JPS6047429A - 樹脂パッケ−ジの成形金型 - Google Patents
樹脂パッケ−ジの成形金型Info
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- JPS6047429A JPS6047429A JP58155435A JP15543583A JPS6047429A JP S6047429 A JPS6047429 A JP S6047429A JP 58155435 A JP58155435 A JP 58155435A JP 15543583 A JP15543583 A JP 15543583A JP S6047429 A JPS6047429 A JP S6047429A
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- resin
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- memory device
- cavity
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 29
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- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/12—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor with incorporated means for positioning inserts, e.g. labels
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- B29L2031/3406—Components, e.g. resistors
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(a)発明の技術分野
本発明は外装成形方法に係る樹脂パッケージの成形金型
に関する。
に関する。
(b)技術の背景−Tlyiルl成叢
情報処理装置の記憶媒体に使用される磁気バブルメモリ
デバイスは、一般的には金属ケースに気密封止するか若
しくは樹脂封止することが行なわれる。本発明は、バブ
ルメモリデバイス組立体に対し前記後者の樹脂パッケー
ジ外装封止をなすモールド成形手段に就き提示したもの
である。
デバイスは、一般的には金属ケースに気密封止するか若
しくは樹脂封止することが行なわれる。本発明は、バブ
ルメモリデバイス組立体に対し前記後者の樹脂パッケー
ジ外装封止をなすモールド成形手段に就き提示したもの
である。
(C)従来技術の問題点
第1図は、樹脂封止前のメモリデバイス組立体の斜視図
である。
である。
斜視図に於いて、1は図示されないメモリチップが装着
されたセラミック基板、2と3はメモリチップ装着基板
を抱え込む様に巻回されたバブル駆動用のX方向コイル
とY方向コイル、及び4はメモリチップの配線パターン
と接続されたリード端子、或いはリードフレームとも呼
ばれるばね成形の端子体である。
されたセラミック基板、2と3はメモリチップ装着基板
を抱え込む様に巻回されたバブル駆動用のX方向コイル
とY方向コイル、及び4はメモリチップの配線パターン
と接続されたリード端子、或いはリードフレームとも呼
ばれるばね成形の端子体である。
前記構成のメモリデバイス組立体5は1図示垂直方向(
太矢印)の磁気バブルを安定に保持する均整なバイアス
マグネント磁界が印下されると共に、該メモリデバイス
を外部磁界から保護する金属製のシールドケースが周設
されてバブルメモリが組立完成となる。
太矢印)の磁気バブルを安定に保持する均整なバイアス
マグネント磁界が印下されると共に、該メモリデバイス
を外部磁界から保護する金属製のシールドケースが周設
されてバブルメモリが組立完成となる。
ところで、第1図メモリデバイス組立体を低圧モールド
成形法により樹脂外装する場合、成形時の樹脂圧力で組
立体が位置ズレを起こしたり傾きが発生することがある
。前記傾きがあると磁気バプルを安定に保持する前記バ
イアスマグネット磁界がバラツキ、安定とするメモリ駆
動制御が出来なくなることが問題である。
成形法により樹脂外装する場合、成形時の樹脂圧力で組
立体が位置ズレを起こしたり傾きが発生することがある
。前記傾きがあると磁気バプルを安定に保持する前記バ
イアスマグネット磁界がバラツキ、安定とするメモリ駆
動制御が出来なくなることが問題である。
(d)発明の目的
本発明の目的は前記の問題点を解決することにある。外
装樹脂封止をなす低圧モールド成形に於いて、前記成形
金型内メモリデバイスの安定な支持をなす金型構成を提
示するものである。
装樹脂封止をなす低圧モールド成形に於いて、前記成形
金型内メモリデバイスの安定な支持をなす金型構成を提
示するものである。
(e)発明の構成
前記目的は、磁気バブルメモリデバイス組立体の樹脂パ
ッケージ成形金型に於いて、金型キャビティ内の前記デ
バイス組立基板は、少なくとも三点で支承された位置決
めがされてモールド成形することにより達成することが
出来る。
ッケージ成形金型に於いて、金型キャビティ内の前記デ
バイス組立基板は、少なくとも三点で支承された位置決
めがされてモールド成形することにより達成することが
出来る。
(f)発明の実施例
以下1本発明の低圧モールド成形金型実施例を示す第2
図〜第4図を参照して本発明の詳細な説明する。
図〜第4図を参照して本発明の詳細な説明する。
第2図は、前記せるメモリチップ実装のデバイス組立体
5をモールド成形する金型斜視図で、金型に対する組立
体の位置決め方法を示す本発明の下側モールド成形金型
斜視図である。
5をモールド成形する金型斜視図で、金型に対する組立
体の位置決め方法を示す本発明の下側モールド成形金型
斜視図である。
第2図の金型斜視図に於いて、6は金型底面がら一定高
さをとる複数の基準ピン、7は成形の金型底面、8は樹
脂注入のゲート、及び9は前記メモリデバイス組立体5
のリードフレーム4端部を固定する金型段差面である(
第4図参照)。係る金型キャビティの底面7に埋設する
一定高さの四本の基準ピン6、並びに前記の金型段差面
9により2組立体を安定に固定することが出来る。
さをとる複数の基準ピン、7は成形の金型底面、8は樹
脂注入のゲート、及び9は前記メモリデバイス組立体5
のリードフレーム4端部を固定する金型段差面である(
第4図参照)。係る金型キャビティの底面7に埋設する
一定高さの四本の基準ピン6、並びに前記の金型段差面
9により2組立体を安定に固定することが出来る。
第3図と第4図は、モールド樹脂注入時に於ける金型キ
ャビティ内のメモリデバイス組立体5の固定手段を明示
する金型全体の断面図である。
ャビティ内のメモリデバイス組立体5の固定手段を明示
する金型全体の断面図である。
但し第3図は第2図指標線A−A該当位置にて切断した
金型断面図、及び第4図は同図指標線B−B該当の位置
にて切断した断面図である。
金型断面図、及び第4図は同図指標線B−B該当の位置
にて切断した断面図である。
第3図図中、10は上側金型11の樹脂注入ゲート。
及び12は前記組立体5が挿入された長方形のモールド
キャビティである。モールドキャビティ12とゲート8
との図示相体的配置8から注入される樹脂流は、前記組
立体5の上方を主流とし、その残流は組立体5の下方に
も流れる。この為、キャビティ内組立体は樹脂流により
下方に圧下される。
キャビティである。モールドキャビティ12とゲート8
との図示相体的配置8から注入される樹脂流は、前記組
立体5の上方を主流とし、その残流は組立体5の下方に
