Family
ID=17605413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27903087A Pending JPH01122984A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | メタライズ処理した窒化アルミニウム焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01122984A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01249681A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 金属化面を有する窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
| JPH03146488A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 金属化層を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62197375A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-09-01 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム基板 |
| JPS62197372A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-09-01 | 株式会社東芝 | 導電性メタライズ層を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPS6483586A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Kyocera Corp | Method for metallizing aluminum nitride substrate |
-
1987
- 1987-11-06 JP JP27903087A patent/JPH01122984A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62197375A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-09-01 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム基板 |
| JPS62197372A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-09-01 | 株式会社東芝 | 導電性メタライズ層を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPS6483586A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Kyocera Corp | Method for metallizing aluminum nitride substrate |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01249681A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 金属化面を有する窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
| JPH03146488A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 金属化層を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPH0544434B2 (ja) * | 1989-10-30 | 1993-07-06 | Sumitomo Electric Industries |
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