JPS6054429A - 気相エピタキシャル成長装置用原料ボ−ト - Google Patents
気相エピタキシャル成長装置用原料ボ−トInfo
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- JPS6054429A JPS6054429A JP16273383A JP16273383A JPS6054429A JP S6054429 A JPS6054429 A JP S6054429A JP 16273383 A JP16273383 A JP 16273383A JP 16273383 A JP16273383 A JP 16273383A JP S6054429 A JPS6054429 A JP S6054429A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は反応管中にｌ族金属用の原料ボートを用いるＩ
−Ｖ族化合物半導体の気相エピタキシャル成長装置に関
するもので、特Ｖｃｉ族金属用の原料ボートに関するも
のである。
−Ｖ族化合物半導体の気相エピタキシャル成長装置に関
するもので、特Ｖｃｉ族金属用の原料ボートに関するも
のである。
従来の気相エピタキシャル成長装置に用いられ（１）
ている原料ボート５け第１図に概略図を示すような構造
を有するものであった。
を有するものであった。
即ち原料ガス供給管２より■族金属輸送用のＨＣ／ガス
やＡ ｓ Ｃ／ｚ ガスなどの原料ガスならびにキャリ
アガスを供給し、電気炉発熱体ｌにより加熱し、原料ボ
ート５上の原料融液４と接触、反応させ、その結果生じ
た薯族金属ノ・ロゲン化物を下流に導き、■族元素と反
応せしめ、基板６上に画一■族化合物半導体のエピタキ
シャル成長を行なう。ここで原料ガスならびにキャリア
ガスと原料融液の反応は気液反応であり、この気液界面
を拡大するために、一般に原料ボート内の原料４け間仕
切シ８により各反応室に分けられている。
やＡ ｓ Ｃ／ｚ ガスなどの原料ガスならびにキャリ
アガスを供給し、電気炉発熱体ｌにより加熱し、原料ボ
ート５上の原料融液４と接触、反応させ、その結果生じ
た薯族金属ノ・ロゲン化物を下流に導き、■族元素と反
応せしめ、基板６上に画一■族化合物半導体のエピタキ
シャル成長を行なう。ここで原料ガスならびにキャリア
ガスと原料融液の反応は気液反応であり、この気液界面
を拡大するために、一般に原料ボート内の原料４け間仕
切シ８により各反応室に分けられている。
しかしながら従来の原料ボートを用いて気相エピタキシ
ャル成長を行なうと原料ガスならびにキャリアガスと原
料融液との気液反応がよどみ層を介して濃度拡散により
行なわれるために、上流部の反応室中の原料だけが極端
に消費される。このような状況下で長時間エピタキシャ
ル成長を行々うと気液界面の面積が次第に小さくなシ、
その結（２） 来、生成されるＩ族元素のハロゲン化物＃度が減少して
１晶の成長速度が小さくなる。また気液界面の面積が減
少すると原料ガス中に含まれる不純物の厘族金属に、Ｌ
るゲッタリング効果が低下して、成長層の線用を一］・
ｋｌでし１う 史に気液界面の減少により未反応のｌｌ
Ｃｌ！ガスを生じ多元混晶を成長させる場合ｋＣｄ均一
な組成のエピタキシャル成長を行なうことが国蛙になる
という欠点を有していた。
ャル成長を行なうと原料ガスならびにキャリアガスと原
料融液との気液反応がよどみ層を介して濃度拡散により
行なわれるために、上流部の反応室中の原料だけが極端
