JPH03226986A - セラミックス配線基板の製造方法およびセラミックス発熱体 - Google Patents
セラミックス配線基板の製造方法およびセラミックス発熱体Info
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- JPH03226986A JPH03226986A JP2020897A JP2089790A JPH03226986A JP H03226986 A JPH03226986 A JP H03226986A JP 2020897 A JP2020897 A JP 2020897A JP 2089790 A JP2089790 A JP 2089790A JP H03226986 A JPH03226986 A JP H03226986A
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 26
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 43
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 14
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 claims abstract description 8
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 7
- HHIQWSQEUZDONT-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W].[W].[W] HHIQWSQEUZDONT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 11
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 abstract 7
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 7
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、セラミックス配線基板の製造方法と、この方
法を用いて製造されるセラミックス発熱体に関する。
法を用いて製造されるセラミックス発熱体に関する。
(従来の技術)
タングステンあるいはモリブデンは、電気の良導体で融
点か高く、セラミックス同時焼成基板の配線材料として
一般に用いられている。
点か高く、セラミックス同時焼成基板の配線材料として
一般に用いられている。
これらの金属の炭化物は、単体金属の士数倍の抵抗率を
示すことから、抵抗体としての利用が可能である。
示すことから、抵抗体としての利用が可能である。
タングステンの場合、単体Wの抵抗率は5.6×10−
6Ωcmテあルノニ対し、W2CおよびWCテi;18
0XIO−6Ωcanの高い抵抗率を示す。
6Ωcmテあルノニ対し、W2CおよびWCテi;18
0XIO−6Ωcanの高い抵抗率を示す。
また、モリブデンでは単体MOの抵抗率は5.2×10
−6Ωcmであるが、MoCでは97XlO−6Ωcm
である。
−6Ωcmであるが、MoCでは97XlO−6Ωcm
である。
このような炭化金属は、例えば特公昭62−70591
号公報に記載されているように、あらかじめ炭化金属を
導体ペーストに配合し、この導体金属ペストを用いてセ
ラミックスグリーンシートに回路を形成するというよう
な方法で用いられている。
号公報に記載されているように、あらかじめ炭化金属を
導体ペーストに配合し、この導体金属ペストを用いてセ
ラミックスグリーンシートに回路を形成するというよう
な方法で用いられている。
タングステン、モリブデンを炭化する方法としては、黒
鉛粉末と共に非酸化性雰囲気中で加熱したり、あるいは
COを含む非酸化性雰囲気中で加熱する方法などが知ら
れている。
鉛粉末と共に非酸化性雰囲気中で加熱したり、あるいは
COを含む非酸化性雰囲気中で加熱する方法などが知ら
れている。
(発明が解決しようとする課題)
しかし、上述したような、炭化金属を導体金属ペースト
として用いる方法では、金属粉末の炭化処理工程か必要
となるだけでなく、処理雰囲気として使用するCOは有
毒であるため事故防1Fの対策が不可欠であり、金属t
i1体の場合よりもコスト高になるという問題があった
。
として用いる方法では、金属粉末の炭化処理工程か必要
となるだけでなく、処理雰囲気として使用するCOは有
毒であるため事故防1Fの対策が不可欠であり、金属t
i1体の場合よりもコスト高になるという問題があった
。
そこで、より簡略な方法でコストダウンを図り、炭化金
属を有効に利用する方法が望まれている。
属を有効に利用する方法が望まれている。
本発明はこのような課題を解決するためになされたもの
で、炭化金属を用いるに当たって、より容易で安全なセ
ラミックス配線基板の製造方法およびこの方法を用いた
セラミックス発熱体を提供することを目r白とする。
