JPS6047503A - 集積トランジスタ高周波水晶発振回路 - Google Patents
集積トランジスタ高周波水晶発振回路Info
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- JPS6047503A JPS6047503A JP59154187A JP15418784A JPS6047503A JP S6047503 A JPS6047503 A JP S6047503A JP 59154187 A JP59154187 A JP 59154187A JP 15418784 A JP15418784 A JP 15418784A JP S6047503 A JPS6047503 A JP S6047503A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/364—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising field effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/366—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は、モノリシック集積１〜ランジスタ高周波水
晶発振回路に関するものである。
晶発振回路に関するものである。
［発明の技術的背景］
発振周波数８．８ＭＨ２用のモノリシック集積１〜ラン
ジスタ高周波水晶発振回路についてはｙａ＋ｖ。
ジスタ高周波水晶発振回路についてはｙａ＋ｖ。
−３ｅｒｉｃｈｔｅ 、 １９７４年４月号、１８〜２
０頁に記載されている。８．８Ｍ＋−１２以上の発振周
波数、特に約２倍の周波数である１７．７ＭＨ７の発振
周波数用に前記水晶発振回路を再設計するにあたって、
本発明者は水晶発振回路の増幅器部分におりる増幅度は
十分な振幅を水晶振動子に与えるには十分なものではな
いことを発見した。前記回路のこの欠点は増幅器部分に
先行して別の増幅器段を設【ノるという簡単な方法によ
って除くことができる。
０頁に記載されている。８．８Ｍ＋−１２以上の発振周
波数、特に約２倍の周波数である１７．７ＭＨ７の発振
周波数用に前記水晶発振回路を再設計するにあたって、
本発明者は水晶発振回路の増幅器部分におりる増幅度は
十分な振幅を水晶振動子に与えるには十分なものではな
いことを発見した。前記回路のこの欠点は増幅器部分に
先行して別の増幅器段を設【ノるという簡単な方法によ
って除くことができる。
しかしながら、この方法は、高い周波数においては所望
しない位相シフトが後続している増幅器段によって発生
される欠点を生じる。
しない位相シフトが後続している増幅器段によって発生
される欠点を生じる。
［発明の概要］
この発明の目的は、縦続的に配置された増幅器段を使用
しないで水晶発振回路の増幅器部分における増幅度の不
十分である欠点を克服することである。
しないで水晶発振回路の増幅器部分における増幅度の不
十分である欠点を克服することである。
この発明においては、利得を増加させ、したがって水晶
発振回路の水晶振動子に生じる電圧の振幅を増加させる
ために、増幅器部分に第１の差動増幅器を備え、位相シ
フト部分に２個の別の差動増幅器を備えている通常の回
路は、増幅器部分に第４の差動増幅器を備えるように変
形されている。
発振回路の水晶振動子に生じる電圧の振幅を増加させる
ために、増幅器部分に第１の差動増幅器を備え、位相シ
フト部分に２個の別の差動増幅器を備えている通常の回
路は、増幅器部分に第４の差動増幅器を備えるように変
形されている。
この第４の差動増幅器は前記２個の差動増幅器の動作抵
抗をよこぎってこれらの差動増幅器中に追加の電流を流
し、その結果追加の電圧降下がエミッタホロアを介して
水晶振動子に供給される。
抗をよこぎってこれらの差動増幅器中に追加の電流を流
し、その結果追加の電圧降下がエミッタホロアを介して
水晶振動子に供給される。
この発明による効果は、追加の、縦続的に配置された増
幅器段を使用することなく水晶発振回路自身の増幅器部
分内で十分の増幅度が得られるこ５− とである。
幅器段を使用することなく水晶発振回路自身の増幅器部
分内で十分の増幅度が得られるこ５− とである。
［発明の実施例］
以下、添附図面を参照してこの発明の発振回路の実施例
について説明する。
について説明する。
通常のように水晶発振回路は水晶振動子ｑを備え、さら
に、この実施例においてはそれと直列に接続されたキャ
パシタＣ２を備えている。しかしながらこれは省略する