も流れる。この為、キャビティ内組立体は樹脂流により
下方に圧下される。
然し、前記複数の基準ピン6が組立体5を支承するので
1Mビン高さを保持して組立体周辺に均等な樹脂層が形
成されることになる。組立体を支承する複数の基準ピン
6は、セラミック基板1と四個所で支承されるも、これ
は三個所で支承するも構わない。
1Mビン高さを保持して組立体周辺に均等な樹脂層が形
成されることになる。組立体を支承する複数の基準ピン
6は、セラミック基板1と四個所で支承されるも、これ
は三個所で支承するも構わない。
第4図は第3図モールドキャビティと直交する長方形の
金型キャビティ断面図である。同図は。
金型キャビティ断面図である。同図は。
特にデバイス組立体のリードフレーム4が金型段差面9
で押さえ込まれて組立体固定がされる状態が明示される
。即ち1組立体5は、支承の複数の基準ピン6の高さよ
り若干低いレベルでリードフレーム端面13が固定され
、成形フレームのばね弾性を用いてキャビティ内組立体
の予位置出しがされるを示す。
で押さえ込まれて組立体固定がされる状態が明示される
。即ち1組立体5は、支承の複数の基準ピン6の高さよ
り若干低いレベルでリードフレーム端面13が固定され
、成形フレームのばね弾性を用いてキャビティ内組立体
の予位置出しがされるを示す。
この様な基準ピン6を具えるモールド成形金型を使用す
れば、安定な樹脂モールド成形が可能となる。
れば、安定な樹脂モールド成形が可能となる。
前記実施例に引用せるデバイス組立体は特定の磁気バブ
ルメモリデバイスをとりあげているが。
ルメモリデバイスをとりあげているが。
本発明の前記成形金型は、一般電子部品にたいする同等
の樹脂外装封止を成すモールド成形の金型に適用して有
効なこと言うまでもない。
の樹脂外装封止を成すモールド成形の金型に適用して有
効なこと言うまでもない。
(g)発明の効果
以上、詳細に説明した本発明の樹脂パッケージの成形金
型によれば、従来問題となった組立体の位置ズレや傾き
がなくなり、且つ又、外装樹脂肉厚も均等に付加される
こととなる。係る観点から本発明の実用的価値は大きい
。
型によれば、従来問題となった組立体の位置ズレや傾き
がなくなり、且つ又、外装樹脂肉厚も均等に付加される
こととなる。係る観点から本発明の実用的価値は大きい
。
第1図は樹脂封止前のデバイス組立体の斜視図。
第2図は本発明のモールドキャビティ金型実施例を示す
斜視図、第3図は第2図の指標線A−A該当の位置にて
切断した金型断面図、及び第4図は第2図の指標線B−
B該当の位置にて切断した金型断面図である。 図中、1はセラミック基板、4はリードフレー入端子、
5はメモリデバイス組立体、6は複数の基準ビン、7は
成形金型の底面、8と10は樹脂注入のゲート、及び9
は組立体5の金型固定部、及び12はモールドキャビテ
ィである。 第1 に 第2図 竿3 閃 第4図
斜視図、第3図は第2図の指標線A−A該当の位置にて
切断した金型断面図、及び第4図は第2図の指標線B−
B該当の位置にて切断した金型断面図である。 図中、1はセラミック基板、4はリードフレー入端子、
5はメモリデバイス組立体、6は複数の基準ビン、7は
成形金型の底面、8と10は樹脂注入のゲート、及び9
は組立体5の金型固定部、及び12はモールドキャビテ
ィである。 第1 に 第2図 竿3 閃 第4図
Claims (1)
- バブルメモリデバイス組立体の樹脂パッケージ成形金型
に於いて、金型キャビティ内の前記デバイス組立体は、
少なくとも三点で支承された位置決めがされてモールド
成形することを特徴とする樹脂パッケージの成形金型。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58155435A JPS6047429A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 樹脂パッケ−ジの成形金型 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58155435A JPS6047429A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 樹脂パッケ−ジの成形金型 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6047429A true JPS6047429A (ja) | 1985-03-14 |
Family
ID=15605960
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58155435A Pending JPS6047429A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 樹脂パッケ−ジの成形金型 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6047429A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61192815U (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-01 | ||
JPS6249243U (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-26 | ||
JPS63218313A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-09-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電子部品の外装体成型方法 |
JP2006231604A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Tdk Corp | 成形方法 |
JP2012172632A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Denso Corp | グロープラグ制御装置、及び当該グロープラグ制御装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-08-25 JP JP58155435A patent/JPS6047429A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61192815U (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-01 | ||
JPS6249243U (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-26 | ||
JPS63218313A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-09-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電子部品の外装体成型方法 |
JP2006231604A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Tdk Corp | 成形方法 |
JP2012172632A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Denso Corp | グロープラグ制御装置、及び当該グロープラグ制御装置の製造方法 |
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