で、炭化金属を用いるに当たって、より容易で安全なセ
ラミックス配線基板の製造方法およびこの方法を用いた
セラミックス発熱体を提供することを目r白とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明のセラミックス配線基板の製造方法は、窒化アル
ミニウムグリーンン−1・上に、タングステンまたはモ
リブデン粉末を主成分とする導体金属ペーストを用いて
配線パターンを形成し、前記窒化アルミニウムグリーン
シートおよび前記導体金属ペースト中に含まれる有機バ
インダーの一部を残留炭素として残すよう脱脂し、しか
る後に、前記窒化アルミニウムグリーンシートを非酸化
性雰囲気中で同時焼成し、前記導体金属ペーストの少な
くとも一部を前記残留炭素と反応させて炭化金属とする
ことを特徴としている。
ミニウムグリーンン−1・上に、タングステンまたはモ
リブデン粉末を主成分とする導体金属ペーストを用いて
配線パターンを形成し、前記窒化アルミニウムグリーン
シートおよび前記導体金属ペースト中に含まれる有機バ
インダーの一部を残留炭素として残すよう脱脂し、しか
る後に、前記窒化アルミニウムグリーンシートを非酸化
性雰囲気中で同時焼成し、前記導体金属ペーストの少な
くとも一部を前記残留炭素と反応させて炭化金属とする
ことを特徴としている。
また、本発明のセラミックス発熱体は、積層された少な
くとも 2枚の窒化アルミニウム基板の内層側に抵抗発
熱体が介挿され、この抵抗発熱体の熱が前記窒化アルミ
ニウム基板を伝わって熱するセラミックス発熱体であり
、前記抵抗発熱体の少なくとも一部は、タングステンま
たはモリブデン粉末を主成分とする導体金属ペーストか
前記窒化アルミニウム基板のグリーンシートと同時焼成
される際に炭化された炭化金属であることを特徴として
いる。
くとも 2枚の窒化アルミニウム基板の内層側に抵抗発
熱体が介挿され、この抵抗発熱体の熱が前記窒化アルミ
ニウム基板を伝わって熱するセラミックス発熱体であり
、前記抵抗発熱体の少なくとも一部は、タングステンま
たはモリブデン粉末を主成分とする導体金属ペーストか
前記窒化アルミニウム基板のグリーンシートと同時焼成
される際に炭化された炭化金属であることを特徴として
いる。
本発明においては、まず、窒化アルミニウム粉末に焼結
助剤を添加し、有機バインダー及び溶剤等を加えてグリ
ーンシートをに成形する。
助剤を添加し、有機バインダー及び溶剤等を加えてグリ
ーンシートをに成形する。
次いで、この窒化アルミニウムグリーンシート上に、タ
ングステンまたはモリブデン粉末を生成分とする導体ペ
ーストを用い、スクリーン印刷法などによって配線パタ
ーンを形成する。
ングステンまたはモリブデン粉末を生成分とする導体ペ
ーストを用い、スクリーン印刷法などによって配線パタ
ーンを形成する。
これらのグリーンシートを積層してN2 + 112
などの非酸化性雰囲気中で脱脂する。
などの非酸化性雰囲気中で脱脂する。
このとき窒化アルミニウムグリーンシートおよび導体金
属ペースト中に含まれる有機バインダの一部は残留炭素
として残す。
属ペースト中に含まれる有機バインダの一部は残留炭素
として残す。
脱脂は、窒素雰囲気中、700℃程度の通常の脱脂方法
に従って行えば、有機バインダーの一部は炭素として残
留させることができる。
に従って行えば、有機バインダーの一部は炭素として残
留させることができる。
脱脂後の炭素量は、脱脂体に対して0,1重量%〜1.
0重量%の範囲が好ましい。
0重量%の範囲が好ましい。
残留炭素量が少なすぎると、炭化金属の量が充分に得ら
れず、多すぎると焼成が困難となるためである。
れず、多すぎると焼成が困難となるためである。
その後、この脱脂体を真空置換して非酸化性雰囲気中で
焼結温度まで昇温・保持した。焼成雰囲気中に酸素が含
まれていると、残留炭素のタングステンまたはモリブデ
ンとの反応が妨げられるため、焼成は非酸化性雰囲気で
行う。
焼結温度まで昇温・保持した。焼成雰囲気中に酸素が含
まれていると、残留炭素のタングステンまたはモリブデ
ンとの反応が妨げられるため、焼成は非酸化性雰囲気で
行う。
なお、窒化アルミニウム粉末および導体金属ペーストに
添加する有機バインダーは、脱脂処理において完全に分
解せず、一部が炭素化して基板中に残留するものであれ
ば特に限定はなく、たとえばポリビニルブチラール、エ
チルセルロース、ポリメチルメタクリレ−1・などか挙
げられる。
添加する有機バインダーは、脱脂処理において完全に分
解せず、一部が炭素化して基板中に残留するものであれ
ば特に限定はなく、たとえばポリビニルブチラール、エ
チルセルロース、ポリメチルメタクリレ−1・などか挙
げられる。
(作 用)
本発明によれば、脱脂後残留した炭素は焼成時およそ8
00°C以上で導体金属ペースト中のタングステンある
いはモリブデンと反応して炭化物を生成する。
00°C以上で導体金属ペースト中のタングステンある
いはモリブデンと反応して炭化物を生成する。
生成する炭化物の種類及び割合は脱脂工程における炭素