に消費される。このような状況下で長時間エピタキシャ
ル成長を行々うと気液界面の面積が次第に小さくなシ、
その結（２） 来、生成されるＩ族元素のハロゲン化物＃度が減少して
１晶の成長速度が小さくなる。また気液界面の面積が減
少すると原料ガス中に含まれる不純物の厘族金属に、Ｌ
るゲッタリング効果が低下して、成長層の線用を一］・
ｋｌでし１う 史に気液界面の減少により未反応のｌｌ
Ｃｌ！ガスを生じ多元混晶を成長させる場合ｋＣｄ均一
な組成のエピタキシャル成長を行なうことが国蛙になる
という欠点を有していた。
本発明は気液界面の面積を大きくし、かつ成長中にその
界面の大きさや形状が変化しにくい構造を廟する■族金
栖用のノＩＪＩ旧ボート′（ｒ−提供することを目的と
する１、 本発明によれば、原料に一族金属を用すて■−Ｖ族化合
物半導体を形成する気相エピタキシャル成長装置の反応
管内圧設ける置族金輌用原料ボーＷＭにおいて各反応室
間で移動できる構造を備えたことを特徴とする気相エピ
タキシャル成長装置用（３） 原料ボートが得られる。
界面の大きさや形状が変化しにくい構造を廟する■族金
栖用のノＩＪＩ旧ボート′（ｒ−提供することを目的と
する１、 本発明によれば、原料に一族金属を用すて■−Ｖ族化合
物半導体を形成する気相エピタキシャル成長装置の反応
管内圧設ける置族金輌用原料ボーＷＭにおいて各反応室
間で移動できる構造を備えたことを特徴とする気相エピ
タキシャル成長装置用（３） 原料ボートが得られる。
本発明を実施例を用いて更に詳しく説明する。
第２図は本発明による気相エピタキシャル成長装置用原
料ボートの一構造例の縦断正面図である。
料ボートの一構造例の縦断正面図である。
図中の間仕切り９け下部に穴が設けてあり、各反応室の
原料４＃′ｉその溶融状態において、この穴よシ移動す
ることが可能で各反応室間で原料の消費量に差が生じた
場合にも各反応室の原料の量は均一になり、気液界面の
大きさを常に一定に保つことができる。第３図は本発明
による気相エピタキシャル成長装置用原料ボートの異な
る他の構造例の縦断正面図である。図中の連結パイプ１
０も第２図の間仕切り板９の穴と同様の作用を行なう。
原料４＃′ｉその溶融状態において、この穴よシ移動す
ることが可能で各反応室間で原料の消費量に差が生じた
場合にも各反応室の原料の量は均一になり、気液界面の
大きさを常に一定に保つことができる。第３図は本発明
による気相エピタキシャル成長装置用原料ボートの異な
る他の構造例の縦断正面図である。図中の連結パイプ１
０も第２図の間仕切り板９の穴と同様の作用を行なう。
実施例１
第４図は本実施例に用いたハイドライド法によるＩｎＰ
気相エピタキシャル成長装置の概略断面図を示したもの
である。ｌ族原料のＩｎ金属０１）は本発明による４室
の反応室を有する石英製の原料ボー）Ｈ内に入れ、原料
ボートの最上流部にＨＣｌガス、Ｈ２キャリアガスを導
入管ＯＳよシ導入する。■（４） 族原料ｉｔ ＰＨ，ガスとしてＨ２キャリアガスととも
に導入管ｆ１４１．ｉ！Ｊ導入する。基板１５け鋳面研
摩、エツゾング１．た１０Ｐ中結晶を用いた。反応管内
の温度は電気炉０１９ｔこ、ｒり制御し１、Ｉｎソース
温度け８０ｏ。
気相エピタキシャル成長装置の概略断面図を示したもの
である。ｌ族原料のＩｎ金属０１）は本発明による４室
の反応室を有する石英製の原料ボー）Ｈ内に入れ、原料
ボートの最上流部にＨＣｌガス、Ｈ２キャリアガスを導
入管ＯＳよシ導入する。■（４） 族原料ｉｔ ＰＨ，ガスとしてＨ２キャリアガスととも
