JP3201014B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、モールド樹脂から成る
基台に半導体素子を搭載した半導体装置に関するもので
ある。
基台に半導体素子を搭載した半導体装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置のコストダウンや軽量小型
化、生産性の向上等を図る目的で、半導体素子をモール
ド樹脂にて一体封止するパッケージや、モールド樹脂製
の基台上に半導体素子を搭載して上蓋にて包囲した、い
わゆる中空パッケージなどを用いた半導体装置がある。
化、生産性の向上等を図る目的で、半導体素子をモール
ド樹脂にて一体封止するパッケージや、モールド樹脂製
の基台上に半導体素子を搭載して上蓋にて包囲した、い
わゆる中空パッケージなどを用いた半導体装置がある。
【０００３】これらのうち、中空パッケージを用いた半
導体装置を図４の断面図に基づいて説明する。すなわ
ち、この半導体装置１は、金型にモールド樹脂を充填し
て硬化させて成る基台２と、基台２の略中央に設けられ
た窪み状のダイアタッチ部２１に搭載された半導体素子
１０と、ダイアタッチ部２１の周囲に設けられた所定高
さの枠部２２に取り付けられた上蓋３とから構成される
ものである。半導体素子１０は、ダイアタッチ部２１に
塗布された接着剤５により接着されており、基台２と上
蓋３との間に形成される中空領域内に密封状態で配置さ
れている。なお、半導体素子１０はリードと電気的に接
続されており、このリードが半導体装置１から延出して
いるが、説明を簡単にするためこのリードは図示しない
ものとする。
導体装置を図４の断面図に基づいて説明する。すなわ
ち、この半導体装置１は、金型にモールド樹脂を充填し
て硬化させて成る基台２と、基台２の略中央に設けられ
た窪み状のダイアタッチ部２１に搭載された半導体素子
１０と、ダイアタッチ部２１の周囲に設けられた所定高
さの枠部２２に取り付けられた上蓋３とから構成される
ものである。半導体素子１０は、ダイアタッチ部２１に
塗布された接着剤５により接着されており、基台２と上
蓋３との間に形成される中空領域内に密封状態で配置さ
れている。なお、半導体素子１０はリードと電気的に接
続されており、このリードが半導体装置１から延出して
いるが、説明を簡単にするためこのリードは図示しない
ものとする。
【０００４】このような中空パッケージを用いた半導体
装置１は、主にエリアセンサーやリニアセンサー等の光
学系部品から成るものが多く、したがって、上蓋３とし
て透光率の高いガラスや透明樹脂が用いられている。し
かも、外部の光学レンズ系（図示せず）と半導体素子１
０との光軸合わせの観点から、ダイアタッチ部２１と半
導体素子１０との位置合わせや、半導体装置１を実装す
る実装基板（図示せず）とこの半導体装置１との位置合
わせ等において高精度が要求されている。このような基
台２は、半導体素子１０の位置合わせ、および半導体装
置１の位置合わせの基準となるため、高精度の金型を用
いて形成されている。
装置１は、主にエリアセンサーやリニアセンサー等の光
学系部品から成るものが多く、したがって、上蓋３とし
て透光率の高いガラスや透明樹脂が用いられている。し
かも、外部の光学レンズ系（図示せず）と半導体素子１
０との光軸合わせの観点から、ダイアタッチ部２１と半
導体素子１０との位置合わせや、半導体装置１を実装す
る実装基板（図示せず）とこの半導体装置１との位置合
わせ等において高精度が要求されている。このような基
台２は、半導体素子１０の位置合わせ、および半導体装
置１の位置合わせの基準となるため、高精度の金型を用
いて形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな半導体装置１の基台２には、金型のキャビティ内か
ら形成後の基台２を突き出すためのイジェクターピンの
当接部分２３が必ず設けられている。この当接部分２３
には、イジェクターピンと金型とのクリアランスに起因
するバリ２４が発生するため、当接部分２３の数はなる
べく少ない方が好ましい。このため、基台２の小型化が