量(濃度)、残留炭素に対する金属原子の割合、焼成時
の熱処理条件によって決まる。
量(濃度)、残留炭素に対する金属原子の割合、焼成時
の熱処理条件によって決まる。
一方、窒化アルミニウム粉末に不純物として含まれる酸
素は、残留炭素によって焼成時に除去されるので、焼成
そのものを阻害するほどの高濃度の炭素量でなければ、
窒化アルミニウム基板の高熱伝導化にも寄与する。
素は、残留炭素によって焼成時に除去されるので、焼成
そのものを阻害するほどの高濃度の炭素量でなければ、
窒化アルミニウム基板の高熱伝導化にも寄与する。
(実施例)
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第1図は、本発明のセラミックス配線基板の製造方法に
よって作製したセラミックス発熱体を示す図である。
よって作製したセラミックス発熱体を示す図である。
第1図(a)はセラミックス発熱体の平面図、(b)は
断面図を示している。
断面図を示している。
はじめに、不純物として酸素を0.7%含有する平均粒
径08μmの窒化アルミニウム粉末98重量部に対して
、CaOとして 1重量部のCaC03、1重量部のA
l2O3を加えた。
径08μmの窒化アルミニウム粉末98重量部に対して
、CaOとして 1重量部のCaC03、1重量部のA
l2O3を加えた。
さらに、これにバインダーとして10重量部のポリビニ
ルブチラール(PVB)を加えて可塑剤、溶剤を加えて
スラリー化し、ドクターブレード法により厚さ0.41
1IInのグリーンシート1を得た。
ルブチラール(PVB)を加えて可塑剤、溶剤を加えて
スラリー化し、ドクターブレード法により厚さ0.41
1IInのグリーンシート1を得た。
位置決め用の穴を打ち抜き、スルーホール2を形成した
後、平均粒径0.8〜1μmのW(タングステン)粉末
を80重量部含むνペーストを用いてスクリーン印刷法
によりスルーホール2の充填およびヒーターパターン3
、電極4を形成した。
後、平均粒径0.8〜1μmのW(タングステン)粉末
を80重量部含むνペーストを用いてスクリーン印刷法
によりスルーホール2の充填およびヒーターパターン3
、電極4を形成した。
次いで、第1図(b)ように、ヒーターパターン3が内
層に位置し、電極4が最上層に位置するようにグリーン
シート 4枚を熱圧着して、積層体5を作製した。
層に位置し、電極4が最上層に位置するようにグリーン
シート 4枚を熱圧着して、積層体5を作製した。
次にこの積層体5を2%+12を含むN2中で昇温速度
1.00°C/hで700°Cまで加熱し、 1時間脱
脂した。脱脂体は灰色を呈しており、炭素濃度は0゜5
重量%であった。
1.00°C/hで700°Cまで加熱し、 1時間脱
脂した。脱脂体は灰色を呈しており、炭素濃度は0゜5
重量%であった。
次いで、脱脂体を耐熱容器の中に密閉配置し、−旦、真
空引きして空気を排出した後、N2雰囲気中、1800
℃で2時間焼成した。
空引きして空気を排出した後、N2雰囲気中、1800
℃で2時間焼成した。
得られたセラミックス発熱体は、炭化したタングステン
を主成分とするヒーターパターンを有し、窒化アルミニ
ウム基板の熱伝導率は155〜L70W/m、に1電極
およびスルーホールを無視して求めたヒーター配線部の
シート抵抗率は、70〜130n+Ω/Dと大きな値が
得られた。
を主成分とするヒーターパターンを有し、窒化アルミニ
ウム基板の熱伝導率は155〜L70W/m、に1電極
およびスルーホールを無視して求めたヒーター配線部の
シート抵抗率は、70〜130n+Ω/Dと大きな値が
得られた。
さらに、このセラミックス発熱体のヒーター基板の配線
部をX線で観測すると、Wおよびw2Cが確認された。
部をX線で観測すると、Wおよびw2Cが確認された。
また、窒化アルミニウム基板は密度3.22〜3.28
と十分に緻密化しており、表面粗度はRa O,15〜
0.25μmと平滑性も良好であった。
と十分に緻密化しており、表面粗度はRa O,15〜
0.25μmと平滑性も良好であった。
さらにセラミックス発熱体最表面の電極は、X線で調べ
たところほとんど炭化していないことが判明した。
たところほとんど炭化していないことが判明した。
これは、焼成時において、最表面の窒化アルミニウムグ
リーンシートは雰囲気中に露出しているため、内層側よ
りも炭化されにくいためと考えられる。このことは、外
部との電気的接続には好都合であった。
リーンシートは雰囲気中に露出しているため、内層側よ
りも炭化されにくいためと考えられる。このことは、外
部との電気的接続には好都合であった。
さらにWがW2Cに炭化されると、15%程度の体積膨
張か起こるが、タングステン粉末および窒化アルミニウ
ム粒子間の空隙によって吸収され、クラック等は一切観
察されなかった。
張か起こるが、タングステン粉末および窒化アルミニウ
ム粒子間の空隙によって吸収され、クラック等は一切観
察されなかった。
なお、この実施例では導体金属ペーストとしてタングス
テンを使用した例について説明したが、導体金属ペース
トがモリブデンの場合も同様に実施可能であり、抵抗発