に導入管ｆ１４１．ｉ！Ｊ導入する。基板１５け鋳面研
摩、エツゾング１．た１０Ｐ中結晶を用いた。反応管内
の温度は電気炉０１９ｔこ、ｒり制御し１、Ｉｎソース
温度け８０ｏ。
（シ、成長温度ｉ１’７３０°Ｃとシフに、。ガス流量
条件は、ｉ１ｃ／？プＪス １５ ｃｃＡｎｉｎＰＩＴ
３ ガス ７．５ｃｃＡｎｉｎ ＩＴ２ガス２５００ ｃ（Ａｎｉｎ と１，７た３、この条件における膜成長速度は、２００
０Ａ ７ｍ ｉ ｎ であった。本実施例における成長
時間と成長速度の関係を第５ ｒ’Ｊ ＶＣ示す。通常
用（八られるハイドラ・１１’法気相成長によるＩｎＰ
の成長では破線で示した様に成長開始から２時間後より
成長時間の増加に伴って最上流部の反応室の原料Ｉｎ
の涸渇Ｕｒ ｌ：り気液Ｗ面が減少することにより成長
速度力匂戊少−ノーるが、本発明による方法で１才５時
間以上安定１〜だ成長、・ト度をボ１７、この間の成長
速度のばらつきけ１：５係以内におさまっている。
条件は、ｉ１ｃ／？プＪス １５ ｃｃＡｎｉｎＰＩＴ
３ ガス ７．５ｃｃＡｎｉｎ ＩＴ２ガス２５００ ｃ（Ａｎｉｎ と１，７た３、この条件における膜成長速度は、２００
０Ａ ７ｍ ｉ ｎ であった。本実施例における成長
時間と成長速度の関係を第５ ｒ’Ｊ ＶＣ示す。通常
用（八られるハイドラ・１１’法気相成長によるＩｎＰ
の成長では破線で示した様に成長開始から２時間後より
成長時間の増加に伴って最上流部の反応室の原料Ｉｎ
の涸渇Ｕｒ ｌ：り気液Ｗ面が減少することにより成長
速度力匂戊少−ノーるが、本発明による方法で１才５時
間以上安定１〜だ成長、・ト度をボ１７、この間の成長
速度のばらつきけ１：５係以内におさまっている。
また本実施例に１って得ら７また成長層のキャリア濃Ｉ
Ｗの成長時間に対する変化を第６図に示す。
Ｗの成長時間に対する変化を第６図に示す。
（５）
通常用いられるハイドライド法気相成長法によるＩｎＰ
の成長では破線で示したように成長開始から３時間後よ
りＨＣｌガス中に含まれる不純物に対する金属インジウ
ムのゲッタリング効果が減少してキャリア濃度が増大す
る。しかし本発明による方法では実線で示すように６時
間に亘り安定した低キヤリア濃度で高純度の成長層が得
られた。
の成長では破線で示したように成長開始から３時間後よ
りＨＣｌガス中に含まれる不純物に対する金属インジウ
ムのゲッタリング効果が減少してキャリア濃度が増大す
る。しかし本発明による方法では実線で示すように６時
間に亘り安定した低キヤリア濃度で高純度の成長層が得
られた。
実施例２
第７図は本実施例を用いたハイドライド法によるＩｎｘ
Ｇａ、 −ｘＡｓｙ ｐ、 、（］≧Ｘ≧０，１≧Ｙ≧
０）気相エピタキシャル成長装置の概略断面図を示した
ものである。この成長装置の上流部は２段構造になって
いる 上段はＧａ用として本発明による４室の反応室を
有する石英製の原料ボード（ＩＴ）に金属ガリウムＱＢ
を入れ原料ボートの最上流部にＨＣｌガスおよびＨ２キ
ャリアガスを導入管（ＩＩより導入する。
Ｇａ、 −ｘＡｓｙ ｐ、 、（］≧Ｘ≧０，１≧Ｙ≧
０）気相エピタキシャル成長装置の概略断面図を示した
ものである。この成長装置の上流部は２段構造になって
いる 上段はＧａ用として本発明による４室の反応室を
有する石英製の原料ボード（ＩＴ）に金属ガリウムＱＢ
を入れ原料ボートの最上流部にＨＣｌガスおよびＨ２キ
ャリアガスを導入管（ＩＩより導入する。
下段はＩｎ用として本発明による４室の反応室を有する
