JPS6215512B2 - - Google Patents
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- JPS6215512B2 JPS6215512B2 JP12391778A JP12391778A JPS6215512B2 JP S6215512 B2 JPS6215512 B2 JP S6215512B2 JP 12391778 A JP12391778 A JP 12391778A JP 12391778 A JP12391778 A JP 12391778A JP S6215512 B2 JPS6215512 B2 JP S6215512B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 229910052575 non-oxide ceramic Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011225 non-oxide ceramic Substances 0.000 claims description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017309 Mo—Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Description
本発明はセラミツクのうち、特に非酸化物系セ
ラミツク体の金属化法に関するものである。 アルミナセラミツク体の金属化法は、例えば電
子工業界においてはセラミツクコンデンサの電極
焼付けや電子管、気密端子などの金属封着技術と
して古くから用いられてきた。しかも集積回路の
発展に伴つてセラミツク製のICパツケージが多
く用いられるようになつてきたが、このパツケー
ジの端子は所要形状にメタライズした部分にNi
メツキを施した後、ロウ付けすることによつて接
合されている。この他のセラミツク体の金属化法
としては厚膜や薄膜による方法、無電解メツキ法
のほか、高温処理による耐熱金属粉末焼結法、活
性金属化法などが行われており、特に酸化物系の
アルミナセラミツクの金属化法として、例えば
Mo−Mn粉末を主体にSiO2、CaOなどを添加して
成るメタライズペーストを塗布し、水素中で焼結
して金属化層を作り、しかる後、Niメツキ又
は、Cuメツキを施してロウ付けする方法が一般
的であつた。 このようなアルミナ、ベリリア等の酸化物系セ
ラミツクの金属化法は数多く開発されており、技
術的にはすでに確立された状態にある。 ところが、高温時における薬品や溶融金属に対
して極めて高い耐食性を有し、かつ耐熱衝撃性な
どにすぐれるなど、利用価値の高いSi3N4（窒化
珪素、SiC（炭化珪素）など非酸化物系セラミツ
クの金属化はきわめて困難であり、このため、こ
れら非酸化物系セラミツク体で作つた成形体に他
のセラミツク体、あるいは金属体を接合して用い
ることができなかつた。 本発明は、かかる事情に鑑みて開発されたもの
であり、これにより同一又は他のセラミツク体、
あるいは金属体を接合して用いる事が可能である
ばかりでなく、未焼結成形体の所要個所に所定の
パターンをタングステンやモリブデンを主成分に
した粉末をスクリーン法で印刷するか、タングス
テンやモリブデンの薄板（箔）を所定の形状に形
取つたものを載置し、該パターン上の所要個所に
スルーホールを設けた未焼結成形体を重ね合せ、
該スルーホール内にタングステンやモリブデンを
主成分とする粉末を埋め込むことにより、電気的
接続を行うか、又は上記スルーホール上に、上述
したパターンを載置する工程を繰返して導電パタ
ーンを積層し、外部に端子を設けることにより非
酸化物系セラミツクの内部に導電体を形成するな
ど、目的に応じて金属化したセラミツク体の利用
範囲は広いものである。いま、非酸化物系セラミ
ツクとしてSi3N4SiCを用いた実施例を次に示す。 実施例 １ Si3N495％とMgo、Al2O3、SiO2等の鉱化剤５％
からなる窒化珪素セラミツク原料に有機質バイン
ダーと可塑剤を配合してスラリーとし、ドクター
ブレード法によつて製造したグリーン（生）シー
トを10×30mmに切抜いて未焼結成形シートを作成
する。第１図に示したように各々の未焼結成形シ
ート１，２の必要個所に表１に挙げたような高耐
火性金属としてタングステン（又はモリブデンな
ど）の薄板、綿状体、又はペーストの所望のパタ
ーン３，４の如く載置（あるいは塗布）した後、
第２図のように重ね合せた状態でパターン３，４
の導通はスルーホール中に非酸化物系セラミツク
のメタライズに適合したペーストを充填して黒鉛
型を用い、100Kg／cm2の圧力で加圧しつつ、高周
波誘導加熱炉でもつて、焼成温度1600℃にて約30
分保持し焼結したセラミツク体５における金属化
部分の接着強度は良好であつた。また金属化部分
（例えば３）にNiメツキを施し、銀〓を用いてFe