進むにつれて、当接部分２３は基台２の略中央に一箇所
だけ設けられることになる。
うな半導体装置１の基台２には、金型のキャビティ内か
ら形成後の基台２を突き出すためのイジェクターピンの
当接部分２３が必ず設けられている。この当接部分２３
には、イジェクターピンと金型とのクリアランスに起因
するバリ２４が発生するため、当接部分２３の数はなる
べく少ない方が好ましい。このため、基台２の小型化が
進むにつれて、当接部分２３は基台２の略中央に一箇所
だけ設けられることになる。
【０００６】ところが、基台２の略中央には半導体素子
１０を搭載するためのダイアタッチ部２１が設けられて
おり、ここに当接部分２３を設けることでダイアタッチ
部２１にバリ２４が発生することになる。このようなダ
イアタッチ部２１に半導体素子１０を搭載しようとする
と、バリ２４のために半導体素子１０が斜めになったり
（図４参照）して、半導体素子１０を高精度に搭載しよ
うとする場合の妨げとなる。
１０を搭載するためのダイアタッチ部２１が設けられて
おり、ここに当接部分２３を設けることでダイアタッチ
部２１にバリ２４が発生することになる。このようなダ
イアタッチ部２１に半導体素子１０を搭載しようとする
と、バリ２４のために半導体素子１０が斜めになったり
（図４参照）して、半導体素子１０を高精度に搭載しよ
うとする場合の妨げとなる。
【０００７】よって、本発明はモールド樹脂による中空
パッケージを用いても、高精度な位置合わせが行える半
導体装置を提供することを目的とする。
パッケージを用いても、高精度な位置合わせが行える半
導体装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するために成された半導体装置である。すなわ
ち、本発明の半導体装置は、ダイアタッチ部を有する基
台と、ダイアタッチ部に搭載されるエリアセンサーまた
はリニアセンサーからなる半導体素子と、半導体素子の
上方を覆う状態で、前記基台の枠部に取り付けられる上
蓋とを有し、ダイアタッチ部が底部に生じるバリの高さ
より深い凹部を有し、半導体素子がバリを埋没させるよ
う塗布された接着剤により接着されている。
題を解決するために成された半導体装置である。すなわ
ち、本発明の半導体装置は、ダイアタッチ部を有する基
台と、ダイアタッチ部に搭載されるエリアセンサーまた
はリニアセンサーからなる半導体素子と、半導体素子の
上方を覆う状態で、前記基台の枠部に取り付けられる上
蓋とを有し、ダイアタッチ部が底部に生じるバリの高さ
より深い凹部を有し、半導体素子がバリを埋没させるよ
う塗布された接着剤により接着されている。
【０００９】
【作用】金型のキャビティ内にモールド樹脂を充填して
硬化させ、イジェクターピンの突き出し動作で離型して
成る基台において、イジェクターピンが突き当たる基台
の当接部分が凹部内に設けられているため、当接部分に
バリが発生してもこの凹部内に収まることになる。ま
た、金型とイジェクターピンとのクリアランスにより発
生するバリが当接部分に形成されても、このバリの高さ
より深く凹部が形成されているため、バリが凹部から外
に突出することがない。
硬化させ、イジェクターピンの突き出し動作で離型して
成る基台において、イジェクターピンが突き当たる基台
の当接部分が凹部内に設けられているため、当接部分に
バリが発生してもこの凹部内に収まることになる。ま
た、金型とイジェクターピンとのクリアランスにより発
生するバリが当接部分に形成されても、このバリの高さ
より深く凹部が形成されているため、バリが凹部から外
に突出することがない。
【００１０】このような凹部をダイアタッチ部に設けれ
ば、バリが外に突出することがなく凹部内に収まってい
るため、ダイアタッチ部に半導体素子を正確に搭載する
ことができる。また、半導体素子をダイアタッチ部に搭
載するための接着剤で凹部内のバリを埋没させること
で、バリの欠落を防止でき、バリがダストとして散乱せ
ず、ダストによる画像の悪影響を抑制することができ
る。
ば、バリが外に突出することがなく凹部内に収まってい
るため、ダイアタッチ部に半導体素子を正確に搭載する
ことができる。また、半導体素子をダイアタッチ部に搭