石英製の原料ボー）ｃＡＫ金属インジウム（２１）を入
れ原料ボートの最上流部にＨＣｌおよびＨ，キャリアガ
スを導入管（２２）よシ導入する。■族元素は（６） Ｐ］ＩＢ 、Ａｓ１１３ガスとして１１．キャリアガス
と共にバイパス管（２，ＴＩより導入する。基板（２４
）の鏡面研摩エツチングした（ｌａＡｓ単結晶を用いた
。反応管内の温度は蜜、気炉（２５） Ｋより制御１、
原料ソース温度け８００°Ｃ成長温度け７４０°Ｃとし
た。ＧａＡａ単結晶に格子整合した１ｎｘＧａｌＪｘＡ
ａｙＰ１ ｙのＸ。
石英製の原料ボー）ｃＡＫ金属インジウム（２１）を入
れ原料ボートの最上流部にＨＣｌおよびＨ，キャリアガ
スを導入管（２２）よシ導入する。■族元素は（６） Ｐ］ＩＢ 、Ａｓ１１３ガスとして１１．キャリアガス
と共にバイパス管（２，ＴＩより導入する。基板（２４
）の鏡面研摩エツチングした（ｌａＡｓ単結晶を用いた
。反応管内の温度は蜜、気炉（２５） Ｋより制御１、
原料ソース温度け８００°Ｃ成長温度け７４０°Ｃとし
た。ＧａＡａ単結晶に格子整合した１ｎｘＧａｌＪｘＡ
ａｙＰ１ ｙのＸ。
Ｙ饋＃−Ｌ梱々のイ１ｈをとりうるが、Ｘ ： ０．２
５ Ｙ：０．４Ｂとした時のガス流普条件は Ｏａ輸送用 １−１ｃ７ガス０．７ ｃｃ／ｍ１ｎＩｎ
輸送用 １１ｃｌガス ５．０ ｃｃ／ｍ１ｎＰ ＩＩ
、ガス ２．４ ｃｃ／１ｎｉｎＡｓＨ３ガ、ス ０．
９ ｃｃ／ｍ１ｎ１１２ ガス ２５００ ｃｃ／ｍｉ
ｎとした。
５ Ｙ：０．４Ｂとした時のガス流普条件は Ｏａ輸送用 １−１ｃ７ガス０．７ ｃｃ／ｍ１ｎＩｎ
輸送用 １１ｃｌガス ５．０ ｃｃ／ｍ１ｎＰ ＩＩ
、ガス ２．４ ｃｃ／１ｎｉｎＡｓＨ３ガ、ス ０．
９ ｃｃ／ｍ１ｎ１１２ ガス ２５００ ｃｃ／ｍｉ
ｎとした。
第８図に本実施例における成長時間と、成長層のＧａＡ
ｓ基板に対する格子整合の変化の関係を示す。通常用
いられるハイドライド法気相成長によるｊｎｘｏａｌ
、ｘＡｓｙＰ、＝ｙの成長ではＧａ ソースに比べＩｎ
ソースの消費がはげしく、下段の最上流部の反応室の
原料Ｉｎの個渇により成長開始後（７） １時間位で成長層けＧａ増加の傾向に組成変化１゜始め
る。第８図の破線は従来の原料ボートを用いて成長させ
た場合のＸ線による格子定数の測定から得た成長層の組
成の時間変化である。しかしながら本発明の原料ボート
を用いた場合実線に示すように４時間以上安定した組成
の成長層が得られ、ＧａＡｓ基板との格子不整合は±２
×１０ 以内であった。
ｓ基板に対する格子整合の変化の関係を示す。通常用
いられるハイドライド法気相成長によるｊｎｘｏａｌ
、ｘＡｓｙＰ、＝ｙの成長ではＧａ ソースに比べＩｎ
ソースの消費がはげしく、下段の最上流部の反応室の
原料Ｉｎの個渇により成長開始後（７） １時間位で成長層けＧａ増加の傾向に組成変化１゜始め
る。第８図の破線は従来の原料ボートを用いて成長させ
た場合のＸ線による格子定数の測定から得た成長層の組
成の時間変化である。しかしながら本発明の原料ボート
を用いた場合実線に示すように４時間以上安定した組成
の成長層が得られ、ＧａＡｓ基板との格子不整合は±２
×１０ 以内であった。
実施例３
第９図は本実施例に用いたクロライド法によるＩｎＰ気
相エピタキシャル成長装置の概略断面図である。Ｉ族原
料のＩｎ金属（２６）は本発明による４室の反応室を有
する石英製の原料ボート（２７）内に入れ反応管の上流
部よＪ） ０．５ｍｏ１％ ｋｓｃ１３を含んだＨ，ガ
スを導入する。基板（２８）は鏡面研摩、エツチングし