−Ni合金のリード線をロウ付けして導通抵抗を
測定した結果、表１にとおりメタライズペースト
を用いて金属化した場合の数分の１程度の低い抵
抗値であつた。
ラミツク体の金属化法に関するものである。 アルミナセラミツク体の金属化法は、例えば電
子工業界においてはセラミツクコンデンサの電極
焼付けや電子管、気密端子などの金属封着技術と
して古くから用いられてきた。しかも集積回路の
発展に伴つてセラミツク製のICパツケージが多
く用いられるようになつてきたが、このパツケー
ジの端子は所要形状にメタライズした部分にNi
メツキを施した後、ロウ付けすることによつて接
合されている。この他のセラミツク体の金属化法
としては厚膜や薄膜による方法、無電解メツキ法
のほか、高温処理による耐熱金属粉末焼結法、活
性金属化法などが行われており、特に酸化物系の
アルミナセラミツクの金属化法として、例えば
Mo−Mn粉末を主体にSiO2、CaOなどを添加して
成るメタライズペーストを塗布し、水素中で焼結
して金属化層を作り、しかる後、Niメツキ又
は、Cuメツキを施してロウ付けする方法が一般
的であつた。 このようなアルミナ、ベリリア等の酸化物系セ
ラミツクの金属化法は数多く開発されており、技
術的にはすでに確立された状態にある。 ところが、高温時における薬品や溶融金属に対
して極めて高い耐食性を有し、かつ耐熱衝撃性な
どにすぐれるなど、利用価値の高いSi3N4（窒化
珪素、SiC（炭化珪素）など非酸化物系セラミツ
クの金属化はきわめて困難であり、このため、こ
れら非酸化物系セラミツク体で作つた成形体に他
のセラミツク体、あるいは金属体を接合して用い
ることができなかつた。 本発明は、かかる事情に鑑みて開発されたもの
であり、これにより同一又は他のセラミツク体、
あるいは金属体を接合して用いる事が可能である
ばかりでなく、未焼結成形体の所要個所に所定の
パターンをタングステンやモリブデンを主成分に
した粉末をスクリーン法で印刷するか、タングス
テンやモリブデンの薄板（箔）を所定の形状に形
取つたものを載置し、該パターン上の所要個所に
スルーホールを設けた未焼結成形体を重ね合せ、
該スルーホール内にタングステンやモリブデンを
主成分とする粉末を埋め込むことにより、電気的
接続を行うか、又は上記スルーホール上に、上述
したパターンを載置する工程を繰返して導電パタ
ーンを積層し、外部に端子を設けることにより非
酸化物系セラミツクの内部に導電体を形成するな
ど、目的に応じて金属化したセラミツク体の利用
範囲は広いものである。いま、非酸化物系セラミ
ツクとしてSi3N4SiCを用いた実施例を次に示す。 実施例 １ Si3N495％とMgo、Al2O3、SiO2等の鉱化剤５％
からなる窒化珪素セラミツク原料に有機質バイン
ダーと可塑剤を配合してスラリーとし、ドクター
ブレード法によつて製造したグリーン（生）シー
トを10×30mmに切抜いて未焼結成形シートを作成
する。第１図に示したように各々の未焼結成形シ
ート１，２の必要個所に表１に挙げたような高耐
火性金属としてタングステン（又はモリブデンな
ど）の薄板、綿状体、又はペーストの所望のパタ
ーン３，４の如く載置（あるいは塗布）した後、
第２図のように重ね合せた状態でパターン３，４
の導通はスルーホール中に非酸化物系セラミツク
のメタライズに適合したペーストを充填して黒鉛
型を用い、100Kg／cm2の圧力で加圧しつつ、高周
波誘導加熱炉でもつて、焼成温度1600℃にて約30
分保持し焼結したセラミツク体５における金属化
部分の接着強度は良好であつた。また金属化部分
（例えば３）にNiメツキを施し、銀〓を用いてFe
−Ni合金のリード線をロウ付けして導通抵抗を
測定した結果、表１にとおりメタライズペースト
を用いて金属化した場合の数分の１程度の低い抵
抗値であつた。
【表】
実施例 ２
高純度SiC（炭化珪素）の微分末原料に焼結促
進剤（硼素系、炭素系など）を添加し、有機質バ
インダーと可塑剤を配合してスラリーとし、ドク
ターブレード法によつて製造し、所定の大きさに
切抜いたグリーンシート表面上の必要個所に高耐
火性金属であるタングステンの粉末をコートした
後黒鉛中にて250Kg／cm2の圧力で加圧しつつ、高
周波誘導加熱炉で焼成温度2000℃にて約30分保持
した状態で焼結し、磁器化することによつて金属
化部分にNiメツキを施し、銀〓を用いて、Fe−
Ni合金のリード線をロウ付けを行つた場合の接
合状態並びに強度は表１とほぼ同程度の結果を得
た。 上述の如く、本発明金属化法によれば、比較的
簡単に、良好なる表面状態と、結合強度が大きく
電気導電性も良いなどの優れた特性をもつた金属
化を非酸化物系セラミツク体に施すことが可能と
なつた。
進剤（硼素系、炭素系など）を添加し、有機質バ
インダーと可塑剤を配合してスラリーとし、ドク
ターブレード法によつて製造し、所定の大きさに
切抜いたグリーンシート表面上の必要個所に高耐