熱体として優れた効果を得ることができる。
テンを使用した例について説明したが、導体金属ペース
トがモリブデンの場合も同様に実施可能であり、抵抗発
熱体として優れた効果を得ることができる。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、原料の導体とし
て、炭化金属を用いる必要かなく、少ない工程数で、容
易に、炭化金属を生成させることができる。
て、炭化金属を用いる必要かなく、少ない工程数で、容
易に、炭化金属を生成させることができる。
0
またスクリーン印刷法でヒーター回路形成かできるため
、複雑、微細な配線を高精度で形成することができる。
、複雑、微細な配線を高精度で形成することができる。
したがって、低コストで、優れたセラミックス発熱体を
得ることかできる。
得ることかできる。
第1図は、本発明による一実施例のセラミックス発熱体
を示す図である。 1・・・・・・グリーンシート 2・・・・・・スルーホール 3・・・・・・ヒーターパターン 4・・・・・・電極 5・・・・・・積層体
を示す図である。 1・・・・・・グリーンシート 2・・・・・・スルーホール 3・・・・・・ヒーターパターン 4・・・・・・電極 5・・・・・・積層体
Claims (2)
- (1)窒化アルミニウムグリーンシート上に、タングス
テンまたはモリブデン粉末を主成分とする導体金属ペー
ストを用いて配線パターンを形成し、前記窒化アルミニ
ウムグリーンシートおよび前記導体金属ペースト中に含
まれる有機バインダーの一部を残留炭素として残すよう
脱脂し、 しかる後に、前記窒化アルミニウムグリーンシートを非
酸化性雰囲気中で同時焼成し、前記導体金属ペーストの
少なくとも一部を前記残留炭素と反応させて炭化金属と
する ことを特徴とするセラミックス配線基板の製造方法。 - (2)積層された少なくとも2枚の窒化アルミニウム基
板の内層側に抵抗発熱体が介挿され、この抵抗発熱体の
熱が前記窒化アルミニウム基板を伝わって熱するセラミ
ックス発熱体であり、 前記抵抗発熱体の少なくとも一部は、タングステンまた
はモリブデン粉末を主成分とする導体金属ペーストが前
記窒化アルミニウム基板のグリーンシートと同時焼成さ
れる際に炭化された炭化金属であることを特徴とするセ
ラミックス発熱体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020897A JPH03226986A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | セラミックス配線基板の製造方法およびセラミックス発熱体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020897A JPH03226986A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | セラミックス配線基板の製造方法およびセラミックス発熱体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03226986A true JPH03226986A (ja) | 1991-10-07 |
Family
ID=12040018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020897A Pending JPH03226986A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | セラミックス配線基板の製造方法およびセラミックス発熱体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03226986A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05101871A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-23 | Ngk Insulators Ltd | セラミツクスヒーター |
WO2012057091A1 (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 日本発條株式会社 | セラミックス焼結体の製造方法、セラミックス焼結体およびセラミックスヒータ |
JP2020033236A (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | 日本特殊陶業株式会社 | 接合体 |
JP2021015926A (ja) * | 2019-07-16 | 2021-02-12 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2020897A patent/JPH03226986A/ja active Pending
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