こともできる。この直列装置はモノリシック集積発振回
路の２個の外部端子１０．２０に接続されている。発振
回路の集積部分は４個の差動増幅器１，２，３．４およ
びそれに割当てられた別の段および部品を備えている。
に、この実施例においてはそれと直列に接続されたキャ
パシタＣ２を備えている。しかしながらこれは省略する
こともできる。この直列装置はモノリシック集積発振回
路の２個の外部端子１０．２０に接続されている。発振
回路の集積部分は４個の差動増幅器１，２，３．４およ
びそれに割当てられた別の段および部品を備えている。
第１の差動増幅器１は、第１および第２のトランジスタ
１１．１２およびそれらのトランジスタの共通エミッタ
回路に配置された第１の定電流トランジスタｋｔ１およ
び第１および第２の抵抗ｒｌ 、 ｒ２によって発振回
路の増幅器部分を形成し、この・部分にこの発明により
第４の差動増幅器が設けられており、それは第１および
第２のトランジスタ４１．４２および第２の定電流トラ
ンジスタｋｔ２を備えている。２個の定６− 電流トランジスタｋｔ１．ｋｔ２はそれらのエミッタ抵
抗ｒｅ１ 、 ｒｅ２が回路のゼロ電位点に接続され、
それらのコレクタはそれぞれトランジスタ１１．１２或
いは４１．４２のエミッタに接続され、一方、そのベー
ス電極は共通の一定電位ｕ１に接続されている。電位Ｕ
１およびエミッタ抵抗ｒｅ１ 、 ｒｅ２の値はそれぞ
れの定電流の値によって決定される。
１１．１２およびそれらのトランジスタの共通エミッタ
回路に配置された第１の定電流トランジスタｋｔ１およ
び第１および第２の抵抗ｒｌ 、 ｒ２によって発振回
路の増幅器部分を形成し、この・部分にこの発明により
第４の差動増幅器が設けられており、それは第１および
第２のトランジスタ４１．４２および第２の定電流トラ
ンジスタｋｔ２を備えている。２個の定６− 電流トランジスタｋｔ１．ｋｔ２はそれらのエミッタ抵
抗ｒｅ１ 、 ｒｅ２が回路のゼロ電位点に接続され、
それらのコレクタはそれぞれトランジスタ１１．１２或
いは４１．４２のエミッタに接続され、一方、そのベー
ス電極は共通の一定電位ｕ１に接続されている。電位Ｕ
１およびエミッタ抵抗ｒｅ１ 、 ｒｅ２の値はそれぞ
れの定電流の値によって決定される。
トランジスタ１１．１２のベース電極は第１および第２
の抵抗ｒ１ 、 ｒ２を介して別の定電位ｕ２に接続さ
れている。第４の差動増幅器４の第１のトランジスタ４
１のベース電極は第１の差動増幅器１の第１のトランジ
スタ１１のコレクタに接続され、同様にトランジスタ４
２のベース電極はトランジスタ１２のコレクタに接続さ
れている。トランジスタ１１のコレクタは抵抗ｒ３を介
して第２の差動増幅器２のトランジスタ２１．２２の互
いに接続されたエミッタに接続され、同様に、トランジ
スタ１２のコレクタは抵抗ｒ４を介して第３の差動増幅
器３のトランジスタ３１．３２の互いに接続されたエミ
ッタに接続されている。水晶発振回路の正弦波出力信号
はトランジスタ１１，１２のコレクタから取出すことが
できる。
の抵抗ｒ１ 、 ｒ２を介して別の定電位ｕ２に接続さ
れている。第４の差動増幅器４の第１のトランジスタ４
１のベース電極は第１の差動増幅器１の第１のトランジ
スタ１１のコレクタに接続され、同様にトランジスタ４
２のベース電極はトランジスタ１２のコレクタに接続さ
れている。トランジスタ１１のコレクタは抵抗ｒ３を介
して第２の差動増幅器２のトランジスタ２１．２２の互
いに接続されたエミッタに接続され、同様に、トランジ
スタ１２のコレクタは抵抗ｒ４を介して第３の差動増幅
器３のトランジスタ３１．３２の互いに接続されたエミ
ッタに接続されている。水晶発振回路の正弦波出力信号
はトランジスタ１１，１２のコレクタから取出すことが
できる。
この発明によれば、第４の差動増幅器４の第１のトラン
ジスタ４１のコレクタは第３の差動増幅器３のトランジ
スタ３１．３２のエミッタに接続され、第４の差動増幅
器４の第２のトランジスタ４２のコレクタは第２の差動
増幅器２の１〜ランジスタ２１，２２のエミッタに接続
されている。
ジスタ４１のコレクタは第３の差動増幅器３のトランジ
スタ３１．３２のエミッタに接続され、第４の差動増幅
器４の第２のトランジスタ４２のコレクタは第２の差動
増幅器２の１〜ランジスタ２１，２２のエミッタに接続
されている。
第２の差動増幅器２の第１のトランジスタ２１のベース
電極は第３の差動増幅器３の第２のトランジスタ３２の
ベース電極に接続され、第２の差動増幅器２の第２のト
ランジスタ２２のベース電極は第３の差動増幅器３の第
１のトランジスタ３１のベース電極に接続されている。
電極は第３の差動増幅器３の第２のトランジスタ３２の