載するための接着剤で凹部内のバリを埋没させること
で、バリの欠落を防止でき、バリがダストとして散乱せ
ず、ダストによる画像の悪影響を抑制することができ
る。
【００１１】
【実施例】以下に、本発明の半導体装置の実施例を図に
基づいて説明する。図１は、本発明の半導体装置を説明
する断面図、図２は半導体素子の搭載状態を説明する断
面図である。すなわち、本発明の半導体装置１は、モー
ルド樹脂から成る基台２と、基台２の略中央に設けられ
たダイアタッチ部２１に搭載される半導体素子１０と、
この半導体素子１０の上方を覆う状態で、ダイアタッチ
部２１の周囲に設けられた枠部２２上に取り付けられる
上蓋３とから構成される、いわゆる中空パッケージを用
いたものである。なお、半導体素子１０と電気的な導通
が得られたリードが半導体装置１から延出されている
が、説明を簡単にするために図示はしていない。
基づいて説明する。図１は、本発明の半導体装置を説明
する断面図、図２は半導体素子の搭載状態を説明する断
面図である。すなわち、本発明の半導体装置１は、モー
ルド樹脂から成る基台２と、基台２の略中央に設けられ
たダイアタッチ部２１に搭載される半導体素子１０と、
この半導体素子１０の上方を覆う状態で、ダイアタッチ
部２１の周囲に設けられた枠部２２上に取り付けられる
上蓋３とから構成される、いわゆる中空パッケージを用
いたものである。なお、半導体素子１０と電気的な導通
が得られたリードが半導体装置１から延出されている
が、説明を簡単にするために図示はしていない。
【００１２】基台２の例えばダイアタッチ部２１には、
成形の際に使用するイジェクターピンの当接部分２３が
設けられており、しかも、この当接部分２３が凹部４内
に設けられている。当接部分２３には、バリ２４や傷等
が発生しているが、凹部４内に収まっており、凹部４か
ら外に突出することはない。このため、図２に示すよう
に、基台２のダイアタッチ部２１および凹部４内に接着
剤５を塗布してこの凹部４上に半導体素子１０を搭載す
ると、半導体素子１０の下面がダイアタッチ部２１の上
面に接触する状態となり、バリ２４が半導体素子１０の
下面に接触することがない。
成形の際に使用するイジェクターピンの当接部分２３が
設けられており、しかも、この当接部分２３が凹部４内
に設けられている。当接部分２３には、バリ２４や傷等
が発生しているが、凹部４内に収まっており、凹部４か
ら外に突出することはない。このため、図２に示すよう
に、基台２のダイアタッチ部２１および凹部４内に接着
剤５を塗布してこの凹部４上に半導体素子１０を搭載す
ると、半導体素子１０の下面がダイアタッチ部２１の上
面に接触する状態となり、バリ２４が半導体素子１０の
下面に接触することがない。
【００１３】次に、基台２の形成に伴うバリ２４の発生
について説明する。図３は、基台２の突き出しを説明す
る断面図である。すなわち、この基台２は、金型１１の
キャビティ１２内にモールド樹脂を充填した後、所定の
温度で加熱硬化して形成されるもので、硬化の後にキャ
ビティ１２内からこの基台２を離型させるため、金型１
１に取り付けられたイジェクターピン１３にて基台２を
突き出している。この基台２には、突き出しでイジェク
ターピン１３の先端が突き当たる当接部分２３が設けら
れている。
について説明する。図３は、基台２の突き出しを説明す
る断面図である。すなわち、この基台２は、金型１１の
キャビティ１２内にモールド樹脂を充填した後、所定の
温度で加熱硬化して形成されるもので、硬化の後にキャ
ビティ１２内からこの基台２を離型させるため、金型１
１に取り付けられたイジェクターピン１３にて基台２を
突き出している。この基台２には、突き出しでイジェク
ターピン１３の先端が突き当たる当接部分２３が設けら
れている。
【００１４】ところで、基台２を形成する際に、この金
型１１とイジェクターピン１３とのクリアランスにモー
ルド樹脂が入り込み、これが基台２の当接部分２３にバ
リ２４として突設した状態で残留してしまう。特に、金
型１１の使用回数が増すにつれて、金型１１とイジェク
ターピン１３とのクリアランスが大きくなり、このバリ
２４の高さも大きくなってしまう。このため、当接部分