たＩｎＰ単結晶を用いた。反応管内の温度は電気炉（２
９）によシ制御し、Ｉｎ ソース温度は８００°Ｃ成長
温度は７００’ Ｃとした。この条件における膜成長速
度は２０００ Ａ／ ｍｉｎであった。本実施例におけ
る成長時間と成長速度の関係を第１０図に（８） 示す。従来の原料ボートを使ったクロライド法気相成長
によるＩｎＰの成長でけ破線で示す様に成゛長゛開始か
ら３時間後よりＩｎ ソースの個渇により成長速度が減
少するが、本発明ｅこよる原料ボートを用いた場合にけ
、実線で示す様ＶＣ８時間に亘り安定した成長速度を示
し、この間の成長速度のバラツキも±５％υ内におさま
っている。
相エピタキシャル成長装置の概略断面図である。Ｉ族原
料のＩｎ金属（２６）は本発明による４室の反応室を有
する石英製の原料ボート（２７）内に入れ反応管の上流
部よＪ） ０．５ｍｏ１％ ｋｓｃ１３を含んだＨ，ガ
スを導入する。基板（２８）は鏡面研摩、エツチングし
たＩｎＰ単結晶を用いた。反応管内の温度は電気炉（２
９）によシ制御し、Ｉｎ ソース温度は８００°Ｃ成長
温度は７００’ Ｃとした。この条件における膜成長速
度は２０００ Ａ／ ｍｉｎであった。本実施例におけ
る成長時間と成長速度の関係を第１０図に（８） 示す。従来の原料ボートを使ったクロライド法気相成長
によるＩｎＰの成長でけ破線で示す様に成゛長゛開始か
ら３時間後よりＩｎ ソースの個渇により成長速度が減
少するが、本発明ｅこよる原料ボートを用いた場合にけ
、実線で示す様ＶＣ８時間に亘り安定した成長速度を示
し、この間の成長速度のバラツキも±５％υ内におさま
っている。
実施例４
第１１図は本実施例に用いたクロライド法ＩｎｘＧａ１
ｘＰ（Ｘ二０．４９’） 気相エピタキシャル成長装
置の概略断面図を示したものである。この成長装置の上
流部け２段構造になっている。上段はＧａ用と【７て本
発明による４室の反応室を有する石英製の原料ボート（
３０）Ｋ態別ガリウム金属（３１）を入れ上流部より０
．１ ｍａｔ ％だけＰ（１，を含んだＨ，ガスを導入
する。下段はＩｎ用として本発明による４室の反応室を
有する石英製の原料ボー） （３２）に原料インジウム
金属（３３）を入れ一ヒ流部よυ０．５ ｍｏｌ ％だ
けＰＣＩ、を含んだＨ２ガスを導入する。基板（３４）
は鏡面研摩、エツチングしたＧａＡａ単結晶を用い（９
） た。反応管内の温度は電気炉（３５） Ｋより制御し、
原料ソース温度は８２０°Ｃ成長温度は７５０°Ｃとｉ
−だ。
ｘＰ（Ｘ二０．４９’） 気相エピタキシャル成長装
置の概略断面図を示したものである。この成長装置の上
流部け２段構造になっている。上段はＧａ用と【７て本
発明による４室の反応室を有する石英製の原料ボート（
３０）Ｋ態別ガリウム金属（３１）を入れ上流部より０
．１ ｍａｔ ％だけＰ（１，を含んだＨ，ガスを導入
する。下段はＩｎ用として本発明による４室の反応室を
有する石英製の原料ボー） （３２）に原料インジウム
金属（３３）を入れ一ヒ流部よυ０．５ ｍｏｌ ％だ
けＰＣＩ、を含んだＨ２ガスを導入する。基板（３４）
は鏡面研摩、エツチングしたＧａＡａ単結晶を用い（９
） た。反応管内の温度は電気炉（３５） Ｋより制御し、
原料ソース温度は８２０°Ｃ成長温度は７５０°Ｃとｉ
−だ。
第１２図に本実施例における成長時間と成長層のＧ ａ
Ａ ｓ基板に対する格子不整合の変化の関係を示す。
Ａ ｓ基板に対する格子不整合の変化の関係を示す。
従来の原料ボートを用いたクロライド法気相成長による