ベース電極に接続され、第２の差動増幅器２の第２のト
ランジスタ２２のベース電極は第３の差動増幅器３の第
１のトランジスタ３１のベース電極に接続されている。
トランジスタ２１．３２のベース電極は端子Ｓ２に結合
され、トランジスタ２２．３１のベース電極は端子Ｓ１
に結合されている。前述の従来の技術の回路と同様に、
端子ｓ１ 、 ｓ２に供給される電圧が発振回路の周波
数に影響を与える。第２の差動増幅器２のトランジスタ
２１．２２のそれぞれのコレクタ回路内に第５および第
６の抵抗ｒ５．ｒ６または第７および第８の抵抗ｒ７．
ｒ８よりなる直列装置が配置され、抵抗ｒ６．ｒ８は
電源に接続されている。抵抗ｒ５．ｒ６の接続点および
抵抗ｒ７． ｒ８の接続点に対して、第３の差動増幅器
３のトランジスタ３１のコレクタおよびトランジスタ３
２のコレクタがそれぞれ接続されている。
され、トランジスタ２２．３１のベース電極は端子Ｓ１
に結合されている。前述の従来の技術の回路と同様に、
端子ｓ１ 、 ｓ２に供給される電圧が発振回路の周波
数に影響を与える。第２の差動増幅器２のトランジスタ
２１．２２のそれぞれのコレクタ回路内に第５および第
６の抵抗ｒ５．ｒ６または第７および第８の抵抗ｒ７．
ｒ８よりなる直列装置が配置され、抵抗ｒ６．ｒ８は
電源に接続されている。抵抗ｒ５．ｒ６の接続点および
抵抗ｒ７． ｒ８の接続点に対して、第３の差動増幅器
３のトランジスタ３１のコレクタおよびトランジスタ３
２のコレクタがそれぞれ接続されている。
第２の増幅器２のトランジスタ２２のコレクタは第１の
キャパシタＣ１を介してエミッタホロアのトランジスタ
ｅｆのベース電極に接続され、同様に第２の差動増幅器
２のトランジスタ２１のコレクタは抵抗ｒ９を通ってこ
のトランジスタｅｆのベース電極に接続されている。こ
のトランジスタｅｆのエミッタは前述の端子の一方１０
に接続されると共にエミッタ抵抗ｒｅ３を介して回路の
ゼロ電位点に接続されている。
キャパシタＣ１を介してエミッタホロアのトランジスタ
ｅｆのベース電極に接続され、同様に第２の差動増幅器
２のトランジスタ２１のコレクタは抵抗ｒ９を通ってこ
のトランジスタｅｆのベース電極に接続されている。こ
のトランジスタｅｆのエミッタは前述の端子の一方１０
に接続されると共にエミッタ抵抗ｒｅ３を介して回路の
ゼロ電位点に接続されている。
他方の外部端子２０は第１の差動増幅器１の第２のトラ
ンジスタ１２のベース電極に接続されている。
ンジスタ１２のベース電極に接続されている。
この発明によって第４の差動増幅器４およびそれに関係
する第２の定電流トランジスタｋｔ２を設けることによ
って、第２および第３の差動増幅器９− ２．３の両者中に含まれている発振器回路の位相シフト
部分、したがって水晶振動子ｑに現われる電圧振幅は十
分に大きくなる。それは第４の差動増幅器４が２個の差
動増幅器２．３に追加の電流を流すからである。したが
って第４の差動増幅器４は対応する拡大された電圧降下
を第２の差動増幅器２の抵抗ｒ５．ｒ６或いはｒ７．
ｒ８の両端にそれぞれ発生させる。その拡大された電圧
降下は例えばそれがない場合の値の２倍である。
する第２の定電流トランジスタｋｔ２を設けることによ
って、第２および第３の差動増幅器９− ２．３の両者中に含まれている発振器回路の位相シフト
部分、したがって水晶振動子ｑに現われる電圧振幅は十
分に大きくなる。それは第４の差動増幅器４が２個の差
動増幅器２．３に追加の電流を流すからである。したが
って第４の差動増幅器４は対応する拡大された電圧降下
を第２の差動増幅器２の抵抗ｒ５．ｒ６或いはｒ７．
ｒ８の両端にそれぞれ発生させる。その拡大された電圧
降下は例えばそれがない場合の値の２倍である。
図示の実施例においては、トランジスタとしてバイポー
ラトランジスタが使用されている。しかしながら、当業
者に明らかなように、この発明はバイポーラトランジス
タの使用に限定されるものではなく、いわゆるＭＯ８技
術を使用した絶縁ゲート電界効果トランジスタによって
実現することもできる。その場合には、例えば抵抗は対
応して接続されたＭＯＳトランジスタによって構成する
ことができる。
ラトランジスタが使用されている。しかしながら、当業
者に明らかなように、この発明はバイポーラトランジス
タの使用に限定されるものではなく、いわゆるＭＯ８技
術を使用した絶縁ゲート電界効果トランジスタによって
実現することもできる。その場合には、例えば抵抗は対
応して接続されたＭＯＳトランジスタによって構成する
ことができる。
図はバイポーラｎｏｎトランジスタを使用した１０−
この発明の１実施例の回路図である。