２３が設けられる凹部４の深さは、このようなバリ２４
の高さよりも深く形成されている。
型１１とイジェクターピン１３とのクリアランスにモー
ルド樹脂が入り込み、これが基台２の当接部分２３にバ
リ２４として突設した状態で残留してしまう。特に、金
型１１の使用回数が増すにつれて、金型１１とイジェク
ターピン１３とのクリアランスが大きくなり、このバリ
２４の高さも大きくなってしまう。このため、当接部分
２３が設けられる凹部４の深さは、このようなバリ２４
の高さよりも深く形成されている。
【００１５】例えば、小型の基台２を形成する場合に
は、イジェクターピン１３を中央部分に一箇所設けるだ
けで十分であるが、この中央部分が基台２のダイアタッ
チ部２１に対応してしまい、ダイアタッチ部２１に当接
部分２３を設けなければならない。このような場合、ダ
イアタッチ部２１に先に述べたような凹部４を設け、こ
の凹部４内に当接部分２３を設ければ、ダイアタッチ部
２１の上面から上にバリ２４が突出することがなくな
る。すなわち、図２に示すように、ダイアタッチ部２１
に半導体素子１０を搭載した場合に、バリ２４の影響を
受けることなく半導体素子１０を正確に搭載することが
できる。
は、イジェクターピン１３を中央部分に一箇所設けるだ
けで十分であるが、この中央部分が基台２のダイアタッ
チ部２１に対応してしまい、ダイアタッチ部２１に当接
部分２３を設けなければならない。このような場合、ダ
イアタッチ部２１に先に述べたような凹部４を設け、こ
の凹部４内に当接部分２３を設ければ、ダイアタッチ部
２１の上面から上にバリ２４が突出することがなくな
る。すなわち、図２に示すように、ダイアタッチ部２１
に半導体素子１０を搭載した場合に、バリ２４の影響を
受けることなく半導体素子１０を正確に搭載することが
できる。
【００１６】特に、エリアセンサーやリニアセンサー等
の光学系部品から成る半導体装置１の場合には、ダイア
タッチ部２１に半導体素子１０を高精度に位置合わせす
ることができるため、いわゆる半導体素子１０のあおり
角度のばらつきを低減することができる。また、半導体
素子１０を搭載してもバリ２４と接触せず、しかも接着
剤５にて埋め込まれてしまいバリ２４が欠落することが
ない。このためバリ２４がダストとして散乱せず、ダス
トによる画像の悪影響を抑制することができる。
の光学系部品から成る半導体装置１の場合には、ダイア
タッチ部２１に半導体素子１０を高精度に位置合わせす
ることができるため、いわゆる半導体素子１０のあおり
角度のばらつきを低減することができる。また、半導体
素子１０を搭載してもバリ２４と接触せず、しかも接着
剤５にて埋め込まれてしまいバリ２４が欠落することが
ない。このためバリ２４がダストとして散乱せず、ダス
トによる画像の悪影響を抑制することができる。
【００１７】なお、凹部４の深さとしては、モールド樹
脂の材質や粘度、およびモールディングの条件や金型１
１の使用頻度等により発生するバリ２４の高さが変化す
るため、各種の条件から予想される最大のバリ２４の高
さより深くすればよい。例えば、通常発生するバリ２４
の高さが１０μｍ〜４０μｍである場合には、凹部４を
７５μｍ程度の深さで設ければよい。
脂の材質や粘度、およびモールディングの条件や金型１
１の使用頻度等により発生するバリ２４の高さが変化す
るため、各種の条件から予想される最大のバリ２４の高
さより深くすればよい。例えば、通常発生するバリ２４
の高さが１０μｍ〜４０μｍである場合には、凹部４を
７５μｍ程度の深さで設ければよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置によれば次のような効果がある。すなわち、ダイアタ
ッチ部にイジェクターピンの当接部分が設けられていて
もバリが凹部内に収まるため、半導体素子を高精度に搭
載することが可能となる。しかも、バリの欠落がなく、
半導体装置のクリーン化に対応することができる。これ
らのことから、モールド樹脂による中空パッケージを用
いても、高精度な位置合わせが行え、かつ信頼性の高い
半導体装置を提供することが可能となる。
置によれば次のような効果がある。すなわち、ダイアタ