ＩｎＧａＰの成長ではＧａ ソースに比べＩｎ ソース
の消費がはげしく下段の最上流部の反応室の原料Ｉｎの
個渇により成長開始後２時間位で成長層はＧａ増加の傾
向に組成変化し始める。
ＩｎＧａＰの成長ではＧａ ソースに比べＩｎ ソース
の消費がはげしく下段の最上流部の反応室の原料Ｉｎの
個渇により成長開始後２時間位で成長層はＧａ増加の傾
向に組成変化し始める。
第１２図の破線はＸ線による格子定数の測定よりこの組
成変化の様子を示したものである。しかしながら本発明
の原料ボートを用いた場合には５時間以上安定した組成
の成長層が得られＧａＡｓ基板との格子不整合は±２×
１０ 以内であった。
成変化の様子を示したものである。しかしながら本発明
の原料ボートを用いた場合には５時間以上安定した組成
の成長層が得られＧａＡｓ基板との格子不整合は±２×
１０ 以内であった。
第１図は、従来用いられている扇−■族化合物半導体気
相エピタキシャル成長装置の概略断面図である。図中の
１は電気炉、２はガス導入管、３は石英反応管、４は原
料金属、５は原料ボート、（ｌＯ） ６ｉｔ基板結晶、７けサセプタ、８け間仕切り板である
。 第２図は本発明による気相エピタキシャル成長装置用Ｉ
ＩＡ刺ボートの一構造例である。図中の間切り９には下
部に穴がおいている。 第３図は本発明による気相エピタキシャル成長装置用原
料ボートのｙ４なる他の構造例の縦断正面図である。図
中の１０は各反応室を連結しているパイプである。 第４図はハイドライド法気相成長法による本発明の原料
ボートを用いた■ｎＰ成長におゆる成長装置の概略断面
図である。図中の１１は原料インジウム金ｆｉ、１２は
本発明による４室の反応室を有する石英製原料ボート、
１３．１４はガス導入管、１５ＦｉＩｎＰ基板結晶、１
６は電気炉を示す。 第５図はハイドライド気相成長法によるＩｎＰ成長にお
ける本発明の効果を示す図で、成長速度の成長時間に対
する変化を示す図である。図中の破線は従来の結果、実
線は本発明による結果を示している。 第６図もハイドライド法気相成長法によるＩｎＰ成長に
おける本発明の効果を示す図でキャリア濃度の成長時間
に対する変化を示す図である。図中の破線は従来の結果
、実線は本発明による結果を示している。 第７図は本発明の原料ボートを用いたハイドライド法気
相成長法によるＩｎＧａＡｓＰ成長における成長装置の
概略断面図である。図中の１７．２０は本発明による４
室反応室を有する石英製原料ボート、１８は原料ガリウ
ム金属、２１ は原料インジウム金属、１９．２２．２
３けガス導入管、２４はＧ ａ Ａ ｓ基板結晶、２５
け電気炉を示す。 第８図はハイドライド法気相成長法によるＩｎＧａＡｓ
Ｐ成長における本発明の効果を示す図である。 Ｇ ａ Ａ ｓ基板との格子不整合の度合の成長時間に
対する変化を示している。図中の破線は従来の結果、実
ｆｌ！け本発明による結果を示している。 第９図は本発明の原料ボートを用いたクロライド法気相
成長法によるＩｎＰ成長における成長装置の概略断面図
である。図中の２６は原料インジウム金属、２７ｉ１本
発明による４室の反応室を有する石英製原料ボート、２
８ｔｔｌｎＰ基板結晶、２９ｔｉｔ電気炉を示す。 第１０図１クロライド法気相成長法によるＩｎＰ成長に
おける本発明の効果を示す図で、成長速度の成長時間に
対する変化を示す図である。図中の、破線は従来の結果
、実線は本発明による結果を示している。 第１１図は本発明の原料ボートを用いたクロライド法気
相成長法によるＩｎＧａＰ成長における成長装置の概略