１，２，３．４・・・差動増幅器、ｑ・・−水晶、ｋｔ
ｌ、ｋｔ２・・・定電流トランジスタ、１０．２０・・
・外部端子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 １１−
ｌ、ｋｔ２・・・定電流トランジスタ、１０．２０・・
・外部端子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 １１−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 水晶振動子と、 エミッタ回路に第１の定電流トランジスタを有する第１
の差動増幅器を具備している増幅器部分と、 第２および第３の差動増幅器ならびに第１のキャパシタ
を備えている位相シフト部分と、エミッタホロアと、 前記水晶振動子に前記エミッタホロアの出力を結合する
回路手段とを具備し、 前記第１０差動増幅器は第１および第２のトランジスタ
を具備し、前記第１のトランジスタのベース電極は第１
の抵抗を介して定電位点に接続され、前記第２のトラン
ジスタのベース電極は第２の抵抗を介して前記定電位点
に接続され、前記水晶振動子は第２のトランジスタのベ
ース電極に接続され、 前記第２の差動増幅器は第３および第４の１〜ランジス
タを具備し、それらトランジスタのエミッタは互いに接
続されて第３の抵抗を介して前記第１のトランジスタの
コレクタに接続され、前記第３の差動増幅器は第５およ
び第６のトランジスタを具備し、それらトランジスタの
エミッタは互いに接続されて第４の抵抗を介して前記第
２のトランジスタのコレクタに接続され、前記第１およ
び第２のトランジスタのコレクタにそれぞれ結合された
第１および第２の出力端子が正弦波出力信号を与え、 第５および第６の抵抗が電位源と前記第３のトランジス
タのコレクタとの間に直列に接続され、前記第５のトラ
ンジスタのコレクタが前記第５および第６の抵抗の接続
点に接続され、 第７および第８の抵抗が前記電位源と前記第４のトラン
ジスタのコレクタとの間に直列に接続され、前記第６の
トランジスタのコレクタが前記第７および第８の抵抗の
接続点に接続され、第１のキャパシタは前記第４のトラ
ンジスタのコレクタを前記エミッタホロアの入力に結合
し、第９の抵抗は前記第３のトランジスタのコレクタと
前記エミッタホロアの入力とを結合し、前記第３のトラ
ンジスタのベース電極は前記第６のトランジスタのベー
ス電極に結合され、前記第４のトランジスタのベース電
極は前記第５のトランジスタのベース電極に結合され、
増幅器部分における第４の差動増幅器は第７および第８
のトランジスタを具備し、前記第７のトランジスタのベ
ース電極は第１のトランジスタのコレクタに結合され、
第８のトランジスタのベース電極は第２のトランジスタ
のコレクタに結合され、前記第７のトランジスタのコレ
クタは前記第５および第６のトランジスタのエミッタに
結合され、前記第８のトランジスタのコレクタは前記第
３および第４のトランジスタのエミッタに結合され、 第２の定電流トランジスタは前記第７および第８のトラ
ンジスタのエミッタに結合され、前記第１および第２の
定電流トランジスタのベース電極は一定の電位に結合さ
れていることを特徴とするモノリシック集積トランジス
タ高周波水晶発振回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP83107491.9 | 1983-07-29 | ||
| EP83107491A EP0133618B1 (de) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | Monolithisch integrierte Transistor-Hochfreqzenz-Quarzoszillatorschaltung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047503A true JPS6047503A (ja) | 1985-03-14 |
Family
ID=8190602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59154187A Pending JPS6047503A (ja) | 1983-07-29 | 1984-07-26 | 集積トランジスタ高周波水晶発振回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4560955A (ja) |