ッチ部にイジェクターピンの当接部分が設けられていて
もバリが凹部内に収まるため、半導体素子を高精度に搭
載することが可能となる。しかも、バリの欠落がなく、
半導体装置のクリーン化に対応することができる。これ
らのことから、モールド樹脂による中空パッケージを用
いても、高精度な位置合わせが行え、かつ信頼性の高い
半導体装置を提供することが可能となる。
【図１】本発明の半導体装置を説明する断面図である。
【図２】半導体素子の搭載状態を説明する断面図であ
る。
る。
【図３】基台の突き出しを説明する断面図である。
【図４】従来例を説明する断面図である。
１…半導体装置、２…基台、３…上蓋、４…凹部、５…
接着剤、１０…半導体素子、１１…金型、１２…キャビ
ティ、１３…イジェクターピン、２１…ダイアタッチ
部、２２…枠部、２３…当接部分、２４…バリ
接着剤、１０…半導体素子、１１…金型、１２…キャビ
ティ、１３…イジェクターピン、２１…ダイアタッチ
部、２２…枠部、２３…当接部分、２４…バリ
Claims (1)
- 【請求項１】 ダイアタッチ部を有する基台と、 前記ダイアタッチ部に搭載されるエリアセンサーまたは
リニアセンサーからなる半導体素子と、 前記半導体素子の上方を覆う状態で、前記基台の枠部に
取り付けられる上蓋とを有し、 前記ダイアタッチ部は底部に生じるバリの高さより深い
凹部を有し、 前記半導体素子は前記バリを埋没させるよう塗布された
接着剤により接着されていることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29791692A JP3201014B2 (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29791692A JP3201014B2 (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06125019A JPH06125019A (ja) | 1994-05-06 |
| JP3201014B2 true JP3201014B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=17852757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29791692A Expired - Fee Related JP3201014B2 (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3201014B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3888228B2 (ja) * | 2002-05-17 | 2007-02-28 | 株式会社デンソー | センサ装置 |
| JP5307368B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2013-10-02 | 田村プラスチック製品株式会社 | 車両用外装品 |
| JP2008211229A (ja) * | 2008-03-28 | 2008-09-11 | Nec Electronics Corp | モールド成型用金型 |
| US8562225B2 (en) | 2008-12-24 | 2013-10-22 | Fujikura Ltd. | Optical ferrule, optical ferrule molding die, manufacturing method of optical ferrule, and ferrule with optical fiber |
-
1992
- 1992-10-09 JP JP29791692A patent/JP3201014B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06125019A (ja) | 1994-05-06 |
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