断面図である。図中の３０．３２け本発明による４室の
反応室を有する石英ネジ原料ボート３１ け原料ガリウ
ム金ＪｉＪ、３３は原料インジウム金属、３４はＯａ
Ａ ｓ基板結晶、３５け電気炉を示すＯ ／ 第１２図はクロライド法気相成長法によるＩｎ（１ａＰ
成長における本発明の効果を示す図である。 ＧａＡｓ蔵板との格子不整合の度合の成長時間に対する
変化を示している。図中の破線は従来の結果、実線は本
発明による結果を示している。 （，３）代理人弁理士内原 晋 ０ ＋４図 ＋２１６１５ Ｑ（ｕｌ田／Ｖ）喜１ヂ町演 秋 四３”ｉ“／ｖ＋；ｍｒ’ＮＭ 国 １７″）＜Ｄ 秋 大 ＝１３１−
相エピタキシャル成長装置の概略断面図である。図中の
１は電気炉、２はガス導入管、３は石英反応管、４は原
料金属、５は原料ボート、（ｌＯ） ６ｉｔ基板結晶、７けサセプタ、８け間仕切り板である
。 第２図は本発明による気相エピタキシャル成長装置用Ｉ
ＩＡ刺ボートの一構造例である。図中の間切り９には下
部に穴がおいている。 第３図は本発明による気相エピタキシャル成長装置用原
料ボートのｙ４なる他の構造例の縦断正面図である。図
中の１０は各反応室を連結しているパイプである。 第４図はハイドライド法気相成長法による本発明の原料
ボートを用いた■ｎＰ成長におゆる成長装置の概略断面
図である。図中の１１は原料インジウム金ｆｉ、１２は
本発明による４室の反応室を有する石英製原料ボート、
１３．１４はガス導入管、１５ＦｉＩｎＰ基板結晶、１
６は電気炉を示す。 第５図はハイドライド気相成長法によるＩｎＰ成長にお
ける本発明の効果を示す図で、成長速度の成長時間に対
する変化を示す図である。図中の破線は従来の結果、実
線は本発明による結果を示している。 第６図もハイドライド法気相成長法によるＩｎＰ成長に
おける本発明の効果を示す図でキャリア濃度の成長時間
に対する変化を示す図である。図中の破線は従来の結果
、実線は本発明による結果を示している。 第７図は本発明の原料ボートを用いたハイドライド法気
相成長法によるＩｎＧａＡｓＰ成長における成長装置の
概略断面図である。図中の１７．２０は本発明による４
室反応室を有する石英製原料ボート、１８は原料ガリウ
ム金属、２１ は原料インジウム金属、１９．２２．２
３けガス導入管、２４はＧ ａ Ａ ｓ基板結晶、２５
け電気炉を示す。 第８図はハイドライド法気相成長法によるＩｎＧａＡｓ
Ｐ成長における本発明の効果を示す図である。 Ｇ ａ Ａ ｓ基板との格子不整合の度合の成長時間に
対する変化を示している。図中の破線は従来の結果、実
ｆｌ！け本発明による結果を示している。 第９図は本発明の原料ボートを用いたクロライド法気相
成長法によるＩｎＰ成長における成長装置の概略断面図
である。図中の２６は原料インジウム金属、２７ｉ１本
発明による４室の反応室を有する石英製原料ボート、２
８ｔｔｌｎＰ基板結晶、２９ｔｉｔ電気炉を示す。 第１０図１クロライド法気相成長法によるＩｎＰ成長に
おける本発明の効果を示す図で、成長速度の成長時間に
対する変化を示す図である。図中の、破線は従来の結果
、実線は本発明による結果を示している。 第１１図は本発明の原料ボートを用いたクロライド法気
相成長法によるＩｎＧａＰ成長における成長装置の概略
断面図である。図中の３０．３２け本発明による４室の
反応室を有する石英ネジ原料ボート３１ け原料ガリウ
ム金ＪｉＪ、３３は原料インジウム金属、３４はＯａ
Ａ ｓ基板結晶、３５け電気炉を示すＯ ／ 第１２図はクロライド法気相成長法によるＩｎ（１ａＰ