| EP (1) | EP0133618B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6047503A (ja) |
| AU (1) | AU3126084A (ja) |
| DE (1) | DE3372432D1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3054013B2 (ja) * | 1993-12-22 | 2000-06-19 | 株式会社東芝 | バイアス回路 |
| EP0707379A1 (en) * | 1994-10-11 | 1996-04-17 | BELL TELEPHONE MANUFACTURING COMPANY Naamloze Vennootschap | Tunable quadrature phase shifter |
| US5589804A (en) * | 1995-07-17 | 1996-12-31 | Motorola Inc. | Oscillator with impedance buffer for increased pullability |
| US6696898B1 (en) | 1998-11-12 | 2004-02-24 | Broadcom Corporation | Differential crystal oscillator |
| US7092043B2 (en) | 1998-11-12 | 2006-08-15 | Broadcom Corporation | Fully integrated tuner architecture |
| US6542042B1 (en) | 2001-02-20 | 2003-04-01 | Analog Devices, Inc. | Low power crystal oscillator with feedback resistor pair |
| DE102005032468B4 (de) | 2005-07-08 | 2007-06-06 | Atmel Germany Gmbh | Integrierte Quarzoszillatorschaltung |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3763439A (en) * | 1972-08-21 | 1973-10-02 | Gen Electric | Voltage controlled oscillator for integrated circuit fabrication |
| US3973221A (en) * | 1975-04-07 | 1976-08-03 | Motorola, Inc. | Voltage controlled crystal oscillator apparatus |
| US4128817A (en) * | 1976-03-03 | 1978-12-05 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Voltage controlled oscillator with phase control circuits |
-
1983
- 1983-07-29 EP EP83107491A patent/EP0133618B1/de not_active Expired
- 1983-07-29 DE DE8383107491T patent/DE3372432D1/de not_active Expired
-
1984
- 1984-07-26 JP JP59154187A patent/JPS6047503A/ja active Pending
- 1984-07-27 US US06/634,960 patent/US4560955A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-07-27 AU AU31260/84A patent/AU3126084A/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU3126084A (en) | 1985-01-31 |
| US4560955A (en) | 1985-12-24 |
| EP0133618A1 (de) | 1985-03-06 |
| EP0133618B1 (de) | 1987-07-08 |
| DE3372432D1 (en) | 1987-08-13 |
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