火性金属であるタングステンの粉末をコートした
後黒鉛中にて250Kg／cm2の圧力で加圧しつつ、高
周波誘導加熱炉で焼成温度2000℃にて約30分保持
した状態で焼結し、磁器化することによつて金属
化部分にNiメツキを施し、銀〓を用いて、Fe−
Ni合金のリード線をロウ付けを行つた場合の接
合状態並びに強度は表１とほぼ同程度の結果を得
た。 上述の如く、本発明金属化法によれば、比較的
簡単に、良好なる表面状態と、結合強度が大きく
電気導電性も良いなどの優れた特性をもつた金属
化を非酸化物系セラミツク体に施すことが可能と
なつた。
第１図、第２図は本発明による金属化法の実施
工程を説明する図である。
工程を説明する図である。
Claims (1)
- １ 窒化珪素、炭化珪素などの非酸化物系セラミ
ツクの構成要素物質を所定形状に成形した未焼結
成形体の表面上にモリブデン、タングステンなど
の高耐火性金属より成る薄板、線状体、あるいは
高耐火性金属を主成分とする粉末を載置した後、
これら薄板、線状体、粉末のいずれかを上記未焼
結成形体に対し、圧着しつつ非酸化性雰囲気中に
て焼成することを特徴とする非酸化物系セラミツ
ク体の金属化法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12391778A JPS5551775A (en) | 1978-10-06 | 1978-10-06 | Metallization of nonnoxide ceramic |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12391778A JPS5551775A (en) | 1978-10-06 | 1978-10-06 | Metallization of nonnoxide ceramic |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5551775A JPS5551775A (en) | 1980-04-15 |
| JPS6215512B2 true JPS6215512B2 (ja) | 1987-04-08 |
Family
ID=14872534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12391778A Granted JPS5551775A (en) | 1978-10-06 | 1978-10-06 | Metallization of nonnoxide ceramic |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5551775A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0537908U (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-21 | 株式会社思動集団 | オ―バ―ズボン |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57135783A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-21 | Takio Azechi | Formation of dressing patterns on adhered metal foil |
| JPS57188479A (en) * | 1981-05-13 | 1982-11-19 | Hitachi Ltd | Metallized film formation |
| JPS59182283A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-17 | 株式会社東芝 | 導電性セラミツクス焼結体の製造方法 |
| JPH0433207Y2 (ja) * | 1985-05-13 | 1992-08-10 | ||
| JPH066517B2 (ja) * | 1985-08-14 | 1994-01-26 | 株式会社日立製作所 | 表面に金属を有するセラミツクスの製造方法 |
-
1978
- 1978-10-06 JP JP12391778A patent/JPS5551775A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0537908U (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-21 | 株式会社思動集団 | オ―バ―ズボン |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5551775A (en) | 1980-04-15 |
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