JPS6125112Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は磁気バブルメモリデバイスにおける内
部素子の樹脂外装にさいし低圧モールド成形封止
を可能ならしめるためのバブルメモリの樹脂封止
構造に関する。

第１図は本考案対象である前記メモリデバイス
の全体を示す斜視図、又第２図は前記デバイスの
分解図であり、イ図はバブルメモリ素子（図示さ
れない）並びに素子駆動コイル（１と２）組立体
３と、外部端子６を埋設してモールド成形された
上下開口の外枠体４と、を組立てた斜視図、又ロ
図はイ図体を内挿（図示矢印の向きで圧挿入）装
着して磁気シールドする外筐体５を示す斜視図で
ある。外筐体５は軟磁性材料を成形したもので、
これにより磁気バブルメモリの動作を妨害する外
部磁場を遮断、又内蔵する永久磁石による磁界の
洩れを防ぐ。

しかし前記イ図組立体は、図示のままでは耐熱
性をはじめ耐湿性あるいは振動・衝撃等の機械的
外装強度がえられず、このため内挿組立の前又は
後、外枠体４内のスペースに絶縁性等の外装樹脂
を充填する。しかも該樹脂充填法は樹脂の自然流
動性を利用した加圧のない所謂ポツテング注入又
はポツテング注形により行なつていた。

従来、かかるポツテング注形法は簡易な工法で
樹脂注入ができてよいが、本バブルメモリのパツ
ケージ構成手段として用いるには次の如き問題が
生じる。

(1) 注入樹脂量に過不足が生じ外装強度にバラツ
キが大きい。

(2) (1)項の過剰注入は外観不良や枠外はみ出しの
樹脂は端子を不導体化しかつこの取除きは困難
である。

(3) 樹脂硬化過程において、薄肉厚の前記組立体
３（又は第５図参照）にとかく不均衡な収縮歪
力がかゝり、該組立をしたセラミツク基板にク
ラツクやひヾわれが生じやすく外装強度も低下
する。

(4) 前(3)項に指摘せる不均衡な歪力は、又素子駆
動コイル１並びに２の微少変形を派生し組立の
精度を低下するばかりでなく製造歩留りに悪影
響を及ぼす。

本考案の目的は前記の問題点を解決するために
なされたもので、低圧モールド注形による前記組
立体の樹脂封止構造を提示するにある。

以下、本考案の実施例を第３図乃至第５図に従
がい説明する。第３図は外枠体４の枠体のみの斜
視図が、又第４図は第３図Ａ−Ａ線断面が示され
る。第５図は前記の組立体３が拡大された斜視図
である。

第３図において、８と８′は樹脂モールド成形
による外枠体４の上面７と下面７′の略中央に一
体形成された樹脂洩れ防止を果す密接用突起であ
り、該突起８，８′が外枠体４と外筐体５との圧
力挿入により変形して両者間の隙間を塞ぐ。そし
て、該外枠体４の上下面７，７′ね第２図イ，ロ
の圧力挿入に当り、外枠体４と外筐体５とが互に
当接接触の周縁面となる面である。そして、外枠
体４内に予じめ組立体３を収容した状態で該外枠
体４と外筐体５とを相対的に圧力挿入して、その
当接接触面を突起８，８′により密着状態に一体
化し、しかる後低圧モールド手法にて低圧状態の
樹脂を孔９から外枠体４の内部へ注入する。下方
の孔１０は内部空気の流出する孔である。該枠に
設ける孔９及び１０の形状は図の円孔とかぎら
ず、他形状でもよい。又その位置も例図とかぎら
ず例えば空気流出孔１０は孔９と対面する枠辺に
設け、要するに低圧注入の樹脂が内部スペースに
むらなく流れ込み、しかも素子駆動コイル組立体
に対する封入後の残留歪が最小となる位置を選定
し設定すればよい。

しかしながら、かかる組立体３は薄肉体である
ため、第５図太い矢印１１と１２で示す該組体に
加わる垂直方向並びに水平方向各荷重（応力）に
対しセラミツクからなるＥ型基板が破損しやすい
懸念がある。このため図示Ｅ字型基板１５と駆動
コイル１との間にある空隙１４，１４′を閉塞さ
せるスペーサ１３を嵌入し、該コイル１の横ずれ
等のない様固着すると共にあたかも基板が一枚板
のふるまいをする様にし前記樹脂注入にも安定化
し、又注入樹脂の硬化後においても外装強度が高
められる構成とした。例図のスペーサは樹脂モー
ルド成形体であるが、同等機能の樹脂埋設をして
もよい。この様なスペーサ１３を付設したことに
よりこれを製品としたメモリデバイス（第１図参
照）に就き落下衝撃試験、例えば高さ80cm上から
木製の試験台に反覆して落下させ、基板上のワレ
あるいは実装強度の比較試験（従来製品との比
較）を試行したところ満足すべき結果が確認され
た。

以上、本考案になるバブルメモリの樹脂封止構
造とすれば、構造上から脆弱であつたバブルメモ
リ素子並びに素子駆動コイル組立体の欠陥が無く
なり、併せて従来の作業性のよくないポツテング
注形方法から、量産性のよい低圧の樹脂モールド
注形法への変更が可能となる。デバイス自体も前
記の様に機能が強化される等本考案の効果たるや
大なるものがある。

【図面の簡単な説明】

第１図と第２図は磁気バブルメモリデバイスの
外観斜視図並びに考案対象であるデバイス分解斜
視図である。第３図は本考案の外枠体斜視図、第
４図は第３図のＡ−Ａ線断面図、及び第５図は素
子駆動コイル組立体の拡大斜視図である。 図において、１と２とは駆動コイル、３は素子
駆動コイル組立体、４は外枠体、５は外筐体、８
と８′は枠体４の上下側面７と７′に設けた突起、
９は樹脂注入孔、１３はスペーサ、１５はＥ型基
板である。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. Ｅ字型基板上に組立てたバブルメモリ素子並び
   に該素子を駆動するコイルと、前記組立体を内蔵
   する上下開口を樹脂モールド成形された外枠体
   と、該外枠体の周囲を磁気シールドする外筐体と
   から構成するメモリパツケージにおいて、前記外
   枠体と前記外筐体とが当接する該外枠体周縁面
   に、該外枠体の内部空間へ低圧モールド手法にて
   充填される樹脂の洩れ防止用の一体形成された密
   接用突起を設け、且つ該外枠体内に収容される前
   記組立体は前記Ｅ字型基板と前記駆動コイル間の
   組立空隙に閉塞用スペーサが嵌入されていること
   を特徴とするバブルメモリの樹脂封止構造。