成長における本発明の効果を示す図である。 ＧａＡｓ蔵板との格子不整合の度合の成長時間に対する
変化を示している。図中の破線は従来の結果、実線は本
発明による結果を示している。 （，３）代理人弁理士内原 晋 ０ ＋４図 ＋２１６１５ Ｑ（ｕｌ田／Ｖ）喜１ヂ町演 秋 四３”ｉ“／ｖ＋；ｍｒ’ＮＭ 国 １７″）＜Ｄ 秋 大 ＝１３１−
Claims (1)
- 原料に一族金属を用いて冒−ｖ族化合物半導体を形成す
る気相エピタキシャル成長装置の反応管内に設ける薯族
金属用原料ボートであって、このボート内に少なくとも
２室以上の反応室を有し、かつこれらの反応室中の原料
が液体状態において各反応室間で移動できる構造を備え
たことを特徴とする気相エピタキシャル成長装置用原料
ボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16273383A JPS6054429A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | 気相エピタキシャル成長装置用原料ボ−ト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16273383A JPS6054429A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | 気相エピタキシャル成長装置用原料ボ−ト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6054429A true JPS6054429A (ja) | 1985-03-28 |
Family
ID=15760228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16273383A Pending JPS6054429A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | 気相エピタキシャル成長装置用原料ボ−ト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054429A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63175167A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-19 | 小財 源蔵 | 長尺筒状織物等の除塵装置 |
| JPH0436986U (ja) * | 1990-07-26 | 1992-03-27 |
-
1983
- 1983-09-05 JP JP16273383A patent/JPS6054429A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63175167A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-19 | 小財 源蔵 | 長尺筒状織物等の除塵装置 |
| JPH0461107B2 (ja) * | 1987-01-09 | 1992-09-29 | Genzo Kozai | |
| JPH0436986U (ja) * | 1990-07-26 | 1992-03-27 |
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